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…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁,總=sectionpages22頁第=page11頁,總=sectionpages11頁2025年滬科版選修3化學(xué)上冊(cè)階段測(cè)試試卷含答案考試試卷考試范圍:全部知識(shí)點(diǎn);考試時(shí)間:120分鐘學(xué)校:______姓名:______班級(jí):______考號(hào):______總分欄題號(hào)一二三四五總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共6題,共12分)1、下列有關(guān)多電子原子的敘述中正確的是()A.在一個(gè)多電子原子中,不可能有兩個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子B.在一個(gè)多電子原子中,不可能有兩個(gè)能量相同的電子C.在一個(gè)多電子原子中,N層上的電子能量肯定比M層上的電子能量高D.某個(gè)多電子原子的3p軌道上僅有兩個(gè)電子,它們的自旋狀態(tài)必須相反2、下列說法正確的是()A.第三能層有s、p共兩個(gè)能級(jí)B.3d能級(jí)最多容納5個(gè)電子C.第三能層最多容納8個(gè)電子D.無論哪一能層的s能級(jí)最多容納的電子數(shù)均為2個(gè)3、下列關(guān)于價(jià)電子構(gòu)型為的原子描述正確的是A.它的核外電子排布式為B.它的最高能級(jí)軌道上有2對(duì)電子對(duì)C.它有34種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子D.它的第二電離能小于As4、具有下列電子排布式的原子中,電負(fù)性最大的是A.1s22s22p63s23p1B.1s22s22p63s23p4C.1s22s22p3D.1s22s22p55、砷(As)的化合物豐富多彩;砷的氧化物的分子結(jié)構(gòu)如圖。GaAs是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,下列說法錯(cuò)誤的是。
A.砷的氧化物是分子晶體B.砷氧化物的分子式為As6O4C.GaAs是原子晶體D.熔、沸點(diǎn):GaAs>砷的氧化物6、制造光導(dǎo)纖維的材料是一種很純的硅氧化物;它是具有立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體,下圖是簡(jiǎn)化了的平面示意圖,關(guān)于這種制造光纖的材料,下列說法正確的是()
A.它的晶體中硅原子與氧原子數(shù)目比是1:4B.它的晶體中硅原子與氧原子數(shù)目比是1:6C.這種氧化物是原子晶體D.這種氧化物是分子晶體評(píng)卷人得分二、填空題(共5題,共10分)7、Mn、Fe均為第四周期過渡元素,兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:。元素FeFe電離能/kJ·mol-1I1717759I2150915611561I3324829572957
回答下列問題:
(1)亞鐵離子價(jià)電子層的電子排布式為_______
(2)Fe原子或離子外圍有較多能量相近的空軌道而能與一些分子或離子形成配合物。
①與Fe原子或離子形成配合物的分子或離子應(yīng)具備的結(jié)構(gòu)特征是_______;
②六氰合亞鐵離子(Fe(CN))中的配體CN-中C原子的雜化軌道類型是_______,寫出一種與CN-互為等電子體的單質(zhì)分子的電子式_______;
(3)金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如右圖所示。體心立方晶胞和面心立方晶胞中實(shí)際含有的Fe原子個(gè)數(shù)之比為_______。
8、“3s”和“3s2”都是關(guān)于原子核外第三電子層s亞層的化學(xué)用語,這兩個(gè)用語的區(qū)別在于______9、硼及其化合物的應(yīng)用廣泛。試回答下列問題:
(1)基態(tài)原子的價(jià)電子軌道表示式為__________,其第一電離能比的__________(填“大”或“小”)。
(2)氨硼烷()被認(rèn)為是最具潛力的新型儲(chǔ)氫材料之一,分子中存在配位鍵,提供孤電子對(duì)的原子是__________,寫出一種與氨硼烷互為等電子體的有機(jī)小分子:___________________(填化學(xué)式)。
(3)常溫常壓下硼酸()的晶體結(jié)構(gòu)為層狀;其二維平面結(jié)構(gòu)如圖所示。
①B原子的雜化方式為__________。從氫鍵的角度解釋硼酸在冷水中的溶解度小而加熱時(shí)溶解度增大:_________________。
②路易斯酸堿理論認(rèn)為,任何可接受電子對(duì)的分子或離子叫路易斯酸,任何可給出電子對(duì)的分子或離子叫路易斯堿。從結(jié)構(gòu)角度分析硼酸是路易斯酸:______________________________。10、(1)回答下列問題:
①處于基態(tài)的Ca和Fe原子,下列參數(shù)前者小于后者的是_________;
a.最外層電子數(shù)b.未成對(duì)電子數(shù)c.第一電離能d.原子半徑。
②有文獻(xiàn)表明,迄今為止(至2016年)除氦外,所有其他稀有氣體元素都能形成化合物。試簡(jiǎn)要說明未能制得氦的化合物的理由_______________________。
(2)H和N可以形成多種化合物。
①已知聯(lián)氨(N2H4)的物理性質(zhì)與水接近,其原因是_____________________;
②計(jì)算表明:N4H62+的一種結(jié)構(gòu)如圖所示,氫原子只有一種化學(xué)環(huán)境,氮原子有兩種環(huán)境,其中的大π鍵可表示為_________________。
(3)晶體X只含鈉;鎂、鉛三種元素。在不同的溫度和壓力下;晶體X呈現(xiàn)不同的晶相。
①γ-X是立方晶系的晶體。鉛為立方最密堆積,其余兩種原子有選擇的填充鉛原子構(gòu)成的四面體空隙和八面體空隙。在不同的條件下,γ-X也呈現(xiàn)不同的結(jié)構(gòu),其晶胞如圖所示。X的化學(xué)式為_____________;在(b)型晶胞中,邊長(zhǎng)為apm,距離Pb最短的Na有_______個(gè),長(zhǎng)度為_______pm(用a表示);Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成四面體空隙的百分比為________和八面體空隙的百分比為________。已知(a)型晶胞的邊長(zhǎng)為770pm,則該型晶體的密度為_________g·cm-3。(只列出計(jì)算式)
②α-X是一種六方晶系的晶體,而在α-X中,鎂和鉛按1:1的比例形成類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu),鈉填在層間。試畫出一層α-X的結(jié)構(gòu)__________。11、晶體具有規(guī)則的幾何外形,晶體中最基本的重復(fù)單位稱為晶胞。NaCl晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。已知FexO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型,由于晶體缺陷,x值小于1,測(cè)知FexO晶體密度ρ=5.71g·cm-3,晶胞邊長(zhǎng)為4.28×10-10m。
(1)FexO中x值(精確至0.01)為________。
(2)晶體中的Fe分別為Fe2+、Fe3+,在Fe2+和Fe3+的總數(shù)中,F(xiàn)e2+所占分?jǐn)?shù)(用小數(shù)表示,精確至0.001)為________。
(3)此晶體的化學(xué)式為________。
(4)與某個(gè)Fe2+(或Fe3+)距離最近且等距離的O2-圍成的空間幾何形狀是________。
(5)在晶體中,鐵離子間最短距離為________cm。評(píng)卷人得分三、工業(yè)流程題(共1題,共2分)12、飲用水中含有砷會(huì)導(dǎo)致砷中毒,金屬冶煉過程產(chǎn)生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測(cè)。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在;可用化學(xué)沉降法處理酸性高濃度含砷廢水,其工藝流程如下:
已知:①As2S3與過量的S2-存在反應(yīng):As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq);
②亞砷酸鹽的溶解性大于相應(yīng)砷酸鹽。
(1)砷在元素周期表中的位置為_______;AsH3的電子式為______;
(2)下列說法正確的是_________;
a.酸性:H2SO4>H3PO4>H3AsO4
b.原子半徑:S>P>As
c.第一電離能:S
(3)沉淀X為__________(填化學(xué)式);
(4)“一級(jí)沉砷”中FeSO4的作用是________。
(5)“二級(jí)沉砷”中H2O2與含砷物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________;
(6)關(guān)于地下水中砷的來源有多種假設(shè),其中一種認(rèn)為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3,同時(shí)生成導(dǎo)致砷脫離礦體進(jìn)入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為______________。評(píng)卷人得分四、原理綜合題(共2題,共20分)13、鎳具有良好的導(dǎo)磁性和可塑性;主要用于制作合金及催化劑。請(qǐng)回答下列問題。
(1)基態(tài)鎳原子的價(jià)電子排布圖為____,同周期元素中基態(tài)原子與鎳具有相同未成對(duì)電子的還有____種。
(2)四羰基合鎳是一種無色揮發(fā)性液體,熔點(diǎn)-25℃,沸點(diǎn)43℃。則四羥基合鎳中σ鍵和π鍵數(shù)目之比為___三種組成元素按電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開___。
(3)[Ni(NH3)
4]SO4中N原子的雜化方式為____,寫出與SO42-互為等電子體的一種分子和一種離子的化學(xué)式____,____;[Ni(
NH3)4]SO4中H-N-H鍵之間的夾角___(填“>”“<”或“=”)NH3分子中H-N-H鍵之間的夾角。
(4)已知NiO的晶體結(jié)構(gòu)(如圖1),可描述為:氧原子位于面心和頂點(diǎn),氧原子可形成正八面體空隙和正四面體空隙,鎳原子填充在氧原子形成的空隙中,則NiO晶體中原子填充在氧原子形成的____體空隙中,其空隙的填充率為____。
(5)一定溫度下,NiO晶體可分散形成“單分子層”,O2-作單層密置排列,Ni2+填充O2-形成的正三角形空隙中(如圖2),已知O2-的半徑為αm,每平方米面積上分?jǐn)?shù)的NiO的質(zhì)量為___g。(用a、NA表示)14、利用鐵礦石(Fe2O3),可以制得Fe3[Fe(CN)6]2和Fe(SCN)3;請(qǐng)回答下列問題:
(1)基態(tài)Fe3+的價(jià)電子排布式為___________。
(2)O、S、C三種元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開__________,F(xiàn)e(CO)5是一種淺黃色液體,熔點(diǎn)-20℃,沸點(diǎn)103℃。Fe(CO)5晶體類型是___________。
(3)KSCN是檢驗(yàn)Fe3+的試劑之一,與SCN-互為等電子體的分子為___________(任寫一種),SCN-中碳原子的雜化類型為___________。第一電離能I1(N)___________I1(O)(填“大于”、“小于”或“等于”),理由是___________。
(4)鉀晶體(其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示)的晶胞參數(shù)為apm。假定金屬鉀原子為等徑的剛性小球且處于體對(duì)角線上的三個(gè)球相切,則鉀原子的半徑為___________pm,晶體鉀的密度計(jì)算式是___________g/m3(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)
評(píng)卷人得分五、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共4題,共24分)15、前四周期元素A;B、C、D、E、F的原子序數(shù)依次增大;A是宇宙中含量最豐富的元素;B和C同一主族,且B的L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2.5倍;D和C同一周期;E元素原子核外電子有17種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),F(xiàn)位于第四周期,其未成對(duì)電子數(shù)只有一個(gè),且內(nèi)層都處于全充滿狀態(tài)。請(qǐng)回答下列問題:
(1)B原子的L層電子排布圖____________。
(2)由A、B原子形成的分子的結(jié)構(gòu)式為:A-B=B-A,則該分子中σ鍵和π鍵的數(shù)目之比為________,B、C的氫化物中BH3的沸點(diǎn)高于CH3的沸點(diǎn),原因是___________;C、D和E的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開__________;C、D和E的第一電離能由大到小的順序是____________;C和D最高價(jià)含氧酸的酸性由弱到強(qiáng)的順序?yàn)開________________。CO中C的雜化方式為___________,該離子的“VSEPR”模型為__________________形。
(3)向FDO4溶液中加入過量稀氨水,得到的深藍(lán)色溶液中陽離子化學(xué)式為_______,該離子的配位體為________________。
(4)D(黑球)和F(白球)形成的某種晶體的晶胞如下圖所示,已知該晶胞的棱長(zhǎng)為516pm,則該晶胞的密度為___________g/cm3(精確到0.1),最近的黑球和白球之間的距離為_______pm。
16、X;Y、Z、Q、W為前四周期中原子序數(shù)依次增大的元素。X原子的2p能級(jí)上有兩個(gè)未成對(duì)電子;且無空軌道。Y原子K層的電子數(shù)與M層的電子數(shù)的乘積等于其L層的電子數(shù);Z與X同族,Q位于第ⅠB族;W元素最高正價(jià)和最低負(fù)價(jià)的代數(shù)和為4。根據(jù)以上信息,回答下列問題。
(1)W元素的名稱是:___________;其簡(jiǎn)化的電子排布式為___________________;X的基態(tài)原子核外最高能級(jí)上有_____種不同空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子;已知高溫下4QX→2Q2X+X2,從Q原子價(jià)層電子結(jié)構(gòu)的角度分析,能生成Q2X的原因是__________________________________。
(2)Y與X可以形成多種復(fù)雜陰離子,如下圖所示,若其中a對(duì)應(yīng)的陰離子化學(xué)式為YX則c對(duì)應(yīng)的陰離子的化學(xué)式為_________________(圓圈代表X原子;黑點(diǎn)代表Y原子)。
(3)向盛有含Q2+的溶液中加入氨水至過量,沉淀溶解的離子方程式為___________________。寫出最后所得配離子的結(jié)構(gòu)式____________________________________(配位鍵須注明)。
(4)W、Y均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物,則它們形成的組成最簡(jiǎn)單的氫化物中,VSEPR構(gòu)型____________(填“相同”或“不相同”),若“Y?H”中共用電子對(duì)偏向氫元素,氫氣與W反應(yīng)時(shí)單質(zhì)W是氧化劑,則W與Y的電負(fù)性相對(duì)大小為______________(用元素符號(hào)作答)。17、(1)基態(tài)Fe原子的簡(jiǎn)化電子排布式為______________________。
(2)常溫下,F(xiàn)e(CO)5為黃色液體,易溶于非極性溶劑。寫出CO的電子式______________;Fe(CO)5分子中σ鍵與π鍵之比為______________。
(3)Ni能與類鹵素(SCN)2反應(yīng)生成Ni(SCN)2。Ni(SCN)2中第一電離能最大的元素是_____________;(SCN)2分子中硫原子的雜化方式是_____________;
(4)硝酸銅溶于氨水形成[Cu(NH3)4](NO3)2的深藍(lán)色溶液。
①[Cu(NH3)4](NO3)2中陰離子的立體構(gòu)型是_________________。
②與NH3互為等電子體的一種陰離子為_____________(填化學(xué)式);氨氣在一定的壓強(qiáng)下,測(cè)得的密度比該壓強(qiáng)下理論密度略大,請(qǐng)解釋原因__________。
(5)金屬晶體可看成金屬原子在三維空間中堆積而成,單質(zhì)鋁中鋁原子采用銅型模式堆積,原子空間利用率為74%,則鋁原子的配位數(shù)為________________。
(6)鐵和硫形成的某種晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,晶胞參數(shù)a=xpm,則該物質(zhì)的化學(xué)式為___________________;A原子距離B原子所在立方體側(cè)面的最短距離為________________pm(用x表示);該晶胞的密度為____________g·cm-3。(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示)
18、氮化鈦(Ti3N4)為金黃色晶體,由于具有令人滿意的仿金效果,越來越多地成為黃金的代替品。以TiCl4為原料,經(jīng)過一系列反應(yīng)可以制得Ti3N4和納米TiO2(如圖1)。
圖中的M是短周期金屬元素,M的部分電離能如表:。I1I2I3I4I5電離能/(kJ/mol)738145177331054013630
請(qǐng)回答下列問題:
(1)Ti的基態(tài)原子外圍電子排布式為________________。
(2)M是________(填元素符號(hào)),該金屬晶體的堆積模型為六方最密堆積,配位數(shù)為____。
(3)納米TiO2是一種應(yīng)用廣泛的催化劑,納米TiO2催化的一個(gè)實(shí)例如圖2所示。化合物甲的分子中采取sp2方式雜化的碳原子有________個(gè),化合物乙中采取sp3方式雜化的原子3對(duì)應(yīng)的元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開_______________。
(4)有一種氮化鈦晶體的晶胞與NaCl晶胞相似,如圖3所示,該晶胞中N、Ti之間的最近距離為apm,則該氮化鈦的密度為________________g/cm3(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,只列計(jì)算式)。該晶體中與氮原子距離相等且最近的氮原子有________個(gè)。
(5)科學(xué)家通過X-射線探明KCl、MgO、CaO、TiN的晶體與NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似。且知三種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù):。離子晶體NaClKClCaO晶格能/(kJ/mol)7867153401
KCl、CaO、TiN三種離子晶體熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)開_________________。參考答案一、選擇題(共6題,共12分)1、A【分析】【詳解】
A.在多電子的原子中;電子填充在不同的能層,能層又分不同的能級(jí),同一能級(jí)又有不同的原子軌道,每個(gè)軌道中最多可以填充兩個(gè)電子,自旋相反,在一個(gè)基態(tài)多電子的原子中,不可能有兩個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子,A選項(xiàng)正確;
B.每個(gè)軌道中最多可以填充兩個(gè)電子;自旋相反,這兩個(gè)電子的能量完全相同,另外在等價(jià)軌道上填充的電子能量也相同,可能存在能量相同的電子,B選項(xiàng)錯(cuò)誤;
C;N層有4s、4p、4d、4f能級(jí)4s能級(jí)能量比3d能級(jí)低;故N層上的電子能量不一定比M層上的電子能量高,C選項(xiàng)錯(cuò)誤;
D;某一基態(tài)3p能級(jí)上僅有2個(gè)電子;這2個(gè)電子分別占據(jù)不同的軌道,且自旋方向相同,D選項(xiàng)錯(cuò)誤;
答案選A。2、D【分析】【詳解】
A;每一能層包含的能級(jí)數(shù)等于該能層的序數(shù);故第三能層有s、p.d三個(gè)能級(jí),選項(xiàng)A錯(cuò)誤;
B;d能級(jí)最多容納的電子數(shù)是10;選項(xiàng)B錯(cuò)誤;
C、每一能層最多客納的電子數(shù)為2n2;第三能層最多容納18個(gè)電子,選項(xiàng)C錯(cuò)誤;
D;s能級(jí)最多容納的電子數(shù)分別是2;選項(xiàng)D正確。
答案選D。3、C【分析】【分析】
根據(jù)題中價(jià)電子構(gòu)型為可知;本題考查核外電子排布,運(yùn)用核外電子排布規(guī)律分析。
【詳解】
價(jià)電子構(gòu)型為的元素是34號(hào)元素Se,它的核外電子排布式為故A錯(cuò)誤;
B.Se元素的核外有34個(gè)電子,其電子排布式為最高能級(jí)軌道(4p)上有1對(duì)電子對(duì),故B錯(cuò)誤;
C.Se元素的核外有34個(gè)電子;每個(gè)電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都不同,所以它有34種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,故C正確;
D.Se失去1個(gè)電子后價(jià)電子排布為4s24p3;4p能級(jí)半充滿,較穩(wěn)定,所以Se的第二電離能大于As,故D錯(cuò)誤;
答案選C。4、D【分析】【詳解】
電負(fù)性是指元素原子對(duì)鍵合電子的吸收能力大小;A為AL元素;B為S元素;C為N元素;D為F元素;F為元素周期表中非金屬性最強(qiáng)的元素,即電負(fù)性最強(qiáng)的元素;5、B【分析】【詳解】
A.該物質(zhì)是由分子組成的;為分子晶體,故A正確;
B.根據(jù)圖知,該分子中含有4個(gè)As原子、6個(gè)O原子,所以分子式為As4O6;故B錯(cuò)誤;
C.金剛石為原子晶體;GaAs結(jié)構(gòu)和金剛石相似,所以其晶體類型相同,為原子晶體,故C正確;
D.熔沸點(diǎn):原子晶體>分子晶體,GaAs為原子晶體,As的氧化物是分子晶體,所以熔沸點(diǎn):GaAs>砷的氧化物;故D正確;
故選B。6、C【分析】【詳解】
由題意可知,該晶體具有立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),是原子晶體,一個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成4個(gè)Si-O鍵,一個(gè)O原子與2個(gè)Si原子形成2個(gè)Si-O鍵,所以在晶體中硅原子與氧原子數(shù)目比是1:2,答案選C。二、填空題(共5題,共10分)7、略
【分析】【分析】
(1)根據(jù)鐵原子構(gòu)造書寫鐵元素價(jià)電子層和電子排布式。
(2)①形成配離子具有的條件為為中心原子具有空軌道;配體具有孤對(duì)電子對(duì)。
②根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定雜化方式;原子個(gè)數(shù)相等價(jià)電子相等的微粒為等電子體。
(3)利用均攤法計(jì)算晶胞結(jié)構(gòu)。
【詳解】
(1)亞鐵離子的價(jià)電子排布式為3d6。
(2)①形成配離子具備的條件為中心原子具有空軌道;配體具有孤對(duì)電子。
②CN-中碳原子與氮原子以三鍵連接,三鍵中有一個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵,碳原子還有一對(duì)孤對(duì)電子,雜化軌道數(shù)為2,碳原子采取sp雜化,CN-含有2個(gè)原子,價(jià)電子總數(shù)為4+5+1=10,故其等電子體為氮?dú)夥肿拥龋獨(dú)夥肿又袃蓚€(gè)氮原子通過共用三對(duì)電子結(jié)合在一起,其電子式為
(3)體心立方晶胞中含有鐵原子的個(gè)數(shù)為面心立方晶胞中實(shí)際含有的鐵原子個(gè)數(shù)為所以體心立方晶胞和面心立方晶胞中實(shí)際含有的鐵原子個(gè)數(shù)之比為1:2?!窘馕觥?d6具有孤對(duì)電子sp1∶28、略
【分析】【分析】
“3s”中“3”表示能層,“s”表示能級(jí);“3s2”表示某電子層的某種s能級(jí)上有兩個(gè)電子;據(jù)此分析解答。
【詳解】
“3s”中“3”表示能層,“s”表示能級(jí),所以“3s”表示軌道名稱;“3s2”表示第三電子層的s能級(jí)上有兩個(gè)電子,所以“3s2”表示該軌道的電子排布,故答案為:“3s”表示軌道(或能級(jí))名稱,“3s2”表示該軌道的電子排布。【解析】“3s”表示軌道(或能級(jí))名稱,“3s2”表示該軌道的電子排布9、略
【分析】【詳解】
(1)原子的核外電子排布式分別為原子的軌道處于全滿狀態(tài),所以的第一電離能比的小,原子的價(jià)電子軌道表示式為故答案為:小。
(2)形成配位鍵,必須有一方提供空軌道,另一方提供孤對(duì)電子,在氨硼烷中,原子可提供一對(duì)孤電子,原子有一個(gè)空軌道,與互為等電子體,故答案為:
(3)①由圖可知,硼酸中每個(gè)原子與原子形成3個(gè)鍵,即原子有3個(gè)成鍵軌道,且沒有孤電子對(duì),故為雜化,溶質(zhì)分子間形成的氫鍵不利于溶質(zhì)的溶解,加熱時(shí),硼酸的溶解度增大,可分析出,升溫時(shí)硼酸分子中的部分氫鍵被破壞,故答案為:雜化硼酸分子間通過氫鍵締合;加熱時(shí),部分氫鍵被破壞。
②硼酸分子中,原子有一個(gè)空的軌道,可以接受電子對(duì),根據(jù)路易斯酸堿理論可知,硼酸為路易斯酸,故答案為:硼酸分子中B原子有一個(gè)空軌道。
【點(diǎn)睛】
同周期,從左到右,第一電離能增大,但在短周期,第ⅡA族與第ⅢA族中:Be>B、Mg>Al,第ⅤA族與第ⅥA族中:N>O、P>S。【解析】小雜化硼酸分子間通過氫鍵締合,加熱時(shí),部分氫鍵被破壞硼酸分子中B原子有一個(gè)空軌道10、略
【分析】【分析】
(1)①根據(jù)基態(tài)的Ca和Fe原子核外電子排布式分析判斷;
②根據(jù)基態(tài)氦原子核外電子排布結(jié)構(gòu)分析判斷;
(2)①聯(lián)氨(N2H4)的分子中的氮原子可與氫原子形成氫鍵;
②根據(jù)N4H62+的結(jié)構(gòu)示意圖;四個(gè)氮原子形成六電子的大π鍵;
(3)①結(jié)合原子在晶胞中的位置關(guān)系,利用均攤法計(jì)算書寫分子式;在(b)型晶胞中,體對(duì)角線處的Na距離Pb最短據(jù)此計(jì)算距離;在(b)型晶胞中,Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成的四面體有8個(gè),其中只有4個(gè)四面體中填充了Na,鉛原子構(gòu)成八面體只有一個(gè),且Na原子在八面體的體心;根據(jù)晶胞密度計(jì)算公式ρ=進(jìn)行解答;
②α-X是一種六方晶系的晶體;而在α-X中,鎂和鉛按1:1的比例形成類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu),鈉填在層間,則層內(nèi)只有鎂和鉛。
【詳解】
(1)①基態(tài)的Ca原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s2,基態(tài)Fe原子核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d64s2;
a.二者最外層電子數(shù)相等,故a不符合題意;
b.Ca原子沒有未成對(duì)電子,F(xiàn)e原子有4個(gè)未成對(duì)的電子,故b符合題意;
c.Ca與Fe同周期,同周期元素第一電離能從左至右呈增大的趨勢(shì),Ca原子核外電子排布處于全充滿穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能比相鄰元素大,但鐵原子與鈣不相鄰,則第一電離能Ca<Fe,故c符合題意;
d.Ca與Fe同周期;電子層數(shù)相同,核電荷數(shù)越大,原子半徑越小,則原子半徑:Ca>Fe,故d不符合題意;
答案選bc;
②基態(tài)氦原子核外電子排布式為1s2;基態(tài)氦原子具有唯一全充滿的1s電子層,半徑較小,具有較高的第一電離能,所以難以形成化合物;
(2)①聯(lián)氨(N2H4)的分子中的氮原子可與氫原子形成氫鍵,并且分子間氫鍵數(shù)目較多,水分子間氧原子與氫原子也能形成氫鍵,則聯(lián)氨(N2H4)的物理性質(zhì)與水接近;
②根據(jù)N4H62+的結(jié)構(gòu)示意圖,四個(gè)氮原子形成六電子的大π鍵,可表示為
(3)①結(jié)合原子在晶胞中的位置關(guān)系,利用均攤法,在(a)型晶胞中,Pb位于晶胞的頂點(diǎn)和面心,數(shù)目為8×+6×=4,Na位于晶胞的體內(nèi),數(shù)目為8,Mg原子位于晶胞的棱上和體心,數(shù)目為12×+1=4,X的化學(xué)式為Na2MgPb;在(b)型晶胞中,體對(duì)角線處的Na距離Pb最短,共有4個(gè),棱長(zhǎng)為apm,面對(duì)角線長(zhǎng)為apm,則體對(duì)角線的長(zhǎng)度為apm,距離Pb最短的Na的長(zhǎng)度為體對(duì)角線長(zhǎng)度的則長(zhǎng)度為apm;在(b)型晶胞中,Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成的四面體有8個(gè),其中只有4個(gè)四面體中填充了Na,Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成四面體空隙的百分比為50%;鉛原子構(gòu)成八面體只有一個(gè),且Na原子在八面體的體心,Na填充了晶胞中鉛原子構(gòu)成四面體空隙的百分比為100%;(a)型晶胞的邊長(zhǎng)為770pm,則晶胞的體積V=(770pm)3=(7.70×10-8)3cm3,在(a)型晶胞中,Pb位于晶胞的頂點(diǎn)和面心,數(shù)目為8×+6×=4,Na位于晶胞的體內(nèi),數(shù)目為8,Mg原子位于晶胞的棱上和體心,數(shù)目為12×+1=4,則一個(gè)晶胞中含有4個(gè)Na2MgPb;根據(jù)晶胞密度計(jì)算公式ρ==
②α-X是一種六方晶系的晶體,而在α-X中,鎂和鉛按1:1的比例形成類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu),鈉填在層間,則層內(nèi)只有鎂和鉛,層內(nèi)α-X的結(jié)構(gòu)為【解析】bc基態(tài)氦原子具有唯一全充滿的1s電子層,半徑較小,具有較高的第一電離能,所以難以形成化合物聯(lián)氨分子間能形成較多氫鍵Na2MgPb4a50%100%11、略
【分析】【詳解】
(1)由氯化鈉晶胞可知在此晶胞中應(yīng)有4個(gè)FexO,根據(jù)密度公式可得(56x+16)×4/NA=5.71×(4.28×10-8)3;解得x≈0.92。
(2)設(shè)晶體中的Fe2+個(gè)數(shù)為y,根據(jù)化合物中電荷守恒的原則,即正電荷總數(shù)等于負(fù)電荷總數(shù)可得:2y+3×(0.92-y)=2,解得y=0.76,所以可得Fe2+所占分?jǐn)?shù)=≈0.826。
(3)含F(xiàn)e3+個(gè)數(shù)為0.92-0.76=0.16,此晶體的化學(xué)式為
(4)根據(jù)氯化鈉的結(jié)構(gòu)可知與某個(gè)Fe2+(或Fe3+)距離最近且等距離的O2-位于面心處;圍成的空間幾何形狀是正八面體;
(5)由FexO晶體晶胞的結(jié)構(gòu)及晶胞的邊長(zhǎng)可知,鐵離子間最短距離為面對(duì)角線的一半,即為×4.28×10-10m≈3.03×10-10m=3.03×10-8cm?!窘馕觥?.920.826正八面體3.03×10-8三、工業(yè)流程題(共1題,共2分)12、略
【分析】【分析】
廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在,加入硫化鈉生成As2S3沉淀,為防止As2S3與硫離子反應(yīng)再次溶解,所以再加入硫酸亞鐵除去過量的硫離子,過濾得到As2S3和FeS,濾液中加入過氧化氫將亞砷酸氧化成砷酸,亞鐵離子氧化成鐵離子,再加入CaO沉淀砷酸根、鐵離子、硫酸根,得到Ca2(AsO4)2、FeAsO4、Fe(OH)3、CaSO4沉淀和低濃度含砷廢水。
【詳解】
(1)As元素為33號(hào)元素,與N元素同主族,位于第四周期第VA族;AsH3和氨氣分子結(jié)構(gòu)相同為共價(jià)化合物,砷原子和三個(gè)氫原子形成三個(gè)As-H鍵,電子式為:
(2)a.同周期主族元素自左而右非金屬性增強(qiáng),最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性增強(qiáng),同主族自上而下非金屬性減弱,最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性減弱,酸性:H2SO4>H3PO4>H3AsO4;故a正確;
b.同周期主族元素自左而右原子半徑減小,同主族自上而下原子半徑依次增大,原子半徑:As>P>S,故b錯(cuò)誤;
c.同主族元素自上而下第一電離能減小,P和S同周期,但是P原子3p能級(jí)為半滿狀態(tài),更穩(wěn)定,第一電離能更大,所以第一電離能P>S>As;故c錯(cuò)誤;
綜上所述選a;
(3)根據(jù)分析可知沉淀為微溶物CaSO4;
(4)As2S3與過量的S2-存在反應(yīng):As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq),所以需要加入FeSO4除去過量的硫離子;使平衡逆向移動(dòng),一級(jí)沉砷更完全;
(5)含砷物質(zhì)物質(zhì)為H3AsO3,加入過氧化氫可以將其氧化成H3AsO4,根據(jù)電子守恒和元素守恒可得化學(xué)方程式為H3AsO3+H2O2=H3AsO4+H2O;
(6)根據(jù)題意可知FeS2被O2氧化生成Fe(OH)3、根據(jù)元素守恒可知反應(yīng)物應(yīng)該還有H2O,F(xiàn)eS2整體化合價(jià)升高15價(jià),一個(gè)O2降低4價(jià),所以二者的系數(shù)比為4:15,再根據(jù)元素守恒可得離子方程式為4FeS2+15O2+14H2O=4Fe(OH)3+8+16H+。
【點(diǎn)睛】
同一周期元素的第一電離能在總體增大的趨勢(shì)中有些曲折,當(dāng)外圍電子在能量相等的軌道上形成全空、半滿或全滿結(jié)構(gòu)時(shí),原子的能量較低,元素的第一電離能大于相鄰元素?!窘馕觥康谒闹芷诘赩A族aCaSO4沉淀過量的S2-,使As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)平衡逆向移動(dòng),使一級(jí)沉砷更完全H3AsO3+H2O2=H3AsO4+H2O4FeS2+15O2+14H2O=4Fe(OH)3+8+16H+四、原理綜合題(共2題,共20分)13、略
【分析】【分析】
(1)Ni是28號(hào)元素;其價(jià)電子為3d;4s能級(jí)上的電子;Ni原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子,同周期元素中基態(tài)原子與鎳具有相同未成對(duì)電子的還有Ti、Ge、Se元素;
(2)CO中含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,每個(gè)CO分子和Ni原子形成一個(gè)σ鍵,所以一個(gè)Ni(CO)4中含有σ鍵8個(gè);π鍵8個(gè);元素的非金屬性越強(qiáng);其電負(fù)性越大;
(3)[Ni(NH3)4]SO4中N原子的價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷N原子雜化類型,與SO42-互為等電子體的一種分子和一種離子中原子個(gè)數(shù)為5、價(jià)電子數(shù)為32;[Ni(NH3)4]SO4中N原子、NH3分子中N原子都采用sp3雜化;但是前者不存在孤電子對(duì);后者含有1個(gè)孤電子對(duì),成鍵電子對(duì)之間的排斥力小于成鍵電子對(duì)和孤電子對(duì)之間的排斥力;
(4)氧原子位于面心和頂點(diǎn),Ni位于棱心和體心,由圖可知體心Ni原子的配位數(shù)為6,故Ni位于6個(gè)面心O形成正八面體中心;其空隙的填充率為100%;
(5)平面NiO基本結(jié)構(gòu)單元為每個(gè)結(jié)構(gòu)單元含有1個(gè)“NiO“,每個(gè)氧化鎳所占的面積=(2am)×(2am×sin60°)=2a2m2;計(jì)算1個(gè)“NiO“的質(zhì)量,每個(gè)氧化鎳的質(zhì)量乘以每平方米含有的氧化鎳個(gè)數(shù)就是每平方米含有的氧化鎳質(zhì)量。
【詳解】
(1)Ni是28號(hào)元素,其價(jià)電子為3d、4s能級(jí)上的電子;Ni原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子,其價(jià)電子排布圖為同周期元素中基態(tài)原子與鎳具有相同未成對(duì)電子的還有Ti、Ge、Se元素,所以有3種元素,故答案為3;
(2)CO中含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,每個(gè)CO分子和Ni原子形成一個(gè)σ鍵,所以一個(gè)Ni(CO)4中含有σ鍵8個(gè);π鍵8個(gè);所以四羰基合鎳中σ鍵和π鍵數(shù)目之比=8:8=1:1;元素的非金屬性越強(qiáng),其電負(fù)性越大,非金屬性O(shè)>C>Ni,所以電負(fù)性O(shè)>C>Ni,故答案為1:1;O>C>Ni;
(3)[Ni(NH3)4]SO4中N原子的價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷N原子雜化類型為sp3,與SO42-互為等電子體的一種分子如CCl4,一種離子如ClO4-;[Ni(NH3)4]SO4中N原子、NH3分子中N原子都采用sp3雜化,但是前者不存在孤電子對(duì)、后者含有1個(gè)孤電子對(duì),成鍵電子對(duì)之間的排斥力小于成鍵電子對(duì)和孤電子對(duì)之間的排斥力,所以;[Ni(NH3)4]SO4中H-N-H鍵之間的夾角>NH3分子中H-N-H鍵之間的夾角,故答案為sp3;CCl4;ClO4-;
(4)氧原子位于面心和頂點(diǎn);Ni位于棱心和體心,由圖可知體心Ni原子的配位數(shù)為6,故Ni位于6個(gè)面心O形成正八面體中心,其空隙的填充率為100%,故答案為正八面;100%;
(5)平面NiO基本結(jié)構(gòu)單元為每個(gè)結(jié)構(gòu)單元含有1個(gè)“NiO",每個(gè)氧化鎳所占的面積=(2am)×(2am×sin60°)=2a2m2,則每平方米含有的氧化鎳個(gè)數(shù)=每個(gè)氧化鎳的質(zhì)量=g,所以每平方米含有的氧化鎳質(zhì)量=g×=g,故答案為【解析】31:1O>C>Nisp3CCl4ClO4->正八面100%14、略
【分析】【分析】
(1)Fe是26號(hào)元素,F(xiàn)e原子失去3個(gè)電子變?yōu)镕e3+,根據(jù)構(gòu)造原理,書寫基態(tài)Fe3+的價(jià)電子排布式;
(2)由于非金屬性越強(qiáng);其電負(fù)性越大。分子晶體的熔沸點(diǎn)較低,離子晶體的熔沸點(diǎn)較高,原子晶體的熔沸點(diǎn)很高;
(3)等電子體中含有的原子數(shù)相同,原子的最外層電子數(shù)也相同,據(jù)此書寫SCN-的等電子體的分子式,根據(jù)SCN-的原子結(jié)合方式判斷其中碳原子的雜化類型。一般情況下同一周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大而增大;當(dāng)原子核外電子處于半滿;全滿或全空時(shí)電離能較大;
(4)小球處于晶胞對(duì)角線的位置;先用均攤法計(jì)算一個(gè)晶胞中含有的K原子數(shù),然后根據(jù)晶胞參數(shù)為apm計(jì)算晶胞的密度。
【詳解】
(1)Fe是26號(hào)元素,F(xiàn)e原子核外有26個(gè)電子,核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d64s2,F(xiàn)e原子失去3個(gè)電子變?yōu)镕e3+,根據(jù)構(gòu)造原理,可得基態(tài)Fe3+的價(jià)電子排布式為3d5;
(2)由于非金屬性越強(qiáng),其電負(fù)性越大。元素的非金屬性:O>S>C,所以可知三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是:O>S>C;Fe(CO)5是一種淺黃色液體,熔點(diǎn)-20℃,沸點(diǎn)103℃,熔沸點(diǎn)較低,說明Fe(CO)5是分子晶體;
(3)等電子體中含有的原子數(shù)相同,原子的最外層電子數(shù)也相同,則與SCN-互為等電子體的分子為CO2或N2O。SCN-的中心原子碳原子的雜化方式與CO2的中心原子的雜化方式相同;因此其中的C原子的雜化方式是sp雜化。一般情況下,同一周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大而增大,當(dāng)原子核外電子處于半滿;全滿或全空時(shí)電離能較大。由于N原子p能級(jí)為半充滿狀態(tài),更穩(wěn)定,所以其第一電離能比O元素的大;
(5)晶胞參數(shù)是apm,則晶胞的體對(duì)角線為apm,由晶胞結(jié)構(gòu)可知4r=apm,則K原子半徑r=pm;由于晶胞參數(shù)是apm,所以晶胞的體積V=(apm)3=(a×10-10)3m3;在一個(gè)晶胞中含有的K原子數(shù)目為:=2,則該晶體的密度ρ=g/m3。
【點(diǎn)睛】
本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的知識(shí),涉及價(jià)層電子排布式的書寫、等電子體、原子雜化、電離能大小比較及晶胞的有關(guān)計(jì)算與推斷等,側(cè)重考查基礎(chǔ)知識(shí)的再現(xiàn)、公式的靈活運(yùn)用、空間想像能力及計(jì)算能力,難點(diǎn)是晶胞計(jì)算,注意均攤法在晶胞計(jì)算中的運(yùn)用方法,題目難度中等。【解析】3d5O>S>C分子晶體CO2或N2Osp大于N原子p能級(jí)為半充滿狀態(tài),更穩(wěn)定五、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共4題,共24分)15、略
【分析】【詳解】
前四周期元素A;B、C、D、E、F的原子序數(shù)依次增大;A是宇宙中含量最豐富的元素,A為H元素;B和C同一主族,且B的L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2.5倍,B為N元素,C為P元素;E元素原子核外電子有17種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),E為Cl元素;F位于第四周期,其未成對(duì)電子數(shù)只有一個(gè),且內(nèi)層都處于全充滿狀態(tài),F(xiàn)為銅元素;C、D、E的原子序數(shù)依次增大,D為S元素,即A-H、B-N、C-P、D-S、E-Cl、F-Cu。
(1)B為N元素,原子的L層5個(gè)電子,電子排布圖:(2)由A、B原子形成的分子的結(jié)構(gòu)式為:H-N=N-H,則該分子中σ鍵和π鍵的數(shù)目之比為3:1,B、C的氫化物中NH3的沸點(diǎn)高于PH3的沸點(diǎn),原因是NH3分子間可以形成氫鍵,分子間作用力大,沸點(diǎn)高;在元素周期表中,同一周期元素的電負(fù)性從左到右逐漸增大,同一主族元素的電負(fù)性從上到下逐漸減小,C、D和E的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镃l>S>P;在元素周期表中,同一周期元素的第一電離能從左到右逐漸增大,同一主族元素的第一電離能從上到下逐漸減小,當(dāng)處于充滿和半充滿狀態(tài)時(shí),第一電離能變大,C、D和E的第一電離能由大到小的順序是Cl>P>S;在元素周期表中,同一周期元素的最高價(jià)含氧酸的酸性逐漸增強(qiáng),C和D最高價(jià)含氧酸的酸性由弱到強(qiáng)的順序?yàn)镠3PO4<H2SO4。PO43-中P孤電子對(duì)為=0,σ鍵為4,價(jià)電子對(duì)為4,PO43-中P的雜化方式為sp3雜化,該離子的“VSEPR”模型為正四面體形。(3)向CuSO4溶液中加入過量稀氨水,得到的深藍(lán)色溶液中陽離子化學(xué)式為[Cu(NH3)4]2+,NH3中N原子提供孤電子對(duì),該離子的配位體為NH3;(4)D為S(黑球)和F為銅(白球)形成的某種晶體的晶胞中,S原子8×1/8+6×1/2=4,銅為4,已知該晶胞的棱長(zhǎng)為516pm,則該晶胞的密度為=g/cm3=4.6g/cm3(精確到0.1);令晶胞的棱長(zhǎng)a為516pm,四個(gè)銅離子在體內(nèi)四個(gè)小立方體的中心,過銅原子向底邊作垂線,與相鄰的硫構(gòu)成直角三角形,兩邊分別為a、a,可求得斜邊為a,最近的黑球和白球之間的距離為×516pm=129pm?!窘馕觥?︰1NH3分子間可以形成氫鍵Cl>S>PCl>P>SH3PO4<H2SO4sp3雜化正四面體[Cu(NH3)4]2+NH34.612916、略
【分析】【分析】
X、Y、Z、Q、W為前四周期中原子序數(shù)依次增大的元素。X原子的2p能級(jí)上有兩個(gè)未成對(duì)電子,且無空軌道,則X的價(jià)電子排布式為2s22p4,X為O,Y原子K層的電子數(shù)與M層的電子數(shù)的乘積等于其L層的電子數(shù);K層2個(gè)電子,L層8個(gè)電子,則其M層的4個(gè)電子,Y為Si,Q位于第ⅠB族且只能是第4周期,則Q為Cu;Z與X同族即第ⅥA,X、Y、Z、Q、W原子序數(shù)依次增大,則Z為S,W元素最高正價(jià)和最低負(fù)價(jià)的代數(shù)和為4,W位于ⅥA;為Se,據(jù)此結(jié)合相關(guān)知識(shí)分析回答;
【詳解】
(1)W即Se元素的名稱是硒;原子序數(shù)為34,則其簡(jiǎn)化的電子排布式為[Ar]3d104s24p4;按原子軌道能量的高低規(guī)律,X的基態(tài)原子核外最高能級(jí)為2p,有3種不同空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子;已知高溫下4QX→2Q2X+X2,即高溫下氧化銅分解生成氧化亞銅和氧氣,則能生成Cu2O原因是CuO中銅的外圍電子排布為3d9,Cu2O中銅的價(jià)電子排布為3d10;后者處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),而前者不是;
答案為:硒;[Ar]3d104s24p4;3;CuO中銅的外圍電子排布為3d9,Cu2O中銅的價(jià)電子排布為3d10;后者處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),而前者不是;
(2)Y與X可以形成多種復(fù)雜硅氧根陰離子,若其中a對(duì)應(yīng)的陰離子化學(xué)式為YX即是硅氧四面體結(jié)構(gòu),則c對(duì)應(yīng)的陰離子為6個(gè)硅氧四面體構(gòu)成,硅氧四面體通過共用頂角氧原子成連接起來的,則每個(gè)硅氧四面體內(nèi)有1個(gè)硅原子、2+2×=3個(gè)氧原子,則化學(xué)式為Si6O
答案為:Si6O
(3)向盛有含Q2+即銅離子的溶液中加入氨水至過量,先生成Cu(OH)2后沉淀溶解,則沉淀溶解的離子方程式為Cu(OH)2+4NH3·H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O(或Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-);反應(yīng)后得到的配離子的結(jié)構(gòu)式為
答案為:Cu(OH)2+4NH3·H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O(或Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-);
(4)W為Se、Y為Si,均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物,它們形成的最簡(jiǎn)單的氫化物分別為H2Se,SiH4,它們的價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4,故VSEPR構(gòu)型相同,若“Y?H”即Si-H中共用電子對(duì)偏向氫元素,則電負(fù)性H>Si,氫氣與W即Se反應(yīng)時(shí),單質(zhì)W即Se是氧化劑,則W即Se的電負(fù)性比氫大,則Si與Se的電負(fù)性相對(duì)大小為Se>Si;
答案為:相同;Se>Si。
【點(diǎn)睛】
本題的難點(diǎn)是(2),用均攤法求算離子的化學(xué)式?!窘馕觥课鳾Ar]3d104s24p43CuO中銅的外圍電子排布為3d9,Cu2O中銅的價(jià)電子排布為3d10,后者處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),而前者不是Si6OCu(OH)2+4NH3·H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O(或Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-)相同Se>S
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