成都電子信息高技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目年度總結(jié)報告

1、成都電子信息高技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目年度總結(jié)報告一、半導(dǎo)體集成電路宏觀環(huán)境分析二、2018年度經(jīng)營情況總結(jié)三、存在的問題及改進(jìn)措施四、2019主要經(jīng)營目標(biāo)五、重點工作安排六、總結(jié)及展望尊敬的xxx公司領(lǐng)導(dǎo)：近年來，公司牢固樹立“創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開放、共享”的發(fā)展理念，以提高發(fā)展質(zhì)量和效益為中心，加快形成引領(lǐng)經(jīng)濟發(fā)展新常態(tài)的體制機制和發(fā)展方式，統(tǒng)籌推進(jìn)企業(yè)可持續(xù)發(fā)展，全面推進(jìn)開放內(nèi)涵式發(fā)展，加快現(xiàn)代化、國際化進(jìn)程，建設(shè)行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)桿。初步統(tǒng)計，2018年xxx公司實現(xiàn)營業(yè)收入4464.81萬元，同比增長27.35%。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)及銷售收入為3677.26萬元，占營業(yè)總收入的82.36

2、%。一、半導(dǎo)體集成電路宏觀環(huán)境分析（一）產(chǎn)業(yè)背景分析半導(dǎo)體材料升級換代。作為集成電路發(fā)展基礎(chǔ)，半導(dǎo)體材料逐步更新?lián)Q代，第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）為主導(dǎo)，目前，95%的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是硅材料制作。20世紀(jì)90年代以來，光纖通訊和互聯(lián)網(wǎng)的高速發(fā)展，促進(jìn)了以砷化鎵(GaAs)、磷化銦（InP）為代表的第二代半導(dǎo)體材料的需求，其是制造高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，廣泛應(yīng)用于通訊、光通信、GPS導(dǎo)航等領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。國內(nèi)半導(dǎo)體材料

3、市場高速增長。半導(dǎo)體材料市場會根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)的變化而變化。目前，2015年全球半導(dǎo)體材料市場產(chǎn)值已達(dá)到434億美元，約占據(jù)整體產(chǎn)業(yè)的13%，其規(guī)模巨大。國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場近年來受產(chǎn)業(yè)鏈增長拉動，半導(dǎo)體材料銷售額保持較高增速，2006-2015年保持平均14%的增長率。2015年已經(jīng)達(dá)到61.2億美元的規(guī)模，且占有率有持續(xù)增長的趨勢。預(yù)計隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移，日本、臺灣等占有率將有所下降，而大陸半導(dǎo)體材料市場將會進(jìn)一步擴大。新一代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，潛在市場空間大。第二、三代半導(dǎo)體材料正在引起清潔能源和新一代電子信息技術(shù)的革命，無論是通信、照明、消費電子設(shè)備、新能源汽車、智能電網(wǎng)、還是軍

4、工用品，都對這種高性能的半導(dǎo)體材料有著極大的需求。未來第三代半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用將催生我國多個領(lǐng)域的潛在市場，屆時將產(chǎn)生巨大的市場應(yīng)用空間。通信技術(shù)更新?lián)Q代，傳輸速度呈數(shù)量級增長。從上世紀(jì)80年代至今，每一代移動通信標(biāo)準(zhǔn)都有著其標(biāo)志性的能力指標(biāo)和核心關(guān)鍵技術(shù)。1G只能提供模擬語音業(yè)務(wù)；2G的GSM網(wǎng)絡(luò)可提供數(shù)字語音和低速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)；3G以CDMA為技術(shù)特征，用戶峰值速率達(dá)到2Mbps至數(shù)十Mbps，可以支持多媒體數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)；4GLTE網(wǎng)絡(luò)用戶峰值速率可達(dá)100Mbps以上，能夠支持各種移動寬帶數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)。5G技術(shù)將引領(lǐng)新革命。相比前四代通訊技術(shù)，5G網(wǎng)絡(luò)的變革將更加全面，在進(jìn)一步提高通訊傳輸速度的同時，

5、更加強調(diào)連續(xù)廣域覆蓋、熱點高容量、低時延高可靠和低功耗大連接等場景下的技術(shù)需求，為進(jìn)一步升級的移動互聯(lián)網(wǎng)市場，和新興的物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、智能制造、虛擬現(xiàn)實等市場提供多元化的技術(shù)方案。目前國際主流的行業(yè)組織、運營商、設(shè)備廠商和芯片廠商都在積極投入5G標(biāo)準(zhǔn)的制定，預(yù)計到2020年前后，5G網(wǎng)絡(luò)將實現(xiàn)商用。未來，5G網(wǎng)絡(luò)的商用必然將催生移動通信芯片升級換代的海量市場，同時也將帶來通訊芯片市場版圖的巨大變化。5G技術(shù)高速率和低延遲的要求，對化合物半導(dǎo)體提出了新的需求。比如功率、線性度、工作頻率、效率、可靠性等都需要達(dá)到極高的標(biāo)準(zhǔn)。由于5G通信全頻帶通信的特性，5G手機中射頻前端芯片數(shù)量將進(jìn)一步增加，帶

6、動以GaAs為代表的第二/三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。具體到實踐當(dāng)中，可以從設(shè)備端和基站端兩分析?；径诵枨蟆?G實際應(yīng)用中，帶相控陣天線的手機將發(fā)射信號給基站和微蜂窩基站，基站和微蜂窩基站將與相控陣天線對接以實現(xiàn)信號連接。基站使用的射頻功率管一般采用LDMOS工藝，但現(xiàn)在LDMOS工藝正在被氮化鎵（GaN）工藝取代。GaN是寬禁帶材料，意味著GaN能夠耐受更高的電壓，有更高的功率密度和可工作溫度更高，能夠滿足5G通信基站的要求。同時，5G采用高頻頻譜雖然能提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，但這一頻段的電磁波傳輸距離很短，且容易被障礙物阻擋。因而移動運營商可能需要建設(shè)數(shù)百萬個小型基站，將其部署至每根電線

7、桿、每棟大樓，每戶房屋，甚至每個房間，這也就意味著基于GaN的PA芯片需求將出現(xiàn)飛躍增長。根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Yole的估計，GaN功率器件需求有望在今后5年內(nèi)爆發(fā)，復(fù)合增長率可達(dá)90%以上。手機端需求。4G手機中數(shù)字電路部分包括應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)器，射頻前端則包括功率放大器（PA）、射頻信號源和模擬開關(guān)。功率放大器通常采用砷化鎵（GaAs）材料的異質(zhì)結(jié)型晶體管（HBT）技術(shù)制造。未來的5G手機也要有應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)器。不過與4G系統(tǒng)不同，5G手機還需要相控陣天線，每根天線都有獨立的PA和移相器，并與一個覆蓋整個工作頻率的信號收發(fā)器相連，相應(yīng)的半導(dǎo)體器件需求將會更大。2015年全球智能手機銷

8、量達(dá)14.3億部，中國智能手機出貨量達(dá)5.39億部。根據(jù)估算，2016年度全球智能手機出貨量預(yù)計達(dá)到15部，手機砷化鎵功率元件需求量超過160億只，國內(nèi)手機市場砷化鎵元件需求量接近60億只。未來隨著4G手機滲透率的不斷提升和5G技術(shù)的商用化，手機用砷化鎵元件還將不斷增長。（二）工業(yè)綠色發(fā)展規(guī)劃推進(jìn)綠色發(fā)展、建設(shè)美麗城市，要著力構(gòu)建新型城鄉(xiāng)體系，建設(shè)美麗家園。要優(yōu)化城市設(shè)計，優(yōu)化建設(shè)用地結(jié)構(gòu)，增加生活與生態(tài)用地比例；要加快建設(shè)美麗城鎮(zhèn)，推廣綠色建筑，發(fā)展綠色交通，完善市政設(shè)施，傳承歷史文脈；要深入實踐“五大行動”，圍繞“業(yè)興、家富、人和、村美”目標(biāo)，加快建設(shè)幸福美麗鄉(xiāng)村。（三）xxx十三五發(fā)展規(guī)

9、劃未來5到10年，是全球新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革從蓄勢待發(fā)到群體迸發(fā)的關(guān)鍵時期。信息革命進(jìn)程持續(xù)快速演進(jìn)，物聯(lián)網(wǎng)、云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術(shù)廣泛滲透于經(jīng)濟社會各個領(lǐng)域，信息經(jīng)濟繁榮程度成為國家實力的重要標(biāo)志。增材制造（3D打印）、機器人與智能制造、超材料與納米材料等領(lǐng)域技術(shù)不斷取得重大突破，推動傳統(tǒng)工業(yè)體系分化變革，將重塑制造業(yè)國際分工格局。基因組學(xué)及其關(guān)聯(lián)技術(shù)迅猛發(fā)展，精準(zhǔn)醫(yī)學(xué)、生物合成、工業(yè)化育種等新模式加快演進(jìn)推廣，生物新經(jīng)濟有望引領(lǐng)人類生產(chǎn)生活邁入新天地。應(yīng)對全球氣候變化助推綠色低碳發(fā)展大潮，清潔生產(chǎn)技術(shù)應(yīng)用規(guī)模持續(xù)拓展，新能源革命正在改變現(xiàn)有國際資源能源版圖。數(shù)字技術(shù)與文化創(chuàng)意、

10、設(shè)計服務(wù)深度融合，數(shù)字創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)逐漸成為促進(jìn)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)有效供給的智力密集型產(chǎn)業(yè)，創(chuàng)意經(jīng)濟作為一種新的發(fā)展模式正在興起。創(chuàng)新驅(qū)動的新興產(chǎn)業(yè)逐漸成為推動全球經(jīng)濟復(fù)蘇和增長的主要動力，引發(fā)國際分工和國際貿(mào)易格局重構(gòu)，全球創(chuàng)新經(jīng)濟發(fā)展進(jìn)入新時代。（四）鼓勵中小企業(yè)發(fā)展中共中央、國務(wù)院發(fā)布關(guān)于深化投融資體制改革的意見，提出建立完善企業(yè)自主決策、融資渠道暢通，職能轉(zhuǎn)變到位、政府行為規(guī)范，宏觀調(diào)控有效、法治保障健全的新型投融資體制。改善企業(yè)投資管理，充分激發(fā)社會投資動力和活力，完善政府投資體制，發(fā)揮好政府投資的引導(dǎo)和帶動作用，創(chuàng)新融資機制，暢通投資項目融資渠道。統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，民營經(jīng)濟如今已成為中國經(jīng)濟的中

11、堅力量。截至2017年年底，我國實有個體工商戶6579.4萬戶，私營企業(yè)2726.3萬戶，廣義民營企業(yè)合計占全部市場主體的94.8%。而且，民營經(jīng)濟解決了絕大部分就業(yè)，是技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新的巨大驅(qū)動力：創(chuàng)造了60%以上GDP，貢獻(xiàn)了70%以上的技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品開發(fā)，提供了80%以上的就業(yè)崗位。十九大報告提出，毫不動搖鞏固和發(fā)展公有制經(jīng)濟，毫不動搖鼓勵、支持、引導(dǎo)非公有制經(jīng)濟發(fā)展。（五）產(chǎn)業(yè)環(huán)境分析1956年國務(wù)院制定的1956-1967科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中，已將半導(dǎo)體技術(shù)列為四大科研重點之一，明確提出“在12年內(nèi)可以制備和改進(jìn)各種半導(dǎo)體器材、器件”的目標(biāo)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)雜、技術(shù)難度高、需要資金巨

12、大，且當(dāng)時國內(nèi)外特定的社會環(huán)境，中國在資金、人才及體制等各方面困難較多，導(dǎo)致中國半導(dǎo)體的發(fā)展舉步維艱。直到70年代，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的小規(guī)模生產(chǎn)才正式啟動。原電子工業(yè)部部長在其著作芯路歷程中回憶這一階段歷史，提到發(fā)展中第一個誤區(qū)“有設(shè)備就能生產(chǎn)”，70年代從日本、美國引進(jìn)了大量二手、淘汰設(shè)備建立了超過30條生產(chǎn)線，但引進(jìn)后無法解決技術(shù)、設(shè)計問題，也沒有管理、運營能力，第一批生產(chǎn)線未能發(fā)揮應(yīng)有的作用，就淡出了市場。90年代，國家再度啟動系列重大工程，為改變半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展困境，最知名的為908、909工程，908工程在1990年啟動，投資20億元建設(shè)國際領(lǐng)先的1微米(1000nm)制程工藝的晶圓制造

13、產(chǎn)線。由于中國彼時整體經(jīng)濟力量還在蓄積，因此經(jīng)費、設(shè)備引進(jìn)、建廠等環(huán)節(jié)仍然阻力較大，直至1998年產(chǎn)線得以竣工。此時國際工藝節(jié)點達(dá)到0.18微米，中國生產(chǎn)線剛建成就落后兩代。在1996年國家啟動了“909”工程，整體投資約100億元，并且做出很多打破審批的特事特辦，參與其中的公司如今只剩兩家，一個是909工程的主體華虹集團(tuán)，另一個則是完全自籌1.355億元資金的華為設(shè)計公司，也就是后來的海思。集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要分為集成電路設(shè)計、集成電路制造以及集成電路封裝測試等三個主要環(huán)節(jié)，同時每個環(huán)節(jié)配套以不同的制造設(shè)備和生產(chǎn)原材料等輔助環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備位于整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，在新建晶圓廠中半導(dǎo)體設(shè)備支

14、出的占比普遍達(dá)到80%。一條晶圓制造新建產(chǎn)線的資本支出占比如下：廠房20%、晶圓制造設(shè)備65%、組裝封裝設(shè)備5%，測試設(shè)備7%，其他3%。其中晶圓制造設(shè)備在半導(dǎo)體設(shè)備中占比最大，進(jìn)一步細(xì)分晶圓制造設(shè)備類型，光刻機占比30%，刻蝕20%，PVD15%，CVD10%，量測10%，離子注入5%，拋光5%，擴散5%。2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場總量約為566億美元，同比增長37%，2018年約在600億美元規(guī)模。中國是全球半導(dǎo)體設(shè)備的第三大市場，2018年中國半導(dǎo)體設(shè)備123.78億元。我國半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入一直保持高速增長狀態(tài)，2018年全國半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入123.78億元，同比增長39.14%，

15、2015-2018年期間，我國半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入復(fù)合增長率高達(dá)37.93%。半導(dǎo)體設(shè)備具備極高的門檻和壁壘，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要被日美所壟斷，核心設(shè)備如光刻、刻蝕、PVD、CVD、氧化/擴散等設(shè)備的top3市占率普遍在90%以上。目前光刻機、刻蝕、鍍膜、量測、清洗、離子注入等核心設(shè)備的國產(chǎn)率普遍較低。經(jīng)過多年培育，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)取得較大進(jìn)展，整體水平達(dá)到28nm，并在14nm和7nm實現(xiàn)了部分設(shè)備的突破。從政策上看，隨著國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要中國制造2025等綱領(lǐng)的退出，國內(nèi)針對半導(dǎo)體裝備的稅收優(yōu)惠、地方政策支持逐步形成合力，為本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商的投融資、研發(fā)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴張、人才引進(jìn)等

16、創(chuàng)造良好環(huán)境。財政部先后于2008、2012、2018年出臺稅收政策減免集成電路生產(chǎn)企業(yè)所得稅。從地方產(chǎn)業(yè)政策來看，多地退出集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策及發(fā)展規(guī)劃，從投融資、企業(yè)培育、研發(fā)、人才、知識產(chǎn)權(quán)、進(jìn)出口以及政府管理等方面退出一系列政策，對符合要求的企業(yè)給予獎勵和研發(fā)補助。全球半導(dǎo)體分為IDM模式和垂直分工模式兩種商業(yè)模式，老牌大廠由于歷史原因，多為IDM模式。隨著集成電路技術(shù)演進(jìn)，摩爾定律逼近極限，各環(huán)節(jié)技術(shù)、資金壁壘日漸提高，傳統(tǒng)IDM模式弊端凸顯，新銳廠商多選擇Fabless（無晶圓廠）模式，輕裝追趕。集成電路設(shè)計為知識密集型產(chǎn)業(yè)，國際上比較典型的參與者主要有AMD、英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科

17、、蘋果、華為海思等公司。芯片設(shè)計可以分為數(shù)字集成電路設(shè)計和模擬集成電路設(shè)計兩大類。模擬集成電路設(shè)計包括電源集成電路、射頻集成電路等設(shè)計。模擬集成電路包括運算放大器，線性整流器，鎖相環(huán)，振蕩電路，有源濾波器等。相較數(shù)字集成電路設(shè)計，模擬集成電路設(shè)計與半導(dǎo)體器件的物理材料性質(zhì)有著更大的關(guān)聯(lián)。數(shù)字集成電路設(shè)計包括系統(tǒng)定義，寄存器傳輸級設(shè)計，物理設(shè)計，設(shè)計過程中的特定時間點，還需要多次進(jìn)行邏輯功能，時序約束，設(shè)計規(guī)則方面的檢查，調(diào)試，以確保設(shè)計的最終成果合乎最初的設(shè)計收斂目標(biāo)。全球芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀全球芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)主要分布在美國，中國，臺灣等國家地區(qū)，2018年，中國企業(yè)海思半導(dǎo)體首次入圍全球芯

18、片設(shè)計前十企業(yè)，營收規(guī)模排名全球第五。從整體來看，美國企業(yè)仍然占據(jù)了絕對主流，前10大芯片設(shè)計公司中有8家都來自美國，其他僅有海思半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科(中國臺灣)上榜。2018年全球芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)規(guī)模大約為1139億美元，同比增速14%，過去五年符合增速約為6.6%。由于近幾年智能手機等終端對于芯片性能和數(shù)量需求的快速提升，全球芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)得以快速增長。特別是隨著整體芯片設(shè)計工藝的持續(xù)升級，芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)充分享受了下游芯片制造大規(guī)模投資的產(chǎn)業(yè)紅利，產(chǎn)業(yè)持續(xù)高速增長。二、2018年度經(jīng)營情況總結(jié)2018年xxx公司實現(xiàn)營業(yè)收入4464.81萬元，同比增長27.35%（958.98萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)半

19、導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)及銷售收入為3677.26萬元，占營業(yè)總收入的82.36%。2018年度主要經(jīng)濟指標(biāo)序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入937.611250.151160.851116.204464.812主營業(yè)務(wù)收入772.221029.63956.09919.323677.262.1半導(dǎo)體集成電路(A)254.83339.78315.51303.371213.502.2半導(dǎo)體集成電路(B)177.61236.82219.90211.44845.772.3半導(dǎo)體集成電路(C)131.28175.04162.53156.28625.132.4半導(dǎo)體集成電路(D)92.6712

20、3.56114.73110.32441.272.5半導(dǎo)體集成電路(E)61.7882.3776.4973.55294.182.6半導(dǎo)體集成電路(F)38.6151.4847.8045.97183.862.7半導(dǎo)體集成電路(.)15.4420.5919.1218.3973.553其他業(yè)務(wù)收入165.39220.51204.76196.89787.55根據(jù)初步統(tǒng)計測算，2018年公司實現(xiàn)利潤總額1050.22萬元，較去年同期相比增長231.79萬元，增長率28.32%；實現(xiàn)凈利潤787.66萬元，較去年同期相比增長152.60萬元，增長率24.03%。2018年度主要經(jīng)濟指標(biāo)項目單位指標(biāo)完成營業(yè)收

21、入萬元4464.81完成主營業(yè)務(wù)收入萬元3677.26主營業(yè)務(wù)收入占比82.36%營業(yè)收入增長率（同比）27.35%營業(yè)收入增長量（同比）萬元958.98利潤總額萬元1050.22利潤總額增長率28.32%利潤總額增長量萬元231.79凈利潤萬元787.66凈利潤增長率24.03%凈利潤增長量萬元152.60投資利潤率58.44%投資回報率43.83%財務(wù)內(nèi)部收益率22.74%企業(yè)總資產(chǎn)萬元5954.90流動資產(chǎn)總額占比萬元28.71%流動資產(chǎn)總額萬元1709.91資產(chǎn)負(fù)債率33.56%三、行業(yè)及市場分析（一）行業(yè)分析據(jù)了解，2019年由于受世界經(jīng)濟發(fā)展的增速減緩、整機廠商的去庫存化等綜合因素

22、的干擾，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里的關(guān)鍵產(chǎn)品之一，集成電路領(lǐng)域的發(fā)展趨勢備受關(guān)注。集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件。縮寫為IC；采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);是使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面發(fā)展的核心因素之一。根據(jù)Gartner報告顯示，2019年全球半導(dǎo)體收入總計4,183億美元，相比2018年下滑了11.9%。從國內(nèi)情況來看，受到全球半導(dǎo)體市場下滑影響，我國集成電

23、路產(chǎn)業(yè)2019年增速也出現(xiàn)顯著下降，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年1-9月，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額5,049.9億元，同比增長13.2%，增速同比下降了9.2個百分點。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)庫顯示，2020年1-2月中國集成電路出口量有所增長，2020年1-2月中國集成電路出口量為327.2億個，同比增長13.6%。2020年，深圳寶安灣騰訊云計算有限公司正式成立，注冊資本為2000萬元，由騰訊云的運營主體騰訊云計算(北京)有限責(zé)任公司全資控股，法定代表人為騰訊云副總裁王景田。（一）市場預(yù)測當(dāng)前，大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)快速發(fā)展，持續(xù)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供強勁市場需求，全

24、球集成電路產(chǎn)業(yè)將迎來新一輪的發(fā)展機遇。全球半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)會(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到4688億美元，同比增長13.7%。模擬芯片、微處理器、邏輯芯片和存儲器市場規(guī)模分別為588億美元、672億美元、1093億美元和1580億美元。2018年全球存儲器市場增速依舊領(lǐng)跑，達(dá)到27.4%;模擬芯片市場增速為10.7%，處理器電路市場增速為5.2%，邏輯芯片市場增速為6.9%。半導(dǎo)體主要由四個組成部分組成：集成電路(約占81%)，光電器件(約占10%)，分立器件(約占6%)，傳感器(約占3%)，因此通常將半導(dǎo)體和集成電路等價。受中美貿(mào)易因素以及智能手機、PC需求動能減弱影響，

25、2019上半年全球半導(dǎo)體景氣低迷。根據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)的數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年，全球半導(dǎo)體市場銷售額累計為2037億美元，比2018年同期銷售額下降了14.5%。近年來，中國已成為帶動全球半導(dǎo)體市場增長的主要動力，多年來市場需求均保持快速增長，以中國為核心的亞太地區(qū)在全球半導(dǎo)體市場中所占比重快速提升。根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會公布的數(shù)據(jù)來看，2018年中國集成電路行業(yè)銷售額為6532億元，同比增長20.7%，但受到全球半導(dǎo)體市場下降影響，中國集成電路產(chǎn)業(yè)增速有所下降。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年1-6月中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3048.2億元，同比增長11.8%。一直以來，我國國

26、內(nèi)集成電路行業(yè)聚焦于產(chǎn)業(yè)鏈的下游位置，主要優(yōu)勢在于集成電路組裝和封測。但近年來國內(nèi)集成電路的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。2019年上半年，中國集成電路設(shè)計業(yè)銷售收入比重為39.6%，集成電路制造業(yè)銷售收入比重為26.9%，集成電路封裝測試業(yè)銷售收入比重為33.5%。對比過去，如今我國國內(nèi)集成電路的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)明顯更加合理。在國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中，集成電路設(shè)計業(yè)始終是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)中最具發(fā)展活力的領(lǐng)域，增長也最為迅速。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，集成電路設(shè)計業(yè)銷售收入從2014年的1047.4億元增長到2018年的2519.3億元。截至2019年上半年中國集成電路設(shè)計業(yè)銷售收入為1206.1億元，同比增長

27、18.3%，增速有所下滑。2014年以來，我國集成電路制造業(yè)銷售收入波動增長，從2014年的712.1億元增長至2018年1818.2億元，翻了近2.6倍。截至2019年上半年，我國集成電路制造業(yè)銷售額累計達(dá)到820億元，同比增長11.9%。目前，我國集成電路制造業(yè)中存儲器工藝實現(xiàn)突破14納米邏輯工藝，但與國外仍有兩代差距。在我國產(chǎn)業(yè)升級大時代背景下，隨著我國消費電子產(chǎn)業(yè)的崛起、相關(guān)產(chǎn)業(yè)工程師數(shù)量的日益增多，使得中國集成電路封測業(yè)迅速崛起，目前我國封測領(lǐng)域已經(jīng)處于世界第一梯隊。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，我國集成電路封裝測試行業(yè)市場規(guī)模逐年增長，2018年，我國集成電路封裝測試行業(yè)市場規(guī)

28、模突破2000億元，達(dá)到了2193.9億元，同比增長16.1%。截至2019年上半年，我國國集成電路封裝測試行業(yè)銷售額累計達(dá)到1022.1億元，同比增長5.4%，增速大幅下滑。全球半導(dǎo)體市場增長與經(jīng)濟環(huán)境有明顯同步性，2018年半導(dǎo)體市場規(guī)模穩(wěn)定增長，預(yù)計2019年將延續(xù)穩(wěn)定趨勢，下半年將迎來逐步回暖。從廠商角度來看，2018年行業(yè)壟斷形式依然顯著，前十大廠商占據(jù)市場近八成份額，短期內(nèi)新興廠商實現(xiàn)突破難度較大。從并購角度來看，2018年延續(xù)了2017年平穩(wěn)的并購態(tài)勢，但相比2015-2016年已經(jīng)規(guī)模明顯縮減，隨著收購標(biāo)的減少以及監(jiān)管趨嚴(yán)，未來大規(guī)模并購的可能性將會越來越小。四、存在的問題及改

29、進(jìn)措施（一）不斷推進(jìn)高質(zhì)量發(fā)展伴隨進(jìn)入新常態(tài)，我國經(jīng)濟增長正從高速轉(zhuǎn)向中高速，發(fā)展方式正從規(guī)模速度型粗放增長轉(zhuǎn)向質(zhì)量效率型集約增長，結(jié)構(gòu)調(diào)整正從增量擴能為主轉(zhuǎn)向存量與增量并存的深度調(diào)整，發(fā)展動力正從傳統(tǒng)增長點轉(zhuǎn)向新增長點。新常態(tài)下“穩(wěn)增長”的潛力十分巨大，機遇也非常難得。當(dāng)前，新型工業(yè)化、信息化、城鎮(zhèn)化、農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化的“新四化”深入發(fā)展，國內(nèi)市場潛力巨大，農(nóng)業(yè)生產(chǎn)連年豐收，國民儲蓄率較高，科技和教育整體水平提升，勞動力素質(zhì)改善，改革不斷深化，社會保持穩(wěn)定，這些都為我國經(jīng)濟實現(xiàn)穩(wěn)定增長創(chuàng)造了有利條件，開辟了廣闊空間。我們完全有條件、有能力、有信心鞏固經(jīng)濟發(fā)展的好勢頭。以轉(zhuǎn)變經(jīng)濟發(fā)展方式為主線，以提

30、升工業(yè)經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展能力為立足點，以提高自主創(chuàng)新能力為動力，努力推動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)上層次、提技術(shù)、創(chuàng)品牌、增效益，促進(jìn)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)走創(chuàng)新型、效益型、集約型、生態(tài)型的發(fā)展模式，引導(dǎo)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)從塊狀經(jīng)濟向產(chǎn)業(yè)集群、從低端生產(chǎn)向高端制造的“雙轉(zhuǎn)型”。成都，簡稱蓉，別稱蓉城、錦城，是四川省省會、副省級市、特大城市、成都都市圈核心城市，國務(wù)院批復(fù)確定的中國西部地區(qū)重要的中心城市，國家重要的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地、商貿(mào)物流中心和綜合交通樞紐。截至2018年，全市下轄11個區(qū)、4個縣，代管5個縣級市，總面積14335平方千米。2019年末，建成區(qū)面積949.6平方公里，常住人口1658.10萬人，城鎮(zhèn)人口1233.79萬

31、人，城鎮(zhèn)化率74.41%。成都地處中國西南地區(qū)、四川盆地西部、成都平原腹地，境內(nèi)地勢平坦、河網(wǎng)縱橫、物產(chǎn)豐富、農(nóng)業(yè)發(fā)達(dá)，屬亞熱帶季風(fēng)性濕潤氣候，自古有天府之國的美譽；是西部戰(zhàn)區(qū)機關(guān)駐地，作為全球重要的電子信息產(chǎn)業(yè)基地，有國家級科研機構(gòu)30家，國家級研發(fā)平臺67個，高校56所，各類人才約389萬人；2019年世界500強企業(yè)落戶301家。成都是國家歷史文化名城，古蜀文明發(fā)祥地。境內(nèi)金沙遺址有3000年歷史，周太王以一年成邑，二年成都，故名成都；先后有7個割據(jù)政權(quán)在此建都；一直是各朝代的州郡治所；漢為全國五大都會之一；唐為中國最發(fā)達(dá)工商業(yè)城市之一，史稱揚一益二；北宋是汴京外第二大都會，發(fā)明世界上第

32、一種紙幣交子。擁有都江堰、武侯祠、杜甫草堂等名勝古跡，是中國優(yōu)秀旅游城市。成都先后獲世界最佳新興商務(wù)城市、中國內(nèi)陸投資環(huán)境標(biāo)桿城市、國家小微企業(yè)雙創(chuàng)示范基地城市、中國城市綜合實力十強、中國十大創(chuàng)業(yè)城市、中國外貿(mào)百強城市排名第18等榮譽，正加快建設(shè)具有全國引領(lǐng)力、全球競爭力的世界文創(chuàng)名城。半導(dǎo)體材料升級換代。作為集成電路發(fā)展基礎(chǔ)，半導(dǎo)體材料逐步更新?lián)Q代，第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）為主導(dǎo)，目前，95%的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是硅材料制作。20世紀(jì)90年代以來，光纖通訊和互聯(lián)網(wǎng)的高速發(fā)展，促進(jìn)了以砷化鎵(GaAs)、磷化銦（InP）為代表的第二代半導(dǎo)體材料的需求，其是制造高性能微波、毫

33、米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，廣泛應(yīng)用于通訊、光通信、GPS導(dǎo)航等領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。（二）進(jìn)一步促進(jìn)節(jié)能清潔發(fā)展倡導(dǎo)全民參與，推動全社會樹立節(jié)能是第一能源、節(jié)約就是增加資源的理念，深入開展全民節(jié)約行動和節(jié)能“進(jìn)機關(guān)、進(jìn)單位、進(jìn)企業(yè)、進(jìn)軍營、進(jìn)商超、進(jìn)賓館、進(jìn)學(xué)校、進(jìn)家庭、進(jìn)社區(qū)、進(jìn)農(nóng)村”等“十進(jìn)”活動。推進(jìn)綠色發(fā)展、建設(shè)美麗城市，要著力構(gòu)建新型城鄉(xiāng)體系，建設(shè)美麗家園。要優(yōu)化城市設(shè)計，優(yōu)化建設(shè)用地結(jié)構(gòu)，增加生活與生態(tài)用地比例；要加快建設(shè)美麗城鎮(zhèn)，推廣綠色建筑，

34、發(fā)展綠色交通，完善市政設(shè)施，傳承歷史文脈；要深入實踐“五大行動”，圍繞“業(yè)興、家富、人和、村美”目標(biāo)，加快建設(shè)幸福美麗鄉(xiāng)村。（三）抓住機遇實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級新一輪科技革命以新一代信息技術(shù)的應(yīng)用融合為核心特征，“互聯(lián)網(wǎng)+”成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。高端、智能、綠色、服務(wù)成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新趨勢；互聯(lián)網(wǎng)突破時空限制，世界知名企業(yè)實現(xiàn)全球協(xié)同化設(shè)計和生產(chǎn)；智能制造技術(shù)在設(shè)計、研發(fā)、制造等環(huán)節(jié)的應(yīng)用日趨泛化深化；基于融合化、服務(wù)化、平臺化的新業(yè)態(tài)和新模式成為產(chǎn)業(yè)新形態(tài)。當(dāng)前，大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)快速發(fā)展，持續(xù)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供強勁市場需求，全球集成電路產(chǎn)業(yè)將迎來新一輪的發(fā)展機遇。五、2

35、019主要經(jīng)營目標(biāo)2019年xxx公司計劃實現(xiàn)營業(yè)收入892.9620000000001萬元，同比增長20%。六、重點工作安排2019年xxx公司將重點推進(jìn)成都電子信息高技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目實施。（一）產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx投資公司承辦的“成都電子信息高技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目”主要從事半導(dǎo)體集成電路項目開發(fā)投資，符合產(chǎn)業(yè)政策要求。1956年國務(wù)院制定的1956-1967科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中，已將半導(dǎo)體技術(shù)列為四大科研重點之一，明確提出“在12年內(nèi)可以制備和改進(jìn)各種半導(dǎo)體器材、器件”的目標(biāo)。（二）項目選址與用地規(guī)劃相容性成都電子信息高技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目選址于某某新區(qū)，項目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地，符合用地規(guī)劃要求，

36、此外，項目建設(shè)前后，未改變項目建設(shè)區(qū)域環(huán)境功能區(qū)劃；在落實該項目提出的各項污染防治措施后，可確保污染物達(dá)標(biāo)排放，滿足某某新區(qū)環(huán)境保護(hù)規(guī)劃要求。因此，建設(shè)項目符合項目建設(shè)區(qū)域用地規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護(hù)紅線：成都電子信息高技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目用地性質(zhì)為建設(shè)用地，不在主導(dǎo)生態(tài)功能區(qū)范圍內(nèi)，且不在當(dāng)?shù)仫嬘盟磪^(qū)、風(fēng)景區(qū)、自然保護(hù)區(qū)等生態(tài)保護(hù)區(qū)內(nèi)，符合生態(tài)保護(hù)紅線要求。2、環(huán)境質(zhì)量底線：該項目建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量不低于項目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容量，符合環(huán)境質(zhì)量底線要求。3、資源利用上線：項目營運過程消耗一定的電能、水，資源消耗量相對于區(qū)域資源利

37、用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單：該項目所在地?zé)o環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單，項目采取環(huán)境保護(hù)措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達(dá)標(biāo)排放，固體廢物能夠得到合理處置，不會產(chǎn)生二次污染。（三）項目選址某某新區(qū)成都，簡稱蓉，別稱蓉城、錦城，是四川省省會、副省級市、特大城市、成都都市圈核心城市，國務(wù)院批復(fù)確定的中國西部地區(qū)重要的中心城市，國家重要的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地、商貿(mào)物流中心和綜合交通樞紐。截至2018年，全市下轄11個區(qū)、4個縣，代管5個縣級市，總面積14335平方千米。2019年末，建成區(qū)面積949.6平方公里，常住人口1658.10萬人，城鎮(zhèn)人口1233.79萬人，城鎮(zhèn)化率74.41%。成

38、都地處中國西南地區(qū)、四川盆地西部、成都平原腹地，境內(nèi)地勢平坦、河網(wǎng)縱橫、物產(chǎn)豐富、農(nóng)業(yè)發(fā)達(dá)，屬亞熱帶季風(fēng)性濕潤氣候，自古有天府之國的美譽；是西部戰(zhàn)區(qū)機關(guān)駐地，作為全球重要的電子信息產(chǎn)業(yè)基地，有國家級科研機構(gòu)30家，國家級研發(fā)平臺67個，高校56所，各類人才約389萬人；2019年世界500強企業(yè)落戶301家。成都是國家歷史文化名城，古蜀文明發(fā)祥地。境內(nèi)金沙遺址有3000年歷史，周太王以一年成邑，二年成都，故名成都；先后有7個割據(jù)政權(quán)在此建都；一直是各朝代的州郡治所；漢為全國五大都會之一；唐為中國最發(fā)達(dá)工商業(yè)城市之一，史稱揚一益二；北宋是汴京外第二大都會，發(fā)明世界上第一種紙幣交子。擁有都江堰、武

39、侯祠、杜甫草堂等名勝古跡，是中國優(yōu)秀旅游城市。成都先后獲世界最佳新興商務(wù)城市、中國內(nèi)陸投資環(huán)境標(biāo)桿城市、國家小微企業(yè)雙創(chuàng)示范基地城市、中國城市綜合實力十強、中國十大創(chuàng)業(yè)城市、中國外貿(mào)百強城市排名第18等榮譽，正加快建設(shè)具有全國引領(lǐng)力、全球競爭力的世界文創(chuàng)名城。（四）項目用地規(guī)模項目總用地面積8891.11平方米（折合約13.33畝）。（五）項目用地控制指標(biāo)該工程規(guī)劃建筑系數(shù)75.50%，建筑容積率1.34，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率5.85%，固定資產(chǎn)投資強度165.37萬元/畝。（六）土建工程指標(biāo)項目凈用地面積8891.11平方米，建筑物基底占地面積6712.79平方米，總建筑面積11914.09平

40、方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程7372.79平方米，項目規(guī)劃綠化面積696.82平方米。（七）節(jié)能分析1、項目年用電量912926.52千瓦時，折合112.20噸標(biāo)準(zhǔn)煤。2、項目年總用水量3185.31立方米，折合0.27噸標(biāo)準(zhǔn)煤。3、“成都電子信息高技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目投資建設(shè)項目”，年用電量912926.52千瓦時，年總用水量3185.31立方米，項目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）112.47噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年。達(dá)產(chǎn)年綜合節(jié)能量39.52噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年，項目總節(jié)能率22.09%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護(hù)項目符合某某新區(qū)發(fā)展規(guī)劃，符合某某新區(qū)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對產(chǎn)生的各類污染物都采取了切

41、實可行的治理措施，嚴(yán)格控制在國家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，項目建設(shè)不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構(gòu)成項目預(yù)計總投資3254.78萬元，其中：固定資產(chǎn)投資2204.38萬元，占項目總投資的67.73%；流動資金1050.40萬元，占項目總投資的32.27%。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預(yù)期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標(biāo)預(yù)期達(dá)產(chǎn)年營業(yè)收入7709.00萬元，總成本費用5979.81萬元，稅金及附加64.19萬元，利潤總額1729.19萬元，利稅總額2031.89萬元，稅后凈利潤1296.89萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額735.00萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率53.13%，投資利稅

42、率62.43%，投資回報率39.85%，全部投資回收期4.01年，提供就業(yè)職位106個。（十二）進(jìn)度規(guī)劃本期工程項目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。（十三）主要經(jīng)濟指標(biāo)主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米8891.1113.33畝1.1容積率1.341.2建筑系數(shù)75.50%1.3投資強度萬元/畝165.371.4基底面積平方米6712.791.5總建筑面積平方米11914.091.6綠化面積平方米696.82綠化率5.85%2總投資萬元3254.782.1固定資產(chǎn)投資萬元2204.382.1.1土建工程投資萬元900.762.1.1.1土建工程投資占比萬元27.67%2.1.2設(shè)備投資萬元1169.272.1.2.1設(shè)備投資占比35.92%2.1.3其它投資萬元134.352.1.3.1其它投資占比4.13%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比67.73%2.2流動資金萬元1050.402.2.1流動資金占比32.27%3收入萬元7709.004總成本萬元5979.815利潤總額萬元1729.196凈利潤