一種具有抑制浪涌電壓的新型EMI濾波

一種具有抑制浪涌電壓的新型EMI濾波眾所周知，高性能、小型化、復(fù)合化已成為當(dāng)今世界高科技產(chǎn)品迅速發(fā)展的必然趨勢(shì)。但高科技產(chǎn)品向高性能、小型化、復(fù)合化發(fā)展即高度集成化發(fā)展的另一個(gè)必然結(jié)果是導(dǎo)致抗電磁干擾能力的普遍下降。

一種具有抑制浪涌電壓的新型EMI濾波器的誕生和發(fā)展，可以大大提高高度集成化器件的抗電磁干擾能力。特別是抑制瞬變的浪涌電壓。

一、

什么是瞬變電壓

噪聲可分為連續(xù)噪聲和瞬變?cè)肼暎瑲w一化后認(rèn)為任何發(fā)生持持續(xù)時(shí)間小于16.6ms的噪聲都被認(rèn)為是瞬變?cè)肼?。連續(xù)噪聲一般是一個(gè)較低電壓的現(xiàn)象，采用適當(dāng)?shù)腅MI濾波器和屏蔽被認(rèn)為是最好的對(duì)策；而瞬變?cè)肼暡煌且环N短暫的過(guò)壓現(xiàn)象、是一種有害的尖峰電壓。正是這種瞬變?cè)肼暿垢叨燃苫腎C處于極度脆弱的境地，IC受到10倍于工作電壓的過(guò)壓沖擊其結(jié)果不是可能被破壞就是失去功能。

人們又將瞬變?cè)肼曋谐掷m(xù)時(shí)間＞8.4ms的瞬變?cè)肼暥x為浪涌電壓。

瞬變?cè)肼曈址譃榭芍貜?fù)瞬變和隨機(jī)瞬變。

1、

可重復(fù)瞬變

在帶電情況下任何電路的突然變化都會(huì)引起瞬變電壓的產(chǎn)生，不妨舉一個(gè)例子說(shuō)明，圖1是一個(gè)電感儲(chǔ)能放電的例子。

當(dāng)電路開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)電感中的電流di/dt會(huì)產(chǎn)生-Ldi/dt電壓，在電感中的儲(chǔ)能為1/2Li2，若電感的固有電容為C，則C的儲(chǔ)能也等于1/2CV2，而且：

1/2Li2=1/2CV2

當(dāng)開(kāi)關(guān)突然關(guān)斷時(shí)，電感洩放出來(lái)的儲(chǔ)能會(huì)產(chǎn)生瞬變電壓，它的峰值可求得為：

試代入某些數(shù)值，若令：I=1A、L=1mH、C=250pF

則可求得：

圖1左上圖曲線的前邊表示開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)波形，最后的尖峰表示開(kāi)關(guān)突然關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的瞬變電壓。

可重復(fù)噪聲的另一類型是電快速瞬變脈沖（EFT），它是由于電路內(nèi)某處連續(xù)打火引起的。由此可見(jiàn)開(kāi)關(guān)操作是產(chǎn)生瞬變電壓的一種原因。

1)可重復(fù)瞬變的波形：大都呈指數(shù)衰減振蕩,在低電壓交流系統(tǒng)它是通用的典型浪涌電壓

2)可重復(fù)瞬變的NEMP波形：NEMP

核電磁脈沖波形為100KHz衰減振蕩,

波形上升到峰值時(shí)間為0.5μs,它的每一個(gè)峰值的幅值是前一個(gè)峰值幅值的60%。

2、

隨機(jī)瞬變

隨機(jī)瞬變是無(wú)法預(yù)計(jì)的，很難給其幅度、持續(xù)時(shí)間、能量下個(gè)定義。例如隨機(jī)瞬變有：

ESD

靜電放電

LEMP

雷電（電磁脈沖）等等

隨機(jī)瞬變的判斷是依據(jù)可獲得的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)的，也不妨舉一個(gè)例子說(shuō)明，圖2是美國(guó)民用電子設(shè)備的雷擊年頻數(shù)統(tǒng)計(jì)曲線，他們分為低暴露、中等暴露、高暴露三條曲線，而暴露類別基本上以地理位置為基礎(chǔ)的。

在此曲線基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)防護(hù)措施時(shí)其加權(quán)系數(shù)是與概率以及出現(xiàn)的后果即重要性有關(guān)。

隨機(jī)瞬變的波形

隨機(jī)瞬變的波形通常假定為單向脈沖

1)靜電放電（ESD）波形

典型的ESD浪涌波形類似圖4，ESD是個(gè)非常快的脈沖，它的上升時(shí)間＜1ns。

2)雷擊浪涌波形

典型的雷擊浪涌波形類似圖5，其電壓浪涌波形采用1.2/50μs,電流浪涌波形采用8/20μs,與ESD比較是非常慢的脈沖。

二、瞬變電壓的危害

上述各類電磁干擾對(duì)電氣、電子設(shè)備（系統(tǒng)），特別是對(duì)含有半導(dǎo)體器件的設(shè)備（系統(tǒng)）產(chǎn)生嚴(yán)重的破壞作用。

半導(dǎo)體器件一般損傷閾值為10-5～10-2

J/cm2，易損器件則降為0.1～1μJ/cm2，若不損壞器件，只引起瞬時(shí)失效或干擾，其損傷閾值還要低2～3個(gè)數(shù)量級(jí)。

1、損壞效應(yīng)歸納起來(lái)主要有：

1)高壓擊穿：當(dāng)器件接收電磁能量后可轉(zhuǎn)化成大電流，在高阻處也可轉(zhuǎn)化為高電壓，結(jié)果可引起接點(diǎn)、部件或回路間的電擊穿，導(dǎo)致器件的損壞或瞬時(shí)失效。例如脈寬0.1ms電流幅值為1A的電流脈沖，可在接點(diǎn)間電容為1pF處的接點(diǎn)產(chǎn)生100kV電壓，該接點(diǎn)被擊穿后還會(huì)產(chǎn)生數(shù)百kHz的衰減正弦振蕩，并輻射出電磁波。

2)器件燒毀或受瞬變干擾：除高壓擊穿外，器件因瞬變電壓造成短路損壞的原因一般都?xì)w結(jié)于功率過(guò)大而燒毀或PN結(jié)的電壓過(guò)高而擊穿，無(wú)論是集成電路（I.C）、存儲(chǔ)器還是晶體管、二極管、可控硅等都是一樣的。大多數(shù)半導(dǎo)體器件的最低損壞的有效功率為1ms、10W或10mJ，一些敏感器件為1ms、1W或1mJ。

3）受浪涌沖擊：對(duì)有金屬屏蔽的電子設(shè)備，殼體外的微波能量不能直接輻射到設(shè)備內(nèi)部，但是在金屬屏蔽殼體上感應(yīng)的脈沖大電流，像浪涌一樣在殼體上流動(dòng)，殼體上的縫隙、孔洞、外露引線一旦將一部分浪涌電流引入殼內(nèi)設(shè)備，就足以使內(nèi)部的敏感器件損壞。

2、損壞或受瞬變干擾的過(guò)程歸納起來(lái)主要有：

1）

所有CMOS器件都用氧化膜絕緣或用它保護(hù)集成電路中的不同元件，但氧化膜的厚度只有幾微米，一旦電壓超過(guò)氧化膜的絕緣強(qiáng)度便會(huì)將它擊穿，造成短路。

2）

當(dāng)電流通過(guò)PNP結(jié)構(gòu)時(shí)，由于電流的不均勻往往會(huì)燒毀鍍敷的金屬導(dǎo)體造成開(kāi)路。

3）出現(xiàn)瞬變電壓的能量尚不足以立即造成損壞，但會(huì)使性能下降，產(chǎn)生影響功能，丟失數(shù)據(jù)，產(chǎn)生誤動(dòng)作，使半導(dǎo)體進(jìn)入不能自動(dòng)復(fù)原的導(dǎo)通狀態(tài)（俗稱死機(jī)）；而切斷電源重新開(kāi)機(jī)后又恢復(fù)正常的現(xiàn)象。

4）器件存在潛伏性的損毀過(guò)程，即器件反復(fù)經(jīng)受瞬變電壓的沖擊，每次都使性能降低一些，積累起來(lái)總有一天會(huì)使產(chǎn)品出現(xiàn)災(zāi)難性的損壞。舉整流二極管為例，在經(jīng)受很高的瞬變電壓之后，二極管的反向漏電流會(huì)增加，每次經(jīng)受沖擊，反向漏電流會(huì)增加一些，表面看來(lái)設(shè)備仍能工作，性能沒(méi)有明顯變化，但發(fā)熱增大，到最后終于有一天會(huì)由于偶然的一個(gè)瞬變電壓導(dǎo)致二極管燒毀。這種潛伏性損毀在半導(dǎo)體中是屢見(jiàn)不鮮的，半導(dǎo)體在制造時(shí)產(chǎn)生的缺陷也會(huì)造成潛伏性損毀。

對(duì)于無(wú)源器件，瞬變電壓也同樣會(huì)造成無(wú)源元件的燒毀或性能降低，如降低耐壓和額定工作電壓以及降低其他電氣性能。

3.瞬變電壓、電流和時(shí)域的特性可歸納為表1：

表1

電磁干擾電壓、電流和時(shí)域的特性

瞬變的來(lái)源電壓電流上升時(shí)間延續(xù)時(shí)間

雷電

a

b500kV/m

6kV/m200kA

3kA＜1.5ms

＜8ms20ms

核爆炸產(chǎn)生

a

的電磁脈沖

b100kV/m

1kV10kA

＞10A10ns

20ns150ns

1ms

靜電放電

a

b40kV

1～5kV80A

＞10a1～5ns

10ns＜100ns

＞100ns

開(kāi)關(guān)動(dòng)作

a

b＜2500V

＜600V200A

＜500A＜10ms

＜50ms＞40ms

＞10ms

注：a是直接造成的最壞瞬變狀態(tài)，b是間接的瞬變狀態(tài)

三、什么是壓敏電阻濾波器—Varistor

Filters

瞬變?cè)肼暡煌谶B續(xù)噪聲它是一種短暫的過(guò)壓現(xiàn)象、因此盡管認(rèn)為采用適當(dāng)?shù)腅MI濾波器和屏蔽是抑制連續(xù)噪聲的最好對(duì)策，但對(duì)瞬變?cè)肼暰臀幢赜行АＵ沁@種瞬變?cè)肼暿垢叨燃苫腎C處于極度脆弱的境地，IC受到10倍于工作電壓的過(guò)壓沖擊其結(jié)果不是可能被破壞就是失去功能。由于瞬變電壓給電子產(chǎn)品造成的危害，用戶期望獲得一種元器件它是一個(gè)具有相同電容值的壓敏電阻，用它去全部或部分替代EMI濾波器的電容元件以增大對(duì)瞬變電壓的保護(hù)能力，使用這種元器件的濾波器就是壓敏電阻濾波器。由于所制造的壓敏電阻的ESL極小，所以壓敏電阻有時(shí)是一個(gè)瞬息抑制二極管（Transient

Voltage

Suppressors—TVS管）或類的壓敏電阻。換句話說(shuō)這里所指的壓敏電阻是一個(gè)多功能元器件、而實(shí)際上壓敏電阻濾波器所顯示的性能和一個(gè)X7R陶瓷電容濾波器是無(wú)法區(qū)別的，所有的頻率阻抗和所有的DC工作電壓都是相同的。

可以這么說(shuō)、多層壓敏芯片反映了目前所有小型電容技術(shù)的發(fā)展成果（包括成本、尺寸、性能、可靠性和使用方便等）。

目前市場(chǎng)可以購(gòu)到的壓敏芯片的規(guī)格范圍從0603～2220、工作電壓從3.3V～120V(約)DC、抑制浪涌電流的等級(jí)至500A、能量等級(jí)至2.5J和電容值低至65pF高至6000pF。

現(xiàn)有的產(chǎn)品品種有，饋通芯片、平衡線芯片、圓盤(pán)形電容器和平面陣列芯片等，這些芯片充分體現(xiàn)了采用尖端技術(shù)的濾波器組合。

四、壓敏電阻濾波器的結(jié)構(gòu)和工作原理

1、壓敏電阻濾波器的結(jié)構(gòu)

壓敏電阻采用陶瓷材料其主要成分是氧化鋅（內(nèi)添加少量氧化物如鉍、鈷、錳等），在制造時(shí)，原先的陶瓷粉末被混合和成形，然后進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度1000～1400℃；當(dāng)燒結(jié)時(shí)金屬氧化添加物會(huì)移動(dòng)到晶格的邊界，在那兒他們形成半導(dǎo)體層即P-N結(jié)。燒結(jié)后的金屬化是為了提供一個(gè)電的連接如果需要可由此引出導(dǎo)線。圖6顯示燒結(jié)中的內(nèi)部多層晶格結(jié)構(gòu)。所以壓敏電阻又稱為Metal

Oxide

Varistor——MOV。

單層壓敏電阻Single

Layer

Varistor(SLV)的結(jié)構(gòu)、見(jiàn)圖7和多層壓敏電阻（MLV）的結(jié)構(gòu)不同，見(jiàn)圖8、圖9、圖10。現(xiàn)今表面貼裝（SM）的多層壓敏電阻占優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樗麄兲貏e適用于抑制EMI的場(chǎng)合，其外形尺寸與貼片電容、電阻的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一致。

2、壓敏電阻濾波器的工作原理

壓敏電阻是一個(gè)可變電阻器，在低于門(mén)限電壓工作時(shí)，壓敏電阻可作為一個(gè)常規(guī)的高阻它遵循歐姆定理；在門(mén)限電壓之上壓敏電阻變?yōu)檫导悼V宄氏值妥榪固匭浴Ｕ飧雒畔薜繆咕褪求槲壞繆埂?

當(dāng)壓敏電阻變?yōu)楦邔?dǎo)電體時(shí)，它的箝位電壓就是允許的最高工作電壓即系統(tǒng)能經(jīng)受的保護(hù)電壓。具有以上特性的壓敏電阻可以應(yīng)用于保護(hù)在瞬時(shí)的或瞬變過(guò)電壓下工作的電路，這時(shí)壓敏電阻一般并聯(lián)安裝在被保護(hù)電路的信號(hào)線和地線之間，如圖11所示。

在低于箝位電壓時(shí)，壓敏電阻的特性類似一個(gè)陶瓷電容器起到電容濾波器的作用。

3、壓敏電阻濾波器的伏安特性

由于壓敏電阻晶體的不定向性所以是個(gè)雙極性器件，具有對(duì)稱陡峭的電壓擊穿特性，所顯示的電特性類似背對(duì)背地齊納二極管，見(jiàn)圖12。

圖13是用對(duì)數(shù)座標(biāo)顯示壓敏電阻的伏安特性，伏安特性分為三個(gè)工作區(qū)，左區(qū)為泄漏電流區(qū)這時(shí)壓敏電阻呈高阻狀態(tài)（斜率）R=109Ω、中區(qū)為壓敏電阻正常工作區(qū)、右區(qū)為向上翻轉(zhuǎn)區(qū)壓敏電阻呈妥枳刺ㄐ甭剩㏑=1～10Ω；圖14也是用對(duì)數(shù)座標(biāo)顯示壓敏電阻的伏安特性，它表示某一型號(hào)壓敏電阻的伏安特性曲線，曲線從左到右的三個(gè)標(biāo)示為最大DC電壓、額定工作電壓和箝位電壓，有了這些數(shù)據(jù)就可以選擇適用的壓敏電阻。

圖15表示壓敏電阻在向上翻轉(zhuǎn)區(qū)的低阻狀態(tài)，它將包含瞬變脈沖在內(nèi)的損耗能量變?yōu)闊崃?，圖中顯示將瞬變脈沖箝位在箝位電壓上的過(guò)程。圖16表示壓敏電阻在泄漏電流區(qū)，某些壓敏電阻的溫度依從關(guān)系即電壓的溫度系數(shù)（％/℃）與電流的關(guān)系曲線；但在正常工作區(qū)不存在這種溫度依從關(guān)系、其中對(duì)于125℃時(shí)的箝位電壓也和25℃時(shí)的一樣。

圖17是關(guān)于箝位電壓測(cè)量波形的描述，工業(yè)推薦箝位電壓的測(cè)量波形是8/20ms其中8ms是峰值電流從10％上升至90％的時(shí)間、20ms是峰值電流從起始衰減至50％的時(shí)間，注意額定工作電壓和箝位電壓存在數(shù)學(xué)關(guān)系一個(gè)參數(shù)的變化將導(dǎo)至另一個(gè)參數(shù)的類似變化。

圖18表示箝位電壓的測(cè)量方法，規(guī)定所有的測(cè)量都在直流1MA、8/20mS脈沖電流的條件下測(cè)量。

4.壓敏電阻濾波器抑制峰值電流、峰值能量的能力

1）峰值電流的性能：所謂最大不重復(fù)浪涌電流（ITM）是指最大峰值電流，它被用于表達(dá)壓敏電阻在8/20mS脈沖電流條件下不會(huì)引起器件損壞的能力。在此情況、器件的損壞往往決定初始額定工作電壓的≥10％波動(dòng)。

通常在較小過(guò)電壓時(shí)（額定工作電壓和箝位電壓也減?。好綦娮璞３止δ堋⒗^續(xù)提供電路的保護(hù)功能；在嚴(yán)重過(guò)電壓時(shí)將造成壓敏電阻災(zāi)難性的損壞、通常損壞的方式是短路但接踵而來(lái)的器件過(guò)熱會(huì)發(fā)生爆炸如同引入高能量一樣、最終壓敏電阻導(dǎo)致開(kāi)路狀態(tài)。

2)

抑制峰值能量的最大能力：所謂最大不重復(fù)浪涌能量（WTM）是指最大峰值能量即壓敏電阻不會(huì)引起器件損壞所具有的吸收脈沖能量的最大能力，規(guī)范中所用的脈沖測(cè)量波形包括10/1000mS、10/700mS脈沖電壓波形和2ms的脈沖電流波形。

壓敏電阻額定能量用J焦耳（瓦－秒）表示，壓敏電阻從一個(gè)脈沖中所吸收的能量可按下式計(jì)算:能量（E）=箝位電壓（VC）×平均電流（IMEAN）×脈沖寬度（τ）

或用積分表示：

式中：

是峰值電流、K是波形常數(shù)

舉例說(shuō)明：已知類似圖17指數(shù)形脈沖電流為8/20mS波形，在箝位電壓1000V時(shí)的峰值電流為100A，求最大峰值能量：查得脈沖上升部分的波形常數(shù)K=0.5；指數(shù)形脈沖下降部分的波形常數(shù)K=1.4。

總能量：

5.承受脈沖次數(shù)的能力

壓敏電阻能夠承受脈沖沖擊的次數(shù)是有限的，當(dāng)然承受脈沖沖擊的次數(shù)是和脈沖的能量密切有關(guān)。多數(shù)單層壓敏電阻（SLV）的制造商往往給出同一型號(hào)壓敏電阻的脈沖沖擊次數(shù)曲線，曲線顯示在同一脈沖寬度條件下，最大浪涌電流越大耐脈沖沖擊的次數(shù)越??；最大浪涌電流越小耐脈沖沖擊的次數(shù)越大。換句話說(shuō)壓敏電阻的脈沖沖擊次數(shù)曲線給用戶提供了預(yù)估壓敏電阻使用壽命（期限）的能力，制造商往往保證用戶在規(guī)定的脈沖沖擊次數(shù)內(nèi)壓敏電阻能經(jīng)受脈沖的沖擊。圖19給出低電壓壓敏電阻的脈沖沖擊次數(shù)曲線。圖20單獨(dú)分離出8/20mS波形的耐脈沖沖擊次數(shù)曲線。

五、壓敏電阻濾波器的應(yīng)用

1、三端貫通壓敏電阻濾波器

從圖21三端貫通壓敏電阻濾波器的等效電路看到，壓敏電阻設(shè)置在三端貫通濾波器的接地端。正常工作時(shí)，在允許有用信號(hào)通過(guò)三端貫通濾波器的同時(shí)，將噪聲旁路到地，這時(shí)壓敏電阻等效一個(gè)X7R電容器；當(dāng)高于壓敏電阻箝位電壓的浪涌電壓到來(lái)時(shí)，壓敏電阻立即呈現(xiàn)低阻抗將浪涌電壓旁路到地。不論那種情況都要求接地支路的等效串聯(lián)電感ESL盡量地小，有效減小ESL的辦法是利用濾波器電極結(jié)構(gòu)的自感特性來(lái)實(shí)現(xiàn)。

在常規(guī)MLV芯片，電流從第一個(gè)電極流入跨過(guò)介質(zhì)經(jīng)第二電極流出，所以兩個(gè)電極電流所產(chǎn)生的磁力線具有相同的方向，見(jiàn)圖22。

但三端貫通濾波器不同所對(duì)應(yīng)電極的電流差900與常規(guī)MLV芯片相比，由于減小了電極之間的互感所以ESL極低，典型三端貫通壓敏電阻濾波器的ESL為200～500pH。見(jiàn)圖23。

2、平衡線壓敏電阻濾波器

平衡線壓敏電阻濾波器又稱X2Y壓敏電阻濾波器，見(jiàn)圖24。

平衡線壓敏電阻濾波器雖然也是三端芯片但其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)（詳見(jiàn)X2Y專題報(bào)告）使差模支路電流的方向差1800、、共模支路電流的方向差900，見(jiàn)圖25。所以差模支路的ESL低于50pH是常規(guī)MLV芯片的4％因此具有超高頻性能。其電極間設(shè)置方式是線間及線地間共設(shè)置了三只壓敏電容器，見(jiàn)圖24。因此能有效地消除共模和差模噪聲，電路中CV1電容是CV2的50％以及CV2等于CV3。CV2和CV3的壓敏電壓是相等的，而CV1的壓敏電壓是CV2和CV3的一倍。

可購(gòu)到的平衡線壓敏電阻濾波器規(guī)格為0805和1206它所具有的電壓和電容值和那些常規(guī)MLV芯片類似。

3、圓盤(pán)形壓敏電阻濾波器

實(shí)踐證明矩形芯片的ESL增大是由于電荷集中現(xiàn)象造成的，在電極邊緣帶有終端和寬度有限的電極會(huì)引起電流密度的極度增大；而圓盤(pán)形元件的

終端和寬度無(wú)限的電極能有效地使電荷集中現(xiàn)象降至最低、同時(shí)具有短路路徑耦合的結(jié)構(gòu)也有利于將ESR和ESL降至最低。

圖表26外形提供的圓盤(pán)形芯片ESL僅為30Ph所以能給予壓敏電阻最快速地啟動(dòng)和提供最佳的濾波器性能。

運(yùn)用中僅有的規(guī)律是濾波器必須是定向的，因此壓敏電阻處在攔截瞬變?cè)肼暊顟B(tài)之前它要回到電容器狀態(tài)；當(dāng)連續(xù)噪聲殘余的濾波是雙極性時(shí)、瞬變?cè)肼暦雷o(hù)濾波器是單極性的。

4、平面陣列壓敏電阻濾波器

平面陣列壓敏電阻濾波器是一個(gè)專為EMI濾波連接器設(shè)計(jì)而應(yīng)用的特殊元器件，它由若干陶瓷部件組合、組合數(shù)為2～200以上，組合數(shù)的密度與接觸針的直徑及針距有關(guān)，最小標(biāo)準(zhǔn)直徑0.3mm、最小標(biāo)準(zhǔn)針距0.63mm,每一陶瓷部件包含一個(gè)多層壓敏電阻/電容器，見(jiàn)圖10。EMI濾波連接器和濾波適配器可以采用C、L、T、或Pi濾波電路。

一個(gè)EMI濾波連接器在使用時(shí)將成為電源和信號(hào)電纜的集群體，所以對(duì)于進(jìn)入設(shè)備的所有連線接點(diǎn)都需要屏蔽,因?yàn)榉烙椛涞挠行мk法是屏蔽、輻射能量是被屏蔽體吸收并損耗為熱；有效克服傳導(dǎo)的是它的EMI濾波器、濾波器能將傳導(dǎo)能量轉(zhuǎn)移到遠(yuǎn)離被保護(hù)設(shè)備的地端，EMI濾波器由電容和電感組成、利用它對(duì)頻率的不同特性阻抗有選擇地減小不需要的信號(hào)，同時(shí)它又是雙向的即在同一時(shí)間EMI濾波器既可防止設(shè)備發(fā)射噪聲、又可防止外來(lái)噪聲進(jìn)入設(shè)備，這就是和通用連接器的根本區(qū)別之處，見(jiàn)圖28。

在使用時(shí)，每一根電纜焊接在濾波器外殼內(nèi)的接點(diǎn)上，每一接點(diǎn)又連接到陣列孔上的熱電極并與孔的周邊連接，地電極覆蓋完整的平板，通過(guò)平板周邊直接與連接器外殼連接，這時(shí)接地的最大地平面電阻為10mΩ、孔間串音電容能限制在10pF或更低，見(jiàn)圖27。

在低壓時(shí)，EMI濾波連接器內(nèi)的多層平面陣列壓敏電阻既可用作防護(hù)元件，也可以代替電容器平板，它的自身電容可作為濾波元件的一部分或作為補(bǔ)充元件?，F(xiàn)在濾波連接器的附加瞬變保護(hù)器件有采用另外兩種TVS技術(shù)的，他們是管狀壓敏電阻和齊納二極管，與安裝在濾波連接器內(nèi)的平面陣列相比這兩種技術(shù)都需要一個(gè)更長(zhǎng)的濾波連接器外殼因而也增加了重量。

以瞬變防護(hù)濾波連接器為基礎(chǔ)的壓敏電阻平面陣列適用于所有MIL-STD連接器的設(shè)計(jì)其中也包括圓形和矩形的設(shè)計(jì)。壓敏電阻平面陣列是現(xiàn)在最完善的無(wú)源元件，它在跨過(guò)不同孔、不同電壓下提供瞬變保護(hù)，以及提供每個(gè)部件的多層電容值和每個(gè)孔的其他備選電氣功能，最后將這些性能綜合成無(wú)源元件。濾波連接器有圓形和矩形，可購(gòu)到的普及的矩形濾波連接器有D-Sub、高密度D-Sub