光電器件技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋蘇州大學(xué)

光電器件技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋蘇州大學(xué)第一章單元測試

下列光電器件中，基于光電效應(yīng)原理的是（）。

A:光電二極管B:OLEDC:激光二極管D:光發(fā)射相機(jī)管

答案:光電二極管下列光電器件中，基于輻射復(fù)合原理的是（）。

A:光晶體管B:激光二極管C:太陽能電池D:LED

答案:LED下列應(yīng)用場景中可能用到發(fā)光二極管的有（）。

A:家用光纖B:手機(jī)顯示屏C:太陽能帆板D:交通指示燈

答案:家用光纖；手機(jī)顯示屏；交通指示燈激光二極管的基本原理是受激發(fā)射。（）

A:對B:錯(cuò)

答案:對藍(lán)色LED的發(fā)明獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。（）

A:對B:錯(cuò)

答案:對

第二章單元測試

不涉及化學(xué)雜質(zhì)或物理缺陷的躍遷類型有（）。

A:到深能級的躍遷B:本征躍遷C:供體到受體的躍遷D:導(dǎo)帶到受體的躍遷

答案:本征躍遷下列發(fā)光方式中不屬于按輸入能量源分類的是（）。

A:電致發(fā)光B:輻射發(fā)光C:陽極發(fā)光D:光致發(fā)光

答案:陽極發(fā)光屬于電致發(fā)光激發(fā)方式的有（）。

A:注入B:本征C:雪崩D:隧穿

答案:注入；本征；雪崩；隧穿人眼對藍(lán)色光的敏感程度最高。（）

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)涉及熱載流子的帶內(nèi)躍遷也稱為俄歇過程。（）

A:對B:錯(cuò)

答案:對

第三章單元測試

下列哪個(gè)參數(shù)不決定發(fā)光二極管的外量子效率（EQE）（）。

A:非輻射復(fù)合速率B:外耦合效率C:輻射復(fù)合速率D:開啟電壓

答案:開啟電壓熒光發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管的理論最大內(nèi)量子效率為（）。

A:75%B:45%C:15%D:25%

答案:25%有機(jī)發(fā)光二極管的主要優(yōu)點(diǎn)有（）。

A:高穩(wěn)定性B:低成本C:高載流子遷移率D:易與無機(jī)半導(dǎo)體集成

答案:低成本；易與無機(jī)半導(dǎo)體集成發(fā)光二極管的光譜寬度要比激光二極管的光譜寬度更窄。（）

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)量子點(diǎn)發(fā)光二極管的缺點(diǎn)是飽和度較低的紅色發(fā)射。（）

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第四章單元測試

對于一個(gè)理想的光電探測器，其在波長620nm處的響應(yīng)度為（）。

A:1.0A/WB:0.5A/WC:0.2A/WD:1.3A/W

答案:0.5A/W下列關(guān)于圖像傳感器CCD與CMOS的說法，錯(cuò)誤的是（）。

A:在功耗方面：CCD需要外加電壓較大，功耗高；CMOS可低電壓驅(qū)動(dòng)，功耗低B:在噪聲方面：CCD是單一放大，噪聲較高；CMOS每個(gè)像素內(nèi)都有一個(gè)放大器，噪聲較低C:在速度方面：CCD需在同步時(shí)鐘的控制下，一位一位地輸出信息，速度較慢；CMOS具有隨機(jī)存取能力，速度快D:在成本方面：CCD整個(gè)電路較為復(fù)雜，成本較高；CMOS采用主流集成技術(shù)，成本較低

答案:在噪聲方面：CCD是單一放大，噪聲較高；CMOS每個(gè)像素內(nèi)都有一個(gè)放大器，噪聲較低雪崩式光電二極管的噪聲來源是倍增過程中碰撞電離的不確定性。（）

A:錯(cuò)B:對

答案:對為了提高抗輻射能力，在太陽能電池中加入鋰，通過與輻射引起的點(diǎn)缺陷相結(jié)合來中和缺陷，從而防止電池壽命退化。（）

A:錯(cuò)B:對

答案:對異質(zhì)結(jié)太陽能電池相比于傳統(tǒng)的太陽能電池的優(yōu)勢在于（）。

A:制備成本低B:耐輻射性強(qiáng)C:短波長光譜響應(yīng)強(qiáng)D:串聯(lián)電阻更低

答案:耐輻射性強(qiáng)；短波長光譜響應(yīng)強(qiáng)；串聯(lián)電阻更低

第五章單元測試

不屬于化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)實(shí)現(xiàn)金屬化優(yōu)點(diǎn)的是（）。

A:全局平面化B:階梯覆蓋好C:保形D:制備效率高

答案:全局平面化在集成電路制備工藝中，刻蝕技術(shù)是通過物理或化學(xué)方法從硅表面去除不需要的材料的過程，以下說法錯(cuò)誤的是（）。

A:各向同性是指在同一個(gè)方向上的刻蝕B:干法刻蝕具有較好的各向異性C:濕法刻蝕各向異性刻蝕差，容易出現(xiàn)鉆蝕現(xiàn)象D:刻蝕技術(shù)可分為濕法刻蝕和干法刻蝕

答案:各向同性是指在同一個(gè)方向上的刻蝕在所有集成電路技術(shù)中，CMOS技術(shù)的功耗最低，所以它對ULSI電路十分有吸引力。（）

A:對B:錯(cuò)

答案:對分子束外延技術(shù)可以制備單層的薄層。（）