無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)題庫-選擇題

1、選擇題1NaCl型結(jié)構(gòu)中，Cl- 按立方最緊密方式堆積，Na+充填于（ B ）之中。A、全部四面體空隙 B、全部八面體空隙 C、1/2四面體空隙 D、1/2八面體空隙2在析晶過程中，若DT較大，則獲得的晶粒為（ A ）A、數(shù)目多而尺寸小的細(xì)晶 B、數(shù)目少而尺寸大的粗晶 C、數(shù)目多且尺寸大的粗晶 D、數(shù)目少且尺寸小的細(xì)晶3在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會使得熔體的析晶能力（ c ）：a.不變 b. 減弱 c. 增大4在燒結(jié)過程的傳質(zhì)方式中，不會使坯體致密的是（ a ）a. 擴(kuò)散傳質(zhì) b. 溶解-沉淀傳質(zhì) c. 蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì) d. 流動傳質(zhì)5過冷度愈大，臨界晶核半徑（ c ）相應(yīng)的相變（ e ）a. 不

2、變 b. 愈大 c. 愈小 d. 愈難進(jìn)行 e. 愈易進(jìn)行 f. 不受影響6從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始粒徑必須（ c ）a. 細(xì) b. 粗 c. 細(xì)而均勻 d. 粗但均勻7根據(jù)晶界兩邊原子排列的連貫性來劃分，在多晶體材料中主要是( B )A、共格晶界 B、非共格晶界 C、半共格晶界8玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的Z一般是已知的，請問硼酸鹽玻璃的Z =（ B ）A、2 B、3 C、4 D、59石英晶體結(jié)構(gòu)屬于（ d ） a. 島狀結(jié)構(gòu) b. 鏈狀結(jié)構(gòu) c. 層狀結(jié)構(gòu) d. 架狀結(jié)構(gòu)10. 在離子型化合物中，晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù)Db，晶界區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)Dg和表面區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)Ds三者中（ C ）最大A、Db B、

3、Dg C、Ds11. 系統(tǒng)中的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ d ）a. 5 b. 4 c. 3 d. 212. 熔體系統(tǒng)中組成越簡單，則熔體析晶（ B ）A、不受影響 B、越容易 C、越難13. 過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘（ b ），臨界晶核半徑（ b ），析晶能力（ a ）a. 越大 b. 越小 c. 不變14. 下列選項(xiàng)中不屬于馬氏體相變的特征的是（ B ）A、相變后存在習(xí)性平面 B、屬擴(kuò)散型相變 C、新相與母相間有嚴(yán)格的取向關(guān)系 D、在一個溫度范圍內(nèi)進(jìn)行 E、速度很快15. 顆粒不同部位的空位濃度存在差異，下列區(qū)域中（ b ）處的空位濃度最大A、晶粒內(nèi)部 B、頸部表面張應(yīng)力區(qū) C、受壓應(yīng)力的顆粒接觸中

4、心16. 塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸力為（ B ）A、范德華力 B、毛細(xì)管力 C、局部邊-面靜電引力17. CaTiO3（鈦酸鈣）型結(jié)構(gòu)中，Ca2+和O2-共同組成立方緊密堆積，Ca2+占據(jù)立方面心的角頂位置，O2-占據(jù)立方面心的面心位置，Ti4+充填于（ d ）之間。a. 全部八面體空隙 b. 1/8四面體空隙 c. 1/2八面體空隙 d. 1/4八面體空隙18. 在下列幾類晶體中，形成間隙型固溶體的難易次序（由易到難）是（ B ）。A、NaClTiO2CaF2 B、CaF2TiO2NaCl C、CaF2NaClTiO219. 一晶面在三晶軸上的截距分別為3a，3b，2c，該晶面的晶面指數(shù)

5、為（ d ）a（332） b. （112） c. （321） d. （223）20. 從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始原料的粒徑應(yīng)當(dāng)（ a ）a. 細(xì)而均勻 b. 粗而均勻 c. 細(xì)而不均勻 d. 粗而不均勻21. 下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（ B ）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散。A、易位機(jī)構(gòu) B、空位機(jī)構(gòu) C、亞間隙機(jī)構(gòu) D、間隙機(jī)構(gòu)22. 在晶粒生長過程中晶界（ a ）a. 向凸面曲率中心移動 b. 背離凸面曲率中心移動 c. 不移動23. 當(dāng)O/Si比趨近于2時，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三種熔體的粘度大小次序?yàn)椋?a ）a.Li2O-SiO2Na2O-SiO2

6、K2O-SiO2 b. K2O-SiO2Na2O-SiO2Li2O-SiO2 c. Li2O-SiO2K2O-SiO2Na2O-SiO2 d. Na2O-SiO2 Li2O-SiO2K2O-SiO224. 劃分單位平行六面體時，在滿足對稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（ B ）A、體積最小 B、棱間直角關(guān)系最多 C、結(jié)點(diǎn)間距最小25. 根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其熔化溫度（ A ）A、越低 B、越高 C、不變26. 若有一個變價金屬氧化物XO，在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：O1.1：1，則其化學(xué)式應(yīng)為（ c ）a. X1.1O b. XO0.90 c. XO

7、0.91 d. XO1.127. K2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ c ）a. 4 b. 3 c. 2 d. 128. 一晶面的晶面指數(shù)為（220），則其與c軸的關(guān)系為（ B ）A、垂直 B、平行 C、相交（非90）29. 若有n個等大球體作最緊密堆積，就必有 （ a ）個八面體空隙。a. n個 b. 2n個 c. 3n個 d. 4n個30. 燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（ C ）A、擴(kuò)散傳質(zhì) B、流動傳質(zhì) C、蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì) D、溶解-沉淀傳質(zhì)31. 當(dāng)O/Si比趨近于4時，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三種熔體

8、的粘度大小次序?yàn)椋?）a.Li2O-SiO2Na2O-SiO2K2O-SiO2 b. K2O-SiO2Na2O-SiO2Li2O-SiO2 c. Li2O-SiO2K2O-SiO2Na2O-SiO2 d. Na2O-SiO2 Li2O-SiO2DgDs b. Ds Dg Db c. Dg Ds Db65均勻成核與非均勻成核相比（ b ）更容易進(jìn)行？ a. 均勻成核 b. 非均勻成核 c. 二者一樣66在晶體中形成空位的同時又產(chǎn)生間隙原子，這樣的缺陷稱為（ b ）a. 肖特基缺陷 b. 弗倫克爾缺陷 c. 間隙缺陷67在質(zhì)點(diǎn)遷移的空位機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度較高時以（ b ）為主a. 非本征擴(kuò)散 b. 本

9、征擴(kuò)散 c. 非化學(xué)計(jì)量空位擴(kuò)散68過冷度愈大，臨界晶核半徑（ c ） 相應(yīng)地相變（ e ）a. 不變 b. 愈大 c. 愈小 d. 愈難進(jìn)行 e. 愈易進(jìn)行 f. 不受影響69若有一個變價金屬氧化物XO，在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：O1.2：1，則其化學(xué)式應(yīng)為（ b ）a. X1.2O b. XO0.83 c. XO0.91 d. XO1.270立方結(jié)構(gòu)的(112)與(113)晶面同屬于（ a ）晶帶軸。a. 110 b. 111 c. 21171下列關(guān)于電動電位的描述錯誤的是（ b ）a. 由一價陽離子飽和的粘土其-電位大于由三價陽離子飽和的

10、同種粘土b. 對于同價陽離子飽和的粘土而言，隨著離子半徑增大-電位增大c. 由同種陽離子飽和的粘土，隨著離子濃度增大-電位減小72菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征，即擴(kuò)散物質(zhì)的濃度不隨（ b ）變化。a. 距離 b. 時間 c. 溫度73劃分單位平行六面體時，在滿足對稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（ b ）a. 體積最小 b. 棱間直角關(guān)系最多 c. 結(jié)點(diǎn)間距最小74. 在硅酸鹽熔體中，當(dāng)RO/Si減小時，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化是：非橋氧百分?jǐn)?shù)（ b ），熔體粘度（ a ），熔體析晶傾向（ b ）a. 增大 b. 減小 c. 不變75. 下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（ b ）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散a.

11、間隙機(jī)構(gòu) b. 空位機(jī)構(gòu) c. 亞間隙機(jī)構(gòu) d. 易位機(jī)構(gòu)76. 晶核生長速率u與溫度的關(guān)系為（ C ）A、隨溫度的升高而增大 B、隨溫度的升高而減小 C、隨溫度的升高先增大后減小 D、隨溫度的升高先減小后增大77. 在燒結(jié)過程中不會引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（ d ）a. 溶解-沉淀傳質(zhì) b. 擴(kuò)散傳質(zhì) c. 流動傳質(zhì) d. 蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)79. 晶體結(jié)構(gòu)中所存在的一切對稱要素的集合稱為（ c ）a. 聚形 b. 點(diǎn)群 c. 空間群 d. 平移群80. 右圖為具有L44P對稱的一個平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的基本單位，圖中給出了六種可能的劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進(jìn)行選取

12、，不被排除的有（ a, b ）a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 e.5 f. 681. 同價陽離子飽和的粘土，其-電位隨著離子半徑增大而（ b ）a. 增大 b. 減小 c. 不變82. Si:O趨近于1/2時硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為（ d ）a. 島狀 b. 鏈狀 c. 層狀 d. 架狀83玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的z一般是已知的，其中硼酸鹽玻璃的z =（ b ）a. 2 b. 3 c. 4 d. 5 84在晶粒生長過程中晶界（ c ）a. 不移動 b. 背離凸面曲率中心移動 c. 向凸面曲率中心移動85塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為（ c ）a. 范德華力 b. 靜電引力 c. 毛細(xì)管力86

13、在晶核形成過程中，臨界晶核半徑愈大，則相變（ c ）a. 愈易進(jìn)行 b. 不受影響 c. 愈難進(jìn)行87Na2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ c ）a. 4 b. 3 c. 2 d. 188立方晶體中的001方向是（ b ） a二次對稱軸 b. 四次對稱軸 c. 六次對稱軸89粘土顆粒周圍存在附著定向的水分子層和水化陽離子，這部分水稱為（ b ）a. 結(jié)構(gòu)水 b. 結(jié)合水 c. 自由水90宏觀晶體中所有對稱要素的集合稱為（ a ）a. 空間群 b. 平移群 c. 點(diǎn)群91在置換型固溶體中，原子擴(kuò)散的方式一般為（ c ）a. 原子互換機(jī)制 b. 間隙機(jī)制 c. 空位機(jī)制9

14、2-石英與-方石英之間的晶型轉(zhuǎn)變屬于（ a ）a. 重建型相變 b. 位移型相變 c. 擴(kuò)散型相變1、極化會對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（ B ）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。A: 共價鍵向離子鍵 B: 離子鍵向共價鍵 C: 金屬鍵向共價鍵 D: 鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（ B ），離子配位數(shù)（ ）。 A: 增大，降低 B: 減小，降低 C: 減小，增大 D: 增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（ C ）。A: 5 B: 6 C: 4 D: 34、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na+填充在Cl-所構(gòu)成的（ B ）

15、空隙中。A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 1/2四面體 D: 1/2八面體5、CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl-所構(gòu)成的（ C ）空隙中。A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 全部立方體 D: 1/2八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個單位晶胞中有（ B ）個MgO分子。A: 2 B: 4 C: 6 D: 87、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（ D ）。 A: 八面體空隙的半數(shù) B: 四面體空隙的半數(shù) C: 全部八面體空隙 D: 全部四面體空隙 8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，

16、F-配位數(shù)為（ B ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 9、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8，Cl-的配位數(shù)為（ D ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 810、硅酸鹽晶體的分類原則是（ B ）。A: 正負(fù)離子的個數(shù) B: 結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成 D:離子半徑11、鋯英石ZrSiO4是（ A ）。A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu) C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代，這種現(xiàn)象稱為（ C ）。 A: 同質(zhì)多晶 B: 有序無序轉(zhuǎn)變 C: 同晶置換 D: 馬氏體轉(zhuǎn)變13. 鎂橄欖石Mg2SiO4是（ A ）。 A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu)

17、 C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu)14、對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋?A ）。A: 沸石螢石MgO B: 沸石MgO螢石 C: 螢石沸石MgO D: 螢石MgO沸石15、根據(jù)鮑林(Pauling)規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（ B ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元SiO4四面體，兩個相鄰的SiO4四面體之間只能（ A ）連接。 A: 共頂 B: 共面 C: 共棱 D: A+B+C17、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷

18、的是（ D ）。A：弗侖克爾缺陷 B：肖特基缺陷C：雜質(zhì)缺陷 D：A+B18、位錯的（ A）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運(yùn)動，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。A: 攀移 B: 攀移C: 增值 D: 減少19、對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（ D ）。A: 負(fù)離子空位 B: 間隙正離子C: 間隙負(fù)離子 D: A或B20、對于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（ D ）。 A: 正離子空位 B: 間隙負(fù)離子C: 負(fù)離子空位 D: A或B21、形成固溶體后對晶體的

19、性質(zhì)將產(chǎn)生影響, 主要表現(xiàn)為（ D ）。A: 穩(wěn)定晶格 B: 活化晶格C: 固溶強(qiáng)化 D: A+B+C22、固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（ B ）。A: 結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B: 結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件C: 結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D: 結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（ D ）。 A: 點(diǎn)缺陷 B: 線缺陷 C: 面缺陷 D: A+B+C24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（ D ）。 A: 熱缺陷 B: 雜質(zhì)缺陷

20、C: 非化學(xué)計(jì)量缺陷 D: A+B+C25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（ B ）。A:線性增加 B:呈指數(shù)規(guī)律增加 C:無規(guī)律 D:線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（ D ）。 A: 雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小 B: 晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu) C: 電價因素 D: A+B+C27、位錯的滑移是指位錯在（A ）作用下，在滑移面上的運(yùn)動，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。 A: 外力 B: 熱應(yīng)力 C: 化學(xué)力 D: 結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（Burgers Vector）與位錯線垂直的位錯稱為(A )，其符號表示為( )。A:刃位錯；

21、B: 刃位錯；VX C: 螺位錯； D:刃位錯；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottky defect）時，（ B ）。A: 正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的縮小B: 正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加C: 正離子空位和負(fù)離子間隙是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加D: 正離子間隙和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkel de

22、fect）時，（ A ）。 A: 間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時成對出現(xiàn) B: 正離子空位和負(fù)離子空位同時成對出現(xiàn) C: 正離子間隙和負(fù)離子間隙同時成對出現(xiàn) D: 正離子間隙和位錯同時成對出現(xiàn)31、位錯的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（ C）。 A: 位錯不一定是直線 B: 位錯是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界 C: 位錯可以中斷于晶體內(nèi)部 D: 位錯不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯的運(yùn)動包括位錯的滑移和位錯的攀移，其中（ A）。 A: 螺位錯只作滑移，刃位錯既可滑移又可攀移 B: 刃位錯只作滑移，螺位錯只作攀移 C: 螺位錯只作攀移，刃位錯既可滑移又可滑移 D: 螺位錯只作滑移，刃位錯只作攀移33、硅酸鹽熔體

23、中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（ D）因素的影響。 A: 組成 B: 溫度 C: 時間 D: A+B+C34、當(dāng)熔體組成不變時，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（ C ），粘度（ ）。 A: 降低；增加 B: 不變；降低 C: 增加；降低 D: 增加；不變35、當(dāng)溫度不變時，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C ），粘度（ ）。 A: 降低；增加 B: 不變；降低 C: 增加；降低 D: 增加；不變36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（ B），隨溫度下降而（ ）。 A: 增大，降低 B: 降低，增大 C: 增大，增大 D: 降低，降低37、由結(jié)晶化學(xué)觀點(diǎn)知，具有（A ）的氧化物容易形成玻璃。 A:

24、 極性共價鍵 B: 離子鍵 C: 共價鍵 D: 金屬鍵38、Na2OAl2O34SiO2熔體的橋氧數(shù)為（ D）。 A: 1 B: 2C: 3 D: 4 39、Na2OCaOAl2O3SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（ B ）。A: 2.5 B: 3 C: 3.5 D:440、如果在熔體中同時引入一種以上的R2O時，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（ B）。A:加和效應(yīng) B:混合堿效應(yīng) C:中和效應(yīng) D:交叉效應(yīng)41、對普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A ）。 A: 降低 B: 升高 C: 不變 D: A或B42、熔體的組成對熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（

25、 A）。 A: 降低 B: 升高 C: 不變 D: A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（ C ）的過程。 A: 可逆與突變 B: 不可逆與漸變 C: 可逆與漸變 D: 不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有（ C ）。 A: 突變性 B: 不變性 C: 連續(xù)性 D: A或B45、熔體組成對熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（ A ）。（A）降低 （B） 升高 （C） 不變 （D） A或B46、不同氧化物的熔點(diǎn)TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（ B ）易形成玻璃。 A: 二分之一 B: 三分之二 C: 四分之一 D:

26、五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲線來討論玻璃形成的動力學(xué)條件，三T曲線前端即鼻尖對應(yīng)析出106體積分?jǐn)?shù)的晶體的時間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（ A）。 A: 愈困難 B: 愈容易 C: 質(zhì)量愈好 D: 質(zhì)量愈差48、不同O/Si比對應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（ A ）。 A: 越不容易 B: 越容易 C: 質(zhì)量愈好 D: 質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以（ C ）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時，對形成玻璃有利

27、。 A: 低聚合 B: 不聚合 C: 高聚合 D: A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（ D），膨脹系數(shù)（ ）。 A: 增大；不變 B: 降低；增大 C: 不變；降低 D: 增大；降低50、對于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于（ A ）的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。A: 較高 B: 較低 C: 相同 D: A或C51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對于正常位置的上、下位移，稱為（ B）。A: 表面收縮 B: 表面弛豫C: 表面滑移 D:

28、表面擴(kuò)張52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（B）液體的表面能。A: 小于 B: 大于C: 小于等于 D: 等于53、重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（ ），垂直方向的層間距與體內(nèi)（ A ）。A:不同；相同 B:相同；相同C:相同；不同 D:不同；不同54、粘附劑與被粘附體間相溶性（ C ），粘附界面的強(qiáng)度（ ）。A:越差；越牢固 B:越好；越差C:越好；越牢固 D:越好；不變55、離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動，從而形成表面（ C，這種重排的結(jié)果使晶體表面能

29、量趨于穩(wěn)定。A: 收縮 B: 弛豫 C: 雙電層 D: B+C56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（ ），斷裂強(qiáng)度（ A ）。A: 越長；越低 B: 越長；越高C: 越短；越低 D: 越長；不變57、界面對材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（ D ）的特性。A: 會引起界面吸附 B: 界面上原子擴(kuò)散速度較快C: 對位錯運(yùn)動有阻礙作用 D: A+B+C58、只要液體對固體的粘附功（B ）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。A: 小于 B: 大于C: 小于等于 D: 等于59、當(dāng)液體對固體的潤濕角90時

30、，即在潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（ C）。A: 更難 B: 不變C: 更易 D: A或B60、當(dāng)液體對固體的潤濕角90時，即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（ A ）。A: 更難 B: 不變C: 更易 D: A或B61、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（ B ），固-液兩相互相結(jié)合（ ）；相反，粘附功越小，則越易分離。A: 越大；越松散 B: 越大；越牢固C: 越?。辉嚼喂?D: 越大；不變62、為了提高液相對固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時，必須使液-固界面張力（B）。A: 降低 B: 升高C: 保持不變

31、D: 有時升高，有時降低 63、對于附著潤濕而言，附著功表示為W=SV+LV-SL，根據(jù)這一原理，( A ) 才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。 A: 盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng) B: 盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng) C: 采用在高溫時不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng) D: 前三種方法都不行64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（ C）體積內(nèi)部的濃度。A: 等于 B: 大于 C: 小于 D: A或B65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（ A ），斷裂強(qiáng)度（ ）。A:越長；越低

32、B:越長；越高 C: 越短；越低 D: 越長；不變66、吸附膜使固體表面張力（ B）。A: 增大 B: 減小 C: 不變 D: A或B67、粗糙度對液固相潤濕性能的影響是：CA: 固體表面越粗糙，越易被潤濕B: 固體表面越粗糙，越不易被潤濕C: 不一定D: 粗糙度對潤濕性能無影響68、下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯誤的。AA: 晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B: 晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C: 晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道D: 晶界易受腐蝕69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時，各相的組成及數(shù)量均不會隨時間而改變，是（ C ）。 A:絕對平衡 B:靜態(tài)平衡 C:動態(tài)平衡 D:暫時平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（ A ）。A:2 B:3 C:4 D:571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點(diǎn)是（ D ）。A: 簡便 B: 測得相變溫度僅是一個近似值C: 能確定相變前后的物相 D: A+B72、淬冷法是相平衡的研究的動態(tài)方法，其特點(diǎn)是（ D）。A: 準(zhǔn)確度高 B: 適用于相變速度慢的系統(tǒng)C: 適用于相變速度快的系統(tǒng) D: A+B73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度（ A ）兩種