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第2課時離子晶體1一種金屬晶體與一種離子晶體相比較,正確的是()a金屬晶體一定比離子晶體微粒堆積得更密集b金屬晶體一定比離子晶體硬度大c金屬晶體一定比離子晶體熔點高d金屬晶體一定比離子晶體導(dǎo)電性強(qiáng)2下列關(guān)于nacl晶體結(jié)構(gòu)的說法中正確的是()anacl晶體中,陰、陽離子的配位數(shù)相等bnacl晶體中,每個na周圍吸引1個clcnacl晶胞中的質(zhì)點代表一個nacldnacl晶體中存在單個的nacl分子3下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是()a熔點:nafmgf2alf3b晶格能:nafnaclnabrc陰離子的配位數(shù):csclnaclcaf2d硬度:mgocaobao4下列關(guān)于晶格能的敘述中正確的是()a晶格能是氣態(tài)原子形成1 mol離子晶體所釋放的能量b晶格能僅與形成晶體的離子半徑有關(guān)c晶格能是指相鄰的離子間的靜電作用d晶格能越大的離子晶體,其熔點越高、硬度越大5堿金屬鹵化物是典型的離子晶體,它們的晶格能與成正比(d0是晶體中最鄰近的異電性離子的核間距)。下面說法錯誤的是()晶格能/kjmol1離子半徑/pmliflicllibrlii1 031845807752linak6095133 nafnaclnabrnai915 787 736 686kfkclkbrki 812699689 632fclbri136181195216a.晶格能的大小與離子半徑成反比b陽離子相同陰離子不同的離子晶體,陰離子半徑越大,晶格能越小c陽離子不同陰離子相同的離子晶體,陽離子半徑越小,晶格能越大d金屬鹵化物晶體中,晶格能越小,氧化性越強(qiáng)6請按要求填空:科學(xué)家通過x射線探明,kcl、mgo、cao、nio、feo、cac2的晶體結(jié)構(gòu)與nacl的晶體結(jié)構(gòu)相似。(1)某同學(xué)畫出的mgo晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示,請改正圖中錯誤:_。(2)mgo是優(yōu)良的耐高溫材料, mgo的熔點比cao的高,其原因是_。(3)ni2和fe2的離子半徑分別為69 pm和78 pm,則熔點nio _ (填“”)feo,nio晶胞中ni和o的配位數(shù)分別為_、_。(4)已知cao晶體密度為a gcm3,na表示阿伏加德羅常數(shù),則cao晶胞體積為_cm3。(5)cac2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示, cac2晶體中含有啞鈴形c,使晶胞沿一個方向拉長。cac2晶體中1個ca2周圍距離最近的c數(shù)目為_ 。答案精析1d一般來說,金屬晶體和離子晶體的微粒堆積方式均為密堆積,但具體到某一種金屬晶體或離子晶體,就很難說誰的微粒堆積更密集了。離子晶體的熔點和硬度普遍較高;金屬晶體的熔點和硬度有的很高,也有的很低。金屬晶體都有導(dǎo)電性,離子晶體熔融態(tài)時都導(dǎo)電,固態(tài)時不導(dǎo)電。2a氯化鈉晶體中,每個na周圍結(jié)合6個cl,而每個cl周圍結(jié)合6個na;nacl只表示na和cl個數(shù)比為11。3a由于r(na)r(mg2)r(al3),且na、mg2、al3所帶電荷依次增大,所以naf、mgf2、alf3的離子鍵依次增強(qiáng),晶格能依次增大,故熔點依次升高;r(f)r(cl)r(br),故naf、nacl、nabr的晶格能依次減小;在cscl、nacl、caf2中陰離子的配位數(shù)分別為8、6、4;r(mg2)r(ca2)r(ba2),故mgo、cao、bao中離子鍵依次減弱,晶格能依次減小,硬度依次減小。4d晶格能是將1 mol離子晶體中的陰、陽離子完全氣化而遠(yuǎn)離所吸收的能量,晶格能與離子所帶電荷的乘積成正比,與陰、陽離子核間距離成反比。晶格能越大,晶體的熔、沸點越高,硬度也越大,所以d項正確。5d由表中數(shù)據(jù)可知晶格能的大小與離子半徑成反比,可確定a項正確;由naf、nacl、nabr、nai晶格能的大小即可確定b項說法正確;由lif、naf、kf晶格能的大小即可確定c項說法正確;表中晶格能最小的金屬鹵化物是碘化物,因還原性fclbr66(4)(5)4解析(1)mg2和o2的半徑是o2mg2,故空心球應(yīng)為o2,實心球應(yīng)為mg2;圖中應(yīng)該黑白球交替出現(xiàn),故8號球應(yīng)為實心球。(2)mgo與cao的離子電荷數(shù)相同,mg2半徑比ca2小,mgo晶格能大,熔點高。(3)nio晶胞與nacl晶胞相同,所以ni和o的配位數(shù)都是6,離子半徑ni2feo,所以熔點niofeo。(4)由于cao與nacl的晶胞同為
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