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文檔簡(jiǎn)介
1、第三章內(nèi)部存儲(chǔ)器,3.1存儲(chǔ)器概述 3.2SRAM存儲(chǔ)器 3.3 DRAM存儲(chǔ)器 3.4 只讀存儲(chǔ)器和閃速存儲(chǔ)器 3.5并行存儲(chǔ)器 3.6 cache,3.1存儲(chǔ)器概述,注意幾個(gè)概念: 存儲(chǔ)位元、存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)器,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器:用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器 磁表面存儲(chǔ)器:用磁性材料做成的存儲(chǔ)器, 按存儲(chǔ)介質(zhì)分, 按存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)功能分:ROM,RAM 按信息的可保存性分:非永久記憶,永久記憶 按在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分:主存、輔存、高速緩存、控制存儲(chǔ)器,3.1.2 存儲(chǔ)器的分級(jí)結(jié)構(gòu),寄存器 微處理器內(nèi)部的存儲(chǔ)單元 高速緩存(Cache) 完全用硬件實(shí)現(xiàn)主存儲(chǔ)器的速度提高 主存儲(chǔ)器 存放當(dāng)前運(yùn)行程序和數(shù)
2、據(jù),采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成 輔助存儲(chǔ)器 磁盤(pán)或光盤(pán)形式存放可讀可寫(xiě)或只讀內(nèi)容 磁記錄或光記錄方式 以外設(shè)方式連接和訪問(wèn),示意圖,虛擬存儲(chǔ)器,3.1.3 主存儲(chǔ)器的技術(shù)指標(biāo),存儲(chǔ)容量 主存存儲(chǔ)容量:以字節(jié)B(Byte)為基本單位 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片:以位b (Bit)為基本單位 存儲(chǔ)容量以2101024規(guī)律表達(dá)KB,MB,GB和TB 廠商常以1031000規(guī)律表達(dá)KB,MB,GB和TB 存取時(shí)間(訪問(wèn)時(shí)間) 發(fā)出讀/寫(xiě)命令到數(shù)據(jù)傳輸操作完成所經(jīng)歷的時(shí)間 存取周期 兩次存儲(chǔ)器訪問(wèn)所允許的最小時(shí)間間隔 存取周期大于等于存取時(shí)間 存儲(chǔ)器帶寬(數(shù)據(jù)傳輸速率) 單位時(shí)間里存儲(chǔ)器所存取的信息量,CPU對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)
3、行讀/寫(xiě)操作,首先由地址總線給出地址信號(hào),然后要對(duì)存儲(chǔ)器發(fā)出讀操作或?qū)懖僮鞯目刂菩盘?hào),最后在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行信息交流。所以,存儲(chǔ)器與CPU之間,要完成: 地址線的連接; 數(shù)據(jù)線的連接; 控制線的連接。,補(bǔ)充:存儲(chǔ)器與CPU連接,存儲(chǔ)器的技術(shù)指標(biāo): 存儲(chǔ)容量、存取時(shí)間、存儲(chǔ)周期、存儲(chǔ)帶寬 存儲(chǔ)周期存取時(shí)間延遲時(shí)間 小常識(shí): 內(nèi)存:開(kāi)機(jī)delCMOSCasLatency Time(簡(jiǎn)寫(xiě)為,通稱延遲時(shí)間),其后有值2,2.5,3,3.2 隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器,SRAM(靜態(tài)RAM:Static RAM) 以觸發(fā)器為基本存儲(chǔ)單元 不需要額外的刷新電路 速度快,但集成度低,功耗和價(jià)格較高 DRAM(動(dòng)態(tài)RAM:
4、Dynamic RAM) 以單個(gè)MOS管為基本存儲(chǔ)單元 要不斷進(jìn)行刷新(Refresh)操作 集成度高、價(jià)格低、功耗小,但速度較SRAM慢,基本的靜態(tài)存儲(chǔ)元陣列,3.3DRAM存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)位元: SRAM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)位元是一個(gè)觸發(fā)器,它具有兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)。而DRAM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)位元是由一個(gè)MOS晶體管和電容器組成的記憶電路,如圖3.6所示。,DRAM芯片的邏輯結(jié)構(gòu),刷新周期 從上次對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器刷新結(jié)束時(shí)刻,到本次對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器完成全部刷新一遍為止的時(shí)間間隔 一般為2ms,4ms或8ms 刷新方式 集中式 分散式 異步式,刷新方式,存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)充,擴(kuò)充原因: 存儲(chǔ)器芯片的容量是有限的,為了滿足實(shí)
5、際存儲(chǔ)器的容量要求,需要對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行擴(kuò)展。 擴(kuò)展方法 位擴(kuò)展法 字?jǐn)U展法(字存儲(chǔ)容量擴(kuò)展) 字位同時(shí)擴(kuò)展法,例2 利用1M4位的SRAM芯片,設(shè)計(jì)一個(gè)存儲(chǔ)容量為1M8位的SRAM存儲(chǔ)器。 位擴(kuò)展法 例3 用1M8位的DRAM芯片設(shè)計(jì)2M8位的DRAM存儲(chǔ)器 字?jǐn)U展法 公式: 設(shè)計(jì)要求的存儲(chǔ)器容量 d=已知芯片存儲(chǔ)容量,思考題: 試用8K8位的SRAM芯片組成32K32位的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,問(wèn): 1、共需這樣的SRAM芯片幾片? 2、試畫(huà)出其組成框圖。,存儲(chǔ)器模塊條,動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較,存儲(chǔ)原理,集成度,芯片引腳,功耗,價(jià)格,速度,刷新,3.4 只讀存儲(chǔ)器和閃速存儲(chǔ)器,只讀存儲(chǔ)器
6、特點(diǎn): ROM只能讀,不能寫(xiě)。永久性的存儲(chǔ)器。 分類: 掩模ROM和可編程ROM,掩模ROM,利用掩模工藝制作。,可編程ROM,分類 一次性編程ROM 可多次編程ROM(EPROM和E2PROM),EPROM存儲(chǔ)元,E2PROM存儲(chǔ)元,通用編程器,FLASH存儲(chǔ)器,定義: 也叫閃速存儲(chǔ)器,它是一種高密度非易失性的讀、寫(xiě)存儲(chǔ)器。 應(yīng)用: 盤(pán)、掌上電腦、數(shù)字相機(jī) ,FLASH存儲(chǔ)元,3.5 并行存儲(chǔ)器,引入目的:為解決速度差異。 分類: 空間并行:雙端口存儲(chǔ)器 時(shí)間并行:多體交叉存儲(chǔ)器,雙端口存儲(chǔ)器,同一個(gè)存儲(chǔ)器具有兩組相互獨(dú)立的讀寫(xiě)控制線路,提供了兩個(gè)相互獨(dú)立的端口,都可以對(duì)存儲(chǔ)器中任何位置上的
7、數(shù)據(jù)進(jìn)行獨(dú)立的存取操作,沖突:同時(shí)對(duì)同一存儲(chǔ)單元操作。 解決方法:加鎖BUSY 判斷方法: .CE判斷 2.地址有效判斷,多模塊交叉存儲(chǔ)器,模塊:由若干個(gè)存儲(chǔ)器構(gòu)成。 存儲(chǔ)器地址:要識(shí)別模塊和模塊內(nèi)的存儲(chǔ)單元。 分類:順序和交叉,優(yōu)點(diǎn):一個(gè)模塊有故障,其他模塊照常工作,缺點(diǎn):串行工作,帶寬不高,例5 設(shè)存儲(chǔ)器容量為32字,字長(zhǎng)64位,模塊數(shù)m=4,分別用順序方式和交叉方式進(jìn)行組織。存儲(chǔ)周期T=200ns,數(shù)據(jù)總線寬度為64位,總線傳送周期=50ns。若連續(xù)讀出4個(gè)字,問(wèn)順序存儲(chǔ)器和交叉存儲(chǔ)器的帶寬各是多少?,二模塊交叉存儲(chǔ)器舉例,3.6 cache存儲(chǔ)器,主要目的:提高存儲(chǔ)器速度 為追求高速,
8、包括管理在內(nèi)的全部功能由硬件實(shí)現(xiàn)(由SRAM構(gòu)成),cache的基本原理,CPU與cache之間的數(shù)據(jù)交換以字(字節(jié))為單位 Cache與主存間的數(shù)據(jù)傳送以數(shù)據(jù)塊為單位 一個(gè)塊(Block)由若干字組成,高速命中(Hit):微處理器讀取主存的內(nèi)容已包含在Cache中,可以直接讀取Cache,不用訪問(wèn)主存,高速失效(Miss)、缺失、未命中:微處理器讀取主存的內(nèi)容不在Cache中,需要訪問(wèn)主存讀取一個(gè)數(shù)據(jù)塊,Swf3.32,1、Cache以塊為單位進(jìn)行操作 2、當(dāng)CPU發(fā)出訪內(nèi)存操作請(qǐng)求后,首先由Cache控制器判斷當(dāng)前請(qǐng)求的字是否在Cache中,若在,叫命中,否則,不命中 3、 若命中: 若是
9、“讀”請(qǐng)求,則直接對(duì)Cache讀,與主存無(wú)關(guān) 若是“寫(xiě)”請(qǐng)求: Cache單元與主存單元同時(shí)寫(xiě)(全寫(xiě)法) 只更新Cache單元并加標(biāo)記,移出時(shí)修改主存(寫(xiě)回法) 只第一次寫(xiě)時(shí),寫(xiě)入主存,其他次同寫(xiě)回法(寫(xiě)一次法) 4、未命中時(shí): 若是“讀”請(qǐng)求,則從主存讀出所需字送CPU,且把含該字的一塊送Cache,稱“裝入通過(guò)”,若Cache已滿,置換算法; 若是“寫(xiě)”請(qǐng)求,直接寫(xiě)入主存。(是否要寫(xiě)入緩存,又分為WTWAT WTNWA),Cache的命中率,命中率(Hit Rate):高速命中的概率,cache/主存系統(tǒng)的平均訪問(wèn)時(shí)間ta: ta=htc+(1-h)tm tc命中時(shí)的cache訪問(wèn)時(shí)間 t
10、m未命中時(shí)的主存訪問(wèn)時(shí)間,h命中率 Nccache完成存取的總次數(shù) Nm主存完成存取的總次數(shù),設(shè)r=tm/tc表示主存慢于cache的倍率,=,Cache的訪問(wèn)效率e,【例5】CPU執(zhí)行一段程序時(shí),cache完成存取的次數(shù)為1900次,主存完成存取的次數(shù)為100次,已知cache存取周期為50ns,主存存取周期為250ns,求cache/主存系統(tǒng)的效率和平均訪問(wèn)時(shí)間。 【解】 h=Nc/(Nc+Nm)=1900/(1900+100)=0.95 r=tm/tc=250ns/50ns=5 e=1/(r+(1-r)h)=1/(5+(1-5)0.95)=83.3% ta=tc/e=50ns/0.833
11、=60ns 或者,ta=htc+(1-h)tm=60ns,主存與cache的地址映射,Cache通過(guò)地址映射(mapping)的方法確定主存塊與Cache行之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,確定一個(gè)主存塊應(yīng)該存放到哪個(gè)Cache行中 全相聯(lián)映射(fully associative mapping) 可以將一個(gè)主存塊存儲(chǔ)到任意一個(gè)Cache行 直接映射(direct mapping) 將一個(gè)主存塊存儲(chǔ)到唯一的一個(gè)Cache行 組相聯(lián)映射(set associative mapping) 可以將一個(gè)主存塊存儲(chǔ)到唯一的一個(gè)Cache組中任意一個(gè)行,優(yōu)點(diǎn):命中率較高,Cache的存儲(chǔ)空間利用率高 缺點(diǎn):線路復(fù)雜,成本高
12、,速度低,全相聯(lián)映射,優(yōu)點(diǎn):硬件簡(jiǎn)單,容易實(shí)現(xiàn) 缺點(diǎn):命中率低, Cache的存儲(chǔ)空間利用率低,直接映射,組間采用直接映射,組內(nèi)為全相聯(lián) 硬件較簡(jiǎn)單,速度較快,命中率較高,組相聯(lián)映射,Cache的地址映象中,若主存中的任一塊均可映射到Cache內(nèi)的任一塊的位置上,稱作 。 A直接映象; B全相聯(lián)映象; C組相聯(lián)映象。 B,在程序的執(zhí)行過(guò)程中,Cache與主存的地址映射是由_。 A操作系統(tǒng)來(lái)管理的; B程序員調(diào)度的; C由硬件自動(dòng)完成的; D用戶軟件完成。 C,Cache的地址映象中 比較多的采用“按內(nèi)容尋址”的相聯(lián)存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。 A直接映象; B全相聯(lián)映象; C組相聯(lián)映象; D以上都有。 B,
13、如果Cache的容量為128塊,在直接映象下,主存中第i塊映象到緩存第 塊。 i mod 128,替換策略,替換問(wèn)題 新主存塊要進(jìn)入Cache,決定替換哪個(gè)原主存塊 直接映射,只能替換唯一的一個(gè)Cache行 全相聯(lián)和組相聯(lián),需要選擇替換策略(算法) 1. 最不常用(LFU: least-frequently used) 替換使用次數(shù)最少的塊 2. 最近最少使用法(LRU: least-recently used) 本指替換近期最少使用的塊,實(shí)際實(shí)現(xiàn)的是替換最久沒(méi)有被使用的塊 3. 隨機(jī)法(random) 隨意選擇被替換的塊,不依賴以前的使用情況,寫(xiě)入策略,寫(xiě)入Cache有些問(wèn)題: 確認(rèn)命中,才
14、可以對(duì)Cache塊寫(xiě)入 寫(xiě)入后可能導(dǎo)致與主存內(nèi)容不一致 寫(xiě)入策略解決主存內(nèi)容的更新問(wèn)題,保持正確 直寫(xiě)法(write through)全寫(xiě)法 寫(xiě)入Cache的同時(shí)也寫(xiě)入主存(下一級(jí)存儲(chǔ)器) 回寫(xiě)法(write back)寫(xiě)回法 只寫(xiě)入Cache,在被替換時(shí)才寫(xiě)回主存 寫(xiě)一次法(write only one),直寫(xiě)和回寫(xiě)的比較,直(全)寫(xiě)策略 優(yōu)點(diǎn):簡(jiǎn)單可靠 缺點(diǎn):總線操作頻繁、影響工作速度 解決方法:在Cache與主存間設(shè)置一級(jí)/多級(jí)緩沖器,形成實(shí)用的“緩沖直寫(xiě)”方式,提高速度 回寫(xiě)策略 優(yōu)點(diǎn):可以減少寫(xiě)入主存次數(shù)、提高速度 缺點(diǎn):硬件結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜 實(shí)現(xiàn)方法:為了表明Cache是否被修改,需要
15、設(shè)置一個(gè)更新位(update,污染位dirty bit)。替換時(shí)只需將被修改的Cache塊內(nèi)容寫(xiě)入主存,寫(xiě)未命中的處理方法,寫(xiě)訪問(wèn)并不需要Cache塊中所有數(shù)據(jù)。寫(xiě)未命中時(shí),寫(xiě)入的數(shù)據(jù)是否還要將其讀回Cache呢? 寫(xiě)分配法( write allocate,WTWA ) 先把數(shù)據(jù)所在的塊調(diào)入Cache,然后再進(jìn)行寫(xiě)入。類似讀失效的方式,也稱fetch on write 不寫(xiě)分配法( no-write allocate,WTNWA ) 直接把數(shù)據(jù)寫(xiě)入下一級(jí)存儲(chǔ)器,不將相應(yīng)的塊調(diào)入Cache,也稱write around, 本章小結(jié),存儲(chǔ)器兩大功能是存儲(chǔ)(Write)和取出(Read)。對(duì)存儲(chǔ)器的三項(xiàng)基本要求是:大容量、高速度和低成本。 各類存儲(chǔ)器具有不同的特點(diǎn):半導(dǎo)體存儲(chǔ)器速度快、成本較高;磁表面存儲(chǔ)器容量大、成本低但速度慢,無(wú)法與CPU高速處理信息的能力匹配。在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,通常采用多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu),即高速緩沖存儲(chǔ)器Cache、主存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器組成的結(jié)構(gòu)。 提高存儲(chǔ)器速度可以采用許多措施:采用高速器件;采用高速緩沖存儲(chǔ)器Cache;采用并行技術(shù)等。,本章需掌握內(nèi)容,分
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