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文檔簡介
1、第三章內(nèi)部存儲器,3.1存儲器概述 3.2SRAM存儲器 3.3 DRAM存儲器 3.4 只讀存儲器和閃速存儲器 3.5并行存儲器 3.6 cache,3.1存儲器概述,注意幾個概念: 存儲位元、存儲單元、存儲器,半導體存儲器:用半導體器件組成的存儲器 磁表面存儲器:用磁性材料做成的存儲器, 按存儲介質(zhì)分, 按存儲器的讀寫功能分:ROM,RAM 按信息的可保存性分:非永久記憶,永久記憶 按在計算機系統(tǒng)中的作用分:主存、輔存、高速緩存、控制存儲器,3.1.2 存儲器的分級結構,寄存器 微處理器內(nèi)部的存儲單元 高速緩存(Cache) 完全用硬件實現(xiàn)主存儲器的速度提高 主存儲器 存放當前運行程序和數(shù)
2、據(jù),采用半導體存儲器構成 輔助存儲器 磁盤或光盤形式存放可讀可寫或只讀內(nèi)容 磁記錄或光記錄方式 以外設方式連接和訪問,示意圖,虛擬存儲器,3.1.3 主存儲器的技術指標,存儲容量 主存存儲容量:以字節(jié)B(Byte)為基本單位 半導體存儲器芯片:以位b (Bit)為基本單位 存儲容量以2101024規(guī)律表達KB,MB,GB和TB 廠商常以1031000規(guī)律表達KB,MB,GB和TB 存取時間(訪問時間) 發(fā)出讀/寫命令到數(shù)據(jù)傳輸操作完成所經(jīng)歷的時間 存取周期 兩次存儲器訪問所允許的最小時間間隔 存取周期大于等于存取時間 存儲器帶寬(數(shù)據(jù)傳輸速率) 單位時間里存儲器所存取的信息量,CPU對存儲器進
3、行讀/寫操作,首先由地址總線給出地址信號,然后要對存儲器發(fā)出讀操作或寫操作的控制信號,最后在數(shù)據(jù)總線上進行信息交流。所以,存儲器與CPU之間,要完成: 地址線的連接; 數(shù)據(jù)線的連接; 控制線的連接。,補充:存儲器與CPU連接,存儲器的技術指標: 存儲容量、存取時間、存儲周期、存儲帶寬 存儲周期存取時間延遲時間 小常識: 內(nèi)存:開機delCMOSCasLatency Time(簡寫為,通稱延遲時間),其后有值2,2.5,3,3.2 隨機讀寫存儲器,SRAM(靜態(tài)RAM:Static RAM) 以觸發(fā)器為基本存儲單元 不需要額外的刷新電路 速度快,但集成度低,功耗和價格較高 DRAM(動態(tài)RAM:
4、Dynamic RAM) 以單個MOS管為基本存儲單元 要不斷進行刷新(Refresh)操作 集成度高、價格低、功耗小,但速度較SRAM慢,基本的靜態(tài)存儲元陣列,3.3DRAM存儲器,存儲位元: SRAM存儲器的存儲位元是一個觸發(fā)器,它具有兩個穩(wěn)定的狀態(tài)。而DRAM存儲器的存儲位元是由一個MOS晶體管和電容器組成的記憶電路,如圖3.6所示。,DRAM芯片的邏輯結構,刷新周期 從上次對整個存儲器刷新結束時刻,到本次對整個存儲器完成全部刷新一遍為止的時間間隔 一般為2ms,4ms或8ms 刷新方式 集中式 分散式 異步式,刷新方式,存儲器容量的擴充,擴充原因: 存儲器芯片的容量是有限的,為了滿足實
5、際存儲器的容量要求,需要對存儲器進行擴展。 擴展方法 位擴展法 字擴展法(字存儲容量擴展) 字位同時擴展法,例2 利用1M4位的SRAM芯片,設計一個存儲容量為1M8位的SRAM存儲器。 位擴展法 例3 用1M8位的DRAM芯片設計2M8位的DRAM存儲器 字擴展法 公式: 設計要求的存儲器容量 d=已知芯片存儲容量,思考題: 試用8K8位的SRAM芯片組成32K32位的半導體存儲器,問: 1、共需這樣的SRAM芯片幾片? 2、試畫出其組成框圖。,存儲器模塊條,動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較,存儲原理,集成度,芯片引腳,功耗,價格,速度,刷新,3.4 只讀存儲器和閃速存儲器,只讀存儲器
6、特點: ROM只能讀,不能寫。永久性的存儲器。 分類: 掩模ROM和可編程ROM,掩模ROM,利用掩模工藝制作。,可編程ROM,分類 一次性編程ROM 可多次編程ROM(EPROM和E2PROM),EPROM存儲元,E2PROM存儲元,通用編程器,FLASH存儲器,定義: 也叫閃速存儲器,它是一種高密度非易失性的讀、寫存儲器。 應用: 盤、掌上電腦、數(shù)字相機 ,FLASH存儲元,3.5 并行存儲器,引入目的:為解決速度差異。 分類: 空間并行:雙端口存儲器 時間并行:多體交叉存儲器,雙端口存儲器,同一個存儲器具有兩組相互獨立的讀寫控制線路,提供了兩個相互獨立的端口,都可以對存儲器中任何位置上的
7、數(shù)據(jù)進行獨立的存取操作,沖突:同時對同一存儲單元操作。 解決方法:加鎖BUSY 判斷方法: .CE判斷 2.地址有效判斷,多模塊交叉存儲器,模塊:由若干個存儲器構成。 存儲器地址:要識別模塊和模塊內(nèi)的存儲單元。 分類:順序和交叉,優(yōu)點:一個模塊有故障,其他模塊照常工作,缺點:串行工作,帶寬不高,例5 設存儲器容量為32字,字長64位,模塊數(shù)m=4,分別用順序方式和交叉方式進行組織。存儲周期T=200ns,數(shù)據(jù)總線寬度為64位,總線傳送周期=50ns。若連續(xù)讀出4個字,問順序存儲器和交叉存儲器的帶寬各是多少?,二模塊交叉存儲器舉例,3.6 cache存儲器,主要目的:提高存儲器速度 為追求高速,
8、包括管理在內(nèi)的全部功能由硬件實現(xiàn)(由SRAM構成),cache的基本原理,CPU與cache之間的數(shù)據(jù)交換以字(字節(jié))為單位 Cache與主存間的數(shù)據(jù)傳送以數(shù)據(jù)塊為單位 一個塊(Block)由若干字組成,高速命中(Hit):微處理器讀取主存的內(nèi)容已包含在Cache中,可以直接讀取Cache,不用訪問主存,高速失效(Miss)、缺失、未命中:微處理器讀取主存的內(nèi)容不在Cache中,需要訪問主存讀取一個數(shù)據(jù)塊,Swf3.32,1、Cache以塊為單位進行操作 2、當CPU發(fā)出訪內(nèi)存操作請求后,首先由Cache控制器判斷當前請求的字是否在Cache中,若在,叫命中,否則,不命中 3、 若命中: 若是
9、“讀”請求,則直接對Cache讀,與主存無關 若是“寫”請求: Cache單元與主存單元同時寫(全寫法) 只更新Cache單元并加標記,移出時修改主存(寫回法) 只第一次寫時,寫入主存,其他次同寫回法(寫一次法) 4、未命中時: 若是“讀”請求,則從主存讀出所需字送CPU,且把含該字的一塊送Cache,稱“裝入通過”,若Cache已滿,置換算法; 若是“寫”請求,直接寫入主存。(是否要寫入緩存,又分為WTWAT WTNWA),Cache的命中率,命中率(Hit Rate):高速命中的概率,cache/主存系統(tǒng)的平均訪問時間ta: ta=htc+(1-h)tm tc命中時的cache訪問時間 t
10、m未命中時的主存訪問時間,h命中率 Nccache完成存取的總次數(shù) Nm主存完成存取的總次數(shù),設r=tm/tc表示主存慢于cache的倍率,=,Cache的訪問效率e,【例5】CPU執(zhí)行一段程序時,cache完成存取的次數(shù)為1900次,主存完成存取的次數(shù)為100次,已知cache存取周期為50ns,主存存取周期為250ns,求cache/主存系統(tǒng)的效率和平均訪問時間。 【解】 h=Nc/(Nc+Nm)=1900/(1900+100)=0.95 r=tm/tc=250ns/50ns=5 e=1/(r+(1-r)h)=1/(5+(1-5)0.95)=83.3% ta=tc/e=50ns/0.833
11、=60ns 或者,ta=htc+(1-h)tm=60ns,主存與cache的地址映射,Cache通過地址映射(mapping)的方法確定主存塊與Cache行之間的對應關系,確定一個主存塊應該存放到哪個Cache行中 全相聯(lián)映射(fully associative mapping) 可以將一個主存塊存儲到任意一個Cache行 直接映射(direct mapping) 將一個主存塊存儲到唯一的一個Cache行 組相聯(lián)映射(set associative mapping) 可以將一個主存塊存儲到唯一的一個Cache組中任意一個行,優(yōu)點:命中率較高,Cache的存儲空間利用率高 缺點:線路復雜,成本高
12、,速度低,全相聯(lián)映射,優(yōu)點:硬件簡單,容易實現(xiàn) 缺點:命中率低, Cache的存儲空間利用率低,直接映射,組間采用直接映射,組內(nèi)為全相聯(lián) 硬件較簡單,速度較快,命中率較高,組相聯(lián)映射,Cache的地址映象中,若主存中的任一塊均可映射到Cache內(nèi)的任一塊的位置上,稱作 。 A直接映象; B全相聯(lián)映象; C組相聯(lián)映象。 B,在程序的執(zhí)行過程中,Cache與主存的地址映射是由_。 A操作系統(tǒng)來管理的; B程序員調(diào)度的; C由硬件自動完成的; D用戶軟件完成。 C,Cache的地址映象中 比較多的采用“按內(nèi)容尋址”的相聯(lián)存儲器來實現(xiàn)。 A直接映象; B全相聯(lián)映象; C組相聯(lián)映象; D以上都有。 B,
13、如果Cache的容量為128塊,在直接映象下,主存中第i塊映象到緩存第 塊。 i mod 128,替換策略,替換問題 新主存塊要進入Cache,決定替換哪個原主存塊 直接映射,只能替換唯一的一個Cache行 全相聯(lián)和組相聯(lián),需要選擇替換策略(算法) 1. 最不常用(LFU: least-frequently used) 替換使用次數(shù)最少的塊 2. 最近最少使用法(LRU: least-recently used) 本指替換近期最少使用的塊,實際實現(xiàn)的是替換最久沒有被使用的塊 3. 隨機法(random) 隨意選擇被替換的塊,不依賴以前的使用情況,寫入策略,寫入Cache有些問題: 確認命中,才
14、可以對Cache塊寫入 寫入后可能導致與主存內(nèi)容不一致 寫入策略解決主存內(nèi)容的更新問題,保持正確 直寫法(write through)全寫法 寫入Cache的同時也寫入主存(下一級存儲器) 回寫法(write back)寫回法 只寫入Cache,在被替換時才寫回主存 寫一次法(write only one),直寫和回寫的比較,直(全)寫策略 優(yōu)點:簡單可靠 缺點:總線操作頻繁、影響工作速度 解決方法:在Cache與主存間設置一級/多級緩沖器,形成實用的“緩沖直寫”方式,提高速度 回寫策略 優(yōu)點:可以減少寫入主存次數(shù)、提高速度 缺點:硬件結構比較復雜 實現(xiàn)方法:為了表明Cache是否被修改,需要
15、設置一個更新位(update,污染位dirty bit)。替換時只需將被修改的Cache塊內(nèi)容寫入主存,寫未命中的處理方法,寫訪問并不需要Cache塊中所有數(shù)據(jù)。寫未命中時,寫入的數(shù)據(jù)是否還要將其讀回Cache呢? 寫分配法( write allocate,WTWA ) 先把數(shù)據(jù)所在的塊調(diào)入Cache,然后再進行寫入。類似讀失效的方式,也稱fetch on write 不寫分配法( no-write allocate,WTNWA ) 直接把數(shù)據(jù)寫入下一級存儲器,不將相應的塊調(diào)入Cache,也稱write around, 本章小結,存儲器兩大功能是存儲(Write)和取出(Read)。對存儲器的三項基本要求是:大容量、高速度和低成本。 各類存儲器具有不同的特點:半導體存儲器速度快、成本較高;磁表面存儲器容量大、成本低但速度慢,無法與CPU高速處理信息的能力匹配。在計算機系統(tǒng)中,通常采用多級存儲器體系結構,即高速緩沖存儲器Cache、主存儲器和外存儲器組成的結構。 提高存儲器速度可以采用許多措施:采用高速器件;采用高速緩沖存儲器Cache;采用并行技術等。,本章需掌握內(nèi)容,分
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