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1、24/12/2020,PCB流程-圖形電鍍&蝕刻,24/12/2020,制程目的 加厚線路及孔內(nèi)銅厚,使產(chǎn)品達(dá)到 客戶要求,圖形電鍍制程目的,24/12/2020,圖形電鍍工藝流程,工藝流程 上板除油水洗微蝕水洗 酸浸鍍銅水洗酸浸鍍錫水 洗下板退鍍水洗上板,24/12/2020,圖電工序主要工藝參數(shù),24/12/2020,流程詳解,除油(Acid Clean) 1、流程目的:清潔銅面,去除上工序的 殘膜及人手接觸后的指印等油性污垢(使 用酸性溶液,以免使干膜受損)。 2、主要成分:Acid Cleaner ACD(ATO) 3、操作溫度:28-32 4、處理時(shí)間:3-5min,24/12/20
2、20,流程詳解,微蝕(Micro Etch) 1、流程目的:除去銅面上的氧化物,粗化 銅面,提高鍍層結(jié)合力。 2、主要成分:過(guò)硫酸鈉、硫酸 3、操作溫度:24-28 4、處理時(shí)間:1-2min,24/12/2020,流程詳解,鍍銅預(yù)浸(Pre-dip for Cu Plate) 1、流程目的:用稀硫酸除去銅表面的輕微 氧化;維持鍍銅缸之酸度,減小鍍銅缸成 份的變化。 2、主要成分:硫酸 3、操作溫度:室溫 4、處理時(shí)間:0.5-1min,24/12/2020,流程詳解,鍍銅(Copper Plate) 1、流程目的:在酸性硫酸銅鍍液中,銅離 子不斷的得電子被還原為金屬銅,沉積在 板面及鍍銅孔內(nèi)
3、,直至達(dá)到所需的厚度。 2、主要成分:硫酸、硫酸銅、氯離子、 Brightener 125T-2(R&H)、 Carrier 125-2(R&H) 3、操作溫度:22-27 4、處理時(shí)間:86min,24/12/2020,流程詳解,鍍錫預(yù)浸(Pre-dip for Tin Plate) 1、流程目的:用稀硫酸除去銅表面的輕微 氧化;維持鍍錫缸之酸度,減小鍍錫缸各 主要成分變化。 2、主要成分:硫酸 3、操作溫度:室溫 4、處理時(shí)間:0.5-1min,24/12/2020,流程詳解,鍍錫(Tin Plate) 1、流程目的:在酸性硫酸亞錫鍍液中,亞 錫離子不斷的得電子被還原為金屬錫,沉 積在已經(jīng)
4、鍍銅的板面及孔內(nèi),直至達(dá)到所 需的厚度。 2、主要成分:硫酸、硫酸亞錫 EC Part A(R&H) EC Part B(R&H) 3、操作溫度:18-22 4、處理時(shí)間:10min或更長(zhǎng),24/12/2020,流程詳解,夾具退銅(Rack Strip) 1、去除電鍍夾具上的鍍銅,方便下一循環(huán) 的電鍍進(jìn)行。 2、主要成分:硝酸 3、操作溫度:室溫 4、處理時(shí)間:5-8min,24/12/2020,圖形電鍍?cè)O(shè)備,24/12/2020,待圖電的板,24/12/2020,圖電后的板,24/12/2020,蝕刻工序,制程目的 蝕掉非線路銅(底銅和板電層), 獲得成品線路圖形,使產(chǎn)品達(dá)到導(dǎo)通 的基本功能
5、,24/12/2020,蝕刻工藝流程,工藝流程 退膜水洗蝕刻水洗退錫 水洗烘干,24/12/2020,蝕刻工序主要工藝參數(shù),24/12/2020,流程詳解,退膜 退膜制程所使用的化學(xué)藥液以NaOH為 主,藥液濃度在1-3%左右(重量比),槽 液溫度在30-50左右。 之所以采用NaOH作為退膜藥液主要是因 為其對(duì)已硬化的干膜有較好的溶解性能, 且價(jià)格低廉,24/12/2020,流程詳解,堿性蝕刻 1、組成: 蝕刻液以氯化銅、氯化銨和氨水配成。 2、蝕刻原理: 在氯化銅溶液中加入氨水,發(fā)生絡(luò)合反 應(yīng): CuCL2 + 4NH3 Cu(NH3)4CL2 在蝕刻過(guò)程中,板面上的銅被 Cu(NH3)4
6、2+絡(luò)離子氧化,反應(yīng)如下: Cu(NH3)4CL2 + Cu 2Cu(NH3)2CL2,24/12/2020,流程詳解,3、蝕刻藥水的再生: Cu(NH3)2CL2為Cu+的絡(luò)離子,不具有蝕 刻能力,在有過(guò)量NH3和CL-的情況下,能很 快地被O2所氧化,生成具有蝕刻能力的 Cu(NH3)42+絡(luò)離子,反應(yīng)如下: 2Cu(NH3)2CL2+2NH4CL+2NH3+1/2O2 2Cu(NH3)4CL2+H2O,24/12/2020,流程詳解,退錫 1、藥水類型: 硝酸型:放熱輕微、沉淀較少、不腐蝕 環(huán)氧樹(shù)脂表面、腐蝕銅基體少、板面光 亮。 2、反應(yīng)原理: 4HON3 + Pb + OX Pb(NO3) + R R +
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