TSICA 007-2024 數(shù)字旋變轉(zhuǎn)換器芯片的技術(shù)規(guī)范

ICS31.200CCSL56SICAT/SICA007—2024TechnicalspecificationsforDigital-to-ResolverConverterChips2024-12-27發(fā)布 2025-1-27上海市成電業(yè)協(xié)會(huì) 發(fā)布T/SICA007—2024T/SICA007—2024II目 次前言 II引言 III112范引文件 13語定義 14能電性求 25試法 36志包、輸存 5參考獻(xiàn) 6T/SICA007—2024前 言本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。）IIT/SICA007—2024T/SICA007—2024IIIIII引 言（DRC）T/SICA007—2024T/SICA007—202411數(shù)字旋變轉(zhuǎn)換器芯片的技術(shù)規(guī)范范圍本文件適用于數(shù)字旋變轉(zhuǎn)換器芯片（以下簡(jiǎn)稱“DRC芯片”）的開發(fā)和應(yīng)用。本文件沒有規(guī)范性引用文件。下列術(shù)語和定義適用于本文件。數(shù)字旋變轉(zhuǎn)換器（DRC）數(shù)字旋變轉(zhuǎn)換器（Digital-to-ResolverConverter，簡(jiǎn)稱DRC），又稱數(shù)字軸角轉(zhuǎn)換器。分辨率分辨率交流耦合交流耦合(ACcoupling)是在輸入與輸出之間加入電容，由于電容具有通交阻直的特性，直流分量就會(huì)很容易被過濾掉。交流耦合只允許交流信號(hào)通過。只允許信號(hào)中的交變部分通過，將移除信號(hào)中的直流分量，通常使用隔直電容器實(shí)現(xiàn)。直流耦合DCcouplingENL\ENH\ENA低位、高位、高低位使能拉高時(shí)使能低位、高位、高低位數(shù)字輸入信號(hào)。注：低位使能（EnableLow，簡(jiǎn)稱ENL）,高位使能（EnableHigh，簡(jiǎn)稱ENH）,高低位使能（EnableAll，簡(jiǎn)稱ENA）。靜電電（ESD） Electro-Staticdischarge具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。HBM人體模型HBM(HumanBodyModel),人體模型。人體會(huì)積累一定的靜電,當(dāng)人體接觸到芯片時(shí),這些靜電會(huì)釋放至芯片對(duì)地引腳,并會(huì)在數(shù)百納秒內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的放電電流,此電流足以把IC內(nèi)部元件燒毀。注：HBM是專門針對(duì)芯片耐受人體放電的指標(biāo)。CDM充電設(shè)備模型CDM(chargeddevicemodel),充電設(shè)備模型。類似于人體模型，充電設(shè)備模型也是一種靜電放電測(cè)試方法。通過對(duì)芯片進(jìn)行充電，來測(cè)試芯片不同引腳對(duì)靜電的承受程度。注：CDM也是當(dāng)今半導(dǎo)體芯片開發(fā)中最重要的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)之一。T/SICA007—2024T/SICA007—202422LU閂鎖閂鎖(Latch-Up（主要功能1≥12正/圖1 芯片塊意圖電氣特性芯片支持的交流誤差應(yīng)滿足以下要求：≥54Vrms。芯片支持的輸入信號(hào)特征及其輸入網(wǎng)絡(luò)應(yīng)滿足以下要求：（50～10000）Hz；（1～1.8）Vrms；1MΩ精度T/SICA007—2024T/SICA007—202433芯片的精度應(yīng)滿足以下要求：0～360-4～+41LSB；ENL/ENH/ENA芯片支持的數(shù)字輸入信號(hào)應(yīng)滿足以下要求：2V；0.8V；高電平電流在DB1–DB16，應(yīng)≤±1μA；低電平電流在DB1–DB16，應(yīng)≤±1μA這里以并行輸入為例，實(shí)際使用時(shí)既可以并行也可以串口輸入，取決于應(yīng)用要求。電源0VPVDD（4.5～13.2）V+12V；b) NVDD（-13.2～-4.5）V-12V；c) DVDD（+2.7～+5.5）V+5V。PVDD電在PVDD@ 12V&NVDD@ -12V件下，≤13mA；NVDD的流在PVDD@ 12V&NVDD@ -12V件下,≤13DVDD的電流在DVDD@5VmAESDESD要求HBM≥2KV,CDM≥200V,LU≥100mA。基準(zhǔn)輸入通常情況下，基準(zhǔn)采用AC輸入。不建議采用DC輸入，如必須，則輸出會(huì)有失調(diào)風(fēng)險(xiǎn).此時(shí)需要在輸出端增加一個(gè)校準(zhǔn)電路，并盡可能減少輸出電壓之間電壓失偏。如對(duì)于功耗有嚴(yán)格要求的應(yīng)用，可調(diào)整偏置電流，以降低功耗，但可能會(huì)出現(xiàn)角度精度變差。比率乘法器比率乘法器是芯片的輸入部分，可將旋變器輸入角度θ信號(hào)與計(jì)數(shù)器中保留的數(shù)字角度φ進(jìn)行比較。如果兩個(gè)角度之間存在任何差異，則輸出處將產(chǎn)生模擬電壓。T/SICA007—2024T/SICA007—202444正/RDCRDCRDCData_OUT1RDC(Data_OUT2Data_OUT1)RDC使能端保持高阻態(tài)，仍可以正確利用輸入數(shù)字信號(hào)控制芯片功能。數(shù)字引腳外灌2V電壓可以正確識(shí)別高電平。數(shù)字引腳外灌0.8V電壓可以正確識(shí)別低電平。電源芯片使用電源供電，芯片電源典型值的±10%以內(nèi)都能正常工作。例如能正確測(cè)得產(chǎn)品與理想旋變發(fā)生器之間的誤差。ESD選擇相應(yīng)管腳組合，分別按HBM（人體模式）、CDM（放電器件模式）選用相應(yīng)的電壓值進(jìn)行放電測(cè)試，若測(cè)試通過，則判定該芯片ESD測(cè)試通過。480KPVDDPVDDNVDD范60K串聯(lián)10K（0V）如無需調(diào)整，則該引腳保持接地（0V）。具體實(shí)施方式根據(jù)客戶需求選擇，圖2供參考圖2 輸出調(diào)整考路480KPVDD與如無需調(diào)整，則該引腳保持高阻態(tài)。T/SICA007—2024T/SICA007—202455標(biāo)志在產(chǎn)品包裝上應(yīng)標(biāo)明：包裝產(chǎn)品存放在標(biāo)準(zhǔn)的防靜電包裝里，包裝應(yīng)具有防潮、防塵、防震性能，以保證產(chǎn)品不受損壞。運(yùn)輸產(chǎn)品應(yīng)以航空、快遞等安全方式運(yùn)輸。貯存18℃～2860RH～70%RH。T/SICA007—2024T/SICA007—202466參 考 文 獻(xiàn)GB3430—1989半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名方法GB3431.2—1986半導(dǎo)體集成電路文字符號(hào)引出端功能符號(hào)GB/T6812—1986[4]GB/T7092—1993半導(dǎo)體集成電路外形尺寸[5]GB/T14029—1992[6]GB/T17940—2000半導(dǎo)體器件集成電路第[7]GB/T18500.1—20014[8]GB/T31996—2015磁阻式多極旋轉(zhuǎn)變壓器通用技術(shù)條件[9]GJB-2438B—