單晶硅企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)

1、XXX有限公司發(fā)布 實(shí)施發(fā)布硅 單 晶企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ICS0前 言本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了Ibis Technology美國(guó)Ibis公司硅單晶產(chǎn)品樣本，其他技術(shù)要求執(zhí)行了GB/T 12962-2005標(biāo)準(zhǔn)。編寫(xiě)格式按GB/T 1.1-2009標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和編寫(xiě)標(biāo)準(zhǔn)修訂。本標(biāo)準(zhǔn)于XXX首次發(fā)布。 硅 單 晶1 范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶的產(chǎn)品術(shù)語(yǔ)、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉法制備的硅單晶。產(chǎn)品主要用于制作太陽(yáng)能電池及其組件。2 規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文

2、件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法GB/T1551 硅鍺單晶電阻率測(cè)定 直流二探針?lè)℅B/T1552 硅鍺單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)℅B/T1553 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法GB/T1554 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T1555 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法GB/T1557 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法GB/T1558 硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T11073 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法GB/T12964 硅單晶拋光片GB/T13387 電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法GB/T14140

3、 （所有部分）硅片直徑測(cè)量方法GB/T14143 300m-900m硅片間隙氧含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T14844 半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法Ibis Technology 美國(guó)Ibis公司硅單晶產(chǎn)品樣本3 術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。3.1 徑向電阻率變化晶片中心點(diǎn)與偏離中心的某一點(diǎn)或若干對(duì)稱分布的設(shè)定點(diǎn)（典型設(shè)定點(diǎn)是晶片半徑的1/2處或靠近晶片邊緣處）的電阻率之間的差值。這種電阻率的差值可以表示為中心值的百分?jǐn)?shù)。又稱徑向電阻率剃度。3.2 雜質(zhì)條紋晶體生長(zhǎng)時(shí)，在旋轉(zhuǎn)的固液交界面處發(fā)生周期行的溫度起伏，引起晶體內(nèi)雜質(zhì)分布的周期性變化。在晶體的橫截面上，該變化呈同心圓或螺旋狀條紋。這些

4、條紋反映了雜質(zhì)濃度的周期性變化，也使電阻率局部變化。擇優(yōu)腐蝕后，在放大1500倍下觀察，條紋是連續(xù)的。3.3 重?fù)诫s 半導(dǎo)體材料中摻入的雜質(zhì)量較多，雜質(zhì)濃度大于1018cm-3為重?fù)诫s。4 產(chǎn)品的分類4.1 分類硅單晶按導(dǎo)電類型分為N型和P型兩種類型。4.2 規(guī)格滾圓后的直徑分為150mm、200mm、210mm三種規(guī)格。5 技術(shù)要求5.1 直徑及其允許誤差符合表1規(guī)定。 表1 硅單晶的直徑及其允許偏差 mm滾圓前單晶直 徑以雙方合同為準(zhǔn)允許偏差以雙方合同為準(zhǔn)滾圓后單晶直 徑150200210允許偏差0.30.30.35.2 電阻率5.2.1 電阻率范圍和徑向電阻率變化符合表2規(guī)定。表2 電阻

5、率范圍及其徑向電阻率變化導(dǎo)電類型摻雜元素電阻率范圍（cm）徑向電阻率變化（%）150mm200mm210mmPB0.1-60555注：1、所有電阻率范圍的數(shù)值是在硅單晶斷面使用四探針測(cè)量的數(shù)值。2、徑向電阻率變化是規(guī)定端面或硅片上使用直排四探針測(cè)定的數(shù)值。按照公式 RV=（a-c）/a100%計(jì)算，其中：c硅片中心點(diǎn)處測(cè)得的兩次電阻率的平均值。a硅片半徑中點(diǎn)或距邊緣6mm處，以90間隔的四點(diǎn)處測(cè)得的電阻率的平均值。3、此表數(shù)值對(duì)應(yīng)的硅單晶晶向均為。5.3 晶向5.3.1 硅單晶晶向?yàn)榛蚓颉?.3.2 硅單晶晶向偏離度不大于2。5.4 硅單晶的少數(shù)載流子壽命5.4.1 P型硅單晶的少數(shù)載流子壽

6、命應(yīng)15s。5.4.2 如客戶有特殊要求，按照合同指標(biāo)執(zhí)行。5.5 氧含量5.5.1 硅單晶的間隙氧含量應(yīng)小于9.51017atoms/cm3。具體指標(biāo)按照合同規(guī)定執(zhí)行。5.5.2 重?fù)诫s硅單晶的氧含量由供需雙方商訂。5.6 碳含量硅單晶的碳含量應(yīng)小于51016atoms/cm3。5.7 晶體完整性5.7.1 硅單晶的位錯(cuò)密度應(yīng)不大于100個(gè)/cm3，即無(wú)位錯(cuò)。5.7.2 硅單晶應(yīng)無(wú)星形結(jié)構(gòu)、六角網(wǎng)絡(luò)、孔洞和裂紋。5.7.3 電阻率小于0.02cm的重?fù)诫s硅單晶允許觀察到雜質(zhì)條紋。5.7.4 硅單晶的旋渦缺陷或微缺陷度按照客戶要求執(zhí)行，以合同為準(zhǔn)。5.8 金屬含量5.8.1 硅單晶的體金屬含量

7、由雙方商定，按照合同執(zhí)行。5.8.2 重?fù)诫s硅單晶的基硼、基磷含量有雙方商定，按照合同執(zhí)行。6 試驗(yàn)方法6.1 硅單晶導(dǎo)電類型測(cè)量按GB/T1550進(jìn)行。6.2 硅單晶的電阻率四探針測(cè)量按GB/T1522進(jìn)行。6.3 硅單晶的徑向電阻率變化測(cè)量按GB/T11073進(jìn)行。6.4 硅單晶的晶向及晶偏離度測(cè)量按GB/T1555進(jìn)行。6.5 硅單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量按GB/T1553進(jìn)行。6.6 硅單晶的晶體完整性檢驗(yàn)按GB/T1554進(jìn)行。6.7 硅單晶的直徑測(cè)量按GB/T14140進(jìn)行。6.8 硅單晶的氧含量按GB/T14143及GB/T1557進(jìn)行。6.9 硅單晶的碳含量按GB/T1558進(jìn)行

8、。6.10 硅單晶的體金屬含量（Fe）測(cè)量方法按照客戶要求進(jìn)行。6.11 重?fù)焦鑶尉У幕?、基磷含量測(cè)量方法按照客戶要求進(jìn)行。7 檢驗(yàn)規(guī)則7.1 檢驗(yàn)和驗(yàn)收7.1.1 產(chǎn)品由我公司技術(shù)質(zhì)檢部進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品符合本標(biāo)準(zhǔn)及其合同要求，并填寫(xiě)廠檢報(bào)告。7.1.2 客戶可對(duì)收到的產(chǎn)品按照本標(biāo)準(zhǔn)及其合同標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢驗(yàn)，若檢驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)或合同的規(guī)定不符，應(yīng)在收到我方產(chǎn)品之日起三個(gè)月內(nèi)向我方提出，并由雙方協(xié)商解決。7.2 檢驗(yàn)項(xiàng)目每根硅單晶的檢驗(yàn)項(xiàng)目包括：長(zhǎng)度、直徑、導(dǎo)電類型、晶向、晶向偏離、電阻率范圍及其徑向電阻率變化、晶體完整性、氧含量、碳含量和少數(shù)載流子壽命。8 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存8.1 包裝和標(biāo)志8.1.1 硅單晶用聚苯烯（泡沫）逐錠包裝，然后將結(jié)包裝的晶錠裝入包裝箱內(nèi)，并裝滿填充物，防止晶體松動(dòng)。8.1.2 包裝箱外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”等標(biāo)識(shí)。并標(biāo)明：a）需方名稱、地點(diǎn)；b）產(chǎn)品名稱、牌號(hào)；c）產(chǎn)品件數(shù)及重量（毛重/凈重）；d）我公司相關(guān)信息。8.2 運(yùn)輸和貯存8