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1.概述2.介質(zhì)諧振器3.微波介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)與性能4.主要的體系5.測(cè)試微波介質(zhì)陶瓷
1.概述:微波頻帶及微波陶瓷微波的波長(zhǎng)短,方向性強(qiáng),可用于雷達(dá)來(lái)發(fā)現(xiàn)和跟蹤目標(biāo);另外,由于微波頻率高,信息量大,非常適合于微波通訊;其對(duì)高空電離層的穿透性可用于衛(wèi)星通訊。近年來(lái),移動(dòng)通訊系統(tǒng),電纜電視系統(tǒng),衛(wèi)星通信系統(tǒng)的迅速發(fā)展,對(duì)微波領(lǐng)域的材料及器件提出了更高的要求。研制高性能的陶瓷材料,制造出高品質(zhì)的微波介質(zhì)諧振器已成為國(guó)內(nèi)外高技術(shù)陶瓷研究的一個(gè)重要課題。微波特點(diǎn)“主動(dòng)拒止系統(tǒng)”(ActiveDenialSystem,ADS)
微波介質(zhì)陶瓷廣泛用于微波振蕩器和微波濾波器,而微波介質(zhì)諧振器是其基本器件。為了獲得高的品質(zhì)因數(shù)和減小尺寸,不同應(yīng)用頻率,通常采用不同模式的諧振器,在較低頻率下,主要以帶狀線諧振器或微帶線諧振器為主,但由于受金屬傳輸線(一般為銀)低品質(zhì)因數(shù)的限制,此類諧振器的品質(zhì)因數(shù)不會(huì)太高,但體積可以做得很小。在高頻下,可以采用介質(zhì)諧振器,由于不需要金屬化,其品質(zhì)因數(shù)可以做得很高。微波介質(zhì)陶瓷除可以用來(lái)制作高穩(wěn)定、高Q諧振器和濾波器外,還廣泛用于制作雙工器、GPS(全球定位系統(tǒng))天線、微波集成電路基板、微波電容器等。2.介質(zhì)諧振器1)集中參數(shù)的諧振回路:諧振回路的損耗通常用回路的品質(zhì)因數(shù)Q表示,Q越大損耗越小.并聯(lián)諧振回路的品質(zhì)因數(shù)等于:,rC、rL分別式電容和電感的內(nèi)阻缺點(diǎn):受工藝技術(shù)的限制,其電感、電容和電阻都不可能很小,因而它的諧振頻率和Q值也不可能很高。一般集中參數(shù)諧振回路的諧振頻率低于300MHz,Q值小于500。諧振器的本質(zhì)是什么?2)分布參數(shù)回路――空腔諧振器。它是一個(gè)中空的金屬盒子,有方形、圓柱形或其它形狀,以一定方式將電磁波耦合到腔體中。諧振腔的諧振頻率與其形狀。幾何尺寸、耦合到諧振腔中的電磁波的振動(dòng)模式有關(guān)。諧振腔的優(yōu)點(diǎn)之一是有較高的品質(zhì)因數(shù),例如,容易做到Q
40000。諧振腔的Q值取決于諧振腔的形狀、體積、腔內(nèi)壁金屬的表面電導(dǎo)率和加工精度等因數(shù)。保持諧振腔有較高的Q值,同時(shí)縮小其體積,是微波器件小型化、集成化的一個(gè)重要方向。由電磁波理論知,如果電介質(zhì)的介電常數(shù)為r,那么介質(zhì)中的波長(zhǎng)為空氣中波長(zhǎng)的如果將電介質(zhì)填充諧振腔,諧振腔的尺寸也將縮小到按此原理設(shè)計(jì)的諧振腔即稱介質(zhì)諧振器。3.1微波介質(zhì)陶瓷的主要性能微波介質(zhì)陶瓷材料是制造微波元器件的關(guān)鍵材料,除了要求必備的機(jī)械強(qiáng)度、化學(xué)穩(wěn)定性及經(jīng)時(shí)穩(wěn)定性外,還要求它具有不同于一般電子陶瓷的特殊性能,微波介質(zhì)陶瓷要具有以下三個(gè)主要性能指標(biāo):在微波頻率下,相對(duì)介電常數(shù)εr要大,一般要大于15。在介電常數(shù)為εr的介質(zhì)中,電磁波的波長(zhǎng)與成正比,而在同樣諧振頻率f0下,介質(zhì)諧振器的形狀與尺寸又取決于電磁波的波長(zhǎng),即:其中:λ介—電磁波在介質(zhì)中的波長(zhǎng),λ空—電磁波在空氣中的波長(zhǎng),εr—介質(zhì)材料的相對(duì)介電常數(shù)。因此,在同樣的諧振頻率f0下,εr越大,介質(zhì)諧振器的尺寸就越小,電磁能量也越集中于介質(zhì)體內(nèi),受周圍環(huán)境的影響也越小。這既有利于介質(zhì)諧振器件的小型化,也有利于其高品質(zhì)化,目前高介微波介質(zhì)陶瓷的εr已超過100,以此來(lái)滿足元器件小型化的要求。高Q有利于獲得良好的濾波特性及通訊質(zhì)量。?RC并聯(lián)回路,BW以HZ為單位)=f0/QL
QL=RCf0
BW=1/RC
對(duì)于同一材料,為了較高的Q值,在較低的頻率下使用更有利!介質(zhì)諧振器件以陶瓷的某種振動(dòng)模式的諧振頻率作為其中心頻率。早期電介質(zhì)用于微波介質(zhì)諧振器的困難就在于此!其中
L為熱膨脹系數(shù),
為介電常數(shù)溫度系數(shù)
同時(shí)滿足三個(gè)條件,微波介質(zhì)陶瓷的要求比較苛刻!3.2微波介質(zhì)陶瓷的主要材料及分類近年來(lái),為了適用微波技術(shù)的需求,微波介質(zhì)陶瓷材料發(fā)展迅速,已研究開發(fā)了多種滿足不同性能要求的微波介質(zhì)材料。這些微波陶瓷可按介電性能和材料體系進(jìn)行分類:低介高Q值材料。ε主要包括:BaO-MgO-Ta2O5,BaO-ZnO-Ta2O5或BaO-MgO-Nb2O5,BaO-ZnO-Nb2O5系統(tǒng)及它們之間的復(fù)合系統(tǒng)微波介質(zhì)陶瓷材料。其ε
r=25-30,Q=(1-3)×104(在f>10GHz),τf≈0。它們主要用于f≥10GHz的衛(wèi)星直播等微波通信機(jī)中作為介質(zhì)諧振器件。中介中Q值材料。主要是以BaTi4O9,BaTi9O20和(Zr,Sn)TiO4等為基的微波介質(zhì)材料。其ε
r≈40,Q=(6-8)×103(在f=3-4GHz)。τf≈0。它們主要用于微波軍用雷達(dá)及微波通信中作為介質(zhì)諧振器件。高介低Q類材料。主要是以簡(jiǎn)稱為BLT的BaO-Ln2O3-TiO2(其中Ln為Sm,Nd等稀土元素)為基的微波介質(zhì)陶瓷,其ε
r=80-90,Q=(2-5)×103(在1-3GHz下),τf=(10±5)×10-6/℃,它主要用于低微波頻段(f<2GHz)的民用移動(dòng)通信系統(tǒng)中作為介質(zhì)諧振器件。這是當(dāng)前微波介質(zhì)陶瓷研究的熱點(diǎn)之一。
(1)按陶瓷材料的εr大小,可將其分為三類:為何按照介電系數(shù)分類呢??材料介電常數(shù)
r
Q
f(GHz)測(cè)試頻率(GHz)頻溫系數(shù)
fppm/oCCaTiO3-MgTiO3215600070Ba(Zn1/3Ta2/3)O330168000120Ba(Mg1/3Ta2/3)O32535000010-4(Ba(Zn1/3Ta2/3)O3-(Ba,Sr)(Ga,Ta)O332190000100BaTi4O94036000415Ba2Ti9O20403600045BaTi4O9-WO335504006-0.5(Zr,Sn)TiO4384900070BaSm2Ti5aNd2Ti5O148940002-50Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO288200040(Pb,Ca)ZrO3105360033.7PbO-BaO-Nd2O3-TiO290520013幾種典型微波介質(zhì)材料及主要性能按組成系統(tǒng)特點(diǎn),常用的微波介質(zhì)陶瓷材料可分為三個(gè)體系:(2)按組成系統(tǒng)分類:(1)BaO-TiO2體系BaO-TiO2體系中含有多種化合物,其中具有優(yōu)異微波介電性能的主要有BaTi4O9和Ba2Ti9O20。Ba2Ti9O20具有比BaTi4O9更好的介電性能,目前已被用作制造微波介質(zhì)諧振器材料,并得到了廣泛的應(yīng)用。在70年代和80年代初曾被廣泛研究,但在過去十幾年中又曾經(jīng)被忽視,尤其是BaTi4O9系。主要原因是該系統(tǒng)Q值低且無(wú)法控制,τf又不易調(diào)整,最近,由于BaO-TiO2體系微波陶瓷體系簡(jiǎn)單、價(jià)格便宜等因素又重新得到重視。其新配方性能好,通過改變BT4/B2T9比例,該體系在整個(gè)微波頻段范圍內(nèi)都可應(yīng)用。于是人們又開始注意用于蜂窩式移動(dòng)通信系統(tǒng)濾波器的鈦酸鋇鹽新一代材料的發(fā)展。(2)BaO-R2O3-TiO2系統(tǒng)BaO-R2O3-TiO2系統(tǒng)是在BaTiO3系中加入稀土氧化物而派生出來(lái)的,是目前微波介質(zhì)陶瓷研究的熱點(diǎn)之一,也是高εr微波介質(zhì)陶瓷的典型代表。其中R2O3(或Ln2O3)為鑭系稀土氧化物。以BaO-R2O3-TiO2為基礎(chǔ),通過摻雜、改變各組分比例,又可得到一系列介電性能不同、性能優(yōu)異的微波介質(zhì)陶瓷。根據(jù)R2O3中的稀土元素,該系統(tǒng)又可分為三個(gè)體系:
1.BaO-Nd2O3-TiO2系2.BaO-Sm2O3-TiO2系3.BaO-La2O3-TiO2系(3)A(B’1/3B’’2/3)O3系列由于現(xiàn)代通信系統(tǒng)正在向高頻方向發(fā)展,因而要求微波介質(zhì)材料在高頻(>10GHz)時(shí)具有高Q值。目前研究發(fā)現(xiàn),具有復(fù)合鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的A(B’1/3B’’2/3)O3系列材料在很高的微波頻率下具有極低的介質(zhì)損耗,其中B’可以是Mg、Ni、Co、Mn、Zn、Ca等,B’’為Ta或Nb,典型材料是Ba(Zn1/3Ta2/3)O3(BZT)、Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)及Ba(Zn1/3Nb2/3)O3等。這一系列材料具有優(yōu)異的微波性能,是目前已實(shí)用化的重要的高Q微波介質(zhì)陶瓷。微波介質(zhì)陶瓷應(yīng)具有的介電性能為:高介電常數(shù)高品質(zhì)因數(shù)低諧振頻率溫度系數(shù)
3.3微波介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)與性能
微波頻段內(nèi)介質(zhì)的極化機(jī)制主要是電子位移極化和離子位移極化,因此微波介質(zhì)陶瓷的介電常數(shù)起因于所有構(gòu)成離子的電子極化率和離子極化率之和。微波介質(zhì)陶瓷要求具有高的介電常數(shù),高介電常數(shù)離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是在晶體結(jié)構(gòu)中具有氧八面體。3.3.1(1)介電常數(shù)電介質(zhì)的極化機(jī)制?電子極化離子極化晶格振動(dòng)的一維模型理論高介微波介質(zhì)中的氧八面體鈣鈦礦結(jié)構(gòu)示意圖氧八面體的極化3.3.1(2)介質(zhì)損耗介質(zhì)損耗3.3.1(3)諧振頻率溫度系數(shù)如何獲得零諧振頻率溫度系數(shù)3.3.2微波陶瓷的結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系以具有類鈣鈦礦鎢青銅結(jié)構(gòu)的BaO-R2O3-TiO2(其中R為稀土元素Ln)體系陶瓷為例說(shuō)明介電性能與晶體結(jié)構(gòu)的相關(guān)性。BaO-R2O3-TiO2體系微波陶瓷是目前研究得最多并已實(shí)用化的高介微波介質(zhì)陶瓷,為該體系陶瓷的組成關(guān)系鎢青銅結(jié)構(gòu)是由共點(diǎn)氧八面體形成,八面體以共頂點(diǎn)的形式沿c軸疊置成堆垛,各堆垛再以共點(diǎn)的形式聯(lián)接起來(lái)。氧八面體聯(lián)接形成三種不同形狀的空隙,即A1、A2和C,其平面形態(tài)分別是菱形、五邊形和三角形,配位數(shù)分別是12、15和9,其中A2的體積最大,A1次之,C最小Ba6-3xSm8+2xTi18O54(x=0.7)固溶體的晶體結(jié)構(gòu)理想的A1和A2空隙的構(gòu)形該結(jié)構(gòu)與鈣鈦礦結(jié)構(gòu)類似,Ti與O的比例保持在1:3,三元系固溶體的組成在BaTiO3-R2Ti3O9連線上,形成鎢青銅結(jié)構(gòu),大離子半徑的Ba2+和R3+處于[TiO6]八面體形成的三維框架的空隙中,為維持電中性,2個(gè)R3+取代3個(gè)Ba2+,即理想的A1和A2空隙的構(gòu)形半徑最大的Ba2+進(jìn)入A2空隙,半徑次之的稀土離子R3+處于A1空隙,A1和A2填滿,而空間最小的三角形空隙全空,Ti4+進(jìn)入氧八面體空隙中。
鎢青銅晶體形態(tài)通常為針狀或長(zhǎng)棒狀,長(zhǎng)度方向?yàn)閏軸方向介電性能與結(jié)構(gòu)的相關(guān)性:(a)Ba和R有序?qū)е赂叩钠焚|(zhì)因數(shù)Ba6-3xR8+2xTi18O54固溶體陶瓷的介電性能與組成的關(guān)系Ba6-3xR8+2xTi18O54固溶體陶瓷的介電性能與組成的關(guān)系Ba6-3xR8+2xTi18O54固溶體陶瓷的介電性能與組成的關(guān)系晶格應(yīng)變與組成的關(guān)系對(duì)于x=2/3組成,隨稀土離子半徑減小,Q值增大,這說(shuō)明Ba與R的離子半徑差越大,晶格應(yīng)變?cè)叫〗殡姵?shù)與頻率溫度系數(shù)介電常數(shù)受三個(gè)方面的影響:(1)[TiO6]氧八面體的大?。?)[TiO6]氧八面體的傾斜程度(3)Ba和R離子的極化率。鎢青銅結(jié)構(gòu)中氧八面體的傾斜介電常數(shù)和溫度系數(shù)與單胞體積的關(guān)系
固溶體中的介電常數(shù)還正比于晶胞參數(shù)或晶胞體積,隨x增大,晶胞參數(shù)或體積增加,介電常數(shù)會(huì)線性增加3.3.3高介高Q微波陶瓷的組成與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原則1.對(duì)于設(shè)計(jì)高Q陶瓷材料,晶體結(jié)構(gòu)知識(shí),如超晶格、離子有序化、離子占位等至關(guān)重要。2.因晶格應(yīng)變降低Q值,因此應(yīng)選擇低晶格應(yīng)變的組成以獲得高Q的材料。3.具有對(duì)稱中心的晶體一般有利于高Q值,提高離子在晶格中的有序化可以提高品質(zhì)因數(shù)。4.要得到高介電常數(shù),應(yīng)選擇大的八面體體積和小的傾
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