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文檔簡(jiǎn)介
重難點(diǎn)14帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)
命題趨勢(shì)J
考點(diǎn)三年考情分析2025考向預(yù)測(cè)
磁場(chǎng)是電磁學(xué)的核心內(nèi)容,高考對(duì)磁場(chǎng)知
識(shí)的考查覆蓋面非常大,幾乎所有的知識(shí)
點(diǎn)都會(huì)考查到。這部分內(nèi)容的復(fù)習(xí)應(yīng)該從
磁場(chǎng)的特性入手,掌握磁場(chǎng)對(duì)通電導(dǎo)線、
(1)安培定則、磁場(chǎng)的疊加;3年3考
運(yùn)動(dòng)電荷施加的安培力、洛倫茲力的特
(2)安培力的分析與計(jì)算;廣東卷[(2022,T10,
點(diǎn),能熟練畫(huà)出帶電粒子在磁場(chǎng)中做圓周
(3)帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng);T7),(2023,T5)]
運(yùn)動(dòng)的軌跡,利用平衡和圓周運(yùn)動(dòng)的力
學(xué)、運(yùn)動(dòng)學(xué)規(guī)律,注意數(shù)理方法的結(jié)合,
本部分的難點(diǎn)是臨界軌跡的獲取與相應(yīng)
數(shù)學(xué)方程的建構(gòu)。
重難詮釋
【情境解讀】
電流元法轉(zhuǎn)換研究對(duì)象法結(jié)論法
粒子圓周運(yùn)動(dòng)的基本規(guī)律
向心力:歹向幽-
P、M點(diǎn)速產(chǎn)點(diǎn)速度某點(diǎn)的速
度方向垂方向垂線度方向垂
線的交點(diǎn)與弦的垂線與切點(diǎn)
直平分線法線的
的交點(diǎn)交點(diǎn)
【高分技巧】
內(nèi)容重要的規(guī)律、公式和二級(jí)結(jié)論
(1)磁場(chǎng)方向就是小磁針N極的受力方向。
L磁場(chǎng)、電流的磁場(chǎng)
(2)電流的磁場(chǎng)可以用安培定則(右手螺旋定則)來(lái)判定。
F
(3)定義式:B=-pLI),B與F、/、/無(wú)關(guān)。
2.磁感應(yīng)強(qiáng)度、磁感線
(4)磁感線密的地方,磁場(chǎng)強(qiáng),磁感線稀疏的地方,磁場(chǎng)
弱。
3.磁場(chǎng)對(duì)通電直導(dǎo)線
(5)大?。篎=IIB(B./、/相互垂直);/〃5時(shí),歹安=0。
的作用、安培力、左手
(6)方向:用左手定則判定。
定則
(7)洛倫茲力的大小:F=qvB;方向用左手定則判定;
洛倫茲力對(duì)運(yùn)動(dòng)的電荷不做功。
(8)帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng):#5=〃二;半徑r=
4.磁場(chǎng)對(duì)運(yùn)動(dòng)電荷的
r
作用、洛倫茲力
—;周期7=」匚;粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間,
qBqB2n
為帶電粒子運(yùn)動(dòng)軌跡圓弧的圓心角)。
【考向一:磁場(chǎng)的基本性質(zhì)安培力】
1.磁場(chǎng)疊加問(wèn)題的解題思路
(1)確定磁場(chǎng)場(chǎng)源,如通電導(dǎo)線。
(2)定位空間中需求解磁場(chǎng)的點(diǎn),確定各個(gè)場(chǎng)源在這一點(diǎn)產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小和方
向。
(3)應(yīng)用平行四邊形定則進(jìn)行合成。
2.用準(zhǔn)“兩個(gè)定則”
(1)對(duì)電流的磁場(chǎng)用安培定則(右手螺旋定則),并注意磁場(chǎng)的疊加。
(2)對(duì)通電導(dǎo)線在磁場(chǎng)中所受的安培力用左手定則。
3.熟悉“兩個(gè)等效模型”
(1)變曲為直:圖甲所示的通電導(dǎo)線,在計(jì)算安培力的大小和判斷方向時(shí)均可等效為ac直線
電流。
(2)化電為磁:環(huán)形電流可等效為小磁針,通電螺線管可等效為條形磁體,如圖乙所示。
1.(2023廣東廣州模擬)如圖甲所示,為特高壓輸電線路上使用六分裂阻尼間隔棒的情景。其簡(jiǎn)化如圖乙,
間隔棒將6條輸電導(dǎo)線分別固定在一個(gè)正六邊形的頂點(diǎn)°、b、c、d、e、/上,。為正六邊形的中心,A
點(diǎn)、8點(diǎn)分別為O。、Od的中點(diǎn)。已知通電導(dǎo)線在周圍形成磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度與電流大小成正比,與到
導(dǎo)線的距離成反比。6條輸電導(dǎo)線中通有垂直紙面向外,大小相等的電流,其中。導(dǎo)線中的電流對(duì)6導(dǎo)
線中電流的安培力大小為R貝1()
甲乙
A.A點(diǎn)和B點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度相同
B.其中b導(dǎo)線所受安培力大小為F
C.a、b、c、d、e五根導(dǎo)線在。點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向垂直于ed向下
D.a、b、c、d、e五根導(dǎo)線在。點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向垂直于ed向上
2.(改編自2022年全國(guó)乙卷)(多選)安裝適當(dāng)?shù)能浖?,利用智能手機(jī)中的磁傳感器可以測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度瓦
如圖,在手機(jī)上建立直角坐標(biāo)系,手機(jī)顯示屏所在平面為X。面。某同學(xué)在某地對(duì)地磁場(chǎng)進(jìn)行了四次測(cè)量,
每次測(cè)量時(shí)〉軸指向不同方向而z軸正向保持豎直向上。根據(jù)表中測(cè)量結(jié)果可推知(
測(cè)量序號(hào)5341T昆仲
1021-45
20-20-46
3210-45
4-210-45
A.當(dāng)?shù)氐牡卮艌?chǎng)大小約為50nT
B.第1次測(cè)量時(shí)夕軸正向指向南方
C.第4次測(cè)量時(shí)y軸正向指向東方
D.當(dāng)?shù)氐牡卮艌?chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度方向指向北方斜向下
3.(多選)(2023廣東廣州二模)如圖是安培研究通電導(dǎo)體間相互作用的簡(jiǎn)化示意圖。甲、乙、丙三個(gè)圓形線
圈的圓心在同一水平軸線上,軸線垂直線圈平面。甲和丙固定且用導(dǎo)線串聯(lián),并通以電流A,乙通入電
流/2,電流方向在圖中標(biāo)出,則乙線圈()
A.圓心處的磁場(chǎng)方向水平向左
B.圓心處的磁場(chǎng)方向水平向右
C.受到甲對(duì)它的吸引力
D.受到丙對(duì)它的排斥力
4.(改編自2022年湖南卷)(多選)如圖所示,兩根通電直導(dǎo)線用四根長(zhǎng)度相等的絕緣細(xì)線懸掛于O、。兩點(diǎn),已
知O。,連線水平,導(dǎo)線靜止時(shí)絕緣細(xì)線與豎直方向的夾角均為0,保持導(dǎo)線中的電流大小和方向不變,在導(dǎo)
線所在空間加上勻強(qiáng)磁場(chǎng)后,絕緣細(xì)線與豎直方向的夾角均增大了相同的角度,下列分析正確的是()=
A.兩導(dǎo)線中的電流方向一定相同
B.兩導(dǎo)線中的電流方向一定相反
C.所加磁場(chǎng)的方向可能沿z軸正向
D.所加磁場(chǎng)的方向可能沿y軸負(fù)向
5.(2023惠州三調(diào))如圖所示,導(dǎo)體棒九W接入電路部分的電阻為R,長(zhǎng)度為L(zhǎng)質(zhì)量為加,初始時(shí)靜止于
光滑的水平軌道上,電源電動(dòng)勢(shì)為E,內(nèi)阻大小也為凡勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為2,其方向與軌道平
面成8=45。角斜向右上方,開(kāi)關(guān)閉合后導(dǎo)體棒開(kāi)始運(yùn)動(dòng),則下列說(shuō)法中正確的是()
A.導(dǎo)體棒向左運(yùn)動(dòng)
BEL
B.開(kāi)關(guān)閉合瞬間導(dǎo)體棒MN的加速度為藐
^BEL
開(kāi)關(guān)閉合瞬間導(dǎo)體棒所受安培力大小為
4R
BEL
D.開(kāi)關(guān)閉合瞬間導(dǎo)體棒所受安培力大小為——
2R
【考向二:帶電粒子在各種邊界磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)】
1.基本思路
2.軌跡圓的幾個(gè)基本特點(diǎn)
(1)帶電粒子從同一直線邊界射入磁場(chǎng)和射出磁場(chǎng)時(shí),入射角等于出射角(如圖5甲所示,仇
=,2=〃1)。
(2)帶電粒子經(jīng)過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)速度方向的偏轉(zhuǎn)角等于其軌跡的圓心角(如圖甲所示,ai=a2).
(3)沿半徑方向射入圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)的粒子,出射時(shí)亦沿半徑方向,如圖乙所示(兩側(cè)關(guān)于圓心
連線00對(duì)稱)。
甲
3.半徑確定的兩種方法
mvLmv
方法一:由物理公式求。由于#5=——,所以半徑。
rqB
方法二:由幾何關(guān)系求。一般由數(shù)學(xué)知識(shí)(勾股定理、三角函數(shù)等)通過(guò)計(jì)算來(lái)確定。
4.時(shí)間確定的兩種方法
n
方法一:由圓心角求,,=一7。
In
方法二:由弧長(zhǎng)求,
V
6.(2023廣東江門(mén)一模)一種粒子探測(cè)器的簡(jiǎn)化模型如圖6所示。圓形區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),
尸。過(guò)圓心,平板MQN為探測(cè)器,整個(gè)裝置放在真空環(huán)境中。所有帶電離子從尸點(diǎn)沿尸。方向射入磁場(chǎng),
忽略離子重力及離子間相互作用力。對(duì)能夠打到探測(cè)器上的離子,下列分析正確的是()
/X.x\
I'?
xx
\、一:,/
MqN
A.打在。點(diǎn)的左側(cè)的離子帶正電
B.打在上離0點(diǎn)越遠(yuǎn)的離子,入射速度一定越大
C.打在MQN上離。點(diǎn)越遠(yuǎn)的離子,比荷一定越大
D.入射速度相同的氫離子和笊離子,打在上的位置更靠近。點(diǎn)是氣離子
7.(多選)(2024中山紀(jì)念中學(xué))如圖所示為一圓形區(qū)域的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在。點(diǎn)處有一放射源,沿半徑方向射出
速度為v的不同帶電粒子,其中帶電粒子1從/點(diǎn)飛出磁場(chǎng),帶電粒子2從3點(diǎn)飛出磁場(chǎng),不考慮帶電
粒子的重力,貝1()
XX
A.帶電粒子1與帶電粒子2在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比為2:3
B.帶電粒子1與帶電粒子2做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑之比為V3:1
C.帶電粒子1的比荷與帶電粒子2的比荷之比為3:1
D.帶電粒子1與帶電粒子2在磁場(chǎng)中周期之比為3:1
8.(2023廣州市高三校聯(lián)考)如圖所示,邊長(zhǎng)為心的正三角形N2C內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感
應(yīng)強(qiáng)度為5。。為8c的中點(diǎn),有一群帶電量為+分質(zhì)量為優(yōu)的粒子從。點(diǎn)以不同速率沿與3C成30。
角的方向射入磁場(chǎng)。不計(jì)粒子重力和粒子間的相互作用,求:
(1)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的最長(zhǎng)時(shí)間t;
(2)從NC邊射出的粒子的速度取值范圍。
9.(2024揭陽(yáng)質(zhì)檢)如圖所示,在平面直角坐標(biāo)系xQy的第四象限有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)
強(qiáng)度大小為2,在y軸上尸點(diǎn)有一粒子源,沿紙面向磁場(chǎng)發(fā)射速率不同的粒子,均沿與y軸負(fù)方向夾角0
=30。的方向,已知粒子質(zhì)量均為"?,電荷量為q(4>0),QP間距離為〃不計(jì)粒子間相互作用及粒子重力).
(1)若某粒子垂直x軸飛出磁場(chǎng),求該粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間.
(2)若某粒子不能進(jìn)入x軸上方,求該粒子速度大小滿足的條件.
°XXXXX"
XXXXX
\xXXXX
10.扭擺器能使粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡發(fā)生扭擺.其簡(jiǎn)化模型如圖所示,I、n兩處的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)邊界
豎直,相距為2,磁場(chǎng)方向相反且垂直紙面.一質(zhì)量為加、電荷量為一外重力不計(jì)的粒子從靠近平行
板電容器MN板處由靜止釋放,極板間電壓為0,粒子經(jīng)電場(chǎng)加速后平行于紙面射入I區(qū),射入時(shí)速度
與水平方向夾角6=30。.
(1)當(dāng)I區(qū)寬度21=2、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小21=當(dāng)時(shí),粒子從I區(qū)右邊界射出時(shí)速度與水平方向夾角也
為30。,求以及粒子在I區(qū)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間訪.
(2)若乙2=£1=工、Bi=Bo,且粒子能返回I區(qū),求為的范圍.
⑶若昌#2,L#L?且粒子能從n區(qū)右邊界射出.若粒子從II區(qū)右邊界射出的方向與從I區(qū)左邊界
射入的方向總相同,求8、B]、八么之間的關(guān)系式.
M
【考向三:帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的動(dòng)態(tài)圓模型】
模型1定圓旋轉(zhuǎn)模型
粒子的入射點(diǎn)位置相同,速度大小一定,半徑一定,速
適用條件
度方向不同
將半徑為「=吧的圓繞入射點(diǎn)進(jìn)行旋轉(zhuǎn),從而找出臨界
qB
條件
旋轉(zhuǎn)圓XXX
應(yīng)用方法xrx
X;X/k
p
旋轉(zhuǎn)圓的圓心在以入射點(diǎn)尸為圓心、半徑r="吧的圓上
qB
模型2動(dòng)態(tài)放縮模型
適用條件粒子的入射點(diǎn)位置相同,速度方向一定,速度大小不同
以入射點(diǎn)P為定點(diǎn),軌跡圓的圓心位于粒子處于入射點(diǎn)時(shí)
所受洛倫茲力所在的射線PP上,將半徑放縮作軌跡圓,從
而找出臨界條件
!xxx!
放縮圓電?
應(yīng)用方法
:X---XX;
模型3定圓平移模型
粒子的入射點(diǎn)位置不同但在同一直線上,速度大小、方
適用條件
向均一定
軌跡圓的半徑相同,將半徑為『=吧的圓沿入射點(diǎn)所在
qB
平移圓的直線進(jìn)行平移,從而找到臨界條件
應(yīng)用方法
軌跡圓的所有圓心在一條直線上
模型4磁聚焦與磁發(fā)散模型
成立條件:帶電粒子平行射入圓形有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),如果軌跡圓半
磁場(chǎng)區(qū)域圓的徑與磁場(chǎng)區(qū)域圓半徑相等,則粒子從磁場(chǎng)邊界上同一
半徑等于軌跡點(diǎn)射出,該點(diǎn)切線與入射速度方向平行
圓的半徑
mv
r=——
qB
磁聚焦與磁聚焦
磁發(fā)散帶電粒子從圓形有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)邊界上同一點(diǎn)射入,如
果軌跡圓半徑與磁場(chǎng)區(qū)域圓半徑相等,則粒子出射方
向與入射點(diǎn)的切線方向平行
&
磁發(fā)散
11.(多選)如圖所示,在直角坐標(biāo)系xQy第一象限內(nèi)存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為8,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁
場(chǎng),在y軸上S處有一粒子源,它可向右側(cè)紙面內(nèi)各個(gè)方向射出速率相等的質(zhì)量均為加、電荷量均為q
的同種帶電粒子,所有粒子射出磁場(chǎng)時(shí)離S最遠(yuǎn)的位置是x軸上的尸點(diǎn)。已知粒子帶負(fù)電,OP=y/3OS
=四,粒子重力及粒子間的相互作用均不計(jì),則()
yxxxx
XXXX
在
s儀、XXX
XXr
Opx
A.粒子的速度大小為迎
m
B.從。點(diǎn)射出的粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為一
qB
C.從無(wú)軸上射出的粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的最長(zhǎng)時(shí)間與最短時(shí)間之比為9:2
d
D.沿平行于x軸正方向射入的粒子離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的位置到。點(diǎn)的距離為-
2
12.(多選)如圖所示,正方形仍cd區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),。點(diǎn)是cd邊的中點(diǎn)。若一個(gè)帶正電
的粒子(重力忽略不計(jì))從O點(diǎn)沿紙面以垂直于cd邊的速度射入正方形內(nèi),經(jīng)過(guò)時(shí)間t0剛好從c點(diǎn)射出
磁場(chǎng)?,F(xiàn)設(shè)法使該帶電粒子從。點(diǎn)沿紙面以與成30。角的方向(如圖中虛線所示),以各種不同的速
率射入正方形內(nèi),那么下列說(shuō)法正確的是()
A.該帶電粒子不可能剛好從正方形的某個(gè)頂點(diǎn)射出磁場(chǎng)
B.若該帶電粒子從ab邊射出磁場(chǎng),它在磁場(chǎng)中經(jīng)歷的時(shí)間可能是擊
3
C.若該帶電粒子從be邊射出磁場(chǎng),它在磁場(chǎng)中經(jīng)歷的時(shí)間可能是-Zo
D.若該帶電粒子從〃邊射出磁場(chǎng),它在磁場(chǎng)中經(jīng)歷的時(shí)間一定是彳。
13.(多選)如圖所示,等腰直角三角形區(qū)域分布有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),腰長(zhǎng)N3=2m,O為BC
的中點(diǎn),磁感應(yīng)強(qiáng)度8=0.25T,一群質(zhì)量"?=lxl0-7kg、電荷量q=-2x10-3C的帶電粒子以速度v=
5x1031nzs垂直于80方向,從80之間射入磁場(chǎng)區(qū)域,帶電粒子不計(jì)重力和它們之間的相互作用力,
則()
A.在AC邊界上有粒子射出的長(zhǎng)度為一1)m
B.C點(diǎn)有粒子射出
C.在N2邊界上有粒子射出的長(zhǎng)度為1m
D.磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長(zhǎng)的粒子從底邊距B點(diǎn)(JI—1)m處入射
14.(多選)利用磁聚焦和磁控束可以改變一束平行帶電粒子的寬度,人們把此原理運(yùn)用到薄膜材料制造上,
使芯片技術(shù)得到飛速發(fā)展。如圖所示,寬度為力的帶正電粒子流水平向右射入半徑為々的圓形勻強(qiáng)磁
場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為瓦,這些帶電粒子都將從磁場(chǎng)圓上O點(diǎn)進(jìn)入正方形區(qū)域,正方形過(guò)。點(diǎn)的
一邊與半徑為外的磁場(chǎng)圓相切。在正方形區(qū)域內(nèi)存在一個(gè)面積最小的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,使匯聚到。點(diǎn)的
粒子經(jīng)過(guò)該磁場(chǎng)區(qū)域后寬度變?yōu)?%,且粒子仍沿水平向右射出,不考慮粒子間的相互作用力及粒子的
重力,下列說(shuō)法正確的是()
A
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