2025年人教版選擇性必修2化學(xué)上冊階段測試試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年人教版選擇性必修2化學(xué)上冊階段測試試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級：______考號：______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共9題，共18分)1、下列基態(tài)原子價(jià)層電子軌道表示式正確的是A.B.C.D.2、下列離子中所有原子都在同一平面上的一組是A.和B.和C.和D.和3、某新型超導(dǎo)材料(只含鎂、鎳和碳三種元素)的一個(gè)晶胞(碳原子用小球表示，鎳原子用○球表示，鎂原子用大球表示；小球大小不代表原子實(shí)際大小)如圖所示。該晶體的化學(xué)式是。

A.B.C.D.4、鹵化鈉(NaX)和四鹵化鈦()的熔點(diǎn)如圖所示：下列有關(guān)說法不正確的是。

A.Ti原子的價(jià)電子排布式為B.分子中存在極性共價(jià)鍵C.晶格能：D.分子間作用力：5、短周期元素X；Y、Z、W在元素周期表中的相對位置如圖所示；其中W原子的質(zhì)子數(shù)是其最外層電子數(shù)的3倍，下列說法正確的是。

A.最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的酸性：X>W>ZB.原子半徑：Z>W>Y>XC.X、Y、Z的最簡單氣態(tài)氫化物中穩(wěn)定性最弱的是XD.元素Y、Z形成的化合物可溶于鹽酸6、設(shè)表示阿伏加德羅常數(shù)的值；下列說法中正確的。

①含16g氧原子的二氧化硅晶體中含有的鍵數(shù)目為

②12g石墨中含有鍵的個(gè)數(shù)為

③中所含的離子總數(shù)為

④含有鍵的個(gè)數(shù)為

⑤12g石墨烯(單層石墨)中含有的六元環(huán)數(shù)為個(gè)。

⑥晶體中，含陽離子數(shù)目為A.②③⑥B.③④⑤C.①②⑤D.①②⑥7、是一種無色劇毒氣體，其分子結(jié)構(gòu)和相似，P-H鍵的鍵能比N-H鍵的鍵能小。下列判斷錯誤的是A.的分子結(jié)構(gòu)為三角錐形B.分子中的原子最外層電子不都滿足8e-結(jié)構(gòu)C.的沸點(diǎn)低于因?yàn)镻-H鍵的鍵能低D.分子穩(wěn)定性弱于分子，因?yàn)镹-H鍵的鍵能大8、下面是第2周期部分元素基態(tài)原子的軌道表示式；據(jù)此下列說法一定錯誤的是（）

A.每個(gè)原子軌道里最多只能容納2個(gè)電子B.電子排在同一能級的不同軌道上時(shí)，總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道C.每個(gè)電子層所具有的能級數(shù)等于該電子層序數(shù)D.若一個(gè)原子軌道里有2個(gè)電子，則其自旋狀態(tài)相同9、如圖三條曲線表示C；Si和P元素的前四級電離能變化趨勢。下列說法正確的是。

A.元素電負(fù)性：c＞b＞aB.最簡單氫化物的穩(wěn)定性：c＞a＞bC.最簡單氫化物的相對分子質(zhì)量：a＞b＞cD.第五電離能I5：a＞c＞b評卷人得分二、多選題(共8題，共16分)10、某元素基態(tài)原子4s軌道上有2個(gè)電子，則該基態(tài)原子價(jià)電子排布可能是A.4s2B.3p64s2C.3d44s2D.3d14s211、下列各原子或離子的電子排布式錯誤的是A.C1s22s22p2B.O2-1s22s22p6C.Cr1s22s22p63s23p63d44s2D.Al3+1s22s22p63s23p112、德國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)新配方：他使用了遠(yuǎn)古地球上存在的和HCN，再使用硫醇和鐵鹽等物質(zhì)合成RNA的四種基本堿基。下列說法不正確的是A.基態(tài)價(jià)電子排布為B.分子間均存在氫鍵C.HCN中均存在鍵和鍵D.沸點(diǎn)：(乙硫醇)＞13、以下能級符號正確的是（）A.6sB.2dC.3fD.7f14、用雙硫腺(H2Dz，二元弱酸)～CCl4絡(luò)合萃取法可從工業(yè)廢水中提取金屬離子，從而達(dá)到污水處理的目的。如在分離污水中的Cu2+時(shí)，先發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)：Cu2++2H2DzCu(HDz)2+2H+，再加入CCl4，Cu(HDz)2就很容易被萃取到CCl4中。如圖是用上述方法處理含有Hg2+、Bi3+、Zn2+的廢水時(shí)的酸度曲線(E%表示金屬離子以絡(luò)合物形式被萃取分離的百分率)；下列說法錯誤的是。

A.當(dāng)分離過程中，Bi3+發(fā)生的絡(luò)合反應(yīng)為Bi3++3H2DzBi(HDz)3+3H+B.加NaOH溶液調(diào)節(jié)pH=11，一定存在關(guān)系：c(Na+)＞c(D)=c[Zn(OH)]＞c(OH—)＞c(H+)C.NaHDz溶液存在關(guān)系：c(D)+c(OH—)=c(H2Dz)+c(H+)D.若pH=2.5且—lgc(H2Dz)=pH時(shí)，絡(luò)合反應(yīng)達(dá)到平衡，則H2Dz與Bi3+絡(luò)合反應(yīng)平衡常數(shù)約為515、在銅作催化劑時(shí)，F(xiàn)2能與過量的NH3反應(yīng)得到一種銨鹽A和氣態(tài)物質(zhì)B．B是一種三角錐形分子，其鍵角只有一種，為102°，沸點(diǎn)-129°C．下列有關(guān)說法正確的是A.銨鹽A和氣態(tài)物質(zhì)B所含化學(xué)鍵類型完全相同B.氣態(tài)物質(zhì)B的沸點(diǎn)比NH3高，原因是其相對分子質(zhì)量更大C.氣態(tài)物質(zhì)B有一定的弱堿性D.從電負(fù)性角度判斷，物質(zhì)B中的化學(xué)鍵鍵角比NH3小16、利用超分子可以對一些物質(zhì)進(jìn)行分離，例如利用杯酚(杯酚用“”表示)分離C60和C70的過程如圖所示：

下列說法不正確的是A.晶體熔點(diǎn)：杯酚＞C60＞C70B.操作①用到的玻璃儀器有漏斗、燒杯、玻璃棒C.杯酚與C60分子之間形成分子間氫鍵D.杯酚易溶于氯仿，難溶于甲苯17、如圖；鐵有δ；γ、α三種同素異形體，三種晶體在不同溫度下能發(fā)生轉(zhuǎn)化。下列說法正確的是。

A.γ-Fe晶體中與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子有6個(gè)B.α-Fe晶體中與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子有6個(gè)C.若δ-Fe晶胞邊長為acm，α-Fe晶胞邊長為bcm，則兩種晶體密度比為2b3：a3D.將鐵加熱到1500℃分別急速冷卻和緩慢冷卻，得到的晶體類型相同評卷人得分三、填空題(共6題，共12分)18、非金屬元素在化學(xué)中具有重要地位；請回答下列問題：

（1）氧元素的第一電離能比同周期的相鄰元素要小，理由________。

（2）元素X與硒（Se）同周期，且該周期中X元素原子核外未成對電子數(shù)最多，則X為_____（填元素符號），其基態(tài)原子的電子排布式為_______。

（3）臭齅排放的臭氣主要成分為3－MBT－甲基2丁烯硫醇，結(jié)構(gòu)簡式為（）1mol3－MBT中含有鍵數(shù)目為_______NA（NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值）。該物質(zhì)沸點(diǎn)低于（CH3）2C＝CHCH2OH，主要原因是_______。

（4）PCl5是一種白色晶體，熔融時(shí)形成一種能導(dǎo)電的液體測得其中含有一種正四面體形陽離子和一種正八面體形陰離子；熔體中P－Cl的鍵長只有198pm和206pm兩種，試用電離方程式解釋PCl5熔體能導(dǎo)電的原因_________，正四面體形陽離子中鍵角大于PCl3的鍵角原因?yàn)開_________，該晶體的晶胞如圖所示，立方體的晶胞邊長為apm，NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為_______g/cm3

19、(1)Fe(CO)5常溫下呈液態(tài)，熔點(diǎn)為－20.5℃，沸點(diǎn)為103℃，易溶于非極性溶劑，據(jù)此可判斷Fe(CO)5晶體屬于________(填晶體類型)。

(2)三氯化鐵常溫下為固體，熔點(diǎn)282℃，沸點(diǎn)315℃，在300℃以上易升華，易溶于水，也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑。據(jù)此判斷三氯化鐵晶體類型為________。20、怎樣理解Cl2、Br2、I2的鍵能依次下降，鍵長依次增大？___________________________。21、海水是資源寶庫；蘊(yùn)藏著豐富的化學(xué)元素，如氯；溴、碘等。完成下列填空：

（1）氯離子原子核外有_____種不同運(yùn)動狀態(tài)的電子、有____種不同能量的電子。

（2）溴在周期表中的位置_________。

（3）鹵素單質(zhì)及其化合物在許多性質(zhì)上都存在遞變規(guī)律；請說明下列遞變規(guī)律的原因。

①熔點(diǎn)按F2、Cl2、Br2、I2的順序依次升高，原因是______________。

②還原性按Cl—、Br—、I—的順序依次增大，原因是____________。

（4）已知X2（g）+H2（g）2HX（g）+Q（X2表示Cl2、Br2）；如圖表示上述反應(yīng)的平衡常數(shù)K與溫度T的關(guān)系。

①Q(mào)表示X2（g）與H2（g）反應(yīng)的反應(yīng)熱，Q_____0（填“>”、“<”或“=”）。

②寫出曲線b表示的平衡常數(shù)K的表達(dá)式，K=______（表達(dá)式中寫物質(zhì)的化學(xué)式）。

（5）（CN）2是一種與Cl2性質(zhì)相似的氣體，在（CN）2中C顯+3價(jià)，N顯-3價(jià)，氮元素顯負(fù)價(jià)的原因_________，該分子中每個(gè)原子都達(dá)到了8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，寫出（CN）2的電子式_____。22、在低壓合成甲醇反應(yīng)()所涉及的4種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)開__________，原因是___________。23、(1)在30℃時(shí)生成一硝基取代產(chǎn)物，而在60℃時(shí)生成一硝基取代產(chǎn)物。兩者反應(yīng)溫度不同的主要原因是_____________。

(2)NH2Cl中各原子均滿足電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。寫出NH2Cl的電子式：___________。

(3)二氧化碳晶體硬度很小，而二氧化硅晶體的硬度很大，其原因是____________。評卷人得分四、判斷題(共4題，共8分)24、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對____________

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵，則該分子一定為正四面體結(jié)構(gòu)____________

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的，其分子構(gòu)型不一定為直線形___________

(6)價(jià)層電子對互斥理論中，π鍵電子對數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對數(shù)___________

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp2雜化的結(jié)果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子，其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)，該分子不一定為正四面體結(jié)構(gòu)___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對___________

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯誤25、CH3CH2OH在水中的溶解度大于在水中的溶解度。(___________)A.正確B.錯誤26、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對____________

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵，則該分子一定為正四面體結(jié)構(gòu)____________

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的，其分子構(gòu)型不一定為直線形___________

(6)價(jià)層電子對互斥理論中，π鍵電子對數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對數(shù)___________

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp2雜化的結(jié)果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子，其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)，該分子不一定為正四面體結(jié)構(gòu)___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對___________

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯誤27、用銅作電纜、電線，主要是利用銅的導(dǎo)電性。(______)A.正確B.錯誤評卷人得分五、實(shí)驗(yàn)題(共3題，共6分)28、四氯化碳主要用作優(yōu)良的溶劑；干洗劑、滅火劑、制冷劑、香料的浸出劑以及農(nóng)藥等；也可用于有機(jī)合成，工業(yè)上可用二硫化碳與氯氣反應(yīng)制取四氯化碳。某化學(xué)小組用圖實(shí)驗(yàn)裝置模擬工業(yè)制備四氯化碳。

已知：

①可與溴水反應(yīng)生成硫酸和氫溴酸；

②與在鐵作催化劑的條件下；在85℃～95℃反應(yīng)可生成四氯化碳；

③硫單質(zhì)的沸點(diǎn)445℃，的沸點(diǎn)46.5℃，的沸點(diǎn)76.8℃、密度

(1)分子的空間結(jié)構(gòu)為___________；其中C的雜化軌道類型為__________；寫出兩個(gè)與具有相同空間結(jié)構(gòu)和鍵合形式的分子或離子__________、___________。

(2)上述儀器的連接順序?yàn)閍→____→_______→_______→_______→_______→_______→_______→_______→_______。_______。

A裝置中導(dǎo)管k的作用為________________________。

(3)A裝置中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為____________________(寫成其還原產(chǎn)物為)。

(4)反應(yīng)結(jié)束后關(guān)閉此時(shí)F裝置的作用為_______________________。

(5)B裝置中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為___________________________________。

(6)反應(yīng)結(jié)束先過濾除去固體催化劑，再經(jīng)過_______(填操作名稱)可得到29、某化學(xué)興趣小組欲在實(shí)驗(yàn)室制備二氧化硫，并探究相關(guān)物質(zhì)的一些性質(zhì)并驗(yàn)證碳、硅非金屬性的相對強(qiáng)弱。[信息提示：①酸性：亞硫酸>碳酸；②硅酸(H2SiO3)是白色膠狀沉淀]

(1)儀器A的名稱為___________，銅與濃硫酸反應(yīng)的化學(xué)方程式是___________。

(2)實(shí)驗(yàn)步驟：連接儀器、___________；加藥品后、打開a、然后滴入濃硫酸；加熱。

(3)裝置E中足量酸性KMnO4溶液的作用是___________，請寫出裝置E中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式___________。

(4)能說明碳元素的非金屬性比硅元素的非金屬性強(qiáng)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象是___________。30、用如圖所示實(shí)驗(yàn)裝置可以完成中學(xué)化學(xué)實(shí)驗(yàn)中的一些實(shí)驗(yàn)。

(1)現(xiàn)有稀硝酸、稀鹽酸、稀硫酸、碳酸鈉粉末、硅酸鈉溶液五種試劑。選擇三種試劑利用如圖裝置證明酸性強(qiáng)弱：H2SO4＞H2CO3＞H2SiO3。

①儀器B的名稱：____；A中試劑：____，B中試劑：____。

②由實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象可得C和Si簡單氫化物的穩(wěn)定性大小：____。

③C中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式：____。

(2)利用如圖裝置實(shí)驗(yàn)，證明二氧化硫氣體具有漂白性。已知：Na2SO3＋H2SO4=Na2SO4＋SO2↑＋H2O。在裝置A中加入70%的硫酸溶液，B中加入Na2SO3粉末；則：

①C中應(yīng)加入____溶液(填“品紅”或“石蕊”)。打開分液漏斗活塞；一段時(shí)間后觀察到C中現(xiàn)象是____，反應(yīng)完全后，將C試管加熱一段時(shí)間發(fā)生的現(xiàn)象是____。

②如果僅用如圖裝置進(jìn)行此實(shí)驗(yàn)；缺點(diǎn)是____；可以怎樣改進(jìn)：____。

③將二氧化硫氣體通入H2S溶液中，會看到產(chǎn)生淡黃色的沉淀，請寫出所發(fā)生反應(yīng)的離子方程式：____。評卷人得分六、工業(yè)流程題(共1題，共10分)31、次磷酸鈉()是具有珍珠光澤的晶體或白色結(jié)晶性粉末，易溶于水、乙醇、甘油，微溶于氨水，不溶于乙醚。次磷酸鈉()廣泛應(yīng)用于化學(xué)鍍鎳；其制備與鍍鎳過程如下圖所示：

據(jù)此回答下列問題：

(1)基態(tài)Ni原子的核外電子排布式為___________，PH3的分子空間構(gòu)型為___________。

(2)“堿溶”過程中，發(fā)生反應(yīng)化學(xué)方程式為___________。次磷酸(H3PO2)的結(jié)構(gòu)為則溶液中離子濃度大小關(guān)系為___________。

(3)“沉降池”中通入氨氣的目的是___________?！皟艋辈僮餍枰^濾、洗滌、干燥，洗滌時(shí)，選用的洗滌劑為___________。

(4)“濾液2”經(jīng)分離提純可以得寫出“鍍鎳”過程發(fā)生的離子反應(yīng)方程式___________，充分反應(yīng)后，向“濾液2”中，加入適量懸濁液，生成和混合沉淀，此時(shí)___________[已知：參考答案一、選擇題(共9題，共18分)1、B【分析】【詳解】

基態(tài)原子核外電子排布遵循能量最低原理；泡利原理和洪特規(guī)則。

A．基態(tài)氧原子的價(jià)層電子軌道表示式違反洪特規(guī)則，正確的應(yīng)為故A錯誤；

B．Fe原子核外電子排布遵循能量最低原理；泡利原理和洪特規(guī)則；故B正確；

C．基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式違反洪特規(guī)則，正確的應(yīng)為故C錯誤；

D．基態(tài)鉻原子的價(jià)層電子軌道表示式違反洪特規(guī)則的特例，正確的應(yīng)為故D錯誤；

故答案為B。2、C【分析】【詳解】

A.中心原子的價(jià)電子對數(shù)=2+=3，含有一個(gè)孤對電子對，空間構(gòu)型為V型，中心原子的價(jià)電子對數(shù)=4+=4；沒有孤對電子對，空間構(gòu)型為正四面體，選項(xiàng)A錯誤；

B.中心原子的價(jià)電子對數(shù)=3+=4，含有一個(gè)孤對電子對，空間構(gòu)型為三角錐形，中心原子的價(jià)電子對數(shù)=3+=4；含有一個(gè)孤對電子對，空間構(gòu)型為三角錐形，選項(xiàng)B錯誤；

C.中心原子的價(jià)電子對數(shù)=3+=3，沒有孤對電子對，空間構(gòu)型為平面三角形，中心原子的價(jià)電子對數(shù)=3+=3；沒有孤對電子對，空間構(gòu)型為平面三角形，選項(xiàng)C正確；

D.中心原子的價(jià)電子對數(shù)=4+=4，沒有孤對電子對，空間構(gòu)型為正四面體，中心原子的價(jià)電子對數(shù)=4+=4；沒有孤對電子對，空間構(gòu)型為正四面體，選項(xiàng)D錯誤。

答案選C。3、D【分析】【分析】

本題要求確定晶體的化學(xué)式，可利用均攤法進(jìn)行計(jì)算。在計(jì)算晶胞中的微粒時(shí)應(yīng)分析一個(gè)微粒被多少個(gè)晶胞共享，如果一個(gè)微粒被n個(gè)晶胞共享，那么它屬于每一個(gè)晶胞的只有這種方法稱為均攤法。位于頂點(diǎn)上的一個(gè)原子被8個(gè)晶胞占有，位于面心上的原子被2個(gè)晶胞占有，位于體心上的一個(gè)原子被1個(gè)晶胞占有，據(jù)此計(jì)算即可。

【詳解】

碳原子位于該晶胞的體心上，所以該晶胞中含有一個(gè)碳原子，鎂原子位于頂點(diǎn)，所以鎂原子個(gè)數(shù)=8×=1，所以該晶胞含有1個(gè)鎂原子；鎳原子位于面心，所以鎳原子個(gè)數(shù)=6×=3，該晶胞中含有3個(gè)鎳原子，所以該晶胞的化學(xué)式為故選D。4、B【分析】【詳解】

A．Ti的原子序數(shù)為22，基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為A正確；

B．是離子晶體；B錯誤；

C．離子半徑越小，離子的電荷越多，晶格能越大，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高，所以晶格能：NaF>NaCl>NaBr>NaI；C正確；

D．為分子晶體；隨相對分子質(zhì)量增加，分子間作用力增大，熔點(diǎn)升高，D正確；

故答案為：B。5、A【分析】【分析】

在短周期元素中；W原子的質(zhì)子數(shù)是其最外層電子數(shù)的3倍，則W是P元素；根據(jù)元素在周期表中的相對位置關(guān)系可確定：X是N元素，Y是O元素，Z是Si元素；綜上所述，X；Y、Z、W分別是N、O、Si，P，據(jù)此解答。

【詳解】

A．元素的非金屬性越強(qiáng)，其最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的酸性越強(qiáng)，由于元素的非金屬性：所以它們的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的酸性：故A正確；

B．同周期元素，原子序數(shù)越大，原子半徑越小，同主族元素，原子核外電子層數(shù)越多，原子半徑就越大，因此四種元素的原子半徑大小關(guān)系是故B錯誤。

C．元素的非金屬性越強(qiáng)，其相應(yīng)的最簡單氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性就越好，元素的非金屬性：所以元素的氫化物的穩(wěn)定性最弱的是Z，故C錯誤；

D．元素Y、Z形成的化合物是不溶于鹽酸；故D錯誤。

答案選A。6、C【分析】【詳解】

①含16g氧原子的二氧化硅的物質(zhì)的量為1mol二氧化硅中含有鍵為4mol，所以晶體中含有的鍵數(shù)目為故①正確；

②12g碳原子的物質(zhì)的量是石墨中每個(gè)碳原子形成3個(gè)鍵，1個(gè)鍵被2個(gè)C原子共用，1個(gè)C原子對應(yīng)1.5個(gè)鍵，所以單鍵數(shù)為個(gè)；故②正確；

③由構(gòu)成，中所含的離子總數(shù)為故③錯誤；

④1個(gè)白磷分子含有6個(gè)鍵，的物質(zhì)的量是含有鍵的個(gè)數(shù)為故④錯誤；

⑤12g石墨烯含有碳原子的物質(zhì)的量是1mol，根據(jù)均攤原則，每個(gè)六元環(huán)占用碳原子數(shù)所以形成0.5mol六元環(huán)，六元環(huán)數(shù)為個(gè)；故⑤正確；

⑥晶體中陽離子只有鈉離子，晶體中含陽離子數(shù)目為故⑥錯誤；

正確的是①②⑤，選C。7、C【分析】【詳解】

A．與結(jié)構(gòu)相似；均為三角錐形，A正確；

B．分子中的氫原子最外層電子只滿足結(jié)構(gòu)；B正確；

C．和的熔、沸點(diǎn)高低取決于分子間作用力的大小，與共價(jià)鍵的鍵能大小沒有直接關(guān)系，的沸點(diǎn)低于是因?yàn)榉肿娱g存在氫鍵；C錯誤；

D．分子穩(wěn)定性弱于分子，是因?yàn)殒I的鍵能大；D正確；

故選C。8、D【分析】【詳解】

A.由題給的四種元素原子的軌道表示式可知；在一個(gè)原子軌道里，最多只能容納2個(gè)電子，故A正確；

B.當(dāng)電子排布在同一能級的不同軌道上時(shí)；總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，即符合洪特規(guī)則，故B正確；

C.任意一個(gè)電子層的能級總是從s能級開始；而且能級數(shù)等于該電子層序數(shù)，故C正確；

D.若一個(gè)原子軌道里有2個(gè)電子；根據(jù)泡利原理，它們自旋狀態(tài)相反，故D錯誤；

綜上所述，答案為D。9、D【分析】【分析】

同主族自上而下第一電離能減小，P元素3p能級為半滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，第一電離能高于同周期相鄰Si和S元素，故Si的第一電離能最小，由圖中第一電離能c最小，c為Si，P原子第四電離能為失去4s2能中1個(gè)電子，為全滿穩(wěn)定狀態(tài)，與第三電離能相差較大，可知b為P；a為C；據(jù)此解答。

【詳解】

同主族自上而下第一電離能減小，P元素3p能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，故Si的第一電離能最小，由圖中第一電離能可知，c為Si，P原子第四電離能為失去4s2能中1個(gè)電子，為全滿穩(wěn)定狀態(tài)，與第三電離能相差較大，可知b為P；a為C。

A；同周期自左而右電負(fù)性增大；同主族自上而下電負(fù)性減小，故Si的電負(fù)性最小，故A錯誤；

B、Si的非金屬性最弱，非金屬性越強(qiáng)，氫化物越穩(wěn)定，故SiH4的穩(wěn)定性最差；故B錯誤；

C、均形成分子晶體，沒有氫鍵存在，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高，故SiH4的沸點(diǎn)最高，CH4的沸點(diǎn)最低；故C錯誤；

D、碳、Si失去4個(gè)電子為ns2全滿狀態(tài)，能量更低，再失去1個(gè)電子時(shí)，第五電離能與第四電離能相差較大，P失去4個(gè)電子為3s1狀態(tài)；第四電離能與第五電離能均失去3s能級電子，二者能量相差不大，故第五電離能C＞Si＞P，故D正確；

故選D。二、多選題(共8題，共16分)10、AD【分析】【分析】

【詳解】

A．某元素基態(tài)原子4s軌道上有2個(gè)電子，則該基態(tài)原子價(jià)電子排布可能是4s2，如20號元素Ca，其電子排布式為1s22s22p63s23p64s2，該基態(tài)原子價(jià)電子排布為4s2；故A正確；

B．3p64s2的核電荷數(shù)為20，3p64s2不是價(jià)電子排布式，價(jià)電子排布應(yīng)是4s2；故B錯誤；

C．依據(jù)洪特規(guī)則，3d44s2應(yīng)為4d54s1；半充滿狀態(tài)能量低穩(wěn)定，故C錯誤；

D．已知元素基態(tài)原子4s軌道上有2個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理，3d軌道上可填充電子，當(dāng)3d軌道上填充一個(gè)電子，即該基態(tài)原子的核電荷數(shù)為21，價(jià)電子排布為3d14s2；故D正確；

答案為AD。11、CD【分析】【詳解】

A．C是6號元素，根據(jù)能級構(gòu)造原理故其電子排布式為1s22s22p2；A正確；

B．O是8號元素，故O2-核外有10個(gè)電子，根據(jù)能級構(gòu)造原理故其電子排布式為1s22s22p6；B正確；

C．Cr是24號元素，根據(jù)能級構(gòu)造原理結(jié)合洪特規(guī)則，故其電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1；C錯誤；

D．Al是13號元素，故Al3+核外有10個(gè)電子，根據(jù)能級構(gòu)造原理故其電子排布式為1s22s22p6；D錯誤；

故答案為：CD。12、BD【分析】【分析】

【詳解】

A．Fe為26號元素，原子核外有26個(gè)電子，基態(tài)原子核外電子排布式為[Ar]3d64s2，失去4s能級2個(gè)電子、3d能級1個(gè)電子形成Fe3+，所以基態(tài)Fe3+價(jià)電子排布為3d5；故A正確；

B．NH3、H2O分子間均存在氫鍵，C元素的電負(fù)性較弱，CH4分子間不存在氫鍵；故B錯誤；

C．O2分子中存在雙鍵，N2分子中存在三鍵；HCN分子中存在三鍵，雙鍵有一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵，三鍵有一個(gè)σ鍵和兩個(gè)π鍵，故C正確；

D．乙醇含有-OH；分子間存在氫鍵，所以沸點(diǎn)高于乙硫醇，故D錯誤；

故選BD。13、AD【分析】【詳解】

A．第6能層有s能級；則能級符號6s正確，故A正確；

B．第2能層沒有d能級；則能級符號2d錯誤，故B錯誤；

C．第3能層沒有f能級；則能級符號3f錯誤，故C錯誤；

D．第7能層有f能級；則能級符號7f正確，故D正確；

故答案為AD。14、BD【分析】【詳解】

A．由題意可知，分離污水中的Bi3+時(shí)，先發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)Bi3++3H2DzBi(HDz)3+3H+；故A正確；

B．由圖可知，加氫氧化鈉溶液調(diào)節(jié)溶液pH=11時(shí)，Zn(OH)離子的百分率為70%，則溶液中發(fā)生如下反應(yīng)：Zn(HDz)2+6OH—Zn(OH)+2D+2H2O，由方程式可知，溶液中D的濃度是Zn(OH)濃度的2倍；故B錯誤；

C．NaHDz溶液中存在質(zhì)子關(guān)系c(D)+c(OH—)=c(H2Dz)+c(H+)；故C正確；

D．由圖示可知，溶液pH=2.5時(shí)，Bi(HDz)3的百分率為80%，反應(yīng)Bi3++3H2DzBi(HDz)3+3H+的平衡常數(shù)K=由—lgc(H2Dz)=pH可得：K===4；故D錯誤；

故選BD。15、CD【分析】【分析】

【詳解】

略16、AC【分析】【詳解】

A．杯酚、C60、C70都是分子晶體，杯酚能形成分子間氫鍵，熔點(diǎn)最高，C70的相對分子質(zhì)量大于C60，C70的熔點(diǎn)大于C60，所以晶體熔點(diǎn)：杯酚＞C70＞C60；故A錯誤；

B．根據(jù)流程圖；可知操作①是固液分離，方法為過濾，用到的玻璃儀器有漏斗；燒杯、玻璃棒，故B正確；

C．杯酚中的羥基氫之間形成了氫鍵；而杯酚與C60之間并沒有形成氫鍵，故C錯誤；

D．由操作2可知杯酚易溶于氯仿；由操作1可知杯酚難溶于甲苯，故D正確；

選AC。17、BC【分析】【分析】

【詳解】

A．γ-Fe晶體是一個(gè)面心立方晶胞；以頂點(diǎn)鐵原子為例，與之距離相等且最近的鐵原子位于晶胞的面心上，一共有12個(gè)，A錯誤；

B．α-Fe晶體是一個(gè)簡單立方晶胞；與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子是相鄰頂點(diǎn)上鐵原子，鐵原子個(gè)數(shù)=2×3=6，B正確；

C．δ-Fe晶胞中Fe原子個(gè)數(shù)=1+8×=2、晶胞體積=a3cm3，α-Fe晶胞中Fe原子個(gè)數(shù)=8×=1，該晶胞體積=b3cm3，δ-Fe晶體密度=g/cm3，α-Fe晶體密度=g/cm3，兩種晶體密度比=g/cm3：g/cm3=2b3：a3；C正確；

D．將鐵加熱到1500℃分別急速冷卻和緩慢冷卻；溫度不同，分別得到α-Fe；γ-Fe、δ-Fe，晶體類型不同，D錯誤；

故答案為：BC。三、填空題(共6題，共12分)18、略

【分析】【分析】

(1)F對最外層電子的吸引力比O強(qiáng)；N原子核外電子處于半滿的較穩(wěn)定狀態(tài)；

(2)元素X與(Se)同周期；且該周期中X元素原子核外未成對電子數(shù)最多，X應(yīng)該是第四周期3d；4s能級半滿的原子，為24號元素；該原子核外有24個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子的電子排布式；

(3)臭齅排放的臭氣主要成分為3-MBT-甲基2丁烯硫醇，結(jié)構(gòu)簡式為)；共價(jià)單鍵為σ鍵；共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵另一個(gè)是排鍵，所以1個(gè)3-MBT分子中含有15個(gè)σ鍵；存在分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高；

(4)含有自由移動離子的化合物能導(dǎo)電；孤電子對對成鍵電子的排斥力大于成鍵電子對間的排斥力；該晶胞中PCl5個(gè)數(shù)=1+8×=2，晶胞體積=(a×10-10cm)3，晶胞密度=

【詳解】

(1)F對最外層電子的吸引力比O強(qiáng)；N原子核外電子處于半滿的較穩(wěn)定狀態(tài)，所以第一電離能均高于O元素。

(2)元素X與(Se)同周期，且該周期中X元素原子核外未成對電子數(shù)最多，X應(yīng)該是第四周期3d、4s能級半滿的原子，為24號元素；該原子核外有24個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1或[Ar]3d54s1；

(3)臭齅排放的臭氣主要成分為3-MBT-甲基2丁烯硫醇，結(jié)構(gòu)簡式為)，共價(jià)單鍵為σ鍵、共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵另一個(gè)是Π鍵，所以1個(gè)3-MBT分子中含有15個(gè)σ鍵，則1mol該分子中含有15NA個(gè)σ鍵；(CH3)2C=CHCH2OH分子間含有氫鍵；增大分子間的作用力，使沸點(diǎn)升高；

(4)含有自由移動離子的化合物能導(dǎo)電，PCl5是一種白色晶體，熔融時(shí)形成一種能導(dǎo)電的液體測得其中含有一種正四面體形陽離子和一種正八面體形陰離子，陽離子、陰離子分別為PCl4+、PCl6-，其電離方程式為2PCl5PCl4++PCl6-；PCl3分子中P原子有一對孤電子對，PCl4+中P沒有孤電子對，孤電子對對成鍵電子的排斥力大于成鍵電子對間的排斥力，所以正四面體形陽離子中鍵角大于PCl3的鍵角；該晶胞中PCl5個(gè)數(shù)=1+8×=2，晶胞體積=(a×10-10cm)3，晶胞密度==g/cm3。【解析】F對最外層電子的吸引力比O強(qiáng)，N原子核外電子處于半滿的較穩(wěn)定狀態(tài)，故第一電離能均高于OCr1s22s22p63s23p63d54s1或[Ar]3d54s115（CH3）2C=CHCH2OH分子間含有氫鍵，增大分子間的作用力，使沸點(diǎn)升高2PCl5=PCl4+＋PCl6－PCl3分子中P原子有一對孤電子對，PCl4+中P沒有孤電子對。孤電子對對成鍵電子的排斥力大于成鍵電子對間的排斥力或19、略

【分析】【詳解】

(1)已知Fe(CO)5常溫下呈液態(tài)，熔點(diǎn)為-20.5℃，沸點(diǎn)為103℃，易溶于非極性溶劑，根據(jù)分子晶體的物理性質(zhì)：分子晶體熔沸點(diǎn)低，易溶于有機(jī)溶劑，可知Fe(CO)5屬于分子晶體；（2）分子晶體熔沸點(diǎn)較低，三氯化鐵常溫下為固體，熔點(diǎn)282℃，沸點(diǎn)315℃，在300℃以上易升華，易溶于水，也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑。據(jù)此判斷三氯化鐵晶體類型為分子晶體?！窘馕觥竣?分子晶體②.分子晶體20、略

【分析】【分析】

結(jié)合鍵能和鍵長的概念及Cl、Br；I原子半徑的遞變性分析判斷。

【詳解】

鹵素單質(zhì)(X2)中鹵原子之間通過共用電子對形成共價(jià)鍵，由于Cl、Br、I的電負(fù)性依次減小，故對鍵合電子的吸引能力依次減小，化學(xué)鍵越不穩(wěn)定，故化學(xué)鍵的鍵能依次降低；Cl、Br、I的原子半徑逐漸增大，原子的核間距逐漸增大，形成的鹵素單質(zhì)分子(X2)中的X-X鍵的鍵長就依次增大。

【點(diǎn)睛】

考查影響鍵能和鍵長的因素，明確影響鍵長和鍵能的決定因素是解題關(guān)鍵，特別注意Cl、Br、I是同族元素，隨著核電荷數(shù)的增大，電負(fù)性依次減小，原子半徑依次增大?！窘馕觥緾l、Br、I的電負(fù)性依次減小，故對鍵合電子的吸引能力依次減小，故化學(xué)鍵的鍵能依次降低；Cl、Br、I的原子半徑逐漸增大，原子的核間距逐漸增大，鹵素單質(zhì)分子(X2)中的X-X鍵的鍵長依次增大。21、略

【分析】【詳解】

氯離子原子核外有18個(gè)電子；為不同的運(yùn)動狀態(tài)，處于5種不同的軌道，故答案為：18；5；

溴與氯在同一主族，核電荷數(shù)為35，在周期表中第四周期、ⅦA，故答案為：第四周期、ⅦA；

的相對分子質(zhì)量逐漸增大，且都屬于分子晶體，單質(zhì)的相對分子質(zhì)量越大，則熔點(diǎn)越高，故答案為：都是分子晶體；相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增強(qiáng)；

元素的非金屬性越強(qiáng)，對應(yīng)的陰離子的還原性越強(qiáng)，非金屬性半徑依次增大，失電子的能力依次增強(qiáng)，還原性依次增大，故答案為：從半徑依次增大；失電子的能力依次增強(qiáng)，還原性依次增大；

由圖象可知，升高溫度平衡常數(shù)減小，說明升高溫度平衡逆向移動，則正反應(yīng)為放熱反應(yīng)，故答案為：

同一溫度時(shí)，a曲線的K值最大，說明鹵素單質(zhì)與氫氣化合的能力最強(qiáng)，Cl2、Br2中Cl2的氧化性最強(qiáng)，所以最易與氫氣化合的是氯氣，所以b曲線表示Br2與H2反應(yīng)時(shí)K與t的關(guān)系．平衡常數(shù)等于生成物與反應(yīng)物的濃度冪之積，K=故答案為：

的非金屬性較C強(qiáng)，氮原子吸引電子的能力比碳原子強(qiáng)，氮和碳之間共用電子對偏向氮原子，氮顯負(fù)價(jià)，電子式為故答案為：氮原子半徑小于碳原子，氮原子吸引電子的能力比碳原子強(qiáng)，氮和碳之間共用電子對偏向氮原子，氮顯負(fù)價(jià)；【解析】①.18②.5③.第四周期、ⅦA（都對得1分）④.F2、Cl2、Br2、I2都是分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增強(qiáng)。⑤.從Cl-、Br-、I-半徑依次增大，失電子的能力依次增強(qiáng)，還原性依次增大⑥.>⑦.K=⑧.氮原子半徑小于碳原子，氮原子吸引電子的能力比碳原子強(qiáng)，氮和碳之間共用電子對偏向氮原子，氮顯負(fù)價(jià)⑨.22、略

【分析】【詳解】

影響分子晶體沸點(diǎn)的因素主要有范德華力和氫鍵，此外還與分子的極性有關(guān)。如果存在分子間氫鍵，且形成的氫鍵越多，分子的沸點(diǎn)越高。相對分子質(zhì)量越大，范德華力越大，沸點(diǎn)越高。相對分子質(zhì)量相同時(shí)，極性分子的沸點(diǎn)高于非極性分子的沸點(diǎn)。四種物質(zhì)中，與均為極性分子，且均能形成分子間氫鍵，但分子間氫鍵比水少，所以沸點(diǎn)：水大于甲醇；與均為非極性分子，的相對分子質(zhì)量較大、范德華力較大，沸點(diǎn)較高，沸點(diǎn)二氧化碳大于氫氣，故沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)椤窘馕觥竣?②.與均為極性分子，中氫鍵比多；與均為非極性分子，的相對分子質(zhì)量較大、范德華力較大23、略

【分析】【詳解】

(1)甲基對苯環(huán)有活化作用，所以在30℃時(shí)生成一硝基取代產(chǎn)物，而在60℃時(shí)生成一硝基取代產(chǎn)物；故答案為：甲基對苯環(huán)有活化作用；

(2)NH2Cl中各原子均滿足電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。NH2Cl的電子式為：故答案為：

(3)CO2晶體是分子晶體，SiO2是原子晶體，分子間作用力比共價(jià)鍵要弱得多，故SiO2晶體硬度大，故答案為：CO2晶體是分子晶體，SiO2是原子晶體，分子間作用力比共價(jià)鍵要弱得多，故SiO2晶體硬度大。【解析】①.甲基對苯環(huán)有活化作用②.③.CO2晶體是分子晶體，SiO2是原子晶體，分子間作用力比共價(jià)鍵要弱得多，故SiO2晶體硬度大四、判斷題(共4題，共8分)24、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對；正確；

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵；則該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，錯誤；

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp3雜化；錯誤；

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化；正確；

(5)中心原子是sp1雜化的；其分子構(gòu)型一定為直線形，錯誤；

(6)價(jià)層電子對互斥理論中；π鍵電子對數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對數(shù)，正確；

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp3雜化的結(jié)果且沒有孤電子對；錯誤；

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道；錯誤；

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子；其VSEPR模型都是四面體，正確；

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型為平面三角形或平面三角形；錯誤；

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)；該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，正確；

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對；正確；

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵；正確；

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果不矛盾；錯誤；

(15)配位鍵也是一種靜電作用；正確；

(16)形成配位鍵的電子對由一個(gè)原子提供，另一個(gè)原子提供空軌道，錯誤。25、A【分析】【分析】

【詳解】

乙醇中的羥基與水分子的羥基相近，因而乙醇能和水互溶；而苯甲醇中的烴基較大，其中的羥基和水分子的羥基的相似因素小得多，因而苯甲醇在水中的溶解度明顯減小，故正確。26、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對；正確；

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵；則該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，錯誤；

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp3雜化；錯誤；

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化；正確；

(5)中心原子是sp1雜化的；其分子構(gòu)型一定為直線形，錯誤；

(6)價(jià)層電子對互斥理論中；π鍵電子對數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對數(shù)，正確；

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp3雜化的結(jié)果且沒有孤電子對；錯誤；

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道；錯誤；

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子；其VSEPR模型都是四面體，正確；

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型為平面三角形或平面三角形；錯誤；

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)；該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，正確；

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對；正確；

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵；正確；

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果不矛盾；錯誤；

(15)配位鍵也是一種靜電作用；正確；

(16)形成配位鍵的電子對由一個(gè)原子提供，另一個(gè)原子提供空軌道，錯誤。27、A【分析】【詳解】

因?yàn)殂~具有良好的導(dǎo)電性，所以銅可以用于制作電纜、電線，正確。五、實(shí)驗(yàn)題(共3題，共6分)28、略

【分析】【分析】

由實(shí)驗(yàn)裝置圖可知，裝置A中重鉻酸鉀固體與濃鹽酸反應(yīng)制備氯氣，濃鹽酸具有揮發(fā)性，制得的氯氣中混有氯化氫和水蒸氣，裝置F中盛有的飽和食鹽水用于除去氯化氫氣體，其中長頸漏斗能起到平衡氣壓的作用，裝置D中盛有的濃硫酸用于干燥氯氣，裝置C中氯氣在催化劑作用下與二硫化碳在85℃～95℃條件下反應(yīng)制備四氯化碳，裝置B中盛有的溴水用于吸收揮發(fā)出的二硫化碳，裝置E中盛有的氫氧化鈉溶液用于吸收未反應(yīng)的氯氣，防止污染空氣，則裝置的連接順序?yàn)锳FDCBAFBE，儀器的接口的連接順序?yàn)閍→i、j→f、g→d、e→b；c→h。

【詳解】

（1）的價(jià)層電子對數(shù)為2+=2，且不含孤電子對，空間結(jié)構(gòu)為直線形，其中C的雜化軌道類型為sp，CO2、SCN-和COS與是等電子體，與具有相同空間結(jié)構(gòu)和鍵合形式。

（2）由分析可知，上述儀器的連接順序?yàn)閍→i、j→f、g→d、e→b；c→h；A裝置中導(dǎo)管k的作用為平衡氣壓；便于濃鹽酸順利流下。

（3）裝置A中重鉻酸鉀固體與濃鹽酸反應(yīng)制備氯氣，Cr元素化合價(jià)由+6價(jià)下降到+3價(jià)，Cl元素由-1價(jià)上升到0價(jià)，根據(jù)得失電子守恒和電荷守恒配平離子方程式為：Cr2O+6Cl—+14H+=2Cr3++3Cl2↑+7H2O。

（4）由實(shí)驗(yàn)裝置圖可知，裝置F中盛有的飽和食鹽水用于除去氯化氫氣體，其中反應(yīng)結(jié)束后關(guān)閉長頸漏斗還能起到平衡氣壓做安全瓶的作用，同時(shí)還可以儲存未反應(yīng)的氯氣。

（5）由分析可知，B裝置中發(fā)生的反應(yīng)為二硫化碳與溴水反應(yīng)生成硫酸和氫溴酸，S元素由-2價(jià)上升到+6價(jià)，Br元素由0價(jià)下降到-1價(jià)，根據(jù)得失電子守恒和原子守恒配平方程式為：CS2+8Br2+10H2O=2H2SO4+16HBr+CO2。

（6）由分析可知，裝置C中氯氣在催化劑作用下與二硫化碳在85℃～95℃條件下反應(yīng)生成四氯化碳和硫，反應(yīng)制得的四氯化碳中混有未反應(yīng)的二硫化碳和反應(yīng)生成的溶于四氯化碳的硫，所以反應(yīng)結(jié)束先過濾除去固體催化劑，再經(jīng)過蒸餾得到四氯化碳?！窘馕觥?1)直線形spCO2SCN-；COS

(2)i、j→f、g→d、e→b；c→h平衡氣壓；便于濃鹽酸順利流下。

(3)Cr2O+6Cl—+14H+=2Cr3++3Cl2↑+7H2O

(4)平衡氣壓做安全瓶；同時(shí)儲存氯氣。

(5)CS2+8Br2+10H2O=2H2SO4+16HBr+CO2

(6)蒸餾29、略

【分析】【分析】

銅與濃硫酸在B中發(fā)生反應(yīng)生成二氧化硫；二氧化硫通入飽和碳酸氫鈉溶液中發(fā)生反應(yīng)，生成二氧化碳，混合氣體通入足量的高錳酸鉀溶液中除去二氧化硫，最后二氧化碳進(jìn)入硅酸鈉溶液中產(chǎn)生硅酸沉淀，從而證明碳酸的酸性強(qiáng)于硅酸，據(jù)此分析。

【詳解】

(1)由儀器的構(gòu)造可知A為分液漏斗；銅和濃硫酸在加熱條件下發(fā)生反應(yīng)生成硫酸銅、二氧化硫和水，反應(yīng)的方程式為：Cu+2H2SO4(濃)CuSO4+SO2↑+2H2O，故答案為：分液漏斗；Cu+2H2SO4(濃)CuSO4+SO2↑+2H2O；

(2)該裝置需要制取二氧化硫；在組裝好用儀器后需要進(jìn)行裝置氣密性檢驗(yàn)，然后加藥品后；打開a、然后滴入濃硫酸，加熱，故答案為：檢查裝置的氣密性；

(3)由