【半橋電路參數(shù)設(shè)計(jì)計(jì)算案例930字】

半橋電路參數(shù)設(shè)計(jì)計(jì)算案例半橋電路的參數(shù)設(shè)計(jì)主要包括變壓器的設(shè)計(jì)、功率半導(dǎo)體器件的選擇以及輸出濾波器的計(jì)算。本章將對(duì)電路中各個(gè)部分的參數(shù)設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)的分析。1.1半橋變壓器設(shè)計(jì)原邊繞組匝數(shù)為：(3-1)式中E為輸入端電壓最大值的一半，D為開(kāi)關(guān)管的占空比，Ae為磁芯的截面積（cm2），Bm為允許的最大磁感應(yīng)強(qiáng)度（G），Br是剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度（G）。變壓器的磁場(chǎng)強(qiáng)度不能太大，為了不使變壓器發(fā)生飽和，磁場(chǎng)強(qiáng)度H需滿足：(3-2)電路中的原邊線圈磁化電流，lc是鐵芯平均磁路長(zhǎng)度（cm），Lp是原邊線圈勵(lì)磁電感。輸入功率最大值，對(duì)照功率磁芯選擇表，可選擇EE55磁芯。開(kāi)關(guān)周期為了防止開(kāi)關(guān)管直通，將占空比D設(shè)為0.4，則取=為防止變壓器飽和在選擇最大磁通密度時(shí)需要選擇的低一點(diǎn)，這里取=0.3T，EE55磁芯中心柱的面積為340，則變壓器原邊線圈匝數(shù)為：匝，取為13匝則次級(jí)主繞組匝數(shù)=44.1匝，取為44匝1.2MOSFET管的選取MOSFET關(guān)斷時(shí)峰值電壓的計(jì)算

MOSFET關(guān)斷時(shí)峰值電壓由下式?jīng)Q定：（3-3）在式子中，──布線電感引起的尖峰電壓，取=150V；──安全系數(shù)，取1.2；其中V,代入式（3-3），得：628V（3-4）漏極額定電流的計(jì)算考慮到交流輸入電源的波動(dòng)以及整流濾波的效果，直流側(cè)電壓最小值可由下式?jīng)Q定：(3-5)當(dāng)輸入電源降至額定電壓的85%時(shí)，直流側(cè)最小電壓為：(3-6)假設(shè)輸出30V電壓時(shí)電流過(guò)載能力為2.5倍的額定電流，則直流側(cè)的最大平均電流為：7.4A(3-7)則單個(gè)MOSFET的最大平均電流為輸入電流平均值的一半，即1.7A?？紤]到一定的安全裕量，開(kāi)關(guān)管的最大電流取理論計(jì)算值的兩倍。綜合上述計(jì)算，選取MOSFET為SGSP479。1.3輸出濾波電路半橋電路的輸出濾波電感值大小可按公式計(jì)算：（3-8）式中，為輸入電壓的最大值，這里取264V；為變換器額定輸出電壓；==1.72(3-9)為紋波電流，紋波電流的紋波系數(shù)取0.25，為額定電流2.5A。則200uH(3-10)輸出濾波電容將輸出端的低頻紋波抑制在一定的值范圍內(nèi)，電容的容值越大則等效串聯(lián)電阻（ESR）越小，輸出紋波電壓也越小。但電容的選擇也不能只考慮輸出紋波的抑制，由于輸出端電容在反饋補(bǔ)償系統(tǒng)中有零點(diǎn)產(chǎn)生，電容值和ESR對(duì)環(huán)路中的零極點(diǎn)有很大的影響，。最小的輸出電容可通過(guò)以下公式求得：（3-9）式中，──=0.25，為設(shè)計(jì)輸出電流2.5A；──允許輸