硬盤(pán)基礎(chǔ)知識(shí).ppt.ppt

硬盤(pán)基礎(chǔ)知識(shí) 什么是硬盤(pán) 硬盤(pán) HardDisk 也稱硬盤(pán)存儲(chǔ)器 是各種數(shù)據(jù)的主要存放場(chǎng)所之一 平常所用的操作系統(tǒng) 如Windows98等 各種應(yīng)用軟件 資料和游戲都存放在硬盤(pán)中 是計(jì)算機(jī)的重要部件之一 硬盤(pán)的工作原理 硬盤(pán)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)是根據(jù)電 磁轉(zhuǎn)換的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)的 硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器加電后 磁盤(pán)片由主軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn) 設(shè)置在盤(pán)片表面的磁頭則在電路控制下徑向移動(dòng)到指定位置然后將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)或讀出來(lái) 當(dāng)系統(tǒng)向硬盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí) 磁頭中寫(xiě)數(shù)據(jù)電流產(chǎn)生磁場(chǎng)使盤(pán)片表面磁性物質(zhì)狀態(tài)發(fā)生改變 并在寫(xiě)電流磁場(chǎng)消失后仍能保持 當(dāng)系統(tǒng)從硬盤(pán)中讀取數(shù)據(jù)時(shí) 磁頭經(jīng)過(guò)盤(pán)片指定區(qū)域 盤(pán)片表面磁場(chǎng)使磁頭產(chǎn)生感應(yīng)電流或線圈阻抗產(chǎn)生變化 經(jīng)過(guò)相關(guān)電路處理后還原成數(shù)據(jù) 硬盤(pán)的發(fā)展歷史 1956年 美國(guó)IBM公司制造出世界上第一塊容量為5MB的硬盤(pán) 1968年 IBM公司又提出了溫徹斯特 Winchester 技術(shù) 溫徹斯特技術(shù)的精髓是 密封 固定并高速旋轉(zhuǎn)的鍍磁盤(pán)片 磁頭沿盤(pán)片徑向移動(dòng) 并且是懸浮在高速轉(zhuǎn)動(dòng)的盤(pán)片上方 而不與盤(pán)片直接接觸 這也是現(xiàn)代絕大多數(shù)硬盤(pán)的原型 1973年 IBM公司制造出了第一臺(tái)采用溫徹斯特技術(shù)的硬盤(pán) 從此硬盤(pán)技術(shù)的發(fā)展有了正確的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) 現(xiàn)在使用的硬盤(pán)大多是此技術(shù)的延伸 硬盤(pán)的結(jié)構(gòu) 硬盤(pán)尺寸主要有5 25英寸和3 5英寸兩種 現(xiàn)在市場(chǎng)上普遍使用的是3 5英寸硬盤(pán) 用于筆記本電腦中的有2 5英寸 1 8英寸和0 9英寸等幾種 硬盤(pán)主要由 盤(pán)片 磁頭 盤(pán)片轉(zhuǎn)軸及控制電機(jī) 磁頭控制器 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 接口 緩存等幾個(gè)部分組成 硬盤(pán)的主要部件 硬盤(pán)的外部結(jié)構(gòu) 在硬盤(pán)的正面都貼有硬盤(pán)的標(biāo)簽 標(biāo)簽上一般都標(biāo)注著與硬盤(pán)相關(guān)的信息 例如產(chǎn)品型號(hào) 產(chǎn)地 出廠日期 產(chǎn)品序列號(hào)等 在硬盤(pán)的一端有電源接口插座 主從設(shè)置跳線器和數(shù)據(jù)線接口插座 而硬盤(pán)的背面則是控制電路板 總得來(lái)說(shuō) 硬盤(pán)外部結(jié)構(gòu)可以分成如下幾個(gè)部份 硬盤(pán)正面 硬盤(pán)背面 接口 包括電源插口和數(shù)據(jù)接口兩部分 其中電源插口與主機(jī)電源相聯(lián) 為硬盤(pán)工作提供電力保證 數(shù)據(jù)接口則是硬盤(pán)數(shù)據(jù)和主板控制器之間進(jìn)行傳輸交換的紐帶 根據(jù)聯(lián)接方式的差異 分為EIDE接口和SCSI接口等 固定面板 就是硬盤(pán)正面的面板 它與底板結(jié)合成一個(gè)密封的整體 保證了硬盤(pán)盤(pán)片和機(jī)構(gòu)的穩(wěn)定運(yùn)行 在面板上最顯眼的莫過(guò)于產(chǎn)品標(biāo)簽 上面印著產(chǎn)品型號(hào) 產(chǎn)品序列號(hào) 產(chǎn)品 生產(chǎn)日期等信息 固定面板和盤(pán)體側(cè)面還設(shè)有安裝孔 以方便安裝 除此 還有一個(gè)透氣孔 它的作用就是使硬盤(pán)內(nèi)部氣壓與大氣氣壓保持一致 固定面板 控制電路板 一般在硬盤(pán)的背面 大多采用貼片式元件焊接 包括主軸調(diào)速電路 磁頭驅(qū)動(dòng)與伺服定位電路 讀寫(xiě)電路 控制與接口電路等 在電路板上還有一塊高效的單片機(jī)ROM芯片 其固化的軟件可以進(jìn)行硬盤(pán)的初始化 執(zhí)行加電和啟動(dòng)主軸電機(jī) 加電初始尋道 定位以及故障檢測(cè)等 在電路板上還安裝有容量不等的高速緩存芯片 控制電路板 硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 硬盤(pán)內(nèi)部結(jié)構(gòu)由固定面板 控制電路板 磁頭 盤(pán)片 主軸 電機(jī) 接口及其它附件組成 其中磁頭盤(pán)片組件 HardDiskAssembly HDA 是構(gòu)成硬盤(pán)的核心 它封裝在硬盤(pán)的凈化腔體內(nèi) 包括有浮動(dòng)磁頭組件 磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) 盤(pán)片 主軸驅(qū)動(dòng)裝置及前置讀寫(xiě)控制電路這幾個(gè)部份 硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 將硬盤(pán)面板揭開(kāi)后 內(nèi)部結(jié)構(gòu)即可一目了然 硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 細(xì)看硬盤(pán)內(nèi)部結(jié)構(gòu) 硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 細(xì)看硬盤(pán)內(nèi)部結(jié)構(gòu) 浮動(dòng)磁頭組件 是硬盤(pán)中最精密的部位之一 它由讀寫(xiě)磁頭 傳動(dòng)手臂 傳動(dòng)軸三部份組成 磁頭是硬盤(pán)技術(shù)中最重要和關(guān)鍵的一環(huán) 實(shí)際上是集成工藝制成的多個(gè)磁頭的組合 它采用了非接觸式頭 盤(pán)結(jié)構(gòu) 加后電在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)表面移動(dòng) 與盤(pán)片之間的間隙只有0 1 0 3 m 這樣可以獲得很好的數(shù)據(jù)傳輸率 現(xiàn)在轉(zhuǎn)速為7200RPM的硬盤(pán)間隙一般都低于0 3 m 以利于讀取較大的高信噪比信號(hào) 提供數(shù)據(jù)傳輸率的可靠性 分類 浮動(dòng)磁頭組件 磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) 盤(pán)硬的尋道是靠移動(dòng)磁頭 而移動(dòng)磁頭則需要該機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)才能實(shí)現(xiàn) 磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由電磁線圈電機(jī) 磁頭驅(qū)動(dòng)小車 防震動(dòng)裝置構(gòu)成 高精度的輕型磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠?qū)Υ蓬^進(jìn)行正確的驅(qū)動(dòng)和定位 并能在很短的時(shí)間內(nèi)精確定位系統(tǒng)指令指定的磁道 磁盤(pán)片 盤(pán)片是硬盤(pán)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的載體 現(xiàn)在硬盤(pán)的盤(pán)片大多采用金屬薄膜材料 這種金屬薄膜較軟盤(pán)的不連續(xù)顆粒載體具有更高的存儲(chǔ)密度 高剩磁及高矯正等優(yōu)點(diǎn) 另外 IBM還有一種被稱為 玻璃盤(pán)片 的材料作為盤(pán)片基質(zhì) 玻璃盤(pán)片比普通盤(pán)片在運(yùn)行時(shí)具有更好的穩(wěn)定性 硬盤(pán)的盤(pán)片是完全平整的 簡(jiǎn)直可以當(dāng)鏡子使用 磁盤(pán)片 磁盤(pán)片 磁盤(pán)片表面上以磁盤(pán)片中心為圓心 不同半徑的同心圓稱為磁道 不同磁盤(pán)片相同半徑的磁道所組成的圓柱稱為柱面 磁盤(pán)片被分成許多扇形的區(qū)域 每個(gè)區(qū)域叫一個(gè)扇區(qū) 磁盤(pán)片 磁盤(pán)片 磁盤(pán)片的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)按照磁道從低到高可以分為5部分 磁盤(pán)片 MBR MasterBootRecord 主引導(dǎo)記錄 位于硬盤(pán)的0柱面 0磁頭 1扇區(qū)的位置 被稱之為零磁道位置 它由分區(qū)命令Fdisk產(chǎn)生的 MBR結(jié)束標(biāo)志為55AA 磁盤(pán)片 DBR DOSBootRecord Dos引導(dǎo)記錄 該層位于硬盤(pán)的0柱面 1磁頭 1扇區(qū)的位置 它是由格式化命令Format產(chǎn)生的 DBR結(jié)束標(biāo)志也是55AA 磁盤(pán)片 FAT FileAllocationTable 文件分配表 位于硬盤(pán)的0柱面 1磁頭 2扇區(qū)的位置 FAT表面大小由硬盤(pán)的容量來(lái)決定 磁盤(pán)片 DIR Directory 文件目錄 當(dāng)在DOS模式下輸入DIR后 屏幕上顯示的內(nèi)容就是該區(qū)的內(nèi)容 磁盤(pán)片 DATA 數(shù)據(jù)層 主要負(fù)責(zé)硬盤(pán)中數(shù)據(jù)的存放 當(dāng)數(shù)據(jù)復(fù)制到硬盤(pán)時(shí) 數(shù)據(jù)就存儲(chǔ)在這個(gè)區(qū)中 硬盤(pán)容量 柱面數(shù) 扇區(qū)數(shù) 磁頭數(shù) 字節(jié)數(shù) 扇區(qū) 主軸組件 主軸組件包括主軸部件如軸承和驅(qū)動(dòng)電機(jī) 馬達(dá) 等 隨著硬盤(pán)容量的擴(kuò)大和速度的提高 主軸電機(jī)的速度也在不斷提升 有廠商開(kāi)始采用精密機(jī)械工業(yè)的液態(tài)軸承電機(jī)技術(shù) FDB FluidDynamicBearingmotors 采用FDB電機(jī)不僅可以使硬盤(pán)的工作噪音降低許多 而且還可以增加硬盤(pán)的工作穩(wěn)定性 主軸組件 前置控制電路 前置電路控制磁頭感應(yīng)的信號(hào) 主軸電機(jī)調(diào)速 磁頭驅(qū)動(dòng)和伺服定位等 由于磁頭讀取的信號(hào)微弱 將放大電路密封在腔體內(nèi)可減少外來(lái)信號(hào)的干擾 提高操作指令的準(zhǔn)確性 硬盤(pán)接口類型 IDE有兩種傳輸方式 PIO DMASCSI兩者比較 硬盤(pán)的性能指標(biāo) 硬盤(pán)也是計(jì)算機(jī)的重要部件 同樣對(duì)計(jì)算機(jī)的整體性能起著決定性的作用 我們就介紹一下硬盤(pán)主要的性能指標(biāo) 主軸轉(zhuǎn)速 硬盤(pán)的主軸轉(zhuǎn)速是決定硬盤(pán)內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率的決定因素之一 它在很大程度上決定了硬盤(pán)的速度 同時(shí)也是區(qū)別硬盤(pán)檔次的重要標(biāo)志 從目前的情況來(lái)看 7200RPM的硬盤(pán)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)已經(jīng)逐步取代了5400RPM硬盤(pán)的地位 成為了主流 而更高轉(zhuǎn)速的硬盤(pán) 如SCSI硬盤(pán)的主軸轉(zhuǎn)速已經(jīng)達(dá)到10000RPM甚至15000RPM 但由于價(jià)格原因讓普通用戶難以接受 主軸轉(zhuǎn)速 隨著硬盤(pán)轉(zhuǎn)速的提升 會(huì)使硬盤(pán)的發(fā)熱量不斷升高 若硬盤(pán)散發(fā)的熱量不能及時(shí)地傳導(dǎo)出去 硬盤(pán)就會(huì)升溫 為此 可以在硬盤(pán)上安裝一個(gè)硬盤(pán)散熱風(fēng)扇 增強(qiáng)散熱效果 單碟容量 因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)硬盤(pán)的碟片數(shù)是有限的 靠增加碟片來(lái)擴(kuò)充容量滿足不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)容量的需求是不可行的 只有提高每張碟片的容量才能從根本上解決這個(gè)問(wèn)題 單碟容量的一個(gè)重要意義在于提升硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度 硬盤(pán)單碟容量的提高得益于數(shù)據(jù)記錄密度的提高 而記錄密度同數(shù)據(jù)傳輸率是成正比的 單碟容量越高 它的數(shù)據(jù)傳輸率也將會(huì)越高 高速緩存 指在硬盤(pán)內(nèi)部的高速存儲(chǔ)器 硬盤(pán)的數(shù)據(jù)被磁頭讀取后先存到硬盤(pán)上的緩存芯片中 再由接口傳送給系統(tǒng) 緩存的容量和速度都對(duì)硬盤(pán)速都有直接影響 目前硬盤(pán)的高速緩存一般為512KB 2MB 最近出現(xiàn)的8MB緩存硬盤(pán) 最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率 也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率 SustainedTransferRate 單位為Mb s 它是指磁頭至硬盤(pán)緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率 一般取決于硬盤(pán)的盤(pán)片轉(zhuǎn)速和盤(pán)片線密度 指同一磁道上的數(shù)據(jù)容量 注意 在這項(xiàng)指標(biāo)中常常使用Mb s或Mbps為單位 這是兆位 秒的意思 如果需要轉(zhuǎn)換成MB s 兆字節(jié) 秒 就必須將Mbps數(shù)據(jù)除以8 一字節(jié)8位數(shù) 外部數(shù)據(jù)傳輸率 也稱為突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率 BurstDataTransferRate 它是指從硬盤(pán)緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率 單位為MB s 目前有UltraDMA 33 UltraDMA 66和UltraDMA 100三種 現(xiàn)在主流的硬盤(pán)已經(jīng)全部采用UltraDMA 100技術(shù) 外部數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)100MB s 尋道時(shí)間 是指硬盤(pán)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在磁道而所用的時(shí)間 單位為毫秒 ms 尋道時(shí)間又分為平均尋道時(shí)間和道間步進(jìn)時(shí)間 平均尋道時(shí)間則為磁頭移動(dòng)到正中間的磁道需要的時(shí)間 單位為毫秒 ms 道間步進(jìn)時(shí)間表示磁頭從一個(gè)磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道的時(shí)間 單位為毫秒 ms 潛伏期 表示當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在的磁道后 等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng) 半圈或多些 少些 到磁頭下的時(shí)間 其單位為毫秒 ms 平均潛伏期就是盤(pán)片轉(zhuǎn)半圈的時(shí)間 全程訪問(wèn)時(shí)間 平均訪問(wèn)時(shí)間 指磁頭開(kāi)始移動(dòng)直到最后找到所需要的數(shù)據(jù)塊所用的全部時(shí)間 單位為毫秒 ms 平均訪問(wèn)時(shí)間指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時(shí)間 單位為毫秒 ms 通常是平均尋道時(shí)間和平均潛伏時(shí)間之和 連續(xù)無(wú)故障時(shí)間 MTBF 是指硬盤(pán)從開(kāi)始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長(zhǎng)時(shí)間 單位是小時(shí) 一般硬盤(pán)的MTBF至少在30 000小時(shí)以上 新型磁頭技術(shù) MR Magneto一ResistiveHead 磁阻磁頭 技術(shù)可以更高的實(shí)際記錄密度 記錄數(shù)據(jù) 從而增加硬盤(pán)容量 提高數(shù)據(jù)吞吐率 GMR GiantMagnetoResistive 巨型磁阻磁頭 是利用特殊材料的電阻值隨磁場(chǎng)變化的原理來(lái)讀取盤(pán)片上的數(shù)據(jù) 使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu) 從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度 S M A R T技術(shù) S M A R T Self Monitoring Analysis ReportingTechnology 自動(dòng)監(jiān)測(cè) 分析和報(bào)告 技術(shù)可有效保護(hù)硬盤(pán) 使得硬盤(pán)可以監(jiān)測(cè)和分析自己的工作狀態(tài)和性能 并將其顯示出來(lái) SPS防震技術(shù) SPS ShockProtectionSystem 震動(dòng)保護(hù)系統(tǒng) 是由昆騰公司開(kāi)發(fā) 使硬盤(pán)在受到撞擊時(shí) 保持磁頭不受震動(dòng) 磁頭和磁頭臂停泊在盤(pán)片上 沖擊能量被硬盤(pán)其他部分吸收 這樣能有效地提高硬盤(pán)的抗震性能 使硬盤(pán)在運(yùn)輸 使用及安裝的過(guò)程中最大限度地免受震動(dòng)的損壞 硬盤(pán)的工作模式 硬盤(pán)的工作模式主要有三種 分別是 NORMALLBALARGE NORMAL模式 NORMAL 普通模式 是最早的IDE方式 在硬盤(pán)訪問(wèn)時(shí) BIOS和IDE控制器對(duì)參數(shù)不做任何轉(zhuǎn)換 該模式支持的最大硬盤(pán)的容量為528MB 也就是說(shuō) 在此模式下 硬盤(pán)的實(shí)際物理容量再大 也只能用到其中的528M LBA模式 LBA LogicalBlockAddressing 邏輯塊尋址模式 是一種克服528MB限制的新型硬盤(pán)存取方法 在LBA模式下 設(shè)置的柱面 磁頭 扇區(qū)等參數(shù)并不是實(shí)際硬盤(pán)的物理參數(shù) 在訪問(wèn)硬盤(pán)時(shí) 由IDE控制器把由柱面 磁頭 扇區(qū)等參數(shù)確定的邏輯地址轉(zhuǎn)換為實(shí)際硬盤(pán)的物理地址 在LBA模式下 管理的硬盤(pán)空間可達(dá)8 4GB 不過(guò)現(xiàn)在新主板可以使LBA能支持100GB以上的硬盤(pán) LARGE模式 LARGE 大規(guī)模管理模式 在硬盤(pán)的柱面超過(guò)1024而又不為L(zhǎng)BA支持時(shí)采用 LARGE模式采用的方法是把柱面數(shù)除以2 把磁頭數(shù)乘以2 使得某些硬盤(pán)的柱面低于1024 但其結(jié)果總?cè)萘坎蛔?在LARGE模式中 可支持的最大容量為1GB ATA 100 ATA 100是美國(guó)昆騰 Quantum 公司聯(lián)合幾大廠商在原有的ATA 66基礎(chǔ)上推出的新一代接口類型 它是昆騰公司在硬盤(pán)接口開(kāi)發(fā)方面已經(jīng)申請(qǐng)專利的第三代技術(shù) 這個(gè)接口已經(jīng)得到了英特爾公司和其他一些第一流的芯片制造商的支持 目前也已被正式確立為硬盤(pán)的下一代接口類型 其最大的特點(diǎn)及好處就是將硬盤(pán)的最大外部數(shù)據(jù)傳輸率提高到了100MB s ATA 100硬盤(pán)也是采用40針的接口 并且向下兼容 ATA 100還支持CRC錯(cuò)誤檢測(cè)修正技術(shù) 這可使用戶在享受高速度的同時(shí)保障用戶數(shù)據(jù)的安全性及完整性 ATA 100 DMA100 標(biāo)準(zhǔn)于2000年6月2日在美國(guó)正式確立 ATA 133 ATA 133是完全延續(xù)原來(lái)并行ATA的技術(shù)特征 從根本上講 它與現(xiàn)在廣泛采用的ATA 100沒(méi)有任何區(qū)別 只是將硬盤(pán)接口帶寬拓寬到了133MB s 更大的帶寬意味著系統(tǒng)能支持更高的傳輸率 ATA 133的接口電纜與ATA 100完全一樣 都是40針80芯的硬盤(pán)線 它們都支持CRC冗余循環(huán)校正 都支持S M A R T等 由于此種硬盤(pán)接口是由邁拓公司獨(dú)立設(shè)立 所以邁拓所謂的FastDrive其實(shí)也就是ATA 133的技術(shù)核心 其它類型硬盤(pán) 移動(dòng)硬盤(pán) 閃存 易盤(pán)Easydisk 優(yōu)盤(pán)Onlydisk 移動(dòng)硬盤(pán) 移動(dòng)硬盤(pán)是重要的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備 它具有大容量 插拔簡(jiǎn)便 安全性可靠性強(qiáng) 讀寫(xiě)速度較其他移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備快的特點(diǎn) 隨著各種產(chǎn)品的逐漸上市 價(jià)格也逐漸走低 移動(dòng)硬盤(pán)越來(lái)越多的被人們所熟知 并且由于使用 攜帶都很方便等特點(diǎn) 被越來(lái)越多的人所接受 移動(dòng)硬盤(pán)主要采用了USB和IEEE1394兩種接口 移動(dòng)硬盤(pán) USB移動(dòng)硬盤(pán) IEEE1394移動(dòng)硬盤(pán) 閃存 閃存作為一種非易失性 簡(jiǎn)單說(shuō)就是在不加電的情況下數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失 區(qū)別于目前常用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存 的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片 之所以有這個(gè)名稱 只因?yàn)樾畔⒃谝凰查g 閃電式的 flash 被存儲(chǔ)