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ICSFORMTEXT13.260FORMTEXTA47FORMTEXTDBFORMTEXT45DBFORMTEXT45/FORMTEXTT446—FORMTEXT2015FORMTEXT代替?DB45/T446—2007FORMTEXT防雷裝置檢測技術(shù)規(guī)范FORMTEXTTechnicalSpecificationsforinspectionofLightningProtectionsystemFORMTEXT點(diǎn)擊此處添加與國際標(biāo)準(zhǔn)一致性程度的標(biāo)識(shí)FORMDROPDOWNFORMTEXTFORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX發(fā)布FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX實(shí)施FORMTEXT廣西壯族自治區(qū)質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布B.2煙花爆竹工廠的危險(xiǎn)場所類別和防雷裝置類別見表B.2表B.2煙花爆竹工廠工作間(倉庫)危險(xiǎn)場所類別和防雷裝置類別名稱危險(xiǎn)等級(jí)工作間(倉庫)的工序或內(nèi)容名稱危險(xiǎn)場所類別防雷類別黑火藥A3三成分混合,造粒,干燥,涼藥,篩選,包裝Ⅰ一C硫炭二成分混合,硝酸鉀干燥、粉碎和篩選,硫、炭粉碎和篩選Ⅲ三煙火藥A2含氯酸鹽或高氯酸鹽的煙火藥、摩擦類藥劑、爆炸音劑、笛音劑等的混合或配制、造粒、干燥、涼藥Ⅰ一A3不含氯酸鹽或高氯酸鹽的煙火藥的混合或配制、造粒、干燥、涼藥C稱原料、氯酸鉀和過氯酸鉀粉碎、篩選Ⅲ三爆竹A2含氯酸鹽或高氯酸鹽的爆竹藥的混合或配制、裝藥Ⅰ一A3不含氯酸鹽或高氯酸鹽的爆竹藥的混合、裝藥Ⅰ已裝藥的鉆孔、切引、機(jī)械壓藥Ⅱ二C稱原料,不含氯酸鹽或高氯酸鹽的爆竹藥的筑藥,插引,擠引,結(jié)鞭,包裝Ⅲ三煙花A2筒子并裝藥裝珠,上引線,干燥Ⅰ一A3筒子單發(fā)裝藥,筑藥,機(jī)械壓藥,鉆孔,切引Ⅱ二C蘸藥,按引,組裝,包裝Ⅲ三禮花彈A2稱量,裝藥,裝珠,曬球,干燥Ⅰ一A3上發(fā)射藥,上引線Ⅱ二C油球,打皮,皮色,包裝Ⅲ三引火線A2含氯酸鹽的引藥的混合、干燥、涼藥、制引、槳引、涼干、包裝Ⅰ一A3黑藥的三成分混合、干燥、涼藥、制引、槳引、涼干、包裝C硫、碳二成分混合,硝酸鉀干燥、粉碎和篩選,硫、碳粉碎和篩選Ⅲ三C氯酸鉀粉碎和篩選Ⅱ二倉庫A2引火線,含氯酸鹽或高氯酸鹽的煙花藥、爆竹藥、爆炸音劑、笛音劑Ⅰ一A3黑火藥,不含氯酸鹽或高氯酸鹽的煙火藥、爆竹藥,大爆竹,單個(gè)產(chǎn)品裝藥在40g以上的煙花或禮花彈,已裝藥的半成品,黑藥引火線C中、小爆竹,單個(gè)產(chǎn)品裝藥在40g以下的煙花或禮花彈Ⅱ二表B.2選自《煙花爆竹工廠設(shè)計(jì)安全規(guī)范》(GB50161-2009)。B.3民用爆破器材工廠的危險(xiǎn)區(qū)域和防雷類別見表B.3和表B.4表B.3民用爆破器材工廠工作間危險(xiǎn)區(qū)域和防雷類別危險(xiǎn)品分類工作間的工序或內(nèi)容名稱危險(xiǎn)區(qū)域防雷類別粉狀銨梯炸藥、粉狀銨梯油炸藥梯恩梯粉碎,梯恩梯稱量F1區(qū)一混藥、篩藥、涼藥、裝藥、包裝F2區(qū)一硝酸銨粉碎、干燥F2區(qū)二運(yùn)送炸藥的敞開或半敞開式廊道F2區(qū)二運(yùn)送炸藥的封閉式廊道F1區(qū)一銨油炸藥、銨松蠟炸藥、銨瀝蠟炸藥混藥、篩藥、涼藥、裝藥、包裝F1區(qū)一硝酸銨粉碎、干燥F2區(qū)二多孔粒狀銨油炸藥混藥、包裝F1區(qū)一粒狀粘性炸藥混藥、包裝F1區(qū)一硝酸銨粉碎、干燥F2區(qū)二水膠炸藥硝酸甲胺的制造和濃縮、混藥、涼藥、裝藥、包裝F1區(qū)一硝酸銨粉碎、篩選F2區(qū)二漿狀炸藥熔藥、混藥、涼藥、包裝F1區(qū)一梯恩梯粉碎F1區(qū)一硝酸銨粉碎F2區(qū)二乳化炸藥乳化,乳膠基質(zhì)冷卻,乳膠基質(zhì)貯存、敏化、敏化后保溫(或涼藥)、貯存、裝藥、包裝F1區(qū)一硝酸銨粉碎、硝酸鈉粉碎F2區(qū)二傳爆藥柱黑梯藥柱熔藥、裝藥、涼藥、檢驗(yàn)、包裝F1區(qū)一梯恩梯藥柱壓制、檢驗(yàn)、包裝F1區(qū)一銨梯黑炸藥銨梯黑三成份混藥、篩選、涼藥、裝藥、包裝F1區(qū)一銨梯二成份輪碾機(jī)混合F1區(qū)一太乳炸藥制片、干燥、檢驗(yàn)、包裝F1區(qū)一導(dǎo)火索黑火藥三成份混藥、干燥、涼藥、篩選、包裝,導(dǎo)火索生產(chǎn)中黑火藥準(zhǔn)備F0區(qū)一導(dǎo)火索制索、盤索、烘干、普檢、包裝F2區(qū)二硝酸鉀粉碎、干燥F2區(qū)二導(dǎo)爆索黑索金或太安的篩選、混合、干燥導(dǎo)爆索的包塑、涂索、烘索、盤索、普檢、組批、包裝F1區(qū)一導(dǎo)爆索制索F1區(qū)一黑索金或太安的篩選、混合、干燥F1區(qū)一雷管(包括火雷管、電雷管、導(dǎo)爆管雷管)黑索金或太安的造粒、干燥、篩選、包裝F1區(qū)一雷管干燥,雷管烘干F1區(qū)一二硝基重氮酚制造(包括中和、還原、重氮、過濾)F1區(qū)一二硝基重氮酚的干燥、涼藥、篩選,黑索金或太安的造粒、干燥、篩選F1區(qū)一火雷管裝藥、壓藥、電雷管和導(dǎo)爆管雷管裝配F1區(qū)一表B.3(續(xù))危險(xiǎn)品分類工作間的工序或內(nèi)容名稱危險(xiǎn)區(qū)域防雷類別雷管(包括火雷管、電雷管、導(dǎo)爆管雷管)雷管檢驗(yàn)、包裝、裝箱F1區(qū)一引火藥劑制造(包括引火藥頭用的引火藥劑和延期藥用的引火藥)F1區(qū)一引火藥頭制造F1區(qū)一延期藥的混合、造粒、干燥、篩選、裝藥、延期體制造F1區(qū)一雷管試驗(yàn)站F2區(qū)二二硝基重氮酚廢水處理F2區(qū)二塑料導(dǎo)爆管奧克托金或黑索金的粉碎、干燥、篩選、混合F1區(qū)一塑料導(dǎo)爆管制造F1區(qū)一繼爆管裝配、包裝F1區(qū)一射孔器材(包括射孔彈、穿孔彈等)炸藥暫存F1區(qū)一烘干、稱量、壓藥、裝配、包裝F1區(qū)一射孔彈試驗(yàn)室或試驗(yàn)塔F2區(qū)一雷源藥柱高密度炸藥準(zhǔn)備、熔混藥、裝藥、壓藥、涼藥、裝配、檢驗(yàn)、裝箱F1區(qū)一中低密度炸藥準(zhǔn)備、震源藥柱檢驗(yàn)和裝箱F1區(qū)一裝藥、壓藥、鉆孔、裝傳爆藥柱F1區(qū)一爆裂管切索、裝藥、包裝F1區(qū)一理化試驗(yàn)室黑火藥、炸藥、起爆藥的理化試驗(yàn)室F2區(qū)二在雷管制造中所用藥劑(包括單組份藥劑或多組份藥劑),其作用和起爆藥類似者,此類藥劑制造的工作間危險(xiǎn)區(qū)域,應(yīng)按表內(nèi)二硝基重氮酚確定。表B.3選自《民用爆破器材工廠設(shè)計(jì)安全規(guī)范》(GB50089-2007)。表B.4民用爆破器材工廠庫房危險(xiǎn)區(qū)域和防雷類別危險(xiǎn)品庫房名稱危險(xiǎn)區(qū)域防雷類別黑索金、太安、奧克托金、黑梯藥柱、銨梯黑炸藥F0區(qū)Ⅰ干或濕的二硝基重氮酚F0區(qū)Ⅰ梯恩梯、苦味酸、雷管(包托火雷管、電雷管、導(dǎo)爆管雷管)、導(dǎo)爆索、梯恩梯藥柱、繼爆管、爆裂管、太乳炸藥、震源藥柱(高密度)F0區(qū)Ⅰ粉狀銨梯炸藥、粉狀銨梯油炸藥、銨油炸藥、銨松蠟炸藥、銨瀝蠟炸藥、多孔粒狀銨油炸藥、粒狀粘性炸藥、水膠炸藥、漿狀炸藥、乳化炸藥、震源藥柱(中、低密度)、黑火藥F0區(qū)Ⅰ射孔彈F0區(qū)Ⅰ延期藥F0區(qū)Ⅰ導(dǎo)火索F0區(qū)Ⅰ硝酸銨、硝酸鈉F2區(qū)Ⅱ硝酸鉀、高氯酸鉀F2區(qū)Ⅱ塑料導(dǎo)爆管——在雷管制造中所用藥劑(包括單組份藥劑或多組份藥劑),其作用和起爆藥類似者,此類藥劑制造的工作間危險(xiǎn)區(qū)域,應(yīng)按表內(nèi)二硝基重氮酚確定。表B.4選自《民用爆破器材工廠設(shè)計(jì)安全規(guī)范》(GB50089-2007)。B.4石油化工產(chǎn)品火災(zāi)危險(xiǎn)性分類舉例見表B.5表B.5石油化工產(chǎn)品火災(zāi)危險(xiǎn)性分類舉例類別名稱可燃?xì)怏w甲可燃?xì)怏w與空氣混合物的爆炸下限:<10%(體積)乙炔、環(huán)氧乙烷、氫氣、合成氣、硫化氫、乙烯、氰化氫、丙烯、丁烯、丁二稀、順丁烯、反丁烯、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、丙二烯、環(huán)丙烷、甲胺、環(huán)丁烷、甲醛、甲醚、氯甲烷、氯乙烯、異丁烷乙可燃?xì)怏w與空氣混合物的爆炸下限:≥10%(體積)一氧化碳、氨、溴甲烷液化烴甲A15℃液化甲烷、液化天然氣、液化氯甲烷、液化順式-2丁烯、液化乙烯、液化乙烷、液化反式-2丁烯、液化環(huán)丙烷、液化丙稀、液化丙烷、液化環(huán)丁烷、液化新戊烷、液化丁烯、液化丁烷、液化氯乙烯、液化環(huán)氧乙烷、液化丁二烯、液化異丁烷、液化石油氣可燃液體B甲A類以外,閃點(diǎn)<28℃異戊二烯、異戊烷、汽油、戊烷、二硫化碳、異己烷、己烷、石油醚、異庚烷、環(huán)己烷、辛烷、異辛烷、苯、庚烷、石腦油、原油、甲苯、乙苯、鄰二甲苯、間對(duì)二甲苯、異丁醇、乙醚、乙醛、環(huán)氧丙烷、甲酸甲酯、乙胺、二乙胺、丙酮、丁醛、二氯甲烷、三乙胺、醋酸乙烯、甲乙酮、丙烯腈、醋酸乙酯、醋酸異丙酯、二氯乙烯、甲醇、異丙醇、乙醇、醋酸丙酯、丙醇、醋酸異丁酯、甲酸丁酯、吡啶、二氯乙烷、醋酸丁酯、醋酸異戊酯、甲酸戊酯乙A閃點(diǎn)≥28℃至≤45℃丙苯、環(huán)氧氯丙烷、苯乙烯、噴氣燃料、煤油、丁醇、氯苯、乙二胺、戊醇、環(huán)己酮、冰醋酸、異戊醇B閃點(diǎn)>45℃至<60℃?35號(hào)輕柴油、環(huán)戊烷、硅酸乙酯、氯乙醇、丁醇、氯丙醇丙A閃點(diǎn)≥60℃至≤120℃輕柴油、重柴油、苯胺、錠子油、酚、甲酚、糠醛、20號(hào)重油、苯甲醛、環(huán)己醇、甲基丙烯酸、甲酸、環(huán)己醇、乙二醇丁醚、甲醛、糠醇、辛醇、乙醇胺、丙二醇、乙二醇B閃點(diǎn)>120℃蠟油、100號(hào)重油、渣油、變壓器油、潤滑油、二乙二醇醚、三乙二醇醚、鄰苯二甲酸二丁酯、甘油固體甲黃磷、硝化棉、硝化纖維膠片、噴漆棉、火膠棉、賽璐珞棉、鋰、鈉、鉀、鈣、鍶、銣、銫、氫化鋰、氫化鉀、氫化鈉、磷化鈣、碳化鈣、四氫化鋰鋁、鈉汞齊、碳化鋁、過氧化鉀、過氧化鈉、過氧化鋇、過氧化鍶、過氧化鈣、高氯酸鉀、高氯酸鈉、高氯酸鋇、高氯酸銨、高氯酸鎂、高錳酸鉀、高錳酸鈉、硝酸鉀、硝酸鈉、硝酸銨、硝酸鋇、氯酸鉀、氯酸鈉、氯酸銨、次亞氯酸鈣、過氧化二乙酰、過氧化二苯甲酰、過氧化二異丙苯、過氧化氫苯甲酰、(鄰、間、對(duì))二硝基苯、2-二硝己苯酚、二硝甲苯、二硝基苯、三硫化四磷、五硫化二磷、赤磷、氨基化鈉乙硝酸鎂、硝酸鈣、亞硝酸鉀、過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸氨、過硼酸鈉、重鉻酸鉀、重鉻酸鈉、高錳酸鈣、高氯酸銀、高碘酸鉀、溴酸鈉、碘酸鈉、亞氯酸鈉、五氧化二碘、三氧化鉻、五氧化二磷、萘、蕙、菲、樟腦、硫磺、鐵粉、鋁粉、錳粉、鈦粉、咔銼、三聚甲醛、松香、均四鉀苯、聚合甲醛偶氮二異丁腈、賽璐珞片、聯(lián)苯胺、噻吩、苯璜酸鈉、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙稀、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丙烯腈、季戊四醇、尼龍、己二酸、炭黑、聚氨脂、聚氯乙烯丙石蠟、瀝青、苯二甲酸、聚酯、有機(jī)玻璃、橡膠及其制品、玻璃鋼、聚乙烯醇、ABS塑料、SAN塑料、乙烯樹脂、聚碳酸脂、聚丙稀酰胺、乙內(nèi)酰胺、尼龍6、尼龍66、丙綸纖維、蕙醌、(鄰、間、對(duì))苯二酚表B.5選自《石油化工企業(yè)設(shè)計(jì)防火規(guī)范》(GB50160-2008)。附錄C(資料性附錄)磁場強(qiáng)度測量和屏蔽效率計(jì)算C.1一般原則C.1.1磁場強(qiáng)度指標(biāo)C.1.1.1GB/T2887和GB50174中規(guī)定,電子計(jì)算機(jī)機(jī)房內(nèi)磁場干擾環(huán)境場強(qiáng)不應(yīng)大于800A/m。注:本磁場強(qiáng)度是指在電流流過時(shí)產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度。由于電流元IΔs產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度可按式(C.1)計(jì)算:H=IΔs/4πr2………(C.1)距直線導(dǎo)體r處的磁場強(qiáng)度可按式(C.2)計(jì)算:H=I/2πr………(C.2)式中:H——磁場強(qiáng)度,單位:A/m;Δs——單位長度,單位:m;r——距導(dǎo)體的距離,單位:m;I——流過導(dǎo)體的電流,單位:A。磁場強(qiáng)度的單位用A/m表示,1A/m相當(dāng)于自由空間的磁感應(yīng)強(qiáng)度為1.26μT。T(特斯拉)為磁通密度B的單位。Gs(高斯)是舊的磁場強(qiáng)度單位,新舊單位換算,1Gs約為79.5775A/m,即2.4Gs約為191A/m,0.07Gs約為5.57A/m。C.1.1.2GB/T17626.9中規(guī)定,可按表C.1規(guī)定的等級(jí)進(jìn)行脈沖磁場試驗(yàn):表C.1脈沖磁場試驗(yàn)等級(jí)等級(jí)12345×脈沖磁場強(qiáng)度A/m——1003001000特定脈沖磁場強(qiáng)度取峰值。脈沖磁場產(chǎn)生的原因有兩種,一是雷擊建筑物或建筑物上的防雷裝置;二是電力系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓。等級(jí)1、2:無需試驗(yàn)的環(huán)境;等級(jí)3:有防雷裝置或金屬構(gòu)造的一般建筑物,含商業(yè)樓、控制樓、非重工業(yè)區(qū)和高壓變電站的計(jì)算機(jī)房等;等級(jí)4:工業(yè)環(huán)境區(qū)中,主要指重工業(yè)、發(fā)電廠、高壓變電站的控制室等;等級(jí)5:高壓輸電線路、重工業(yè)廠礦的開關(guān)站、電廠等;等級(jí)×:特殊環(huán)境。C.1.1.3GB/T2887中規(guī)定,在存放媒體的場所,對(duì)已記錄的磁帶,其環(huán)境磁場強(qiáng)度應(yīng)小于3200A/m;對(duì)未記錄的磁帶,其環(huán)境磁場強(qiáng)度應(yīng)小于4000A/m。C.1.1.4信息系統(tǒng)電子設(shè)備的磁場強(qiáng)度要求1971年美國通用研究公司R.D希爾的仿真試驗(yàn)通過建立模式得出:由于雷擊電磁脈沖的干擾,對(duì)當(dāng)時(shí)的計(jì)算機(jī)而言,在無屏蔽狀態(tài)下,當(dāng)環(huán)境磁場強(qiáng)度大于0.07GS時(shí),計(jì)算機(jī)會(huì)誤動(dòng)作;當(dāng)環(huán)境磁場強(qiáng)度大于2.4GS時(shí),設(shè)備會(huì)發(fā)生永久性損壞。按新舊單位換算,2.4GS約為191A/m,此值比C.1.1.1中的800A/mIEC62305—4(81/238/CDV)文件中給出在適于首次雷擊的磁場(25kHz)時(shí)的1000-300-100A/m值及適用于后續(xù)雷擊的磁場(1MHz)時(shí)的100-30-10A/m指標(biāo)。 C.1.2磁場強(qiáng)度測量一般方法C.1.2.1雷電流發(fā)生器法IEC61312-2提出的一個(gè)用于評(píng)估被屏蔽的建筑物內(nèi)部磁場強(qiáng)度而做的低電平雷電電流試驗(yàn)的建議。C.1.2.2浸入法GB/T17626.9規(guī)定了在工業(yè)設(shè)施和發(fā)電廠、中壓和高壓變電所在運(yùn)行條件下的設(shè)備對(duì)脈沖磁場騷擾的抗擾度要求,指出其適用于評(píng)價(jià)處于脈沖磁場中的家用、商業(yè)和工業(yè)用電氣和電子設(shè)備的性能。C.1.2.3大環(huán)法GB12190規(guī)定了屏蔽室屏蔽效能的測量方法,主要適用于各邊尺寸在1.5m~15mC.1.2.4交直流高斯計(jì)法GB/T2887—2011中5.8.2指出可使用交直流高斯計(jì),在計(jì)算機(jī)機(jī)房內(nèi)任一點(diǎn)測試,并取最大值。C.1.3屏蔽效率計(jì)算屏蔽效率的測量一般指將規(guī)定頻率的模擬信號(hào)源置于屏蔽室外時(shí),接收裝置在同一距離條件下在室外和室內(nèi)接收的磁場強(qiáng)度之比,可用式(C.3)表示:SH=20lg(H0/H1)…………………(C.3)式中:H0——沒有屏蔽的磁場強(qiáng)度H1——有屏蔽的磁場強(qiáng)度SH——屏蔽效率,也稱屏蔽效能,單位為dB。屏蔽效率與衰減量的對(duì)應(yīng)關(guān)系參見表C.2:表C.2屏蔽效率與衰減量的對(duì)應(yīng)表屏蔽效率(dB)原始場強(qiáng)屏蔽后的場強(qiáng)比衰減量(%)2011/10904011/100996011/100099.98011/1000099.9910011/10000099.99912011/10000009C.2測量方法和儀器C.2.1雷電流發(fā)生器法試驗(yàn)原理見圖C.1所示,雷電流發(fā)生器原理見圖C.2所示。221多重饋線雷電通道閉合部分的模擬(10m高鐵桿)被屏蔽的建筑物與建筑物屏蔽物多重連接的接地體圖C.1雷電流發(fā)生器法測試原理圖圖C.1雷電流發(fā)生器法測試原理圖圖中:1—磁場測試儀2—雷電流發(fā)生器UUCRLUU:電壓典型值為數(shù)10kvC:電容典型值為數(shù)10nF圖C.2雷電流發(fā)生器原理圖在雷電流發(fā)生器法試驗(yàn)中可以用低電平試驗(yàn)來進(jìn)行,在這些低電平試驗(yàn)中模擬雷電流的波形應(yīng)與原始雷電流相同。IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,雷擊可能出現(xiàn)短時(shí)首次雷擊電流if(10/350μs)和后續(xù)雷擊電流is(0.25/100μs)。首次雷擊產(chǎn)生磁場Hf,后續(xù)雷擊產(chǎn)生磁場Hs,見圖C.3和圖C.4:tHftHf(t)HHf/max10μsTp10μsTp/f圖圖C.3首次雷擊磁場強(qiáng)度(10/350μs)上升期的模擬HHs(t)t0.25μsTp/sHs/max圖圖C.4后續(xù)雷擊磁場強(qiáng)度(0.25/100μs)上升期的模擬磁感應(yīng)效應(yīng)主要是由磁場強(qiáng)度升至其最大值的上升時(shí)間規(guī)定的,首次雷擊磁場強(qiáng)度Hf可用最大值Hf/max(25kHz)的阻尼振蕩場和升至其最大值的上升時(shí)間Tp/f(10μs、波頭時(shí)間)來表征。同樣后續(xù)雷擊磁場強(qiáng)度Hs可用Hs/max(1MHz)和Tp/s(0.25μs)來表征。當(dāng)發(fā)生器產(chǎn)生電流io/max為100kA,建筑物屏蔽網(wǎng)格為2m時(shí),實(shí)測出不同尺寸建筑物的磁場強(qiáng)度如表C.3:C.3不同尺寸建筑物內(nèi)磁場強(qiáng)度測量實(shí)例建筑物類型建筑物長、寬、高、m(L×W×H)H1/max(中心區(qū))A/mH1/max(dw=ds/1處)A/m110×10×10179447250×50×1036447310×10×5080200H1/max—LPZ1區(qū)內(nèi)最大磁場強(qiáng)度;dw—閃電直擊在格柵形大空間屏蔽上的情況下,被考慮的點(diǎn)距LPZ1區(qū)屏蔽壁的最短距離;ds/1—閃電擊在格柵形大空間屏蔽以外附近的情況下,LPZ1區(qū)內(nèi)距屏蔽層的安全距離。C.2.2浸入法GB/T17626.9對(duì)設(shè)備進(jìn)行脈沖磁場抗擾度試驗(yàn)中規(guī)定:受試設(shè)備(EUT)可放在具有確定形狀和尺寸的導(dǎo)體環(huán)(稱為感應(yīng)線圈)的中部,當(dāng)環(huán)中流過電流時(shí),在其平面和所包圍的空間內(nèi)產(chǎn)生確定的磁場。試驗(yàn)磁場的電流波形為6.4/16μs的電流脈沖。試驗(yàn)過程中應(yīng)從x、y、z三個(gè)軸向分別進(jìn)行。由于受試設(shè)備的體積與格柵形大空間屏蔽體相比甚小,此法只適于體積較小設(shè)備的測試和在矮小的建筑物屏蔽測量時(shí)可參照使用。具體方法見GB/T17626.9。C.2.3大環(huán)法C.2.3.1GB12190規(guī)定了高性能屏蔽室相對(duì)屏蔽效率的測試和計(jì)算方法,主要適用于1.5m~15.0m之間的長方形屏蔽室,采用常規(guī)設(shè)備在非理想條件的現(xiàn)場測試。C.2.3.2為模擬雷電流頻率,在測試中應(yīng)選用的常規(guī)測試頻率范圍為100Hz~20MHz,模擬干擾源置于屏蔽室外,其屏蔽效率計(jì)算公式按C.3式。測試用天線為環(huán)形天線,并提出下列注意事項(xiàng):測試之前,應(yīng)把被測屏蔽室內(nèi)的金屬(及帶金屬的)設(shè)備,含辦公用桌、椅、柜子搬走。在測試中,所有的射頻電纜、電源等均應(yīng)按正常位置放置。C.2.3.3屏蔽室的四壁均可接近時(shí)而采用優(yōu)先大環(huán)法,屏蔽室的部分壁面不可接近時(shí)而采用備用大環(huán)法?,F(xiàn)將備用大環(huán)法簡要介紹如下:射環(huán)使用頻段I(100Hz~200kHz)的環(huán)形天線。屏蔽室的一個(gè)壁面是可以接近時(shí),將磁場源置于屏蔽室外,并用雙絞線引至可接近的壁,沿壁邊布置發(fā)射環(huán),環(huán)的平面與壁面平行,其間距應(yīng)大于25cm??捎孟鹉z吸力杯將發(fā)射環(huán)固定在壁面上。磁場源由通用輸出變壓器、常閉按紐開關(guān)、具有1W輸出的超低頻振蕩器、熱電偶電流表組成。屏蔽室內(nèi)置檢測環(huán),衰減器和檢測儀,其中檢測環(huán)的直徑為300mm當(dāng)檢測儀采用高阻選頻電壓表時(shí),SH=20lg(V0/V1)………(C.4)C.2.4其他測量方法C.2.4.1以當(dāng)?shù)刂胁◤V播頻點(diǎn)對(duì)應(yīng)的波頭做為信號(hào)源,將信號(hào)接收機(jī)分別置于建筑物內(nèi)和建筑物外,分別測試出信號(hào)強(qiáng)度E0和E1。用下式計(jì)算出建筑物的屏蔽效率:SE=20lg(E0/E1)………(C.5)測試時(shí),接收機(jī)應(yīng)采用標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形天線。當(dāng)天線在室外時(shí),環(huán)形天線設(shè)置高度應(yīng)為0.6m~0.8m,與大的金屬物,如鐵欄桿,汽車等應(yīng)距1m以外。當(dāng)天線在室內(nèi)時(shí),其高度應(yīng)與室外布置同高,并置在距外墻或門窗3m~5m遠(yuǎn)處。室內(nèi)布置與大環(huán)法的要求相同。用本方法可測室內(nèi)場強(qiáng)(A2)和室外場強(qiáng)(A1),屏蔽效率為其代數(shù)差(A1-A2)。C.2.4.2可使用專門的儀器設(shè)備(如EMP-2或EMP-2HC等脈沖發(fā)生器)進(jìn)行與備用大環(huán)法相似的測試,其區(qū)別于備用大環(huán)法的內(nèi)容有:脈沖發(fā)生器置于被測墻外約3m處。發(fā)生器產(chǎn)生模擬雷電流波頭的條件,如10μs、0.25μs及2.6μs、0.5μs。發(fā)生器的發(fā)生電壓可達(dá)5kV~8kV,電流4~19k從被測建筑物墻內(nèi)0.5m起,每隔1m直至距內(nèi)墻5~6m處每個(gè)測點(diǎn)進(jìn)行信號(hào)電勢的測量。如被測房間較深,在5m~6m處之后可每隔2m(或3m平移脈沖發(fā)生器,在對(duì)應(yīng)室內(nèi)測量的各點(diǎn)處測量無屏蔽狀況的信號(hào)電勢;d)各點(diǎn)的屏蔽效率為:E=20lg(e0/e1)………(C.6)式中:e0——無屏蔽處信號(hào)電勢;e1——有屏蔽處信號(hào)電勢。建筑物的屏蔽效率應(yīng)是各點(diǎn)的平均值。

附錄D(規(guī)范性附錄)土壤電阻率測量D.1總則D.1.1測量目的為解決土壤電阻率ρ的測量,附錄E引用了GB/T17949.1的相關(guān)內(nèi)容。D.1.2一般原則D.1.2.2.土壤電阻率的影響因子有:土壤類型、含水量、含鹽量、溫度、土壤的緊密程度等化學(xué)和物理性質(zhì),同時(shí)土壤電阻率隨深度變化較橫向變化要大很多。因此,對(duì)測量數(shù)據(jù)的分析應(yīng)進(jìn)行相關(guān)的校正。本標(biāo)準(zhǔn)只對(duì)接地裝置所在的上層(幾米以內(nèi))土壤層進(jìn)行測量,不考慮土壤電阻率的深層變化。D.1.2.3在進(jìn)行土壤電阻率測量之前,宜先了解土壤的性質(zhì),并參閱表D.1,對(duì)所在地土壤電阻率進(jìn)行估算。D.1常見土壤電阻率參考值類別名稱電阻率近似值(Ω·m)不同情況下電阻率的變化范圍(Ω·m)較濕時(shí)(一般地區(qū)、多雨區(qū))較干時(shí)(少雨區(qū)、沙漠區(qū))地下水含鹽堿時(shí)土1020405060100200300——4005~2010~30—30~10030~10030~300100~200100~1000300350———10~10050~300—50~30050~30080~10002501000以上—————3~103~30—10~3010~3010~803030~100—————砂砂、砂礫1000250~10001000~2500—沙層深度大于10m、地下水較深的草原地面粘土深度不大于1.5m、底層多巖石1000———巖石礫石、碎石多巖山地花崗巖50005000200000—————————混凝土在水中在濕土中在干土中在干燥的大氣中40~55100~200500~130012000~18000————————————礦金屬礦石0.01~1———D.1.2.4土壤電阻率的測量方法有:土壤試樣法、三點(diǎn)法(深度變化法)、兩點(diǎn)法(西坡Shepard土壤電阻率測定法)、四點(diǎn)法等,本標(biāo)準(zhǔn)主要介紹四點(diǎn)法。D.1.2.5在采用四點(diǎn)法測量土壤電阻率時(shí),應(yīng)注意如下事項(xiàng):試驗(yàn)電極應(yīng)選用鋼接地棒,且不應(yīng)使用螺紋桿。在多巖石的土壤地帶,宜將接地棒按與鉛垂方向成一定角度斜行打入,傾斜的接地棒應(yīng)躲開石頭的頂部。試驗(yàn)引線應(yīng)選用撓性引線,以適用多次卷繞。在確定引線的長度時(shí),要考慮到現(xiàn)場的溫度。引線的絕緣應(yīng)不因低溫而凍硬或皸裂。引線的阻抗應(yīng)較低。對(duì)于一般的土壤,因需把鋼接地棒打入較深的土壤,宜選用2~4kg為避免地下埋設(shè)的金屬物對(duì)測量造成的干擾,在了解地下金屬物位置的情況下,可將接地棒排列方向與地下金屬物(管道)走向呈垂直狀態(tài)。不要在雨后土壤較濕時(shí)進(jìn)行測量。D.2測量方法(四點(diǎn)法)D.2.1等距法或溫納(Wenner)法將小電極埋入被測土壤呈一字排列的四個(gè)小洞中,埋入深度均為b,直線間隔均為a。測試電流I流入外側(cè)兩電極,而內(nèi)側(cè)兩電極間的電位差V可用電位差計(jì)或高阻電壓表測量。如圖D.1所示。設(shè)a為兩鄰近電極間距,則以a,b的單位表示的電阻率ρ為:2a2aa2+4b2aa2+b2ρ=4πaR/(1+-)………(D.1)D.1電極均勻布置D.1電極均勻布置式中:ρ——土壤電阻率;R——所測電阻;a——電極間距;b——電極深度

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