《智能產(chǎn)品設(shè)計(jì)與應(yīng)用》課件-內(nèi)部Flash讀寫(xiě)應(yīng)用

智能產(chǎn)品設(shè)計(jì)與應(yīng)用內(nèi)部Flash讀寫(xiě)應(yīng)用案例導(dǎo)入01/PART

ONE一、內(nèi)部Flash介紹內(nèi)部Flash，其實(shí)就是單片機(jī)內(nèi)部的內(nèi)存。閃存就是在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息的存儲(chǔ)器。內(nèi)存數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快?，F(xiàn)在的單片機(jī)（這點(diǎn)不理解可以跳過(guò)，只要知道他是一個(gè)存儲(chǔ)器就行）。RAM主要是做運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器；FLASH主要是程序存儲(chǔ)器；EEPROM主要是用以在程序運(yùn)行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù)。內(nèi)部Flash是什么？一、內(nèi)部Flash介紹嵌入式Flash存儲(chǔ)器包括多達(dá)128頁(yè)面，每頁(yè)有2048個(gè)字節(jié)。Flash存儲(chǔ)器分為2048字節(jié)的Flash頁(yè)面，F(xiàn)lash頁(yè)面是存儲(chǔ)器內(nèi)可擦除的最小單元，而32位字是可以寫(xiě)入Flash的最小可寫(xiě)單元。xdata指單片機(jī)里的Flash存取器，F(xiàn)lash相對(duì)單片機(jī)里的RAM屬于外部存取器，雖其結(jié)構(gòu)位置裝在單片機(jī)中，所以摟主誤解為xdata一定是放在單片機(jī)外面，其是xdata是放在相對(duì)RAM的外面，而flash正是相對(duì)RAM外面。一、內(nèi)部Flash介紹選擇FLASH區(qū)域，如選BANK7，MEMCTR|=0x07讀取數(shù)據(jù)（因數(shù)據(jù)實(shí)際存放在BANK7中，因此需要絕對(duì)訪問(wèn)）擦除數(shù)據(jù)3.1關(guān)中斷EA=0；3.2查詢(xún)flash控制器是否就緒FCTL.BUSY==13.3選擇要擦除的頁(yè)FADDRH[7:1]3.4啟動(dòng)擦除FCTL.ERASE=13.5等待擦除完成FCTL.BUSY==03.6開(kāi)中斷EA=1;工作流程介紹一、內(nèi)部Flash介紹寫(xiě)數(shù)據(jù)4.1清DMA狀態(tài)標(biāo)識(shí)4.2選擇DMA通訊通道4.3配置FLASH地址4.4啟動(dòng)寫(xiě)FCTL.WRITE=14.4等待寫(xiě)完成FCTL.BUSY==0工作流程介紹二、相關(guān)寄存器Flash控制寄存器--FCTL位名稱(chēng)復(fù)位R/W描述7BUSY0R代表寫(xiě)入或者擦除操作。當(dāng)設(shè)置WRITE或ERASE位時(shí)設(shè)置該標(biāo)志。0：沒(méi)有活躍的寫(xiě)入或擦除操作。1：有活躍的寫(xiě)入或擦除操作。6FULL

R/H0寫(xiě)緩存滿(mǎn)狀態(tài)。0：寫(xiě)緩存可以接受更多數(shù)據(jù)。

1：寫(xiě)緩存滿(mǎn)了。5ABORT0R/H0中止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)一個(gè)寫(xiě)操作或頁(yè)面擦除中止時(shí)設(shè)置該位。當(dāng)訪問(wèn)頁(yè)面被鎖時(shí)操作中止。當(dāng)一個(gè)寫(xiě)或頁(yè)面擦除開(kāi)始清除中止位。4-0R保留3:2CM[1:0]01R/W緩存模式。00：緩存禁用。

01：緩存使能。10：緩存使能，預(yù)取模式。

11：緩存使能，實(shí)時(shí)模式。1WRITE0R/W1/H0寫(xiě)。開(kāi)始在FADDRH:FADDRL給定的位置寫(xiě)字。0ERASE0R/W1/H0頁(yè)面擦除。擦除通過(guò)FADDRH[7:1]給出的頁(yè)。二、相關(guān)寄存器CM：禁用緩存會(huì)增加功耗，降低性能。預(yù)取對(duì)大多數(shù)應(yīng)用程序提高了性能高達(dá)33%，代價(jià)是可能增加了功耗。實(shí)時(shí)模式提供可預(yù)見(jiàn)的閃存讀訪問(wèn)時(shí)間；執(zhí)行時(shí)間等于緩存禁用模式下的時(shí)間，但是功耗較低。注意：讀出的值總是代表當(dāng)前緩存模式。寫(xiě)一個(gè)新的緩存模式啟動(dòng)一個(gè)緩存模式改變請(qǐng)求，可能需要一些時(shí)鐘周期才能完成。如果有一個(gè)當(dāng)前緩存改變請(qǐng)求正在進(jìn)行，寫(xiě)這個(gè)寄存器被忽略。WRITE：位保持1直到寫(xiě)完成。清除該位表示擦除已經(jīng)完成，即已經(jīng)超時(shí)或中止。如果ERASE也設(shè)置為1，在寫(xiě)之前執(zhí)行FADDRH[7:1]尋址的整個(gè)頁(yè)面的一個(gè)頁(yè)面擦除。當(dāng)ERASE是1，設(shè)置WRITE為1不起作用。二、相關(guān)寄存器FULL：閃存寫(xiě)期間當(dāng)4個(gè)字節(jié)已經(jīng)被寫(xiě)入FWDATA，設(shè)置該標(biāo)志。寫(xiě)緩存滿(mǎn)了不接受更多數(shù)據(jù)，即當(dāng)設(shè)置FULL標(biāo)志時(shí)寫(xiě)入FWDATA被忽略。當(dāng)寫(xiě)緩存重新準(zhǔn)備好接收4個(gè)更多字節(jié)，清除FULL標(biāo)志。該標(biāo)志僅在CPU用于寫(xiě)閃存時(shí)需要。ERASE：位保持1直到寫(xiě)完成。清除該位表示擦除已經(jīng)完成，即已經(jīng)超時(shí)或中止。當(dāng)WRITE是1，設(shè)置ERASE為1不起作用。二、相關(guān)寄存器MEMCTR--存儲(chǔ)器仲裁控制位名稱(chēng)復(fù)位R/W 描述7:4-0000R0保留3XMAP

0R/WXDATA映射到代碼。當(dāng)設(shè)置了這一位，SRAMXDATA區(qū)域從0x0000到(SRAM_SIZE-1)映射到CODE區(qū)域的0x8000到(0x8000+SRAM_SIZE–1)。這使得程序代碼從RAM執(zhí)行。0：SRAM映射到CODE功能禁用1：SRAM映射到CODE功能使能2:0XBANK[2:0]000R/WXDATA區(qū)選擇?？刂莆锢黹W存存儲(chǔ)器的哪個(gè)代碼區(qū)映射到XDATA區(qū)域(0x8000–0xFFFF)。當(dāng)設(shè)置為0，映射到根部區(qū)。有效設(shè)置取決于設(shè)備的閃存大小。寫(xiě)一個(gè)無(wú)效設(shè)置被忽略，即不會(huì)更新XBANK[2:0]。32-KB版本：只能是0（即總是映射到根部區(qū)）64-KB版本：0-1128-KB版本：0-3256-KB版本：0-7二、相關(guān)寄存器位名稱(chēng)復(fù)位R/W描述7:0FWDATA[7:0]0x00R0/W閃存寫(xiě)數(shù)據(jù)。當(dāng)FCTL.WRITE為1時(shí)才能寫(xiě)該寄存器。位名稱(chēng)復(fù)位R/W描述7:0FADDRH[7:0]0x00R/W頁(yè)面地址/閃存字地址的高位字節(jié)，位[7:1]將選擇要訪問(wèn)的頁(yè)面。（因?yàn)榭偟捻?yè)面就128頁(yè)，只要7位就夠）位名稱(chēng)復(fù)位R/W描述7:0FADDRL[7:0]0x00R/W頁(yè)面地址/閃存字地址的低位字節(jié)。Flash地址低字節(jié)寄存器FADDRLFlash地址高字節(jié)寄存器FADDRHFlash寫(xiě)數(shù)據(jù)寄存器FWDATA向CC253x片內(nèi)FLASHBANK7的前8個(gè)字節(jié)寫(xiě)入8字節(jié)數(shù)據(jù)。寫(xiě)入之前，先進(jìn)行相應(yīng)的FLASH頁(yè)(112頁(yè))擦除，然后通過(guò)DMAFLASH寫(xiě)操作進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入。三、開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)要求輸出一行字讀取原有的數(shù)據(jù)并輸出擦除flash操作讀取flash數(shù)據(jù)并輸出判斷是夠按下按鈕寫(xiě)flash操作并輸出按下按鍵從新開(kāi)始三、開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)分析此任務(wù)程序設(shè)計(jì)點(diǎn)按