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1、1.1 PN結(jié) 1.1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 1.1.2 PN結(jié) 1.2 半導(dǎo)體二極管 1.2.1 基本結(jié)構(gòu)、種類與符號 1.2.2 伏安特性 1.2.3 主要參數(shù) 1.2.4 使用注意事項 1.3 二極管應(yīng)用 1.3.1 整流 1.3.2 檢波 1.3.3 鉗位 1.3.4 限幅 1.3.5 元件保護(hù),1.4 特殊二極管 1.4.1 穩(wěn)壓二極管 1.4.2 發(fā)光二極管 1.4.3 光敏二極管 1.4.4 變?nèi)荻O管 1.4.5 隧道二極管 1.4.6 肖特基二極管 1.4.7 片式二極管 1.4.8 快恢復(fù)二極管,第1章 半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用,目錄,本章要點: 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 PN結(jié)單向?qū)щ娦?/p>

2、 半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)、符號、伏安特性及應(yīng)用 特殊二極管,本章難點: 半導(dǎo)體二極管伏安特性 半導(dǎo)體二極管應(yīng)用,第1章 半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用,1.1 PN結(jié),在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。 典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge，它們都是4價元素。,硅原子,鍺原子,硅和鍺最外層軌道上的四個電子稱為價電子。,1.半導(dǎo)體特性 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的，稱之為半導(dǎo)體。 (1)熱敏性：導(dǎo)體的導(dǎo)電能力對溫度反應(yīng)靈敏，受溫度影響大。當(dāng)環(huán)境溫度升高時，其導(dǎo)電能力增強，稱為熱敏性。利用熱敏性可制成熱敏元件。 (2)光敏性：導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨光照的不同而不同。當(dāng)光照增強時，導(dǎo)電能力增強

3、，稱為光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。 (3)摻雜性：導(dǎo)體更為獨特的導(dǎo)電性能體現(xiàn)在其導(dǎo)電能力受雜質(zhì)影響極大，稱為摻雜性。,.半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識,動畫演示,本征半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu),束縛電子,在絕對溫度T=0K時，所有的價電子都緊緊束縛在共價鍵中，不會成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。,2. 本征半導(dǎo)體,本征半導(dǎo)體化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體。 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%，常稱為“九個9”。,這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。,當(dāng)溫度升高或受到光的照射時，束縛電子能量增高，有的電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為自由電子。,自由電子,自由電子

4、產(chǎn)生的同時，在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)了一個空位，稱為空穴。,可見本征激發(fā)同時產(chǎn)生電子空穴對。 外加能量越高（溫度越高），產(chǎn)生的電子空穴對越多。,與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象復(fù)合,在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時進(jìn)行，達(dá)到動態(tài)平衡。電子空穴對的濃度一定。,常溫300K時：,電子空穴對,自由電子 帶負(fù)電荷 逆電場運動 電子流,總電流,空穴 帶正電荷 順電場運動 空穴流,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于外加能量： 溫度變化，導(dǎo)電性變化；光照變化，導(dǎo)電性變化。,導(dǎo)電機制,3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體,在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。,(1) N型半導(dǎo)體,在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，砷等，稱

5、為N型半導(dǎo)體。,N型半導(dǎo)體,多余電子,磷原子,硅原子,多數(shù)載流子自由電子,少數(shù)載流子 空穴,施主離子,自由電子,電子空穴對,在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素，如硼、鎵等。,空穴,硼原子,硅原子,多數(shù)載流子 空穴,少數(shù)載流子自由電子,受主離子,空穴,電子空穴對,(2) P型半導(dǎo)體,雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖,多子電子,少子空穴,多子空穴,少子電子,少子濃度本征激發(fā)產(chǎn)生，與溫度有關(guān),多子濃度摻雜產(chǎn)生與，溫度無關(guān),因多子濃度差,形成內(nèi)電場,多子的擴散,空間電荷區(qū),阻止多子擴散，促使少子漂移。,PN結(jié)合,空間電荷區(qū),多子擴散電流,少子漂移電流,耗盡層,1.2.1 PN結(jié),1 . PN結(jié)的形成,動畫演示,動態(tài)平衡

6、：,擴散電流 漂移電流,總電流0,2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦?(1) 加正向電壓（正偏）電源正極接P區(qū)，負(fù)極接N區(qū),外電場的方向與內(nèi)電場方向相反。 外電場削弱內(nèi)電場,耗盡層變窄,擴散運動漂移運動,多子擴散形成正向電流I F,動畫演示,(2) 加反向電壓電源正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū),外電場的方向與內(nèi)電場方向相同。 外電場加強內(nèi)電場,耗盡層變寬,漂移運動擴散運動,少子漂移形成反向電流I R,在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故IR基本上與外加反壓的大小無關(guān)，所以稱為反向飽和電流。但I(xiàn)R與溫度有關(guān)。,動畫演示,PN結(jié)加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN結(jié)導(dǎo)通； PN結(jié)

7、加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN結(jié)截止。 由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?動畫演示,1.2 半導(dǎo)體二極管,二極管 = PN結(jié) + 管殼 + 引線,1.結(jié)構(gòu),符號,1.2.1 基本結(jié)構(gòu)、種類與符號,2.二極管按結(jié)構(gòu)分三大類：,(1) 點接觸型二極管,PN結(jié)面積小，結(jié)電容小， 用于檢波和變頻等高頻電路。,(3) 平面型二極管,用于集成電路制造工藝中。 PN 結(jié)面積可大可小，用 于高頻整流和開關(guān)電路中。,(2) 面接觸型二極管,PN結(jié)面積大，用 于工頻大電流整流電路。,半導(dǎo)體二極管的型號,國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下：,2AP9,.2.2 VA特性曲線,硅

8、：0.5 V 鍺： 0.1 V,(1) 正向特性,導(dǎo)通壓降,(2) 反向特性,死區(qū) 電壓,實驗曲線,硅：0.7 V 鍺：0.3V,(1)正向特性： 對應(yīng)于圖1-12曲線的第段，為二極管伏特性的正向特性部分。這時加在二極管兩端的電壓不大，從數(shù)值上看，只有零點幾伏，但此時流過二極管的電流卻較大，即此時二極管呈現(xiàn)的正向電阻較小。一般硅管正向?qū)▔航导s為0.60.7V, 鍺管約為0.20.3V。 硅管的死區(qū)電壓約為0.5V，鍺管的死區(qū)電壓約為0.1V。,(2)反向特性： 對應(yīng)于圖1-12曲線的第段，是當(dāng)二極管加反向電壓的情況。當(dāng)外加反向電壓時，由于少數(shù)載流子的漂移，可以形成反向飽和電流，又由于少子的數(shù)

9、目少，因此反向電流很小，用IS表示。,(3) 反向擊穿特性： 對應(yīng)于特性曲線的第段。當(dāng)作用在二極管的反向電壓 高達(dá)某一數(shù)值后，反向電流會劇增，而使二極管失去單向?qū)?電性，這種現(xiàn)象稱為擊穿，所對應(yīng)的電壓稱為擊穿電壓。,二極管的反向擊穿，亦即PN結(jié)的反向擊穿，可分為熱擊穿與電擊穿兩種。,理想二極管的電流與端電壓之間有如下關(guān)系,為溫度電壓當(dāng)量，在室溫T=300K時，,(1-1),動畫演示,1.2.3主要參數(shù),最大整流電流Is：指二極管在長期運行時，允許通過的最大 正向平均電流。 最高反向工作電壓URM：指二極管運行時允許承受的最高反向電壓。 3. 反向電流IR：指二極管在加上反向電壓時的反向電流值。

10、 4. 最高工作頻率fM：此參數(shù)主要由PN 結(jié)的結(jié)電容決定，結(jié)電容越大，二極管允許的最高工作頻率越低。,(2) 應(yīng)根據(jù)需要正確地選擇型號。,1.2.4 使用注意事項,(1) 在電路中應(yīng)按注明的極性進(jìn)行連接。,(3) 引出線的焊接或彎曲處，離管殼距離不得小于10mm。,(4) 應(yīng)避免靠近發(fā)熱元件，并保證散熱良好。,(5) 對整流二極管，建議反向電壓降低20%再使用。,(6) 切勿超過手冊中規(guī)定的最大允許電流和電壓值。,(7) 二極管的替換。硅管與鍺管不能互相代用。,1.3 二極管應(yīng)用,1.3.1 整流,所謂整流，就是將交流電變?yōu)閱畏较蛎}動的直流電。整流電路是二極管的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。利用二極管的

11、單向?qū)щ娦钥山M成單相、三相等各種形式的整流電路，然后再經(jīng)過濾波、穩(wěn)壓，便可獲得平穩(wěn)的直流穩(wěn)壓電源。,1.3.2 檢波,就原理而言，從輸入信號中取出調(diào)制信號是檢波，以整流電流的大小(100mA)作為界限，通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。,動畫演示,1.3.3 鉗位,利用二極管正向?qū)〞r壓降很小的特性可組成鉗位電路如圖所示.若A點VA=0，二極管D可正向?qū)?，其壓降很小，故F點的電位也被鉗制在0V左右，即 VF0。,二極管鉗位電路,1.3.4 限幅,利用二極管正向?qū)ê笃鋬啥穗妷汉苄∏一静蛔兊奶匦?，可以?gòu)成各種限幅電路，使輸出電壓幅度限制在某一電壓值內(nèi)。,限制輸出電壓正半周幅度的限幅電路,

12、限制輸出電壓負(fù)半周幅度的限幅電路,雙向限幅電路,動畫演示,1.3.5 元件保護(hù),在電子線路中，常用二極管來保護(hù)其他元器件免受過高電壓的損害，在如圖所示的電路中，L和R是線圈的電感和電阻。,二極管保護(hù)電路,動畫演示,當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下,工作電流IZ在Izmax和Izmin之間變化時,其兩端電壓近似為常數(shù),穩(wěn)定電壓,穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊二極管,正向同二極管,反偏電壓UZ 反向擊穿, UZ ,1.4.1 穩(wěn)壓二極管,1.4 特殊二極管,穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓過程,穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路,穩(wěn)壓過程,穩(wěn)壓二極管的主要 參數(shù),(1) 穩(wěn)定電壓UZ ,(2) 動態(tài)電阻rZ ,在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工

13、作電流IZ下，所對應(yīng)的反向工作電壓。,rZ =U /I rZ愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。,(3) 最小穩(wěn)定工作 電流IZmin,保證穩(wěn)壓管擊穿所對應(yīng)的電流，若IZIZmin則不能穩(wěn)壓。,(4) 最大穩(wěn)定工作電流IZmax,超過Izmax穩(wěn)壓管會因功耗過大而燒壞。,【例1-1】在圖中，已知穩(wěn)壓二極管的,，已知,，,時,求Uo,穩(wěn)壓二極管的正向?qū)▔航?。當(dāng),穩(wěn)壓電路,解 當(dāng),，,反向擊穿穩(wěn)壓,，,正向?qū)ǎ?；,同理，,1.4.2 發(fā)光二極管,發(fā)光二極管簡稱LED，它是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件。,發(fā)光二極管的符號如圖所示。發(fā)光二極管常用于作為顯示器件，可單個使用，也可作成7段式或矩陣

14、式，工作時加正向電壓，并接入相應(yīng)的限流電阻，工作電流一般為幾毫安到幾十毫安，正向?qū)〞r的管壓降為1.82.2V。,發(fā)光二極管符號,1.4.3 光敏二極管,光敏二極管又稱為光電二極管，它是將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。,其結(jié)構(gòu)與普通二極管相似，只是在管殼上留有一個能使光線照入的窗口。其符號如圖所示。,光敏二極管符號,光敏二極管的特性曲線,1.4.4 變?nèi)荻O管,用于自動頻率控制(AFC)和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。變?nèi)荻O管符號如圖所示。通過施加反向電壓，使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化，因此，常用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。,變?nèi)荻O管符號,1.4.5 隧道二極管,隧道二極

15、管是因為用含有大量雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體制作PN結(jié)時，會產(chǎn)生極薄的耗盡層，若加正向偏壓，則在達(dá)到擴散電位之前，由于隧道效應(yīng)而發(fā)生電流流動。若接近擴散電位，則為通常的二極管特性，所以如圖1-26所示，在正向電壓低的范圍，顯示出負(fù)的電阻。,隧道二極管的電壓電流特性,隧道二極管的優(yōu)點是開關(guān)特性好，速度快、工作頻率高；缺點是熱穩(wěn)定性較差。一般應(yīng)用于某些開關(guān)電路或高頻振蕩等電路中。,1.4.6 肖特基二極管,肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成金屬-半導(dǎo)體結(jié)制作二極管。其金屬材料采用金、鉬、鎳、鈦等材料，其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。,它是高頻和

16、快速開關(guān)的理想器件，其工作頻率可達(dá)100GHz。,常用的肖特基二極管有DB0-004、MBR1545、MBR2535型等。,1.4.7 片式二極管,片式二極管的外型如圖所示，外殼一般為黑色，內(nèi)部為PN結(jié)，根據(jù)外型可分為圓柱形片式二極管圖 (a)和矩形片式二極管圖b所示，它們都沒有引線，其兩個端面就為正、負(fù)極。其中標(biāo)有白色豎條的一端為負(fù)極，另一端則為正極。,片式二極管的外形,1.4.8 快恢復(fù)二極管,1. 快恢復(fù)二極管的特點,快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它不是一個單一的PN結(jié)，而是在P型與N型硅材料中間增加了一個基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅層，這種結(jié)構(gòu)的二極管，由于基區(qū)很薄、反向恢復(fù)電荷很少、故

17、使該種二極管的反向恢復(fù)時間大為減少，其值一般為幾百納米以下。同時使它的正向壓降較低，而使反向峰值電壓得到提高，其值可達(dá)幾千伏。,快恢復(fù)二極管(FRD)的優(yōu)點是反向恢復(fù)時間短、開關(guān)特性好、體積小。廣泛用于脈寬調(diào)制器、不間斷電源、開關(guān)電源、變頻調(diào)速器等電路中，作為高頻大電流整流、續(xù)流二極管應(yīng)用。,快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和外形如圖所示。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為單管和對管兩種，在對管內(nèi)部有兩只快恢復(fù)二極管，由于這兩只管子的接法不同，又可分為共陰對管和共陽對管。,快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和外形,2. 快恢復(fù)二極管的檢測,將萬用表置于R1k擋，測快恢復(fù)二極管的正、反電阻值，正向電阻值一般為幾歐姆，反向電阻值為，如果測得的阻值為或0，則表明被測管損壞。對管的檢測方法與上述方法基本相同，但必須首先確定其共用端是哪個引腳，然后再用上述方法對各個二極管進(jìn)行檢測。,3. 快恢復(fù)二極管的選用與使用,快恢復(fù)二極管廣泛應(yīng)用于不間斷電源、開關(guān)電源、交流電動機的變頻調(diào)速器、脈寬調(diào)制器等電路中，作高頻、高壓、大電流整流、續(xù)流二極管用。具體選用時應(yīng)根據(jù)具