半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控考核試卷

半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控考核試卷考生姓名：答題日期：得分：判卷人：

本次考核旨在檢驗(yàn)考生對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控的理論知識(shí)和實(shí)際操作能力，通過(guò)測(cè)試考生對(duì)相關(guān)技術(shù)、設(shè)備、軟件等方面的理解和運(yùn)用，評(píng)估其在半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備管理中的專業(yè)水平。

一、單項(xiàng)選擇題（本題共30小題，每小題0.5分，共15分，在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的）

1.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的CVD（化學(xué)氣相沉積）主要用于制造______。（）

A.晶體硅

B.氧化物

C.金屬薄膜

D.硅酸鹽

2.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于測(cè)量晶體管中電流和電壓的儀器是______。（）

A.信號(hào)發(fā)生器

B.示波器

C.頻率計(jì)

D.萬(wàn)用表

3.下列哪個(gè)參數(shù)不是半導(dǎo)體設(shè)備溫度控制系統(tǒng)需要監(jiān)測(cè)的？______。（）

A.環(huán)境溫度

B.設(shè)備溫度

C.操作員體溫

D.介質(zhì)溫度

4.半導(dǎo)體制造過(guò)程中，用于去除表面的塵埃和顆粒的工藝是______。（）

A.清洗

B.化學(xué)蝕刻

C.光刻

D.離子注入

5.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于檢測(cè)硅片表面缺陷的設(shè)備是______。（）

A.熒光顯微鏡

B.光學(xué)顯微鏡

C.掃描電子顯微鏡

D.透射電子顯微鏡

6.半導(dǎo)體設(shè)備中的真空系統(tǒng)主要用于______。（）

A.提高設(shè)備溫度

B.控制氣壓

C.防止氧化

D.提供動(dòng)力

7.在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，用于將光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上的工藝是______。（）

A.焙燒

B.化學(xué)氣相沉積

C.離子注入

D.紫外線曝光

8.下列哪種氣體不是半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的蝕刻氣體？______。（）

A.氯氣

B.氟化氫

C.氮?dú)?/p>

D.氫氣

9.半導(dǎo)體設(shè)備中的自動(dòng)化控制系統(tǒng)主要通過(guò)______來(lái)實(shí)現(xiàn)。（）

A.人工操作

B.PLC（可編程邏輯控制器）

C.人工編程

D.傳感器

10.下列哪種設(shè)備用于檢測(cè)半導(dǎo)體設(shè)備中的氣體泄漏？______。（）

A.氣相色譜儀

B.熱導(dǎo)池

C.氣質(zhì)聯(lián)用儀

D.質(zhì)譜儀

11.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于控制離子束流方向的設(shè)備是______。（）

A.磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)器

B.電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)器

C.透鏡系統(tǒng)

D.陽(yáng)極

12.下列哪種工藝用于在硅片表面形成絕緣層？______。（）

A.化學(xué)氣相沉積

B.物理氣相沉積

C.離子注入

D.化學(xué)蝕刻

13.半導(dǎo)體設(shè)備中的工藝氣體通常需要通過(guò)______來(lái)凈化。（）

A.催化劑

B.過(guò)濾器

C.離心分離

D.真空泵

14.下列哪種設(shè)備用于測(cè)量半導(dǎo)體設(shè)備的真空度？______。（）

A.真空計(jì)

B.氣壓計(jì)

C.溫度計(jì)

D.流量計(jì)

15.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于檢測(cè)硅片平整度的設(shè)備是______。（）

A.熒光顯微鏡

B.三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)

C.光學(xué)干涉儀

D.掃描電子顯微鏡

16.下列哪種工藝用于在硅片表面形成導(dǎo)電層？______。（）

A.化學(xué)氣相沉積

B.物理氣相沉積

C.離子注入

D.化學(xué)蝕刻

17.半導(dǎo)體設(shè)備中的氣體流量控制系統(tǒng)通常使用______來(lái)實(shí)現(xiàn)。（）

A.調(diào)節(jié)閥

B.液體流量計(jì)

C.電磁閥

D.閥門(mén)

18.下列哪種設(shè)備用于檢測(cè)硅片表面的化學(xué)成分？______。（）

A.X射線熒光光譜儀

B.能量色散X射線光譜儀

C.掃描電子顯微鏡

D.透射電子顯微鏡

19.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于檢測(cè)硅片表面的雜質(zhì)濃度的是______。（）

A.能譜儀

B.光譜儀

C.紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)

D.紅外光譜儀

20.下列哪種工藝用于在硅片表面形成抗反射層？______。（）

A.化學(xué)氣相沉積

B.物理氣相沉積

C.離子注入

D.化學(xué)蝕刻

21.半導(dǎo)體設(shè)備中的溫度控制系統(tǒng)通常使用______來(lái)調(diào)節(jié)溫度。（）

A.電阻加熱

B.紅外加熱

C.電磁加熱

D.激光加熱

22.下列哪種設(shè)備用于檢測(cè)硅片表面的晶體取向？______。（）

A.X射線衍射儀

B.光學(xué)顯微鏡

C.掃描電子顯微鏡

D.透射電子顯微鏡

23.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于檢測(cè)硅片表面缺陷的設(shè)備是______。（）

A.熒光顯微鏡

B.光學(xué)顯微鏡

C.掃描電子顯微鏡

D.透射電子顯微鏡

24.下列哪種工藝用于在硅片表面形成保護(hù)層？______。（）

A.化學(xué)氣相沉積

B.物理氣相沉積

C.離子注入

D.化學(xué)蝕刻

25.半導(dǎo)體設(shè)備中的真空系統(tǒng)主要用于______。（）

A.提高設(shè)備溫度

B.控制氣壓

C.防止氧化

D.提供動(dòng)力

26.下列哪種氣體不是半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的蝕刻氣體？______。（）

A.氯氣

B.氟化氫

C.氮?dú)?/p>

D.氫氣

27.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于控制離子束流方向的設(shè)備是______。（）

A.磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)器

B.電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)器

C.透鏡系統(tǒng)

D.陽(yáng)極

28.下列哪種工藝用于在硅片表面形成絕緣層？______。（）

A.化學(xué)氣相沉積

B.物理氣相沉積

C.離子注入

D.化學(xué)蝕刻

29.半導(dǎo)體設(shè)備中的工藝氣體通常需要通過(guò)______來(lái)凈化。（）

A.催化劑

B.過(guò)濾器

C.離心分離

D.真空泵

30.下列哪種設(shè)備用于測(cè)量半導(dǎo)體設(shè)備的真空度？______。（）

A.真空計(jì)

B.氣壓計(jì)

C.溫度計(jì)

D.流量計(jì)

二、多選題（本題共20小題，每小題1分，共20分，在每小題給出的選項(xiàng)中，至少有一項(xiàng)是符合題目要求的）

1.下列哪些因素會(huì)影響半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集精度？（）

A.環(huán)境溫度

B.設(shè)備老化

C.傳感器質(zhì)量

D.數(shù)據(jù)傳輸速度

2.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中，下列哪些設(shè)備需要實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控？（）

A.真空系統(tǒng)

B.溫度控制系統(tǒng)

C.氣體流量控制系統(tǒng)

D.光刻機(jī)

3.下列哪些數(shù)據(jù)是半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備監(jiān)控系統(tǒng)中必須采集的？（）

A.設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)

B.物料消耗

C.設(shè)備故障

D.操作員信息

4.在半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集過(guò)程中，以下哪些措施可以降低誤差？（）

A.定期校準(zhǔn)傳感器

B.優(yōu)化數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議

C.使用高質(zhì)量的電纜

D.減少人為干預(yù)

5.下列哪些軟件工具可以用于半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)分析？（）

A.Excel

B.MATLAB

C.Python

D.SQL

6.下列哪些因素會(huì)影響半導(dǎo)體設(shè)備的可靠性？（）

A.設(shè)備設(shè)計(jì)

B.制造工藝

C.操作維護(hù)

D.環(huán)境因素

7.在半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪些步驟可能產(chǎn)生數(shù)據(jù)？（）

A.材料處理

B.設(shè)備運(yùn)行

C.產(chǎn)品測(cè)試

D.市場(chǎng)營(yíng)銷

8.下列哪些方法可以用于監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體設(shè)備的能耗？（）

A.能耗監(jiān)測(cè)儀

B.能量分析軟件

C.能源管理系統(tǒng)

D.人工記錄

9.下列哪些設(shè)備可能包含在半導(dǎo)體生產(chǎn)線的自動(dòng)化控制系統(tǒng)中？（）

A.PLC

B.SCADA

C.DCS

D.機(jī)器人

10.下列哪些因素可能導(dǎo)致半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集失敗？（）

A.網(wǎng)絡(luò)故障

B.傳感器故障

C.數(shù)據(jù)處理軟件錯(cuò)誤

D.環(huán)境干擾

11.在半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪些數(shù)據(jù)可能用于生產(chǎn)效率分析？（）

A.設(shè)備停機(jī)時(shí)間

B.產(chǎn)品良率

C.生產(chǎn)周期

D.操作員技能水平

12.下列哪些設(shè)備可以用于監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)境中的有害氣體？（）

A.氣體檢測(cè)儀

B.環(huán)境監(jiān)測(cè)站

C.風(fēng)扇

D.空調(diào)

13.下列哪些數(shù)據(jù)是半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備維護(hù)管理中需要關(guān)注的？（）

A.設(shè)備運(yùn)行日志

B.維護(hù)記錄

C.零件更換歷史

D.操作員培訓(xùn)記錄

14.在半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集過(guò)程中，以下哪些措施可以提高數(shù)據(jù)的安全性？（）

A.數(shù)據(jù)加密

B.訪問(wèn)控制

C.數(shù)據(jù)備份

D.物理安全

15.下列哪些因素可能影響半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)質(zhì)量？（）

A.設(shè)備精度

B.材料質(zhì)量

C.操作員技能

D.生產(chǎn)環(huán)境

16.在半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中，以下哪些設(shè)備可能需要定期校準(zhǔn)？（）

A.溫度傳感器

B.氣壓傳感器

C.流量傳感器

D.時(shí)間同步設(shè)備

17.下列哪些數(shù)據(jù)可以用于評(píng)估半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的性能？（）

A.設(shè)備故障率

B.設(shè)備可用性

C.設(shè)備維護(hù)成本

D.設(shè)備升級(jí)需求

18.在半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪些因素可能影響設(shè)備的壽命？（）

A.工作負(fù)載

B.操作環(huán)境

C.維護(hù)保養(yǎng)

D.設(shè)備設(shè)計(jì)

19.下列哪些數(shù)據(jù)可以用于監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的能源消耗？（）

A.電力消耗

B.水消耗

C.氣體消耗

D.熱能消耗

20.在半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控中，以下哪些措施可以提升系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性？（）

A.使用高速數(shù)據(jù)采集卡

B.優(yōu)化數(shù)據(jù)處理算法

C.增加數(shù)據(jù)處理資源

D.減少數(shù)據(jù)傳輸延遲

三、填空題（本題共25小題，每小題1分，共25分，請(qǐng)將正確答案填到題目空白處）

1.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)通常包括______和______兩個(gè)主要部分。

2.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于測(cè)量溫度的傳感器通常是______。

3.半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，用于收集數(shù)據(jù)的硬件設(shè)備稱為_(kāi)_____。

4.半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，用于檢測(cè)硅片平整度的常用設(shè)備是______。

5.半導(dǎo)體設(shè)備中的真空系統(tǒng)主要由______、______和______組成。

6.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于控制氣體流量的設(shè)備是______。

7.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)需要具備______、______和______三個(gè)基本功能。

8.半導(dǎo)體設(shè)備中，用于檢測(cè)硅片表面缺陷的常用方法是______。

9.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)通常采用______進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。

10.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于監(jiān)測(cè)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的參數(shù)包括______、______和______。

11.半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，用于去除硅片表面的有機(jī)物的工藝是______。

12.半導(dǎo)體設(shè)備中的溫度控制系統(tǒng)通常采用______進(jìn)行溫度控制。

13.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于監(jiān)測(cè)環(huán)境溫度的傳感器通常是______。

14.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備是______。

15.半導(dǎo)體設(shè)備中，用于檢測(cè)硅片表面化學(xué)成分的常用方法是______。

16.半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，用于將光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上的工藝是______。

17.半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，用于處理和展示數(shù)據(jù)的軟件稱為_(kāi)_____。

18.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于控制離子束流方向的設(shè)備是______。

19.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)需要具備______、______和______三個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)。

20.半導(dǎo)體設(shè)備中，用于監(jiān)測(cè)氣體濃度的傳感器通常是______。

21.半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，用于在硅片表面形成導(dǎo)電層的工藝是______。

22.在半導(dǎo)體設(shè)備中，用于控制氣壓的設(shè)備是______。

23.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，用于檢測(cè)設(shè)備故障的參數(shù)包括______、______和______。

24.半導(dǎo)體設(shè)備中，用于監(jiān)測(cè)設(shè)備能耗的傳感器通常是______。

25.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)需要具備______、______和______三個(gè)保障措施。

四、判斷題（本題共20小題，每題0.5分，共10分，正確的請(qǐng)?jiān)诖痤}括號(hào)中畫(huà)√，錯(cuò)誤的畫(huà)×）

1.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)不需要考慮數(shù)據(jù)的安全性。（）

2.溫度傳感器在半導(dǎo)體設(shè)備中主要用于監(jiān)測(cè)環(huán)境溫度。（）

3.半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)通常使用以太網(wǎng)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。（）

4.在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，硅片平整度檢測(cè)通常使用光學(xué)顯微鏡。（）

5.真空系統(tǒng)在半導(dǎo)體設(shè)備中的作用是提供高真空環(huán)境。（）

6.半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)不需要考慮設(shè)備的實(shí)時(shí)性。（）

7.半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，去除硅片表面有機(jī)物的工藝稱為化學(xué)氣相沉積。（）

8.溫度控制系統(tǒng)在半導(dǎo)體設(shè)備中通常采用PID控制算法。（）

9.半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的主要設(shè)備是硬盤(pán)。（）

10.在半導(dǎo)體設(shè)備中，檢測(cè)硅片表面缺陷的常用方法是X射線衍射。（）

11.半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，將光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上的工藝稱為離子注入。（）

12.半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，處理和展示數(shù)據(jù)的軟件稱為數(shù)據(jù)庫(kù)。（）

13.在半導(dǎo)體設(shè)備中，控制離子束流方向的設(shè)備是透鏡系統(tǒng)。（）

14.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)需要具備高精度、高速度和可靠性三個(gè)性能指標(biāo)。（）

15.半導(dǎo)體設(shè)備中，監(jiān)測(cè)氣體濃度的傳感器通常是紅外傳感器。（）

16.半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，在硅片表面形成導(dǎo)電層的工藝稱為化學(xué)蝕刻。（）

17.半導(dǎo)體設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，控制氣壓的設(shè)備是氣壓傳感器。（）

18.在半導(dǎo)體設(shè)備中，檢測(cè)設(shè)備故障的參數(shù)包括運(yùn)行時(shí)間、故障次數(shù)和維修成本。（）

19.半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)需要具備數(shù)據(jù)加密、訪問(wèn)控制和數(shù)據(jù)備份三個(gè)保障措施。（）

20.半導(dǎo)體設(shè)備中，監(jiān)測(cè)設(shè)備能耗的傳感器通常是電流傳感器。（）

五、主觀題（本題共4小題，每題5分，共20分）

1.請(qǐng)簡(jiǎn)述半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備數(shù)據(jù)采集的重要性，并列舉至少三個(gè)關(guān)鍵的數(shù)據(jù)采集點(diǎn)。

2.分析半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備監(jiān)控系統(tǒng)的基本架構(gòu)，并說(shuō)明其各個(gè)組成部分的作用。

3.針對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集，設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的數(shù)據(jù)采集方案，包括數(shù)據(jù)采集方式、數(shù)據(jù)傳輸方式以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案。

4.請(qǐng)討論在半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控中，可能遇到的技術(shù)挑戰(zhàn)，并提出相應(yīng)的解決方案。

六、案例題（本題共2小題，每題5分，共10分）

1.案例背景：某半導(dǎo)體公司正在生產(chǎn)一款高性能的存儲(chǔ)芯片，在生產(chǎn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片的良率較低。為了提高良率，公司決定對(duì)生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控，以分析問(wèn)題根源。

問(wèn)題：

（1）請(qǐng)列舉在此次數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控中，需要關(guān)注的設(shè)備參數(shù)。

（2）設(shè)計(jì)一個(gè)數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控方案，包括數(shù)據(jù)采集點(diǎn)、數(shù)據(jù)采集頻率以及數(shù)據(jù)分析方法。

（3）根據(jù)采集到的數(shù)據(jù)，分析可能導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片良率低的原因，并提出改進(jìn)措施。

2.案例背景：某半導(dǎo)體制造工廠在升級(jí)其生產(chǎn)設(shè)備時(shí)，引入了一款新型的等離子體刻蝕機(jī)。新設(shè)備在初期運(yùn)行過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)刻蝕精度與預(yù)期不符。

問(wèn)題：

（1）請(qǐng)列舉在新型等離子體刻蝕機(jī)數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控中，需要關(guān)注的設(shè)備參數(shù)。

（2）設(shè)計(jì)一個(gè)數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控方案，包括數(shù)據(jù)采集點(diǎn)、數(shù)據(jù)采集頻率以及數(shù)據(jù)分析方法。

（3）根據(jù)采集到的數(shù)據(jù)，分析可能導(dǎo)致刻蝕精度不符的原因，并提出改進(jìn)措施。

標(biāo)準(zhǔn)答案

一、單項(xiàng)選擇題

1.B

2.B

3.C

4.A

5.C

6.C

7.BCD

8.C

9.B

10.B

11.A

12.A

13.B

14.A

15.B

16.B

17.A

18.B

19.ABD

20.ABCD

21.ABCD

22.A

23.B

24.A

25.ABCD

二、多選題

1.ABC

2.ABCD

3.ABCD

4.ABC

5.ABCD

6.ABCD

7.ABCD

8.ABC

9.ABCD

10.ABCD

11.ABC

12.AB

13.ABCD

14.ABCD

15.ABCD

16.ABC

17.ABCD

18.ABCD

19.ABCD

20.ABCD

三、填空題

1.數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)

2.溫度傳感器傳感器

3.數(shù)據(jù)采集卡數(shù)據(jù)傳輸線

4.光學(xué)干涉儀

5.真空泵真空規(guī)真空計(jì)

6.節(jié)流閥

7.數(shù)據(jù)采集數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)展示

8.X射線衍射

9.以太網(wǎng)

10.設(shè)備狀態(tài)物料消耗故障信息

11.清洗

12.PID控制

13.環(huán)境溫度傳感器

14.數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備

15.能譜分析

16.紫外線曝光

17.數(shù)據(jù)分析軟件

18.透鏡系統(tǒng)

19.精度速度可靠性

20.氣體檢測(cè)儀

21.化學(xué)蝕刻

22.氣壓傳感器

23.運(yùn)行時(shí)間故障次數(shù)維修成本

24.電流傳感器

25.數(shù)據(jù)加密訪問(wèn)控制數(shù)據(jù)備份

四、判斷題

1.×

2.×

3.√

4.√

5.×

6.×

7.√

8.√

9.√

10.×

11.√

12.√

13.×

14.√

15.√

16.√