新高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)練習(xí)專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 學(xué)生版_第1頁
新高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)練習(xí)專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 學(xué)生版_第2頁
新高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)練習(xí)專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 學(xué)生版_第3頁
新高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)練習(xí)專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 學(xué)生版_第4頁
新高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)練習(xí)專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 學(xué)生版_第5頁
已閱讀5頁,還剩12頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

2017年高考“最后三十天”專題透析2017年高考“最后三十天”專題透析好教育云平臺--教育因你我而變好教育云平臺--教育因你我而變專題專題十一××物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)命題趨勢命題趨勢從近幾年新課標(biāo)的高考試題來看,“物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)”模塊作為選考內(nèi)容,僅命制一個(gè)大題——主觀題,該題目一般是以元素推斷或某主族元素為背景,下設(shè)4至6個(gè)小題,10個(gè)空左右進(jìn)行設(shè)計(jì),以“拼盤”形式呈現(xiàn),題目變化多端,知識覆蓋較廣,考查主要涉及以下內(nèi)容:(1)原子結(jié)構(gòu):能量最低原理的應(yīng)用;電子排布式、電子排布圖的書寫;電離能、電負(fù)性的大小比較和應(yīng)用等。(2)分子結(jié)構(gòu):σ鍵、π鍵、配位鍵的分析和判斷;分子的構(gòu)型、分子的極性的判斷;“相似相溶原理”、等電子原理、氫鍵的性質(zhì)等知識的應(yīng)用。(3)晶體結(jié)構(gòu):晶體中粒子數(shù)目的確定;共價(jià)鍵、分子間作用力、離子鍵和金屬鍵的判斷以及對晶體性質(zhì)的影響;常見晶體的結(jié)構(gòu)及熔、沸點(diǎn)的比較。今后的高考命題仍會側(cè)重上述知識點(diǎn)進(jìn)行設(shè)計(jì),題型也不會有太大變化,但試題的背景會更加新穎,題目會更加綜合,更注重體現(xiàn)科學(xué)新成果或新發(fā)現(xiàn),更注重考生“結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)”思想的樹立和空間想象能力的考查。考點(diǎn)清單考點(diǎn)清單一、原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1、原子核外電子運(yùn)動狀態(tài),以及電子云、電子層(能層)、原子軌道(能級)的含義。電子云:用小黑點(diǎn)的疏密來描述電子在原子核外空間出現(xiàn)的機(jī)會大小所得的圖形叫電子云圖。離核越近,電子出現(xiàn)的機(jī)會大,電子云密度越大;離核越遠(yuǎn),電子出現(xiàn)的機(jī)會小,電子云密度越小。電子層(能層):根據(jù)電子的能量差異和主要運(yùn)動區(qū)域的不同,核外電子分別處于不同的電子層。原子由里向外對應(yīng)的電子層符號分別為K、L、M、N、O、P、Q。原子軌道(能級即亞層):處于同一電子層的原子核外電子,也可以在不同類型的原子軌道上運(yùn)動,分別用s、p、d、f表示不同形狀的軌道,s軌道呈球形、p軌道呈紡錘形,d軌道和f軌道較復(fù)雜。各軌道的伸展方向個(gè)數(shù)依次為1、3、5、7。2、能級交錯(cuò)圖和1-36號元素的核外電子排布式。①根據(jù)構(gòu)造原理,基態(tài)原子核外電子的排布遵循圖⑴箭頭所示的順序。②根據(jù)構(gòu)造原理,可以將各能級按能量的差異分成能級組如圖⑵所示,由下而上表示七個(gè)能級組,其能量依次升高;在同一能級組內(nèi),從左到右能量依次升高?;鶓B(tài)原子核外電子的排布按能量由低到高的順序依次排布。3、元素電離能和元素電負(fù)性(1)第一電離能:氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去1個(gè)電子,轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的能量叫做第一電離能。常用符號I1表示,單位為kJ/mol。(2)元素的電負(fù)性:元素的原子在分子中吸引電子對的能力叫做該元素的電負(fù)性。二、化鍵與物質(zhì)的性質(zhì)1、離子鍵(1)化學(xué)鍵:相鄰原子之間強(qiáng)烈的相互作用?;I包括離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵。(2)離子鍵:陰、陽離子通過靜電作用形成的化鍵。離子鍵強(qiáng)弱的判斷:離子半徑越小,離子所帶電荷越多,離子鍵越強(qiáng),離子晶體的熔沸點(diǎn)越高。2、共價(jià)鍵的主要類型σ鍵和π鍵(1)共價(jià)鍵的分類和判斷:σ鍵(“頭碰頭”重疊)和π鍵(“肩碰肩”重疊)、極性鍵和非極性鍵,還有一類特殊的共價(jià)鍵-配位鍵。3、極性鍵和非極性鍵(1)共價(jià)鍵:原子間通過共用電子對形成的化鍵(2)鍵的極性極性鍵:不同種原子之間形成的共價(jià)鍵,成鍵原子吸引電子的能力不同,共用電子對發(fā)生偏移。非極性鍵:同種原子之間形成的共價(jià)鍵,成鍵原子吸引電子的能力相同,共用電子對不發(fā)生偏移。(3)分子的極性非極性分子和極性分子的比較非極性分子極性分子形成原因整個(gè)分子的電荷分布均勻,對稱整個(gè)分子的電荷分布不均勻、不對稱存在的共價(jià)鍵非極性鍵或極性鍵極性鍵分子內(nèi)原子排列對稱不對稱舉例說明:分子共價(jià)鍵的極性正負(fù)電荷中心結(jié)論舉例同核雙原子分子非極性鍵重合非極性分子H2、N2、O2異核雙原子分子極性鍵不重合極性分子CO、HF、HCl異核多原子分子分子中各鍵的向量和為零重合非極性分子CO2、BF3、CH4分子中各鍵的向量和不為零不重合極性分子H2O、NH3、CH3Cl相似相溶原理:極性分子易溶于極性分子溶劑中(如HCl易溶于水中),非極性分子易溶于非極性分子溶劑中(如CO2易溶于CS2中)4、分子的空間立體結(jié)構(gòu)常見分子的類型與形狀比較分子類型分子形狀鍵角鍵的極性分子極性代表物A球形非極性He、NeA2直線形非極性非極性H2、O2AB直線形極性極性HCl、NOABA直線形180°極性非極性CO2、CS2ABAV形≠180°極性極性H2O、SO2A4正四面體形60°非極性非極性P4AB3平面三角形120°極性非極性BF3、SO3AB3三角錐形≠120°極性極性NH3、NCl3AB4正四面體形109°28′極性非極性CH4、CCl4AB3C四面體形≠109°28′極性極性CH3Cl、CHCl3AB2C2四面體形≠109°28′極性極性CH2Cl2直線三角形V形四面體三角錐V形(H2O)三、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1、離子晶體①離子鍵的強(qiáng)弱可以用晶格能的大小來衡量,晶格能是指拆開1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和陽離子所吸收的能量。晶格能越大,離子晶體的熔點(diǎn)越高、硬度越大。②離子晶體:通過離子鍵作用形成的晶體。典型的離子晶體結(jié)構(gòu):NaCl型和CsCl型,氯化鈉晶體中,每個(gè)鈉離子周圍有6個(gè)氯離子,每個(gè)氯離子周圍有6個(gè)鈉離子,每個(gè)氯化鈉晶胞中含有4個(gè)鈉離子和4個(gè)氯離子;氯化銫晶體中,每個(gè)銫離子周圍有8個(gè)氯離子,每個(gè)氯離子周圍有8個(gè)銫離子,每個(gè)氯化銫晶胞中含有1個(gè)銫離子和1個(gè)氯離子。NaCl型晶體CsCl型晶體每個(gè)Na+離子周圍被6個(gè)Cl?離子所包圍,同樣每個(gè)Cl?也被6個(gè)Na+所包圍每個(gè)正離子被8個(gè)負(fù)離子包圍著,同時(shí)每個(gè)負(fù)離子也被8個(gè)正離子所包圍晶胞中粒子數(shù)的計(jì)算方法--均攤法位置頂點(diǎn)棱邊面心體心貢獻(xiàn)1/81/41/212、分子晶體(1)分子間作用力的含義,化學(xué)鍵和分子間作用力的區(qū)別。分子間作用力:把分子聚集在一起的作用力。分子間作用力是一種靜電作用,比化學(xué)鍵弱得多,包括范德華力和氫鍵。范德華力一般沒有飽和性和方向性,而氫鍵則有飽和性和方向性。(2)分子晶體的含義,分子間作用力的大小對物質(zhì)某些物理性質(zhì)的影響。分子晶體:分子間以分子間作用力(范德華力、氫鍵)相結(jié)合的晶體,典型的有冰、干冰。分子間作用力強(qiáng)弱和分子晶體熔沸點(diǎn)大小的判斷:組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,克服分子間引力使物質(zhì)熔化和氣化就需要更多的能量,熔、沸點(diǎn)越高。但存在氫鍵時(shí)分子晶體的熔沸點(diǎn)往往反常地高。(3)氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)的影響NH3、H2O、HF中由于存在氫鍵,使得它們的沸點(diǎn)比同族其它元素氫化物的沸點(diǎn)高影響物質(zhì)的性質(zhì)方面:增大溶沸點(diǎn),增大溶解性表示方法:X—H……Y(N、O、F)一般都是氫化物中存在3、原子晶體(1)原子晶體:所有原子間通過共價(jià)鍵結(jié)合成的晶體或相鄰原子間以共價(jià)鍵相結(jié)合而形成空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體(2)典型的原子晶體有金剛石(C)、晶體硅(Si)、二氧化硅(SiO2)金剛石是正四面體的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),最小的碳環(huán)中有6個(gè)碳原子,每個(gè)碳原子與周圍四個(gè)碳原子形成四個(gè)共價(jià)鍵;晶體硅的結(jié)構(gòu)與金剛石相似;二氧化硅晶體是空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),最小的環(huán)中有6個(gè)硅原子和6個(gè)氧原子,每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子成鍵,每個(gè)氧原子與2個(gè)硅原子成鍵(3)共價(jià)鍵強(qiáng)弱和原子晶體熔沸點(diǎn)大小的判斷:原子半徑越小,形成共價(jià)鍵的鍵長越短,共價(jià)鍵的鍵能越大,其晶體熔沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅。4、分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別晶體類型原子晶體分子晶體金屬晶體離子晶體粒子原子分子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子粒子間作用(力)共價(jià)鍵分子間作用力復(fù)雜的靜電作用離子鍵熔沸點(diǎn)很高很低一般較高,少部分低較高硬度很硬一般較軟一般較硬,少部分軟較硬溶解性難溶解相似相溶難溶(Na等與水反應(yīng))易溶于極性溶劑導(dǎo)電情況不導(dǎo)電(除硅)一般不導(dǎo)電良導(dǎo)體固體不導(dǎo)電,熔化或溶于水后導(dǎo)電實(shí)例金剛石、水晶、碳化硅等干冰、冰、純硫酸、H2(S)Na、Mg、Al等NaCl、CaCO3NaOH等

精題集訓(xùn)精題集訓(xùn)(70分鐘)經(jīng)典訓(xùn)練題經(jīng)典訓(xùn)練題1.(雙選)13Al、15P、16S、17Cl是周期表中的短周期主族元素。下列有關(guān)說法正確的是()A.元素Al在周期表中位于第3周期ⅢA族B.元素P的簡單氣態(tài)氫化物的化學(xué)式為PH4C.第一電離能:I1(Al)<I1(P)<I1(S)D.最高價(jià)氧化物的水化物的酸性:H3PO4<H2SO4<HClO42.盧瑟福發(fā)現(xiàn)質(zhì)子的實(shí)驗(yàn)是利用轟擊原子得到質(zhì)子和原子,X核內(nèi)質(zhì)子數(shù)與中子數(shù)相等,下列說法正確的是()A.b=15B.電負(fù)性X>YC.X、Y分別與氫原子形成的簡單化合物中,X、Y的雜化方式都是sp3雜化D.X與Y形成的化合物只有兩種3.吡啶又稱為氮苯,與苯都有大π鍵。吡啶可以看作苯分子中的一個(gè)(CH)被取代的化合物,其廣泛用于醫(yī)藥工業(yè)原料。一種由糠醛制備吡啶的原理如下:下列說法正確的是()A.糠醛、糠醇、吡啶分子中所有原子均可能共平面B.糠醛、糠醇、吡啶分子中所有碳原子的雜化方式相同C.吡啶與苯分子的熔點(diǎn)高低主要取決于所含化學(xué)鍵的鍵能D.吡啶與苯分子中參與形成大π鍵的各原子所提供的電子數(shù)相同4.短周期元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大且處于不同主族,W元素2p軌道電子數(shù)為2,在短周期元素中X的第一電離能最小,Y元素3p軌道有2個(gè)單電子。下列說法錯(cuò)誤的是()A.元素電負(fù)性:Y<Z B.Y形成的一種晶體屬于共價(jià)晶體C.簡單離子半徑:Y>Z>X D.WY2是一種非極性分子高頻易錯(cuò)題高頻易錯(cuò)題[Co(NH3)6]Cl3是一種重要的化工產(chǎn)品,實(shí)驗(yàn)室可利用CoCl2制取該配合物:2CoCl2+10NH3+2NH4Cl+H2O2=2[Co(NH3)6]Cl3+2H2O。下列敘述正確的是()A.NHeq\o\al(+,4)是三角錐型結(jié)構(gòu)B.H2O2分子中只含極性共價(jià)鍵C.1mol[Co(NH3)6]3+中含6mol配位鍵D.NH3和H2O與Co3+的配位能力:NH3<H2O2.下列有關(guān)敘述及相關(guān)解釋均正確的是()選項(xiàng)敘述解釋A鍵的極性的強(qiáng)弱:N-H>O-H>F-H電負(fù)性:N<O<FB穩(wěn)定性:H2O>H2S兩種元素同主族,且半徑O<SC熔點(diǎn):I形成分子內(nèi)氫鍵,II形成分子間氫鍵D酸性:HI>HBr>HClHI、HBr、HCl中的范德華力逐漸減小3.銠的配合物離子可催化甲醇羰基化,反應(yīng)過程如圖所示:下列敘述錯(cuò)誤的是()A.中心離子Rh的配位數(shù)在反應(yīng)過程中沒有發(fā)生變化 B.CH3COI是反應(yīng)中間體C.CO分子中的鍵有一半為配位鍵 D.的空間構(gòu)型為八面體型4.“中國芯”的主要原材料是高純單晶硅,反應(yīng)SiCl4(g)+2H2(g)eq\o(=,\s\up7(高溫))Si(s)+4HCl(g)可用于純硅的制備。下列有關(guān)說法正確的是()A.SiCl4為極性分子B.HCl的電子式為C.單晶硅為分子晶體D.Si原子的結(jié)構(gòu)示意圖為5.硼烯具有優(yōu)異的電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)等屬性,將成為繼石墨烯之后又一種“神奇納米材料”??茖W(xué)家已成功合成多種結(jié)構(gòu)的硼烯,如圖為“皺褶”式硼烯的結(jié)構(gòu)。下列說法錯(cuò)誤的是()A.“皺褶”式硼烯中每個(gè)硼原子共用3對電子B.“皺褶”式硼烯中硼原子達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)C.硼烯有望代替石墨烯作電極材料D.氧化硼的水化物是一種弱酸,與過量OH?反應(yīng)可生成B(OH)eq\o\al(?,4)或BOeq\o\al(?,2)精準(zhǔn)預(yù)測題精準(zhǔn)預(yù)測題1.在催化劑作用下,O2與CO反應(yīng)生成CO2的歷程如下(個(gè)別微粒未畫出)下列說法不正確的是()A.CO2分子的空間結(jié)構(gòu)是直線形B.在催化劑作用下,CO中的化學(xué)鍵未完全斷裂C.生成CO2的過程中有非極性鍵形成D.吸附在催化劑表面的氧原子和一氧化碳分子發(fā)生了反應(yīng)2.下列說法正確的是()A.水穩(wěn)定是因?yàn)樗泻写罅康臍滏IB.鄰羥基苯甲醛的熔、沸點(diǎn)比對羥基苯甲醛的熔、沸點(diǎn)高C.可燃冰(CH4?8H2O)的形成是由于甲烷分子與水分子之間存在氫鍵D.氨氣極易溶于水,原因之一是氨分子與水分子之間形成了氫鍵3.(雙選)TiO2的“納米材料”有廣泛的應(yīng)用,工業(yè)上可利用TiCl4制取。TiCl4熔點(diǎn)為-25℃,沸點(diǎn)為136.4℃。制取TiO2的反應(yīng)為①2FeTiO3+7Cl2+3C=2TiCl4+2FeCl3+3CO2,②TiCl4+O2=TiO2+2Cl2,下列說法錯(cuò)誤的是()A.CO2和CCl4中碳的雜化方式不同B.O2、Cl2、CO2都是含有非極性鍵的非極性分子C.TiCl4晶體是離子晶體,配位數(shù)為4D.FeCl3與KSCN溶液生成的[Fe(SCN)6]3?中,F(xiàn)e3+為中心離子,SCN?為配體4.已知:NaF的熔點(diǎn)993℃、MgF2的熔點(diǎn)1261℃。下列分析錯(cuò)誤的是()A.NaF和MgF2均由陰、陽離子構(gòu)成B.離子半徑和離子所帶電荷數(shù)決定離子鍵強(qiáng)弱C.NaF中的離子鍵比MgF2中的弱D.MgF2的摩爾質(zhì)量比NaF的大,所以MgF2熔點(diǎn)高5.氨硼烷的結(jié)構(gòu)和乙烷相似,下列關(guān)于NH3BH3的敘述正確的是()A.電負(fù)性大小順序:B.分子中所有原子共平面C.分子中N—B鍵是配位鍵,其電子對由N提供D.氨硼烷為共價(jià)晶體,具有很高的熔點(diǎn)6.下列說法正確的是()A.基態(tài)鈣原子核外有2個(gè)未成對電子B.CaTiO3晶體中與每個(gè)Ti4+最鄰近的O2?有12個(gè)(如圖是其晶胞結(jié)構(gòu)模型)C.分子晶體中都存在共價(jià)鍵D.金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高7.[Zn(CN)4]2?在水溶液中可與HCHO發(fā)生反應(yīng)生成[Zn(H2O)4]2+和HOCH2CN,下列說法錯(cuò)誤的是()A.Zn2+基態(tài)核外電子排布式為[Ar]3d10B.1molHCHO分子中含有σ鍵的數(shù)目為3molC.HOCH2CN分子中碳原子軌道的雜化類型是sp3D.[Zn(CN)4]2?中Zn2+與CN?的C原子形成配位鍵,結(jié)構(gòu)可表示為8.硅和碳是重要的非金屬元素,有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下表所示:化學(xué)鍵C-CC-HC-OSi-SiSi-HSi-O鍵能/(kJ·mol?1)356413336226318452下列說法正確的是()A.熱穩(wěn)定性:CH4<SiH4B.金剛石的熔點(diǎn)低于晶體硅C.共價(jià)鍵的鍵能與成鍵原子的核間距一定成反比D.硅烷在種類和數(shù)量上都不如烷烴多9.氨基乙酸銅是一種有機(jī)原料,其分子結(jié)構(gòu)如圖。下列關(guān)于該物質(zhì)的說法正確的是()A.其熔點(diǎn)主要取決于所含化學(xué)鍵的鍵能B.分子中O和N的雜化方式相同C.其組成元素的基態(tài)原子中,含有未成對電子數(shù)最多的是ND.分子中所有原子共平面10.(雙選)短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,基態(tài)W的原子2p軌道處于半充滿狀態(tài),基態(tài)X的原子的2p能級上只有一對成對電子,基態(tài)Y的原子的最外層電子運(yùn)動狀態(tài)只有1種,元素Z與X同主族。下列說法錯(cuò)誤的是()A.第一電離能:W>X>Y B.電負(fù)性:Y>W(wǎng)>ZC.簡單離子半徑:Z>X>Y D.最簡單氫化物的沸點(diǎn):X>Z>W(wǎng)11.摻雜Ni2+的KZnF3納米復(fù)合玻璃陶瓷能夠獲得超寬帶發(fā)光,成為新型發(fā)光玻璃陶瓷。KZnF3可由K2CO3、ZnF2、NH4HF2制備?;卮鹣铝袉栴}:(1)N元素在周期表中的位置___________,位于周期表___________區(qū)。(2)Ni2+能與NH3形成配離子[Ni(NH3)6]2+,NH3的空間構(gòu)型是___________,與NH3互為等電子體的陽離子是___________。(3)基態(tài)Ni原子的外圍電子排布式為___________;其核外電子占據(jù)的最高能層符號為___________。(4)KZnF3中K與Zn屬于同一周期,第一電離能K___________Zn(填“大于”或“小于”),原因是___________。(5)如圖為KZnF3的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。KZnF3晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為(1,0,0);C為(0,1,0),則D的原子坐標(biāo)參數(shù)為___________。12.草酸鐵銨{(NH4)3[Fe(C2O4)3]}常用于攝影和藍(lán)色印刷等,其制備原理為:Fe(OH)3+3NH4HC2O4=(NH4)3[Fe(C2O4)3]+3H2O?;卮鹣铝袉栴}:(1)基態(tài)C原子核外電子云有________種形狀;基態(tài)鐵原子最先失去________能級(填能級符號)上的電子。(2)(NH4)3[Fe(C2O4)3]中C2Oeq\o\al(2?,4)作為配體時(shí)兩個(gè)單鍵氧能同時(shí)作為配位原子與金屬離子形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。①該配合物中所含非金屬元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?用元素符號表示)。②上述配合物的中心離子配位數(shù)為。③1molC2Oeq\o\al(2?,4)中含有σ鍵的數(shù)目為在多原子分子中如有相互平行的p軌道,它們連貫重疊在一起構(gòu)成一個(gè)整體,p電子在多個(gè)原子間運(yùn)動形成π型化學(xué)鍵,這種不局限在兩個(gè)原子之間的π鍵稱為離域π鍵簡稱大π鍵。如苯的大π鍵可表示為(π的右下角“6”表示6個(gè)原子,右上角“6”表示6個(gè)電子),C2Oeq\o\al(2?,4)的大π鍵可表示為_________。(3)寫出一種與NHeq\o\al(+,4)所含價(jià)電子數(shù)和原子總數(shù)均相等微粒的化學(xué)式_________;N元素的一種同素異形體N4中所有原子均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),N4的結(jié)構(gòu)式為________;CH4、NH3、H2O分子中鍵角由大到小的順序?yàn)開_______。(4)鐵的某種晶胞沿面對角線的位置切下之后可以得到如圖所示的藏面。假設(shè)鐵原子半徑為rpm,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則鐵晶體密度為______g·cm?3。

參考答案參考答案經(jīng)典訓(xùn)練題經(jīng)典訓(xùn)練題1.【答案】AD【解析】A.Al為13號元素,周期表中位于第3周期ⅢA族,故A正確;B.P位于第ⅤA族,最低負(fù)價(jià)為-3價(jià),所以簡單氣態(tài)氫化物的化學(xué)式為PH3,故B錯(cuò)誤;C.P的3p能級軌道半滿,較穩(wěn)定,第一電離能大于相鄰元素,即I1(P)>I1(S),故C錯(cuò)誤;D.非金屬性越強(qiáng),最高價(jià)氧化物的水化物的酸性越強(qiáng),非金屬性P<S<Cl,所以酸性:H3PO4<H2SO4<HClO4,故D正確;故答案為AD。2.【答案】C【解析】轟擊原子得到質(zhì)子和原子,則+→+,由此得出4+b=1+17,b=14;X核內(nèi)質(zhì)子數(shù)與中子數(shù)相等,則a=7。A.由以上分析可知,b=14,A不正確;B.由分析知,、分別為N、O,則電負(fù)性N<O,B不正確;C.X、Y分別與氫原子形成的簡單化合物分別為NH3、H2O,X、Y的價(jià)層電子對數(shù)都為4,則雜化方式都是sp3雜化,C正確;D.X與Y形成的化合物可能有N2O、NO、N2O3、NO2、N2O4、N2O5等,D不正確;故選C。3.【答案】D【解析】A.由結(jié)構(gòu)簡式可知,糠醇分子中含有飽和碳原子,所有原子不可能共平面,故A錯(cuò)誤;B.由結(jié)構(gòu)簡式可知,糠醇分子中含有飽和碳原子,碳原子的雜化方式為sp2和sp3,與糠醛、吡啶分子中所有碳原子的雜化方式不相同,故B錯(cuò)誤;C.吡啶與苯分子都是分子晶體,熔點(diǎn)高低主要取決于分子間作用力的大小,與所含化學(xué)鍵的鍵能無關(guān),故C錯(cuò)誤;D.吡啶分子中的大π鍵由5個(gè)原子和6個(gè)電子形成,苯分子中的大π鍵由6個(gè)原子和6個(gè)電子形成,參與形成大π鍵的各原子所提供的電子數(shù)相同,故D正確;故選D。4.【答案】B【解析】W元素2p軌道電子數(shù)為2,則電子排布式為:1s22s22p2,則W為C;X素在短周期中第一電離能最小,同一周期,第ⅠA方族元素第一電離能最小,同一主族,從上到下,第一電離能減小,則X為Na;Y元素3p軌道有2個(gè)單電子有兩種情況:一種是3p軌道只有2個(gè)電子,且為單電子,另一種是3p軌道有4個(gè)電子,2個(gè)成對,2個(gè)單電子,對應(yīng)的為Si、S,但W、X、Y、Z處于不同主族,所以Y為S;短周期元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,所以Z為Cl。A.同一周期元素從左到右,電負(fù)性逐漸增加,元素電負(fù)性S<Cl,A項(xiàng)正確;B.S形成的晶體單斜硫和斜方硫都是分子晶體,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.同周期簡單陽離子的半徑隨原子序數(shù)的增加而減小,同周期簡單陰離子的半徑隨原子序數(shù)的增加而減小,同周期元素中,陰離子半徑比陽離子半徑大,則S2?>Cl?>Na+,C項(xiàng)正確;D.CS2結(jié)構(gòu)可表示為:S=C=S,其中C原子sp雜化,直線型,兩邊極性抵消,故CS2是非極性分子,D項(xiàng)正確;答案選B。高頻易錯(cuò)題高頻易錯(cuò)題1.【答案】C【解析】A.NHeq\o\al(+,4)中心原子N價(jià)層電子對=σ電子對+孤電子對=4+=4,故空間構(gòu)型為正四面體形,A錯(cuò)誤;B.H2O2的結(jié)構(gòu)式為H—O—O—H,既含極性鍵O—H,又含非極性鍵O—O,B錯(cuò)誤;C.每個(gè)NH3配體與中心Co3+間形成一根配位鍵,故1mol該配離子中含6mol配位鍵,C正確;D.由于電負(fù)性O(shè)>N,故N對電子吸引能力弱,所以NH3中N更容易給出自身孤電子對形成配位鍵,D錯(cuò)誤;故答案選C。2.【答案】B【解析】A.電負(fù)性:N<O<F,鍵的極性的強(qiáng)弱:N-H<O-H<F-H,故A錯(cuò)誤;B.同主族從上到下半徑增大,非金屬減弱,則氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性H2O>H2S,故B正確;C.I分子形成分子內(nèi)氫鍵,分子間作用力小,II分子形成分子間氫鍵,分子間作用力大,熔點(diǎn):I<II,故C錯(cuò)誤;D.酸性:HI>HBr>HCl,HI、HBr、HCl中共價(jià)鍵越來越強(qiáng),在水中電離能力變?nèi)?,故D錯(cuò)誤;故答案為B。3.【答案】A【解析】A.根據(jù)圖示整個(gè)過程中中心離子Rh的變化為、、、,中心離子所連共價(jià)鍵數(shù)分別為4、6、5、6,所以配位數(shù)也發(fā)生了變化,故A錯(cuò)誤;B.中間體是指在反應(yīng)過程中生成,既不是反應(yīng)物,也不是最終的生成物,圖示中CH3COI是反應(yīng)中間體,故B正確;C.CO分子的結(jié)構(gòu)式為:其與N2的結(jié)構(gòu)相似,均含三重建,有一個(gè)σ鍵和兩個(gè)π鍵,但在CO分子中,有一對共用電子對由O提供,形成配位鍵,用箭頭表示,故C正確;D.結(jié)構(gòu)中中心離子的配位數(shù)為6,其空間構(gòu)型為八面體,故D正確;故選A。4.【答案】B【解析】A.SiCl4和CH4的空間構(gòu)型一樣,都是正四面體構(gòu)型,結(jié)構(gòu)對稱,為非極性分子,A錯(cuò)誤;B.HCl的電子式為,B正確;C.單晶硅與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)相似,為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),為原子晶體,C錯(cuò)誤;D.Si原子的結(jié)構(gòu)示意圖為,D錯(cuò)誤;故選B。5.【答案】B【解析】A.硼原子最外層最多有3個(gè)電子,可形成3對共用電子對,達(dá)到6個(gè)電子,因此“皺褶”式硼烯中每個(gè)硼原子共用3對電子,故A正確;B.硼原子最外層最多有3個(gè)電子,可形成3對共用電子對,達(dá)到6個(gè)電子,因此“皺褶”式硼烯中硼原子未達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故B錯(cuò)誤;C.由于硼烯有著很高的表面活性,也更容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng),故硼烯有望代替石墨烯作電極材料,故C正確;D.氧化硼的水化物是一種弱酸,與過量OH?反應(yīng)可生成B(OH)eq\o\al(?,4)或BOeq\o\al(?,2)和H2O,故D正確。綜上所述,答案為B。精準(zhǔn)預(yù)測題精準(zhǔn)預(yù)測題1.【答案】C【解析】A.CO2分子的空間結(jié)構(gòu)是直線形,故A正確;B.根據(jù)圖示,在催化劑作用下,CO中的化學(xué)鍵未完全斷裂,故B正確;C.生成CO2的過程中有C=O鍵形成,沒有形成非極性鍵,故C錯(cuò)誤;D.根據(jù)圖示,吸附在催化劑表面的氧原子和一氧化碳分子發(fā)生反應(yīng)生成二氧化碳,故D正確;選C。2.【答案】D【解析】A.水很穩(wěn)定是因?yàn)樗肿觾?nèi)的共價(jià)鍵較強(qiáng),與氫鍵無關(guān),故A錯(cuò)誤;B.能形成分子間氫鍵的熔、沸點(diǎn)高,鄰羥基苯甲醛是分子內(nèi)形成氫鍵,對羥基苯甲醛是分子間形成氫鍵,鄰羥基苯甲醛的熔、沸點(diǎn)比對羥基苯甲醛的熔、沸點(diǎn)低,故B錯(cuò)誤;C.甲烷分子與水分子之間不存在氫鍵,故C錯(cuò)誤;D.氨分子與水分子之間形成了氫鍵,使氨氣的溶解度增大,所以氨氣極易溶于水,故D正確;故選D。3.【答案】BC【解析】A.CO2中的C為sp雜化,CCl4中的C為sp3雜化,故A正確;B.CO2結(jié)構(gòu)對稱,正負(fù)電荷中心重合,含有極性鍵,但是非極性分子,故B錯(cuò)誤;C.TiCl4晶體是分子晶體,配位數(shù)為4,故C錯(cuò)誤;D.FeCl3與KSCN溶液生成的[Fe(SCN)6]3?中,F(xiàn)e3+連接了6個(gè)SCN?,則Fe3+為中心離子,SCN?為配體,故D正確;故選BC。4.【答案】D【解析】A.NaF與MgF2均為離子化合物,由陰陽離子構(gòu)成,A正確;B.離子鍵的強(qiáng)弱與離子半徑和離子所帶電荷有關(guān),一般來說,離子半徑越小,離子所帶電荷越多,離子鍵越強(qiáng),B正確;C.由于半徑:r(Mg2+)<r(Na+)且Mg2+帶電荷多,根據(jù)B選項(xiàng)規(guī)律,MgF2中離子鍵更強(qiáng),C正確;D.兩者固態(tài)均屬于離子晶體,離子晶體的熔沸點(diǎn)可根據(jù)晶格能判斷,一般來說,離子半徑越小,離子所帶電荷越多,晶格能越大,相應(yīng)離子晶體熔沸點(diǎn)高,由于半徑:r(Mg2+)<r(Na+)且Mg2+帶電荷多,故MgF2晶體晶格能更大,熔沸點(diǎn)高,所以離子晶體熔沸點(diǎn)與摩爾質(zhì)量無關(guān),D錯(cuò)誤;故答案選D。5.【答案】C【解析】A.第二周期元素電負(fù)性從左至右逐漸增大,N在B的右邊,應(yīng)該比B的大,A錯(cuò)誤;B.結(jié)構(gòu)與乙烷相似,乙烷中所有原子不在同一平面內(nèi),B錯(cuò)誤;C.N原子最外層有5個(gè)電子,與H形成三個(gè)共價(jià)鍵后,還有一個(gè)孤電子對,B原子最外層3個(gè)電子,與H形成三個(gè)共價(jià)鍵后,無多余電子,但是可以提供空軌道,與N形成配位鍵,C正確;D.氨硼烷結(jié)構(gòu)和乙烷相似,為分子晶體,熔點(diǎn)較低,D錯(cuò)誤;故選C。6.【答案】B【解析】A.基態(tài)鈣原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s2,均為成對電子,故A錯(cuò)誤;B.由該晶胞可知,每個(gè)Ti4+最鄰近的O2?有12個(gè)(12個(gè)面對角線上),故B正確;C.分子晶體中不一定都存在共價(jià)鍵,如稀有氣體為單原子分子,其分子晶體中只有分子間作用力,不存在化學(xué)鍵,故C錯(cuò)誤;D.金屬晶體的熔點(diǎn)區(qū)別較大,如Hg在常溫下為氣態(tài),而某些分子晶體的熔點(diǎn)相比Hg高,如大分子量的有機(jī)物,故D錯(cuò)誤;故答案為B。7.【答案】C【解析】A.Zn原子序數(shù)為30,位于ⅡB族,所以,Zn2+基態(tài)核外電子排布式為[Ar]3d10,A選項(xiàng)正確;B.1分子HCHO含2個(gè)C-H鍵和1個(gè)C=O鍵,共有3個(gè)σ鍵,所以,1molHCHO分子中含有σ鍵的數(shù)目為3mol,B選項(xiàng)正確;C.HOCH2CN分子中與羥基相連的C為sp3雜化,-CN(-C≡N)中的C為sp雜化,C選項(xiàng)錯(cuò)誤;D.[Zn(CN)4]2?中Zn2+與CN?的C原子形成配位鍵,Zn為sp3雜化,配位原子形成正四面體,所以,[Zn(CN)4]2?結(jié)構(gòu)可表示為,D選項(xiàng)正確;答案選C?!军c(diǎn)評】一般,兩原子間形成的共價(jià)鍵,有且只有1個(gè)σ鍵,如:C=O雙鍵含1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,C≡N叁鍵含1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵。8.【答案】D【解析】A.C與Si是同主族元素,同種主族元素從上到下非金屬性逐漸減弱,簡單氫化物的熱穩(wěn)定性逐漸減弱,所以熱穩(wěn)定性CH4>SiH4,A項(xiàng)錯(cuò)誤;B.金剛石與晶體硅都是原子晶體,原子晶體的熔沸點(diǎn)主要與共價(jià)鍵強(qiáng)度有關(guān),由表可知,C-C鍵的鍵能大于Si-Si鍵,說明C-C鍵更穩(wěn)定,金剛石的熔點(diǎn)比晶體硅高,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.共價(jià)鍵的鍵能與成鍵原子的核間距及成鍵原子的種類均有關(guān),C項(xiàng)錯(cuò)誤;D.由表可知,C-C鍵的鍵能大于Si-Si鍵且C-H鍵的鍵能大于Si-H鍵,說明C-C鍵和C-H鍵更穩(wěn)定,因而所形成的烷烴更穩(wěn)定,種類和數(shù)量也更多,而Si-Si鍵和Si-H鍵鍵能低,易斷裂,導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成,限制了硅烷的種類和數(shù)量,D項(xiàng)正確;答案選D。9.【答案】C【解析】A.該物質(zhì)是由分子通過分子間作用力結(jié)合形成的分子晶體,其熔點(diǎn)主要取決于分子間作用力大小,與物質(zhì)分子內(nèi)所含化學(xué)鍵的鍵能大小無關(guān),A錯(cuò)誤;B.分子中O雜化類型有sp3雜化、sp2雜化,而N的雜化方式類型只有sp3雜化,可見分子中O和N的雜化類型不完全相同,B錯(cuò)誤;C.在該物質(zhì)的組成元素的基態(tài)原子中,Cu原子只有1個(gè)未成對電子,C、O各有2個(gè)成單電子,N原子有3個(gè)成單電子,故含有未成對電子數(shù)最多的是N原子,C正確;D.NH3分子是三角錐形分子,分子中含有2個(gè)氨基,可看作是NH3分子中氫原子被一個(gè)原子基團(tuán)代替,因此分子中所有原子不可能共平面,D錯(cuò)誤;故選C。10.【答案】BD【解析】短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,基態(tài)W的原子2p軌道處于半充滿狀態(tài),則W核外電子排布是1s22s22p3,W是N元素;基態(tài)X的原子的2p能級上只有一對成對電子,則X核外電子排布式是1s22s22p4,X是O元素;基態(tài)Y的原子的最外層電子運(yùn)動狀態(tài)只有1種,Y核外電子排布式是1s22s22p63s1,Y是Na元素,元素Z與X同主族,則Z是P元素。根據(jù)上述分析可知:W是N,X是O,Y是Na,Z是P元素。A.非金屬元素第一電離能大于金屬元素;同一周期元素的第一電離能呈增大趨勢,但第IIA、第VA元素處于軌道的全滿、半滿的穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能大于相鄰元素,則這三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋篘>O>Na,即W>X>Y,A正確;B.同一周期元素隨原子序數(shù)的增大,元素電負(fù)性逐漸增大;同一主族元素,原子核外電子層數(shù)越多,元素電負(fù)性越小,所以電負(fù)性:N>P>Na,即W>Z>Y,B錯(cuò)誤;C.離子核外電子層數(shù)越多,離子半徑越大;當(dāng)離子核外電子排布相同時(shí),離子的核電荷數(shù)越大,離子半徑越小。O2?、Na+核外電子排布都是2、8,有2個(gè)電子層;P3-核外電子排布是2、8、8,有3個(gè)電子層,所以簡單離子半徑:P3?>O2?>Na+,即離子半徑:Z>X>Y,C正確;D.元素的非金屬性越強(qiáng),其簡單氫化物的穩(wěn)定性就越強(qiáng)。元素的非金屬性:O>N>P,所以最簡單氫化物的沸點(diǎn):H2O>NH3>PH3,即氫化物的穩(wěn)定性:X>W(wǎng)>Z,D錯(cuò)誤;故合理選項(xiàng)是BD。11.【答案】(1)第二周期VA族或第2周期VA族P三角錐形H3O+3d84s2N小于K的原子半徑大于Zn,Zn的外圍電子排布為3d104s2的全充滿結(jié)構(gòu),能量更低,更加的穩(wěn)定(0,,)【解析】(1)N元素為7號元素,原子核外電子排布為2、5,則在周期表中的位置為第二周期VA族或第2周期VA族;能量最高的電子排布在p軌道上,所以位于周期表P區(qū)。答案為:第二周期VA族或第2周期VA族;P;(2)Ni2+能與NH3形成配離子[Ni(NH3)6]2+,NH3中N原子的價(jià)層電子對數(shù)為4,且N原子最外層有1對孤電子對,所以空間構(gòu)型是三角錐形,與NH3互為等電子體的陽離子是H3O+。答案為:三角錐形;H3O+;(3)基態(tài)Ni原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d84s2,則外圍電子排布式為3d84s2;其核外電子占據(jù)的最高能層為第4電子層,能層符號為N。答案為:3d84s2;N;(4)KZnF3中K與Zn屬于同一周期,但Zn的原子序數(shù)大、原子半徑小,所以第一電離能K小于Zn,原因

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論