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畢業(yè)設(shè)計(論文)譯文及原稿譯文題目:線鋸過程中凹凸不平面的損傷情況原稿題目:RoughnessDamageEvolutionDuetoWireSawProcess原稿出處:EgemenTeomete,InternationalJournalofPrecisionEngineeringandManufacturing,2011,12(6):941-947浙江工業(yè)大學(xué)之江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文)外文翻譯1線鋸過程中凹凸不平面的損傷情況摘要:線鋸工藝被被廣泛用于硅晶片生產(chǎn)與高收益、低表面損傷的太陽能電池和微電子產(chǎn)業(yè)。這個線鋸過程是用于機器切割脆性材料從而得到高韌性,高收益和低表面損傷的。線鋸工藝也可用于切割混凝土和巖石,土木工程。在這研究中,通過改變工藝參數(shù)進行了試驗參數(shù)的研究,以確定表面粗糙度損壞。延性材料的穿晶斷裂和脆性斷裂的晶間破壞的切割表面可以在電子顯微鏡照片中觀察到。涉及粗糙度破壞過程的損傷模型的參數(shù)是可以得到的。這個損傷模型預(yù)測粗糙度損害令人滿意。該模型顯示這種粗糙度損傷比率是進給速度與線速度成正比。提高效率的過程在于不增加粗糙度損傷而通過增加進給速度正比線速度的比率。線張力不影響粗糙度損傷。但是,導(dǎo)線的性能影響粗糙度損傷。導(dǎo)線的砂礫半徑越小和砂粒間距越短則粗糙度損傷越少。關(guān)鍵詞:陶瓷,損傷模型,韌性加工,粗糙度,線鋸1介紹硅晶片用于太陽能電池和微電子學(xué)產(chǎn)業(yè)可以減少從硅晶體使用內(nèi)徑(ID)鋸或線鋸。線鋸的優(yōu)勢是ID可以看見。這些優(yōu)點是更高的生產(chǎn)力,更少的晶片表面損傷和較低的切口損失。此外,晶片的直徑可以被切成一個線鋸高于一個ID。線鋸適用切割藍寶石,碳化硅,鋰鈮酸,木材,巖石和幾乎所有種類的陶瓷,包括泡沫陶瓷。穆勒指出,線鋸過程中的成本是占硅晶片生產(chǎn)的總成本的30,這直接影響整個行業(yè)。所以有必要來采取優(yōu)化過程的措施:通過發(fā)展模型相關(guān)的工藝參數(shù),產(chǎn)品質(zhì)量和過程效率。20世紀(jì)90年代,早期的線鋸是在晶圓生產(chǎn)裸鋼絲和磨料泥漿過程中開發(fā)的,在研磨加工中使用彈性流體動力。研磨顆粒可以是SiC或鉆石,用30至60的磨料顆粒的粒度可以是530m體積分?jǐn)?shù)的料漿。平均線直徑是180m,切縫損失為200到250m。漿料可以是水性或油性的。油性泥漿使溶液彼此互溶,很難獨立,而從晶圓片表面清除油狀物是另一個問題。油性泥漿的使用處理也是一個問題。產(chǎn)生的氫氣和水性泥漿中硅的相互作用可能會導(dǎo)致爆炸。然而,從環(huán)保的角度來看,考慮到高數(shù)量的泥漿處理過程,水性通常是優(yōu)選的。Clark等人說,為了提高生產(chǎn)率和能夠削減更硬的陶瓷,開發(fā)了鑲金剛石線。其適用于磨削加工。在自由磨料線鋸中,送絲速度為515米/秒,線張力為2030N。在電線弓中,其結(jié)果使得所述導(dǎo)線達到2度到6度的水平。在研磨加工工藝的線鋸中,線速度較低的材料去除是不會發(fā)生水動力作用的。線鋸過程的研究已經(jīng)持續(xù)在三個主要領(lǐng)域:材料去除機制,運動學(xué),進程之間的輸入和輸出參數(shù)的研究。浙江工業(yè)大學(xué)之江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文)外文翻譯2Li等人提出了磨料顆粒的受應(yīng)力作用是滾動和縮進的線鋸的過程。穆勒提出的材料去除機制對于自由磨料加工開發(fā)利用斷裂力學(xué)和流體動力學(xué)行為的漿料。材料去除率的定義是作為一個功能電源提供給磨料流體動壓效應(yīng)與流體膜性能。它的計算采用有限元閥夫婦雷諾方程,流體力學(xué)與彈性力學(xué)方程。劉等人指出,材料去除機理線鋸切割巖石是赫茲類破裂,其中破裂的發(fā)生是由于拉伸后面滑珠引起的。魏和高從事分析直線的剛度和研究在張力作用下的導(dǎo)線,還有振動特征對線速度,張力,和漿料粘度的研究。當(dāng)線速度低于25米/秒時,增加線張力和漿粘度而降低振幅和切口損失,對它幾乎沒有影響。Clark等人監(jiān)測線鋸過程,線速度,送絲速度和線的張力。Clark和Hardin等人還進行了參數(shù)研究有關(guān)工藝的參數(shù),表面粗糙度和線切割泡沫陶瓷,木材。他們還進行了與一個固定的磨料切片單晶SiC的參數(shù)研究,研究金剛石線有關(guān)的線速,搖擺頻率,下表面和亞表面損傷的進給速度。Meng等人研究了閉環(huán)金剛石繩鋸切割和浸漬氧化鋁陶瓷粉末。硬度各向異性的鈮酸鋰晶片已經(jīng)被應(yīng)用在納米壓痕中。Bhagavat和Kao確定了三個最常見的取向的方法。他們通過切片硅晶體的各向異性來確定的方向。硅片的鋼絲鋸對光伏及半導(dǎo)體行業(yè)有著重大的利益關(guān)系。半導(dǎo)體有嚴(yán)格的公差和表面質(zhì)量要求。從現(xiàn)有的模擬脆性材料壓痕損失中可以看出在加工脆性材料時的損壞情況。脆性材料的壓痕存在幾種的失效模式。Ryu等人研究了硅片,玻璃和碳化硅上的壓痕。趙等人觀察到在地面上被破壞的光學(xué)玻璃表面的壓痕。不同的研究人員對延性域磨削脆性材料進行了試驗研究。Bifano等人指出在研磨中,當(dāng)進給量減少到一定量時,磨損機制就可以實現(xiàn)從脆性到韌性轉(zhuǎn)變。在這項研究中,一個線鋸損傷模型可以看出線鋸過程中粗糙度的損壞。這個損傷模型是基于延性去除模式和脆性損害模式,觀察掃描電鏡中切割面的圖像。過實驗測定,用損傷模型來預(yù)測損害通是可靠的。第二節(jié)提出了這個實驗工作。第三節(jié)提出了該模型。第四節(jié)提出了結(jié)果和討論的研究。在第五部分提出這個結(jié)論。2實驗過程線鋸的實驗是在氧化鋁陶瓷上進行的。在線鋸切削試驗中測量了絲弓角,軸向線速度Vx和進給速率Vz。同時也測量了切斷面表面的粗糙度,還得到了掃描電鏡成像的切表面。在這些測量中所使用的設(shè)備本節(jié)介紹及工藝參數(shù)。2.1線鋸切割和絲弓角測量浙江工業(yè)大學(xué)之江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文)外文翻譯3圖1單絲,閥芯閥芯線鋸機,該線軌道,由虛線標(biāo)記。(DWT公司,千禧年生產(chǎn)的模型,美國科羅拉多州Springs,美國)實驗中使用線鋸設(shè)備(其模型是千禧年在科羅拉多州斯普林斯應(yīng)用鉆石線技術(shù)生產(chǎn)的)。這種閥芯對閥芯的線鋸機搖擺運動的線可控制線速度Vx,進料速度Vz和線張力T。張力由緊線滑輪控制,由氣壓力驅(qū)動,而擺動如圖1中可以看出。導(dǎo)線的切割長度為300英尺(91.4米)。因此,在每一個方向逆轉(zhuǎn),300英尺的線是從一個線軸轉(zhuǎn)移到其他的線軸。在切割過程中使用的冷卻劑包括水和潤滑劑Sawzit(合成潤滑劑公司的產(chǎn)品),它們的比例為50/
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