2023人教版化學(xué)-選擇性必修2-第三章-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-專題強(qiáng)化練7-晶體熔點(diǎn)高低的比較

專題強(qiáng)化練7晶體熔點(diǎn)高低的比較1.(2022四川遂寧二中期中)下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)由低到高排列的是()A.H2O、H2S、H2Se、H2TeB.F2、Cl2、Br2、I2C.Li、Na、K、RbD.NaCl、MgCl2、金剛石、晶體硅2.(2022四川資陽中學(xué)期中)下列物質(zhì)的沸點(diǎn),前者低于后者的是()A.乙醇與氯乙烷B.C3F8(全氟丙烷)與C3H8C.Na與KD.鄰羥基苯甲酸()與對羥基苯甲酸()3.下表中是幾種物質(zhì)的熔點(diǎn):物質(zhì)Na2ONaClAlF3AlCl3熔點(diǎn)/℃9208011291190物質(zhì)SO2Al2O3SiO2CO2熔點(diǎn)/℃-75.520731723-57據(jù)此做出的下列判斷中錯誤的是()A.鋁的化合物晶體中有的是離子晶體B.表中只有SO2、干冰是分子晶體C.同主族元素的氧化物可形成不同類型的晶體D.不同主族元素的氧化物可形成相同類型的晶體4.(2022河南輝縣一中階段考)下列有關(guān)物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序正確的是()A.HF<HCl<HBrB.金剛石<碳化硅<晶體硅C.I2>SiO2D.H2O>H2S,SO2<SeO25.(1)MnO的熔點(diǎn)(1650℃)比MnS的熔點(diǎn)(1610℃)高,它們都屬于晶體。前者熔點(diǎn)較高的原因是

。

(2)SiCl4和SnCl4通常均為液體。①Si、Sn、Cl三種元素電負(fù)性由小到大的順序?yàn)?用元素符號表示)。

②SiCl4的空間結(jié)構(gòu)為,屬于晶體。

③SiCl4的熔點(diǎn)低于SnCl4的原因?yàn)? 。

6.(1)部分第三周期元素氟化物的熔點(diǎn)如下表:化合物NaFMgF2AlF3SiF4PF5SF6熔點(diǎn)/℃99312611291-90-83-50.5解釋表中氟化物熔點(diǎn)變化的原因: 。

(2)GaN、GaP都是很好的半導(dǎo)體材料,晶體類型與晶體硅類似,熔點(diǎn)如下表所示:物質(zhì)GaNGaP熔點(diǎn)/℃17001480解釋GaN、GaP熔點(diǎn)變化的原因:。

(3)正戊烷、異戊烷、正丁烷、異丁烷的熔點(diǎn)由低到高的順序?yàn)椤?/p>

(4)三氯化鐵常溫下為固體,熔點(diǎn)282℃,沸點(diǎn)315℃,在300℃以上易升華。易溶于水,也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑。據(jù)此判斷三氯化鐵晶體為晶體。

答案全解全析1.BH2O、H2S、H2Se、H2Te都為同主族元素所形成的分子晶體,在結(jié)構(gòu)相似的分子晶體中,分子的相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,晶體的熔點(diǎn)越高,水分子間存在氫鍵,熔點(diǎn)最高,熔點(diǎn)由低到高排列為H2S、H2Se、H2Te、H2O,A項(xiàng)錯誤;在結(jié)構(gòu)相似的分子晶體中,分子的相對分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高,所以熔點(diǎn):F2<Cl2<Br2<I2,B項(xiàng)正確;同主族元素從上到下原子半徑逐漸增大,金屬的熔點(diǎn)逐漸降低,所以熔點(diǎn):Li>Na>K>Rb,C項(xiàng)錯誤;金剛石、晶體硅為共價晶體,原子半徑C<Si,原子半徑越小,共價鍵鍵能越大,熔點(diǎn)越高,則熔點(diǎn):金剛石>晶體硅,D項(xiàng)錯誤。2.D乙醇與氯乙烷都是極性分子,由于乙醇分子之間存在氫鍵,故乙醇的沸點(diǎn)比氯乙烷的高,A不符合題意;C3F8(全氟丙烷)與C3H8的分子結(jié)構(gòu)相似,由于全氟丙烷的相對分子質(zhì)量比丙烷大,所以全氟丙烷的沸點(diǎn)比丙烷的高,B不符合題意;Na與K是同一主族的元素,晶體結(jié)構(gòu)相似,由于金屬鍵Na大于K,所以Na的沸點(diǎn)比K的沸點(diǎn)高,C不符合題意;對羥基苯甲酸()的分子之間會形成氫鍵,增加了分子之間的吸引作用,而鄰羥基苯甲酸在分子內(nèi)形成了氫鍵,故沸點(diǎn):鄰羥基苯甲酸()<對羥基苯甲酸(),D符合題意。3.BAlF3是離子晶體,A正確;AlCl3、SO2、干冰均為分子晶體,B錯誤;同主族碳、硅元素的氧化物是不同類型的晶體,C正確;SO2、CO2形成的是相同類型的晶體,D正確。4.DHF分子間存在氫鍵,導(dǎo)致HF的熔點(diǎn)較高,則正確的熔點(diǎn)高低順序?yàn)镠Cl<HBr<HF,故A錯誤;一般,共價晶體中共價鍵的鍵長越短,鍵能越大,熔點(diǎn)越高,則熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅,故B錯誤;一般來說,晶體熔點(diǎn):共價晶體>分子晶體,二氧化硅屬于共價晶體,I2屬于分子晶體,所以晶體熔點(diǎn)高低順序是SiO2>I2,故C錯誤;H2O分子間能夠形成氫鍵,熔點(diǎn):H2O>H2S,SO2和SeO2的結(jié)構(gòu)相似,相對分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高,熔點(diǎn):SO2<SeO2,故D正確。5.答案(1)離子O2-半徑小于S2-半徑,MnO的離子鍵強(qiáng)(2)①Sn<Si<Cl②正四面體形分子③二者均為分子晶體,組成與結(jié)構(gòu)相似,SiCl4的相對分子質(zhì)量小于SnCl4,分子間作用力弱于SnCl4解析(1)MnO、MnS的熔點(diǎn)都較高,都屬于離子晶體。MnO的熔點(diǎn)較高的原因是O2-半徑小于S2-半徑,MnO的離子鍵強(qiáng)。(2)①Si、Sn、Cl三種元素電負(fù)性由小到大的順序?yàn)镾n<Si<Cl。②SiCl4與CCl4的空間結(jié)構(gòu)相同,為正四面體形,屬于分子晶體。③SiCl4的熔點(diǎn)低于SnCl4的原因?yàn)镾iCl4的相對分子質(zhì)量小于SnCl4,分子間作用力弱于SnCl4。6.答案(1)前三種氟化物為離子晶體,Na+、Mg2+、Al3+的半徑依次減小,離子鍵依次增強(qiáng);后三種氟化物為分子晶體,相對分子質(zhì)量依次增大,分子間作用力依次增大(2)二者屬于共價晶體,半徑N<P,鍵長Ga—N<Ga—P,鍵能Ga—N>Ga—P,故熔點(diǎn)GaN比GaP的高(3)異丁烷<正丁烷<異戊烷<正戊烷(4)分子解析(1)從題表中各物質(zhì)熔點(diǎn)可判斷前三種氟化物均為離子晶體,其熔點(diǎn)逐漸升高是因?yàn)镹a+、Mg2+、Al3+的半徑依次減小,離子鍵依次增強(qiáng);后三種氟化物熔點(diǎn)很低,為分子晶體,由于相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),故其熔點(diǎn)逐漸升高。(2)GaN、GaP都是很好的半導(dǎo)體材料,晶體類型與晶體硅類似,都