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第四節(jié)離子晶體 第一課時(shí) 干冰 水晶 明礬 雪花 氯化鈉 金剛石 常見(jiàn)晶體 1 nacl晶體是典型的離子化合物 其中存在哪些微粒 試寫(xiě)出nacl的電子式 2 上述離子是通過(guò)怎樣的相互作用結(jié)合成晶體的呢 你知道嗎 知識(shí)回顧 離子鍵 1 稱(chēng)為離子鍵 2 成鍵的微粒 陰 陽(yáng)離子 3 成鍵的本質(zhì) 陰陽(yáng)離子間的靜電作用 4 成鍵的條件 活潑金屬元素的原子和活潑的非金屬元素的原子 使陰 陽(yáng)離子結(jié)合成離子化合物的靜電作用 思考 哪些物質(zhì)中含有離子鍵 1 活潑的金屬元素 ia iia 和活潑的非金屬元素 via viia 形成的化合物 2 活潑的金屬元素和酸根離子 或氫氧根離子 形成的化合物 3 銨根和酸根離子 或活潑非金屬元素離子 形成的鹽 強(qiáng)堿 大多數(shù)鹽 活潑金屬氧化物 4 從物質(zhì)類(lèi)別的角度來(lái)說(shuō) 離子化合物通常包括 和 5 常見(jiàn)的離子化合物 6 影響離子鍵強(qiáng)弱的因素 離子半徑和離子電荷 同種類(lèi)型的離子晶體 通常離子半徑越 離子帶電荷越 離子鍵就越 離子鍵越強(qiáng) 破壞它所需能量就越 熔點(diǎn)就越 小 多 強(qiáng) 大 高 7 離子鍵的特征 沒(méi)有方向性 陰陽(yáng)離子是球形對(duì)稱(chēng)的 電荷的分布也是球形對(duì)稱(chēng)的 它們?cè)诳臻g各個(gè)方向上的靜電作用相同 都可以和帶不同電荷的離子發(fā)生作用沒(méi)有飽和性 在靜電作用能達(dá)到的范圍內(nèi) 只要空間條件允許 一個(gè)離子可以多個(gè)離子發(fā)生作用 重晶石baso4 瑩石caf2 膽礬cuso4 5h2o 明礬kal so4 2 12h2o 強(qiáng)堿 活潑金屬氧化物 大部分的鹽類(lèi) 1 定義 由陽(yáng)離子和陰離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的晶體 2 成鍵粒子 陰 陽(yáng)離子 3 相互作用力 離子鍵 4 常見(jiàn)的離子晶體 一 離子晶體 2 硬度 5 離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn) 1 熔沸點(diǎn) 難揮發(fā)難壓縮 較高 較大 3 水溶性 4 導(dǎo)電性 閱讀課本p79最后一段 即科學(xué)視野之前的一段 結(jié)合氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu) 你認(rèn)為離子晶體物理性質(zhì)有何特點(diǎn) 離子電荷越多 核間距離越小 熔沸點(diǎn)升高 一般易溶于水 而難溶于非極性溶劑 固態(tài)不導(dǎo)電 水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電 5 晶胞類(lèi)型 思考 氯化鈉晶體中鈉離子和氯離子分別處于晶胞的什么位置 1 氯化鈉晶體 每個(gè)cl 周?chē)c之最接近且距離相等的na 共有個(gè) 6 這幾個(gè)na 在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為 正八面體 nacl晶體中離子的配位數(shù) cscl晶體的結(jié)構(gòu) 氯化銫晶體中氯離子和銫離子分別處于晶胞的什么位置 氯離子位于頂點(diǎn) 銫離子位于體心 2 氯化銫晶體 cscl晶體中離子的配位數(shù) 1 每個(gè)晶胞含銫離子 氯離子的個(gè)數(shù) 2 在氯化銫晶體中 每個(gè)cs 周?chē)c之最接近且距離相等的cl 共有 這幾個(gè)cl 在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為 3 在每個(gè)cl 周?chē)嚯x相等且最近的cs 共有 這幾個(gè)cs 在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型 3 caf2型晶胞 2 ca2 的配位數(shù) f 的配位數(shù) 1 一個(gè)caf2晶胞中含 4個(gè)ca2 和8個(gè)f 8 4 ca f ca2 配位數(shù)是 f 的配位數(shù)是 8 4 圖示為caf2晶胞的1 8 觀(guān)察點(diǎn)為上左前方 晶胞上面心 4 zns型晶胞 2 陽(yáng)離子的配位數(shù) 陰離子的配位數(shù) 1 一個(gè)zns晶胞中含 4個(gè)陽(yáng)離子和4個(gè)陰離子 4 4 科學(xué)探究 找出nacl cscl兩種離子晶體中陽(yáng)離子和陰離子的配位數(shù) 它們是否相等 6 6 8 8 科學(xué)探究 你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù) 根據(jù)表3 5 表3 6分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素 6 決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素 1 幾何因素晶體中正負(fù)離子的半徑比 2 電荷因素晶體中正負(fù)離子的電荷比 3 鍵性因素離子鍵的純粹因素 1 幾何因素 配位數(shù)與r r 之比相關(guān) 0 225 0 4144配位0 414 0 7326配位0 732 1 0008配位 nacl 95 181 0 525cscl 169 181 0 933 2 電荷因素 caf2的晶胞 例 caf2的晶體中 ca2 和f 的個(gè)數(shù)之比 電荷數(shù)之比 ca2 配位數(shù)是 f 的配位數(shù)是 由正負(fù)離子的電荷比影響離子晶體的配位數(shù)的因素 稱(chēng)為電荷因素 1 2 2 1 8 4 為什么nacl的熔沸點(diǎn)比cscl高 交流與討論 結(jié)論 對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì) 陰 陽(yáng)離子半徑越小 離子鍵越強(qiáng) 熔沸點(diǎn)較高 晶體越穩(wěn)定 離子鍵的強(qiáng)弱在一定程度上可以用離子晶體的晶格能來(lái)衡量 1 概念 氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量 通常取正值 或指拆開(kāi)1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽(yáng)離子所吸收的能量 二 離子晶體的晶格能 2 表示 符號(hào)為u單位是kj mol 取正值3 影響晶格能大小因素離子晶體中陰陽(yáng)離子半徑越小 所帶電荷越多 離子鍵越強(qiáng) 晶格能越大 4晶格能的作用 1 晶格能越大 離子晶體越穩(wěn)定 離子晶體的熔沸點(diǎn)越高 硬度越大 2 巖漿晶出規(guī)則與晶格能的關(guān)系 晶格能高的晶體熔點(diǎn)較高 更容易在巖漿冷卻過(guò)程中冷卻下來(lái) 從而先結(jié)晶 例 下列熱化學(xué)方程式中 能直接表示出氯化鈉晶格能的是 a na s 1 2cl2 g nacl s hb na g cl g nacl s h1c na s na g h2d na g e na g h3e 1 2cl2 g cl g h4f cl g e cl g h5寫(xiě)出 h1與 h h2 h3 h4 h5之間的關(guān)系式 h h1 h2 h3 h4 h5 b 練習(xí) 1 下表列出了有關(guān)晶體的知識(shí) 其中錯(cuò)誤的是 2 下列物質(zhì)的晶體 按其熔點(diǎn)由低到高的排列順序正確的是 a n c s o2 co2b n c co2 s o2c n c m o s o2d n c s o2 m o b c 3 下列物質(zhì)中 化學(xué)式能準(zhǔn)確表示該物質(zhì)分子組成的是a nh4clb sio2c p4d na2so4 問(wèn)題反思 化學(xué)式能否表示分子 關(guān)鍵能判斷該物質(zhì)是否分子晶體 4 下列有關(guān)晶體的敘述中不正確的是 a 金剛石的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中 由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中 最小的環(huán)上有6個(gè)碳原子b 氯化鈉晶體中 每個(gè)na 周?chē)嚯x相等的na 離子共有6個(gè)c 氯化銫晶體中 每個(gè)銫原子周?chē)o鄰8個(gè)氯原子d 干冰晶體中 每個(gè)二氧化碳分子周?chē)o鄰12個(gè)二氧化碳分子 5 如圖所示是某些晶體的結(jié)構(gòu) 它們分別是nacl cscl 干冰 金剛石 石墨結(jié)構(gòu)中的某一部分 其中代表金剛石的是 填編號(hào)字母 下同 其中每個(gè)碳原子與 個(gè)碳原子最接近且距離相等 金剛石屬于 晶體 其中代表石墨的是 其中每個(gè)正六邊形占有的碳原子數(shù)平均為 個(gè) 其中代表nacl的是 代表cscl的是 它屬于 晶體 每個(gè)cs 與 個(gè)cl 緊鄰 代表干冰的是 它屬于 晶體 每個(gè)co2分子與 個(gè)co2分子緊鄰 上述五
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