PVD鍍膜工藝簡介

1、PVD鍍膜工藝簡介,2,二、真空蒸發(fā)鍍膜,一、PVD的定義及分類,三、真空濺射鍍膜,四、真空離子鍍膜,3,一、PVD的定義及分類,4,物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長法。沉積過程是在真空或低氣壓氣體放電條件下，即在低溫等離子體中進(jìn)行的。涂層的物質(zhì)源是固態(tài)物質(zhì)，經(jīng)過“蒸發(fā)或濺射”后，在零件表面生成與基材性能完全不同的新的固體物質(zhì)涂層。,1.PVD的定義,5,2.PVD的基本過程,從原料中發(fā)射粒子（經(jīng)過蒸發(fā)、升華、濺射和分解等過程）；,粒子輸運到基片（粒子之間發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離化、復(fù)合、反應(yīng)， 能量的交換和運動方向的變化）；,粒子在基片上凝結(jié)、成核、長大和成膜。,6,3.PVD的分類,真空蒸發(fā)鍍膜

2、,真空濺射鍍膜,真空離子鍍膜,7,二、真空蒸發(fā)鍍膜,8,1.真空的定義,2.真空蒸發(fā)鍍膜的定義,泛指低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)。與普通大氣壓狀態(tài)相比，分子密度較為稀薄， 從而氣體分子和氣體分子、氣體分子和器壁之間的碰撞幾率要低一些。,真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下，用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之汽化，蒸發(fā)粒子流 直接射向基片并在基片上沉積形成固態(tài)薄膜的技術(shù)。 括熱蒸發(fā)和EB蒸發(fā)（電子束蒸發(fā)）,9,10,11,熱蒸發(fā)是在真空狀況下，將所要蒸鍍的材料利用電阻加熱達(dá)到熔化溫度，使原子蒸發(fā)，到達(dá)并附著在基板表面上的一種鍍膜技術(shù)。 特點：裝置便宜、操作簡單廣泛用于Au、Ag、Cu、Ni、In、Cr等導(dǎo)體材料。,4.

3、熱蒸發(fā)原理及特點,12,5.E-Beam蒸發(fā)原理,熱電子由燈絲發(fā)射后，被加速陽極加速，獲得動能轟擊到處于陽極的蒸發(fā)材料上，使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。 特點：多用于要求純度極高的膜、絕緣物的蒸鍍和高熔點物質(zhì)的蒸鍍,13,14,二、真空濺射鍍膜,15,給靶材施加高電壓（形成等離子狀態(tài)），使正荷電氣體離子撞擊靶材、金屬原子飛彈，而在樣品表面形成金屬皮膜的方法。,1.真空濺射鍍膜的定義,16,17,電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。,2.磁控濺射鍍膜的定義,18,3.輝光放電的定義,輝光放電是指在稀薄氣體中，兩個電極之間加上電壓時產(chǎn)生的一種氣體放電現(xiàn)象。,19,直流濺射：適用于金屬材料 射頻濺射：是適用于各種 金屬和非金屬材料的一種 濺射沉積方法,20,4.真空濺射鍍膜的優(yōu)缺點,21,三、真空離子鍍膜,22,在真空條件下，利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時，把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物蒸鍍在基片上。 離子鍍把輝光放電、等離子體技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)結(jié)合在一起,1.真空離子鍍膜的定義,23,24,2