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器件與工藝課程設(shè)計器件與工藝課程設(shè)計 題目:雙極型晶體管設(shè)計專業(yè): 電子科學(xué)與技術(shù) 班級: XX級電子科X班 學(xué)號: XXXXXXXX 姓名: XXXXXX 組員: XXXX XXXX XXXX 指導(dǎo)老師: XXXXXX 目錄課程設(shè)計目標21.1、設(shè)計目標21.2、BJT介紹2課程設(shè)計流程32.1、以Si為介質(zhì)時的晶體管仿真32.2、編寫dessis程序6課程設(shè)計心得9參考文獻9 課程設(shè)計目標 通過本課程(雙極型晶體管 設(shè)計)的學(xué)習(xí)和訓(xùn)練,了解和掌握本專業(yè)基本課程的前提下,在教師的指導(dǎo)下,結(jié)合具體設(shè)計內(nèi)容,掌握課程設(shè)計的完整過程和各個環(huán)節(jié)、基本方法和途徑,能夠根據(jù)相關(guān)資料或在教師輔導(dǎo)的前提下,利用所學(xué)理論完成預(yù)定題目的綜合性設(shè)計。鞏固和系統(tǒng)掌握電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的基本理論知識和各種現(xiàn)代設(shè)計工具, 通過多人共同完成一項設(shè)計任務(wù)使我們認識到與人協(xié)作的重要性及協(xié)作技巧。提高我們理論聯(lián)系實際的能力、增強學(xué)以致用的思維意識,提高專業(yè)素質(zhì)。具體目標:得到雙極晶體管的工作情況1) MDRAW工具設(shè)計一個雙極型晶體管(平面工藝);2) 在MDRAW下對器件必要的位置進行網(wǎng)格加密;3) 編輯*_des.cmd文件,并在終端下運行此程序,其中集電極偏壓從0V掃到90V;4) 應(yīng)用INSPECT工具得出器件基極開路時的Ic-Vc特性曲線。BJT簡介:雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction TransistorBJT)又稱為半導(dǎo)體三極管,它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)合在一起的器件,有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu);外部引出三個極:集電極,發(fā)射極和基極,集電極從集電區(qū)引出,發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出,基極從基區(qū)引出(基區(qū)在中間);BJT有放大作用,重要依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸?shù)竭_集電區(qū)而實現(xiàn)的,為了保證這一傳輸過程,一方面要滿足內(nèi)部條件,即要求發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,同時基區(qū)厚度要很小,另一方面要滿足外部條件,即發(fā)射結(jié)要正向偏置(加正向電壓)、集電結(jié)要反偏置;BJT種類很多,按照頻率分,有高頻管,低頻管,按照功率分,有小、中、大功率管,按照半導(dǎo)體材料分,有硅管和鍺管等;其構(gòu)成的放大電路形式有:共發(fā)射極、共基極和共集電極放大電路。 課程設(shè)計的流程 一、以Si為介質(zhì)時的晶體管仿真1、桌面右鍵選中New Terminal鍵入mdraw進入軟件(1)按照實驗內(nèi)容要求,畫出晶體管模型:將Exact Coordinates選中,點擊左上角ADD Rectangle,在面板上任意畫個矩形,此時彈出一個對話框,如下圖所示:輸入如下數(shù)值:left:-4 right:4 top:-0.7 bottom:1.3 同樣的方法畫出其他矩形。(2)給晶體管加電極選中set/unset contacts按鈕,單擊ADD CONTACT彈出對話框。發(fā)射極:輸入Name:e,點擊OK,用鼠標點擊發(fā)射極的左邊界。集電極:再單擊ADD CONTACT彈出對話框,輸入Name:c,點擊 OK,用鼠標點擊集電極的上邊界。所得圖形如下圖所示:(3)雜質(zhì)摻雜:點擊右下角Doping,再點擊左上角ADD Contact P,在晶體管 區(qū)域畫一個矩形,此時彈出一個對話框,如下圖所示:輸入如下數(shù)據(jù): profile name:ee concentration=6.8e+18,species:P X0:0.5 Y0:-0.7 X1:0.5 Y1:-0.35點擊OK,此時已將發(fā)射區(qū)摻雜完畢,接下來重復(fù)上面步驟實現(xiàn)基區(qū)與集電區(qū)摻雜:基區(qū)輸入 profile name:bb concentration=6.8e+16,species:B X0:1.5 Y0:-0.7 X1:-1.5 Y1:0集電區(qū)輸入 profile name:cc concentration=6.8e+15,species:P X0:-3 Y0:-0.7 X1:3 Y1:0.7(4)構(gòu)建網(wǎng)格:點擊ADD Refinement,點擊Exact Coordinates,在晶體管區(qū)域畫一個矩形,此時彈出如下對話框:輸入如下數(shù)據(jù): X0:-4 Y0:-0.7 X1:4 Y1:1.3Max ElementWidth: 0.1 Max Element Height: 0.1Min Element Width:0.01 Min Element Height:0.01點擊ADD ,選中第一項添加后,點擊OK.最后點擊菜單欄MeshBuild Mesh,構(gòu)建網(wǎng)格保存文件:點擊FileSave All ,保存成文件名npn。二、編寫程序桌面右鍵點擊New terminal鍵入gedit npn_des.cmdnpn_des.cmd的dessis程序如下Electrode Name=“e” Voltage=0.0 Name=“c” Voltage=0.0 File * Input Files Grid =“npn_mdr.grd” Doping =“npn_mdr.dat” * Output Files Plot = “npn_des.dat” Current = “npn_des.plt” Output = “ npn_des.log” Plot *Fields, Charges, etc Potential ElectricField SpaceCharge eMobility hMobility eVelocity hVelocity *Doping profiles DonorConcentration AcceptorConcentration DopingConcentration *Band Structure/Composition ConductionBand ValenceBand BandGap Affinity AvalancheGeneration eAvalancheGeneration hAvalancheGeneration xMoleFraction *Density, Current eDensity hDensity eCurrent hCurrent TotalCurrent *Recombination/Generation rates SRH Auger TotalRecombination *Driving Forces eQuasiFermi hQuasiFermi eGradQuasiFermi hGradQuasiFermi eEparallel hEparallelMath Extrapolate NotDamped=100 Iterations=20 RelerrControl AvalDerivatives Physics Mobility ( DopingDependence HighFieldSaturation ) Recombination ( Auger SRH(DopingDep) ) Solve * Initial Guess Coupled (Iterations=100) Poisson Coupled Poisson Electron Hole *ICVc Simulation *Initial base ramp Quasistationary ( MaxStep=0.5 Goal Name=c Voltage=90) Coupled Poisson Electron 保存文件后運行文件,在New Terminal下輸入dessis npn_des.cmd,運行文件。軟件運行結(jié)束后,再在New Terminal下輸入inspect&,運行軟件。以集電極電壓為橫坐標,集電極電流為縱坐標,就可以得到結(jié)果如下圖所示:通過截圖很容易發(fā)現(xiàn)BJT在集電極電壓為67.4V時被擊穿,電流迅速增加,本課程設(shè)計所設(shè)計的雙極型晶體管為67.4V, 課程設(shè)計心得 通過這次課程設(shè)計了解了更多的關(guān)于器件的知識,尤其是器件設(shè)計軟件的使用,使我對Red Hat Linux下的mdraw和inspect登相關(guān)軟件的使用有了更深入的了解。對命令行的使用也更加熟悉,在設(shè)計軟件方面,從剛開始對這些軟件的陌生,到后來慢慢熟練,有了很大的進步,小組的合作效果也有了明顯的提高,在設(shè)計器件的過程中不僅對本課程設(shè)計的知識有了更深刻的認識,對半導(dǎo)體集成電路的設(shè)計制造和版圖的相關(guān)知識也有了進一步的認識,經(jīng)歷了幾個星期的學(xué)習(xí)和練習(xí),我們大家相互配合,有了問題大家一起探討,不會的地方及時向老師請教,

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