太原熔煉設(shè)備可行性研究報(bào)告樣例模板

1、泓域咨詢/太原熔煉設(shè)備可行性研究報(bào)告太原熔煉設(shè)備可行性研究報(bào)告泓域咨詢 MACRO摘要在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國(guó)內(nèi)廠商已接近國(guó)外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對(duì)晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長(zhǎng)設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長(zhǎng)爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動(dòng)化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)單晶硅生長(zhǎng)爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅

2、生長(zhǎng)爐，如德國(guó)的PVATePlaAG公司，美國(guó)的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國(guó)內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國(guó)外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)的絕大部分份額。未來(lái)，國(guó)產(chǎn)晶圓生長(zhǎng)設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。中國(guó)晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)。中國(guó)大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國(guó)為10座，臺(tái)灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來(lái)設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2016年中國(guó)大陸已進(jìn)入連年國(guó)產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條

3、，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國(guó)際在北京的Fab4廠是中國(guó)最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過(guò)幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國(guó)際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國(guó)內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國(guó)產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開(kāi)始布局。SK海力士早在08年就在無(wú)錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級(jí)為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。

4、目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬(wàn)片/月。該中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目計(jì)劃總投資10394.06萬(wàn)元，其中：固定資產(chǎn)投資8527.14萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的82.04%；流動(dòng)資金1866.92萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的17.96%。本期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入13977.00萬(wàn)元，總成本費(fèi)用11110.68萬(wàn)元，稅金及附加184.55萬(wàn)元，利潤(rùn)總額2866.32萬(wàn)元，利稅總額3446.22萬(wàn)元，稅后凈利潤(rùn)2149.74萬(wàn)元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額1296.48萬(wàn)元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率27.58%，投資利稅率33.16%，投資回報(bào)率20.68%，全部投資回收期6.34年，提供就業(yè)職位277個(gè)。太原熔煉

5、設(shè)備可行性研究報(bào)告目錄第一章 項(xiàng)目概況一、項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)二、項(xiàng)目承辦單位三、戰(zhàn)略合作單位四、項(xiàng)目提出的理由五、項(xiàng)目選址及用地綜述六、土建工程建設(shè)指標(biāo)七、設(shè)備購(gòu)置八、產(chǎn)品規(guī)劃方案九、原材料供應(yīng)十、項(xiàng)目能耗分析十一、環(huán)境保護(hù)十二、項(xiàng)目建設(shè)符合性十三、項(xiàng)目進(jìn)度規(guī)劃十四、投資估算及經(jīng)濟(jì)效益分析十五、報(bào)告說(shuō)明十六、項(xiàng)目評(píng)價(jià)十七、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)第二章 項(xiàng)目建設(shè)背景及必要性分析一、項(xiàng)目承辦單位背景分析二、產(chǎn)業(yè)政策及發(fā)展規(guī)劃三、鼓勵(lì)中小企業(yè)發(fā)展四、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)分析五、區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展概況六、項(xiàng)目必要性分析第三章 市場(chǎng)分析第四章 建設(shè)規(guī)劃分析一、產(chǎn)品規(guī)劃二、建設(shè)規(guī)模第五章 選址可行性研究一、項(xiàng)目選址原則二、項(xiàng)目選

6、址三、建設(shè)條件分析四、用地控制指標(biāo)五、用地總體要求六、節(jié)約用地措施七、總圖布置方案八、運(yùn)輸組成九、選址綜合評(píng)價(jià)第六章 土建工程一、建筑工程設(shè)計(jì)原則二、項(xiàng)目工程建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范三、項(xiàng)目總平面設(shè)計(jì)要求四、建筑設(shè)計(jì)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)五、土建工程設(shè)計(jì)年限及安全等級(jí)六、建筑工程設(shè)計(jì)總體要求七、土建工程建設(shè)指標(biāo)第七章 工藝先進(jìn)性一、項(xiàng)目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況二、項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)期原輔材料采購(gòu)及管理二、技術(shù)管理特點(diǎn)三、項(xiàng)目工藝技術(shù)設(shè)計(jì)方案四、設(shè)備選型方案第八章 環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)一、建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀二、建設(shè)期環(huán)境保護(hù)三、運(yùn)營(yíng)期環(huán)境保護(hù)四、項(xiàng)目建設(shè)對(duì)區(qū)域經(jīng)濟(jì)的影響五、廢棄物處理六、特殊環(huán)境影響分析七、清潔生產(chǎn)八、項(xiàng)目建設(shè)對(duì)區(qū)

7、域經(jīng)濟(jì)的影響九、環(huán)境保護(hù)綜合評(píng)價(jià)第九章 企業(yè)衛(wèi)生一、消防安全二、防火防爆總圖布置措施三、自然災(zāi)害防范措施四、安全色及安全標(biāo)志使用要求五、電氣安全保障措施六、防塵防毒措施七、防靜電、觸電防護(hù)及防雷措施八、機(jī)械設(shè)備安全保障措施九、勞動(dòng)安全保障措施十、勞動(dòng)安全衛(wèi)生機(jī)構(gòu)設(shè)置及教育制度十一、勞動(dòng)安全預(yù)期效果評(píng)價(jià)第十章 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)分析一、政策風(fēng)險(xiǎn)分析二、社會(huì)風(fēng)險(xiǎn)分析三、市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)分析四、資金風(fēng)險(xiǎn)分析五、技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)分析六、財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)分析七、管理風(fēng)險(xiǎn)分析八、其它風(fēng)險(xiǎn)分析九、社會(huì)影響評(píng)估第十一章 項(xiàng)目節(jié)能概況一、節(jié)能概述二、節(jié)能法規(guī)及標(biāo)準(zhǔn)三、項(xiàng)目所在地能源消費(fèi)及能源供應(yīng)條件四、能源消費(fèi)種類和數(shù)量分析二、項(xiàng)目預(yù)期節(jié)能

8、綜合評(píng)價(jià)三、項(xiàng)目節(jié)能設(shè)計(jì)四、節(jié)能措施第十二章 項(xiàng)目進(jìn)度計(jì)劃一、建設(shè)周期二、建設(shè)進(jìn)度三、進(jìn)度安排注意事項(xiàng)四、人力資源配置五、員工培訓(xùn)六、項(xiàng)目實(shí)施保障第十三章 項(xiàng)目投資估算一、項(xiàng)目估算說(shuō)明二、項(xiàng)目總投資估算三、資金籌措第十四章 經(jīng)濟(jì)收益一、經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)綜述二、經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)財(cái)務(wù)測(cè)算二、項(xiàng)目盈利能力分析第十五章 項(xiàng)目招投標(biāo)方案一、招標(biāo)依據(jù)和范圍二、招標(biāo)組織方式三、招標(biāo)委員會(huì)的組織設(shè)立四、項(xiàng)目招投標(biāo)要求五、項(xiàng)目招標(biāo)方式和招標(biāo)程序六、招標(biāo)費(fèi)用及信息發(fā)布第十六章 項(xiàng)目總結(jié)、建議附表1：主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表附表2：土建工程投資一覽表附表3：節(jié)能分析一覽表附表4：項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度一覽表附表5：人力資源配置一覽表附表6：固定資

9、產(chǎn)投資估算表附表7：流動(dòng)資金投資估算表附表8：總投資構(gòu)成估算表附表9：營(yíng)業(yè)收入稅金及附加和增值稅估算表附表10：折舊及攤銷一覽表附表11：總成本費(fèi)用估算一覽表附表12：利潤(rùn)及利潤(rùn)分配表附表13：盈利能力分析一覽表第一章 項(xiàng)目概況一、項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)（一）項(xiàng)目名稱太原熔煉設(shè)備（二）項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì)該項(xiàng)目屬于新建項(xiàng)目，依托某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和創(chuàng)新氛圍，充分發(fā)揮區(qū)位優(yōu)勢(shì)，全力打造以中高頻熔煉設(shè)備為核心的綜合性產(chǎn)業(yè)基地，年產(chǎn)值可達(dá)14000.00萬(wàn)元。二、項(xiàng)目承辦單位xxx公司三、戰(zhàn)略合作單位xxx有限公司四、項(xiàng)目提出的理由半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備

10、）和后道設(shè)備（封裝及測(cè)試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個(gè)核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長(zhǎng)制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場(chǎng)。五、項(xiàng)目選址及

11、用地綜述（一）項(xiàng)目選址方案項(xiàng)目選址位于某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園,地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，建設(shè)條件良好。太原，簡(jiǎn)稱并（bng），古稱晉陽(yáng)，別稱并州、龍城，是山西省省會(huì)、太原都市圈核心城市，國(guó)務(wù)院批復(fù)確定的中國(guó)中部地區(qū)重要的中心城市。截至2018年，全市下轄6個(gè)區(qū)、3個(gè)縣、代管1個(gè)縣級(jí)市，總面積6909平方千米，建成區(qū)面積438平方千米，常住人口442.15萬(wàn)人，城鎮(zhèn)人口375.27萬(wàn)人，城鎮(zhèn)化率84.88%。2019年常住人口446.19萬(wàn)人。太原地處中國(guó)華北地區(qū)、山西中部、太原盆地北端，北接忻州市，東連陽(yáng)泉市，西交呂梁市，南鄰晉中市，是山西省政治、經(jīng)濟(jì)、文化

12、中心，國(guó)家可持續(xù)發(fā)展議程創(chuàng)新示范區(qū)，是中國(guó)北方軍事、文化重鎮(zhèn)，晉商都會(huì)，也是中國(guó)重要的能源、重工業(yè)基地之一，是中國(guó)優(yōu)秀旅游城市、國(guó)家園林城市。太原是國(guó)家歷史文化名城，一座有2500多年建城歷史的古都，控帶山河，踞天下之肩背，襟四塞之要沖，控五原之都邑的歷史古城。全市三面環(huán)山，黃河第二大支流汾河自北向南流經(jīng)，自古就有錦繡太原城的美譽(yù)，太原的城市精神是包容、尚德、崇法、誠(chéng)信、卓越。2018年11月，入選中國(guó)城市全面小康指數(shù)前100名。2019年6月，未來(lái)網(wǎng)絡(luò)試驗(yàn)設(shè)施開(kāi)通運(yùn)行。2019年8月13日，入選全國(guó)城市醫(yī)療聯(lián)合體建設(shè)試點(diǎn)城市。（二）項(xiàng)目用地規(guī)模項(xiàng)目總用地面積34277.13平方米（折合約51

13、.39畝），土地綜合利用率100.00%；項(xiàng)目建設(shè)遵循“合理和集約用地”的原則，按照中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范和要求進(jìn)行科學(xué)設(shè)計(jì)、合理布局，符合規(guī)劃建設(shè)要求。六、土建工程建設(shè)指標(biāo)項(xiàng)目?jī)粲玫孛娣e34277.13平方米，建筑物基底占地面積25752.41平方米，總建筑面積55528.95平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程41373.61平方米，項(xiàng)目規(guī)劃綠化面積4083.59平方米。七、設(shè)備購(gòu)置項(xiàng)目計(jì)劃購(gòu)置設(shè)備共計(jì)101臺(tái)（套），主要包括：xxx生產(chǎn)線、xx設(shè)備、xx機(jī)、xx機(jī)、xxx儀等，設(shè)備購(gòu)置費(fèi)4349.02萬(wàn)元。八、產(chǎn)品規(guī)劃方案根據(jù)項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設(shè)計(jì)方案為：中高頻熔煉設(shè)備xxx單位

14、/年。綜合考xxx公司企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、產(chǎn)品市場(chǎng)定位、資金籌措能力、產(chǎn)能發(fā)展需要、技術(shù)條件、銷售渠道和策略、管理經(jīng)驗(yàn)以及相應(yīng)配套設(shè)備、人員素質(zhì)以及項(xiàng)目所在地建設(shè)條件與運(yùn)輸條件、xxx公司的投資能力和原輔材料的供應(yīng)保障能力等諸多因素，項(xiàng)目按照規(guī)?；?、流水線生產(chǎn)方式布局，本著“循序漸進(jìn)、量入而出”原則提出產(chǎn)能發(fā)展目標(biāo)。九、原材料供應(yīng)項(xiàng)目所需的主要原材料及輔助材料有：xxx、xxx、xx、xxx、xx等，xxx公司所選擇的供貨單位完全能夠穩(wěn)定供應(yīng)上述所需原料，供貨商可以完全保障項(xiàng)目正常經(jīng)營(yíng)所需要的原輔材料供應(yīng)，同時(shí)能夠滿足xxx公司今后進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的預(yù)期要求。十、項(xiàng)目能耗分析1、項(xiàng)目年用電量134

15、3922.22千瓦時(shí)，折合165.17噸標(biāo)準(zhǔn)煤，滿足太原熔煉設(shè)備項(xiàng)目生產(chǎn)、辦公和公用設(shè)施等用電需要2、項(xiàng)目年總用水量10241.94立方米，折合0.87噸標(biāo)準(zhǔn)煤,主要是生產(chǎn)補(bǔ)給水和辦公及生活用水。項(xiàng)目用水由某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園市政管網(wǎng)供給。3、太原熔煉設(shè)備項(xiàng)目年用電量1343922.22千瓦時(shí)，年總用水量10241.94立方米，項(xiàng)目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）166.04噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年。達(dá)產(chǎn)年綜合節(jié)能量71.16噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年，項(xiàng)目總節(jié)能率21.41%，能源利用效果良好。十一、環(huán)境保護(hù)項(xiàng)目符合某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園發(fā)展規(guī)劃，符合某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國(guó)家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對(duì)產(chǎn)生的各類污染物都采取

16、了切實(shí)可行的治理措施，嚴(yán)格控制在國(guó)家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，項(xiàng)目建設(shè)不會(huì)對(duì)區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。項(xiàng)目設(shè)計(jì)中采用了清潔生產(chǎn)工藝，應(yīng)用清潔原材料，生產(chǎn)清潔產(chǎn)品，同時(shí)采取完善和有效的清潔生產(chǎn)措施，能夠切實(shí)起到消除和減少污染的作用。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，各項(xiàng)環(huán)境指標(biāo)均符合國(guó)家和地方清潔生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)要求。十二、項(xiàng)目建設(shè)符合性（一）產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx公司承辦的“太原熔煉設(shè)備”主要從事中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目投資經(jīng)營(yíng)，其不屬于國(guó)家發(fā)展改革委產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）（2013年修正）有關(guān)條款限制類及淘汰類項(xiàng)目。（二）項(xiàng)目選址與用地規(guī)劃相容性太原熔煉設(shè)備選址于某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園，項(xiàng)目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地

17、，符合用地規(guī)劃要求，此外，項(xiàng)目建設(shè)前后，未改變項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境功能區(qū)劃；在落實(shí)該項(xiàng)目提出的各項(xiàng)污染防治措施后，可確保污染物達(dá)標(biāo)排放，滿足某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園環(huán)境保護(hù)規(guī)劃要求。因此，建設(shè)項(xiàng)目符合項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域用地規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護(hù)紅線：太原熔煉設(shè)備用地性質(zhì)為建設(shè)用地，不在主導(dǎo)生態(tài)功能區(qū)范圍內(nèi)，且不在當(dāng)?shù)仫嬘盟磪^(qū)、風(fēng)景區(qū)、自然保護(hù)區(qū)等生態(tài)保護(hù)區(qū)內(nèi)，符合生態(tài)保護(hù)紅線要求。2、環(huán)境質(zhì)量底線：該項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量不低于項(xiàng)目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容量，符合環(huán)境質(zhì)量底線要求。3、資源利用上線：項(xiàng)目營(yíng)運(yùn)過(guò)程消耗一定的電能、水，資源消耗量

18、相對(duì)于區(qū)域資源利用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單：該項(xiàng)目所在地?zé)o環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單，項(xiàng)目采取環(huán)境保護(hù)措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達(dá)標(biāo)排放，固體廢物能夠得到合理處置，不會(huì)產(chǎn)生二次污染。十三、項(xiàng)目進(jìn)度規(guī)劃本期工程項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個(gè)月。項(xiàng)目建設(shè)單位要制定嚴(yán)密的工程施工進(jìn)度計(jì)劃，并以此為依據(jù)，詳細(xì)編制周、月施工作業(yè)計(jì)劃，以施工任務(wù)書(shū)的形式下達(dá)給參與工程施工的施工隊(duì)伍。項(xiàng)目承辦單位組建一個(gè)投資控制小組，負(fù)責(zé)各期投資目標(biāo)管理跟蹤，各階段實(shí)際投資與計(jì)劃對(duì)比，進(jìn)行投資計(jì)劃調(diào)整，分析原因采取措施，確保該項(xiàng)目建設(shè)目標(biāo)如期完成。實(shí)行動(dòng)態(tài)計(jì)劃管理，加強(qiáng)施工進(jìn)度的統(tǒng)計(jì)和分析工作，根據(jù)實(shí)際施工進(jìn)度

19、，及時(shí)調(diào)整施工進(jìn)度計(jì)劃，隨時(shí)掌握關(guān)鍵線路的變化狀況。十四、投資估算及經(jīng)濟(jì)效益分析（一）項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資10394.06萬(wàn)元，其中：固定資產(chǎn)投資8527.14萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的82.04%；流動(dòng)資金1866.92萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的17.96%。（二）資金籌措該項(xiàng)目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（三）項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)項(xiàng)目預(yù)期達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入13977.00萬(wàn)元，總成本費(fèi)用11110.68萬(wàn)元，稅金及附加184.55萬(wàn)元，利潤(rùn)總額2866.32萬(wàn)元，利稅總額3446.22萬(wàn)元，稅后凈利潤(rùn)2149.74萬(wàn)元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額1296.48萬(wàn)元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率27.58%，投資利稅

20、率33.16%，投資回報(bào)率20.68%，全部投資回收期6.34年，提供就業(yè)職位277個(gè)。十五、報(bào)告說(shuō)明提供包括政策指引、產(chǎn)業(yè)分析、市場(chǎng)供需分析與預(yù)測(cè)、行業(yè)現(xiàn)有工藝技術(shù)水平、項(xiàng)目產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)、營(yíng)銷方案、原料資源條件評(píng)價(jià)、原料保障措施、工藝流程、能耗分析、節(jié)能方案、財(cái)務(wù)測(cè)算、風(fēng)險(xiǎn)防范等內(nèi)容。報(bào)告，簡(jiǎn)稱可研，是在制訂生產(chǎn)、基建、科研計(jì)劃的前期，通過(guò)全面的調(diào)查研究，分析論證某個(gè)建設(shè)或改造工程、某種科學(xué)研究、某項(xiàng)商務(wù)活動(dòng)切實(shí)可行而提出的一種書(shū)面材料。十六、項(xiàng)目評(píng)價(jià)1、本期工程項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園及某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)布局和結(jié)構(gòu)調(diào)整政策；項(xiàng)目的建設(shè)對(duì)促

21、進(jìn)某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園中高頻熔煉設(shè)備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、技術(shù)結(jié)構(gòu)、組織結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動(dòng)意義。2、xxx（集團(tuán)）有限公司為適應(yīng)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求，擬建“太原熔煉設(shè)備”，本期工程項(xiàng)目的建設(shè)能夠有力促進(jìn)某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園經(jīng)濟(jì)發(fā)展，為社會(huì)提供就業(yè)職位277個(gè)，達(dá)產(chǎn)年納稅總額1296.48萬(wàn)元，可以促進(jìn)某某循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園區(qū)域經(jīng)濟(jì)的繁榮發(fā)展和社會(huì)穩(wěn)定，為地方財(cái)政收入做出積極的貢獻(xiàn)。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率27.58%，投資利稅率33.16%，全部投資回報(bào)率20.68%，全部投資回收期6.34年，固定資產(chǎn)投資回收期6.34年（含建設(shè)期），項(xiàng)目具有較強(qiáng)的盈利能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力。4、提振民營(yíng)經(jīng)濟(jì)、激發(fā)民間投

22、資已被列入重要清單。民營(yíng)經(jīng)濟(jì)是經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的重要組成部分，在壯大區(qū)域經(jīng)濟(jì)、安排勞動(dòng)就業(yè)、增加城鄉(xiāng)居民收入、維護(hù)社會(huì)和諧穩(wěn)定以及全面建成小康社會(huì)進(jìn)程中起著不可替代的作用，如何做大做強(qiáng)民營(yíng)經(jīng)濟(jì)，已成為當(dāng)前的一項(xiàng)重要課題。鼓勵(lì)民營(yíng)企業(yè)參與智能制造工程，圍繞離散型智能制造、流程型智能制造、網(wǎng)絡(luò)協(xié)同制造、大規(guī)模個(gè)性化定制、遠(yuǎn)程運(yùn)維服務(wù)等新模式開(kāi)展應(yīng)用，建設(shè)一批數(shù)字化車間和智能工廠，引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)智能升級(jí)。支持民營(yíng)企業(yè)開(kāi)展智能制造綜合標(biāo)準(zhǔn)化工作，建設(shè)一批試驗(yàn)驗(yàn)證平臺(tái)，開(kāi)展標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)驗(yàn)證。加快傳統(tǒng)行業(yè)民營(yíng)企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備的智能化改造，提高精準(zhǔn)制造、敏捷制造能力。引導(dǎo)民間投資參與制造業(yè)重大項(xiàng)目建設(shè)，國(guó)務(wù)院辦公廳轉(zhuǎn)發(fā)財(cái)政

23、部發(fā)展改革委人民銀行關(guān)于在公共服務(wù)領(lǐng)域推廣政府和社會(huì)資本合作模式指導(dǎo)意見(jiàn)，要求廣泛采用政府和社會(huì)資本合作（PPP）模式。為推動(dòng)中國(guó)制造2025國(guó)家戰(zhàn)略實(shí)施，中央財(cái)政在工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)資金基礎(chǔ)上整合設(shè)立了工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)（中國(guó)制造2025）資金。圍繞中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，重點(diǎn)解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)、共性問(wèn)題，充分發(fā)揮政府資金的引導(dǎo)作用，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)向縱深發(fā)展。重點(diǎn)支持制造業(yè)關(guān)鍵領(lǐng)域和薄弱環(huán)節(jié)發(fā)展，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)支持力度，為各類企業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)提供產(chǎn)業(yè)和技術(shù)支撐。綜上所述，項(xiàng)目的建設(shè)和實(shí)施無(wú)論是經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益還是環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。十七、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地

24、面積平方米34277.1351.39畝1.1容積率1.621.2建筑系數(shù)75.13%1.3投資強(qiáng)度萬(wàn)元/畝165.931.4基底面積平方米25752.411.5總建筑面積平方米55528.951.6綠化面積平方米4083.59綠化率7.35%2總投資萬(wàn)元10394.062.1固定資產(chǎn)投資萬(wàn)元8527.142.1.1土建工程投資萬(wàn)元4376.882.1.1.1土建工程投資占比萬(wàn)元42.11%2.1.2設(shè)備投資萬(wàn)元4349.022.1.2.1設(shè)備投資占比41.84%2.1.3其它投資萬(wàn)元-198.762.1.3.1其它投資占比-1.91%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比82.04%2.2流動(dòng)資金萬(wàn)元18

25、66.922.2.1流動(dòng)資金占比17.96%3收入萬(wàn)元13977.004總成本萬(wàn)元11110.685利潤(rùn)總額萬(wàn)元2866.326凈利潤(rùn)萬(wàn)元2149.747所得稅萬(wàn)元1.628增值稅萬(wàn)元395.359稅金及附加萬(wàn)元184.5510納稅總額萬(wàn)元1296.4811利稅總額萬(wàn)元3446.2212投資利潤(rùn)率27.58%13投資利稅率33.16%14投資回報(bào)率20.68%15回收期年6.3416設(shè)備數(shù)量臺(tái)（套）10117年用電量千瓦時(shí)1343922.2218年用水量立方米10241.9419總能耗噸標(biāo)準(zhǔn)煤166.0420節(jié)能率21.41%21節(jié)能量噸標(biāo)準(zhǔn)煤71.1622員工數(shù)量人277第二章 項(xiàng)目建設(shè)背景

26、及必要性分析一、項(xiàng)目承辦單位背景分析（一）公司概況成立以來(lái)，公司秉承“誠(chéng)實(shí)、信用、謹(jǐn)慎、有效”的信托理念，將“誠(chéng)信為本、合規(guī)經(jīng)營(yíng)”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險(xiǎn)控制能力。公司滿懷信心，發(fā)揚(yáng)“正直、誠(chéng)信、務(wù)實(shí)、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報(bào)社會(huì)” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產(chǎn)品、可靠的質(zhì)量、一流的服務(wù)為客戶提供更多更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。公司全面推行“政府、市場(chǎng)、投資、消費(fèi)、經(jīng)營(yíng)、企業(yè)”六位一體合作共贏的市場(chǎng)戰(zhàn)略，以高度的社會(huì)責(zé)任積極響應(yīng)政府城市發(fā)展號(hào)召，融入各級(jí)城市的建設(shè)與發(fā)展，在商業(yè)模式思路上領(lǐng)先業(yè)界，對(duì)服務(wù)區(qū)域經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展做出了突出貢獻(xiàn)。 公司經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的生產(chǎn)實(shí)踐，培養(yǎng)和造就了

27、一批管理水平高、綜合素質(zhì)優(yōu)秀的職工隊(duì)伍，操作技能經(jīng)驗(yàn)豐富，積累了先進(jìn)的生產(chǎn)項(xiàng)目產(chǎn)品的管理經(jīng)驗(yàn)，并擁有一批過(guò)硬的產(chǎn)品研制開(kāi)發(fā)和經(jīng)營(yíng)人員，因此，項(xiàng)目承辦單位具備較強(qiáng)的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力和新技術(shù)應(yīng)用能力，為實(shí)施項(xiàng)目提供了有力的技術(shù)支撐和技術(shù)人才資源保障。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展與積累，公司建立了較為完善的治理結(jié)構(gòu)，形成了完整的內(nèi)控制度。公司建立完整的質(zhì)量控制體系，貫穿于公司采購(gòu)、研發(fā)、生產(chǎn)、倉(cāng)儲(chǔ)、銷售等各環(huán)節(jié)，并制定了產(chǎn)品開(kāi)發(fā)控制程序、產(chǎn)品審核程序、產(chǎn)品檢測(cè)控制程序、等質(zhì)量控制制度。為了確保研發(fā)團(tuán)隊(duì)的穩(wěn)定性，提升技術(shù)創(chuàng)新能力，公司在研發(fā)投入、技術(shù)人員激勵(lì)等方面實(shí)施了多項(xiàng)行之有效的措施。公司自成立以來(lái)，一直奉行“誠(chéng)

28、信創(chuàng)新、科學(xué)高效、持續(xù)改進(jìn)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，將產(chǎn)品的質(zhì)量控制貫穿研發(fā)、采購(gòu)、生產(chǎn)、倉(cāng)儲(chǔ)、銷售、服務(wù)等整個(gè)流程中。公司依靠先進(jìn)的生產(chǎn)、檢測(cè)設(shè)備和品質(zhì)管理系統(tǒng)，確保了品質(zhì)的穩(wěn)定性，贏得了客戶的肯定。未來(lái)，公司計(jì)劃依靠自身實(shí)力，通過(guò)引入資本、技術(shù)和人才等擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，以“高效、智能、環(huán)?！弊鳛楫a(chǎn)品發(fā)展方向，持續(xù)加強(qiáng)新產(chǎn)品研發(fā)力度，實(shí)現(xiàn)行業(yè)關(guān)鍵技術(shù)突破，進(jìn)一步夯實(shí)公司技術(shù)實(shí)力，全面推動(dòng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)，優(yōu)化公司利潤(rùn)來(lái)源，提高核心競(jìng)爭(zhēng)能力，鞏固和提升公司的行業(yè)地位。（二）公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx（集團(tuán)）有限公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入13477.41萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)22.00%（2430.10萬(wàn)元）。其中，

29、主營(yíng)業(yè)業(yè)務(wù)中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)及銷售收入為11054.46萬(wàn)元，占營(yíng)業(yè)總收入的82.02%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目第一季度第二季度第三季度第四季度合計(jì)1營(yíng)業(yè)收入2830.263773.673504.133369.3513477.412主營(yíng)業(yè)務(wù)收入2321.443095.252874.162763.6111054.462.1中高頻熔煉設(shè)備(A)766.071021.43948.47911.993647.972.2中高頻熔煉設(shè)備(B)533.93711.91661.06635.632542.532.3中高頻熔煉設(shè)備(C)394.64526.19488.61469.811879.262.4中高頻熔

30、煉設(shè)備(D)278.57371.43344.90331.631326.542.5中高頻熔煉設(shè)備(E)185.71247.62229.93221.09884.362.6中高頻熔煉設(shè)備(F)116.07154.76143.71138.18552.722.7中高頻熔煉設(shè)備(.)46.4361.9057.4855.27221.093其他業(yè)務(wù)收入508.82678.43629.97605.742422.95根據(jù)初步統(tǒng)計(jì)測(cè)算，公司實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額2685.81萬(wàn)元，較去年同期相比增長(zhǎng)598.48萬(wàn)元，增長(zhǎng)率28.67%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2014.36萬(wàn)元，較去年同期相比增長(zhǎng)429.41萬(wàn)元，增長(zhǎng)率27.09%。上年

31、度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項(xiàng)目單位指標(biāo)完成營(yíng)業(yè)收入萬(wàn)元13477.41完成主營(yíng)業(yè)務(wù)收入萬(wàn)元11054.46主營(yíng)業(yè)務(wù)收入占比82.02%營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率（同比）22.00%營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)量（同比）萬(wàn)元2430.10利潤(rùn)總額萬(wàn)元2685.81利潤(rùn)總額增長(zhǎng)率28.67%利潤(rùn)總額增長(zhǎng)量萬(wàn)元598.48凈利潤(rùn)萬(wàn)元2014.36凈利潤(rùn)增長(zhǎng)率27.09%凈利潤(rùn)增長(zhǎng)量萬(wàn)元429.41投資利潤(rùn)率30.33%投資回報(bào)率22.75%財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率28.63%企業(yè)總資產(chǎn)萬(wàn)元16788.42流動(dòng)資產(chǎn)總額占比萬(wàn)元25.18%流動(dòng)資產(chǎn)總額萬(wàn)元4227.42資產(chǎn)負(fù)債率35.63%二、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目背景分析中國(guó)晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在201

32、7-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)。中國(guó)大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國(guó)為10座，臺(tái)灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來(lái)設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2016年中國(guó)大陸已進(jìn)入連年國(guó)產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國(guó)際在北京的Fab4廠是中國(guó)最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過(guò)幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國(guó)際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國(guó)內(nèi)水平。除了中芯與

33、武漢新芯外，還暫未有國(guó)產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開(kāi)始布局。SK海力士早在08年就在無(wú)錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級(jí)為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬(wàn)片/月。在政策和資本的雙重驅(qū)動(dòng)下，中國(guó)大陸晶圓生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)入了新一輪發(fā)展浪潮。除了已經(jīng)量產(chǎn)的9條12英寸產(chǎn)線外，從2014下半年至2017上半年，中國(guó)大陸正在興建或宣布計(jì)劃興建的12英寸晶圓生產(chǎn)線共有20條（包括擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)的產(chǎn)線）

34、，大大超越了已有數(shù)量，這在史上也是絕無(wú)僅有的集建設(shè)時(shí)期。中國(guó)大陸正在興建的12英寸晶圓產(chǎn)線，按主流產(chǎn)品和工藝技術(shù)來(lái)分，可以分為邏輯（Logic）芯片、存儲(chǔ)器（Memory）芯片和專用芯片生產(chǎn)線3類。目前興建中技術(shù)水平最高的廠商依然是中芯國(guó)際，其在北京投資40億美元的B3產(chǎn)線已達(dá)到14nm制程；同時(shí)還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產(chǎn)工藝涵蓋28-14nm，并且開(kāi)始著手研發(fā)10/7nm工藝，預(yù)計(jì)2018年正式投產(chǎn)。而作為臺(tái)灣地區(qū)晶圓代工龍頭臺(tái)積電，也于2017年宣布在南京建設(shè)12英寸晶圓廠，這也意味著16nm制程芯片將在大陸量產(chǎn)。除了新建產(chǎn)線，原有的外資12英寸產(chǎn)線也開(kāi)始了技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)能擴(kuò)建

35、的進(jìn)程。其中包括SK海力士（無(wú)錫）進(jìn)行第5期擴(kuò)建工程，以及三星（西安）進(jìn)行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設(shè)。根據(jù)目前的規(guī)劃，若這些晶圓廠全部量產(chǎn)，可達(dá)到的理論產(chǎn)能約為125萬(wàn)片/月。疊加現(xiàn)有產(chǎn)能，則未來(lái)中國(guó)12英寸晶圓產(chǎn)能將超過(guò)160萬(wàn)片/月，將大大拉動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求。從2016年下半年起，國(guó)內(nèi)外8英寸晶圓產(chǎn)能日趨緊張，現(xiàn)有的8英寸產(chǎn)線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和擴(kuò)建12英寸產(chǎn)線的同時(shí)，8英寸晶圓生產(chǎn)線的新建和擴(kuò)建也隨勢(shì)展開(kāi)。至今，新建的8英寸晶圓生產(chǎn)線主要有大連宇宙半導(dǎo)體和淮安德克瑪?shù)?，擴(kuò)建的8英寸產(chǎn)線主要是中芯國(guó)際（天津）Fab7?？傮w來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)的8英寸產(chǎn)線共計(jì)21

36、條，其中量產(chǎn)16條，在建或擴(kuò)建5條，共計(jì)產(chǎn)能115萬(wàn)片/月。中國(guó)晶圓廠投資迎來(lái)爆發(fā)期。我們統(tǒng)計(jì)了國(guó)內(nèi)所有8英寸及12英寸產(chǎn)線的投資數(shù)據(jù)，從未來(lái)的投資軌跡來(lái)看，2017-2020年是晶圓廠投資的高峰期。這四年內(nèi)，將有20條產(chǎn)線12英寸晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其中包括紫光集團(tuán)兩條、中芯國(guó)際四條、長(zhǎng)江存儲(chǔ)三條，臺(tái)積電、三星、美國(guó)AOS、聯(lián)華電子、力晶、華力微電子、合肥長(zhǎng)鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪、SK海力士各一條，合計(jì)投資金額約6827億元（去除紫光成都產(chǎn)線和中芯國(guó)際寧波產(chǎn)線，因?yàn)槠渲慌c政府簽訂合作意向，項(xiàng)目并未實(shí)際動(dòng)工）。全部投產(chǎn)后，中國(guó)的12英寸晶圓產(chǎn)能將領(lǐng)先臺(tái)灣與韓國(guó)。同時(shí)，未來(lái)國(guó)內(nèi)新增的8英寸

37、晶圓產(chǎn)能45.5萬(wàn)片/月，相比目前的量產(chǎn)規(guī)模增長(zhǎng)65%，新增投資247億元。來(lái)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)空間測(cè)算：根據(jù)我們?nèi)斯そy(tǒng)計(jì)的晶圓產(chǎn)線數(shù)據(jù)，按照產(chǎn)線的投資額進(jìn)行4年的平滑，可以計(jì)算出未來(lái)每年晶圓廠投資數(shù)據(jù)。在過(guò)去的十年中，全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產(chǎn)線的全部資本投資中，2/3的資金用于購(gòu)買設(shè)備，剩下的1/3用于廠房建設(shè)，包括人員開(kāi)支、設(shè)計(jì)、材料等費(fèi)用。我們以一條15億美元的產(chǎn)線為例，其中10億美元用于設(shè)備支出，主要的設(shè)備包括以下幾種：i.光刻機(jī)：最高端的ASML光刻機(jī)售價(jià)高達(dá)1億美元，整條產(chǎn)線根據(jù)產(chǎn)能大小只需要幾臺(tái)光刻機(jī)即可；ii.等離子刻蝕機(jī)：一條產(chǎn)線

38、需要30-50臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格在200-250萬(wàn)美元左右。iii.CVD設(shè)備：一個(gè)晶圓廠至少需要30臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格200-300萬(wàn)美元。iv.檢測(cè)設(shè)備：最貴的美國(guó)檢測(cè)機(jī)單價(jià)約為100萬(wàn)-120萬(wàn)美元，其中前道工序需要50臺(tái)，而后道工序則需要上百臺(tái)。約70%的市場(chǎng)為前端晶圓制造設(shè)備，而封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過(guò)程中不斷循環(huán)往復(fù)，對(duì)于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，這部分設(shè)備價(jià)值體量也最高，其中最核心裝備光刻機(jī)、鍍膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備分別占晶圓廠設(shè)備總投資的20%、15%和14%左右。中國(guó)晶圓廠設(shè)備未來(lái)幾年的投資額將達(dá)到千億級(jí)別，對(duì)應(yīng)的設(shè)備投資額也為

39、585億-1210億元不等，我們預(yù)計(jì)2019年設(shè)備投資額將達(dá)到近期峰值水平，其中晶圓制造的設(shè)備投資額將達(dá)到847億元。由于前道設(shè)備技術(shù)難度極高，同時(shí)國(guó)外實(shí)施技術(shù)封鎖，國(guó)產(chǎn)企業(yè)無(wú)法掌握核心技術(shù)而較難切入該領(lǐng)域。后道的封裝測(cè)試環(huán)節(jié)技術(shù)難度相對(duì)較低，尤其是測(cè)試設(shè)備，大陸憑借著技術(shù)引進(jìn)和較低的勞動(dòng)力成本優(yōu)勢(shì)已經(jīng)在該領(lǐng)域有所建樹(shù)，2017年測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到59億元。持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為裝備制造業(yè)提供了巨大的市場(chǎng)空間。三、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)必要性分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵

40、的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場(chǎng)。IC產(chǎn)品生產(chǎn)附加值極高，工藝進(jìn)步依托于設(shè)備提升。目前的集成電路技術(shù)大多基于元素硅，并在晶片上構(gòu)建各種復(fù)雜電路。硅元素在地殼中的含量達(dá)到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過(guò)富含二氧化硅的砂石經(jīng)提煉獲得。由價(jià)格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生產(chǎn)過(guò)程就是硅元素附加值大量增長(zhǎng)的過(guò)程。從最初的設(shè)計(jì)，到最終的下線檢測(cè)，生產(chǎn)過(guò)程需經(jīng)過(guò)幾十步甚至幾百步的工藝，整個(gè)制造過(guò)程工藝復(fù)雜，其中任何一步的錯(cuò)誤都可能是最后導(dǎo)致產(chǎn)品失效的原因，因此對(duì)設(shè)備可靠性的要

41、求極高。下游廠商也愿意為高可靠性、高精度設(shè)備支付技術(shù)溢價(jià)，這也是半導(dǎo)體投資中設(shè)備投資占比較高的原因之一。從生產(chǎn)工藝來(lái)看，半導(dǎo)體制造過(guò)程可以分為IC設(shè)計(jì)（電路與邏輯設(shè)計(jì)）、制造（前道工序）和封裝與測(cè)試環(huán)節(jié)（后道工序）。設(shè)備主要針對(duì)制造及測(cè)封環(huán)節(jié)，設(shè)計(jì)部分的占比較少。IC設(shè)計(jì)：是一個(gè)將系統(tǒng)、邏輯與性能的設(shè)計(jì)要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過(guò)程，主要包含邏輯設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)和圖形設(shè)計(jì)等。將最終設(shè)計(jì)出的電路圖制作成光罩，進(jìn)入下一個(gè)制造環(huán)節(jié)。由于設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)主要通過(guò)計(jì)算機(jī)完成，所需的設(shè)備占比較少。IC制造：制造環(huán)節(jié)又分為晶圓制造和晶圓加工兩部分。前者是指運(yùn)用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過(guò)程，主要包含硅的純化-多

42、晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，對(duì)應(yīng)的設(shè)備分別是熔煉爐、CVD設(shè)備、單晶爐和切片機(jī)等；晶圓加工則是指在制備晶圓材料上構(gòu)建完整的集成電路芯片的過(guò)程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。i.鍍膜工藝：通過(guò)PECVD、LPCVD等設(shè)備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構(gòu)成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過(guò)光刻機(jī)，對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)，加工的晶體管數(shù)量和密度都會(huì)隨著制程工藝的升級(jí)而不斷加強(qiáng)；iii.刻蝕工藝：通過(guò)刻蝕機(jī)，對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過(guò)離子注入機(jī)或擴(kuò)散爐為材料加入特殊元

43、素，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。IC測(cè)封：封裝是半導(dǎo)體設(shè)備制造過(guò)程中的最后一個(gè)環(huán)節(jié)，主要包含減薄/切割、貼裝/互聯(lián)、封裝、測(cè)試等過(guò)程，分別對(duì)應(yīng)切割減薄設(shè)備、引線機(jī)、鍵合機(jī)、分選測(cè)試機(jī)等。將半導(dǎo)體材料模塊集中于一個(gè)保護(hù)殼內(nèi)，防止物理?yè)p壞或化學(xué)腐蝕，最后通過(guò)測(cè)試的產(chǎn)品將作為最終成品投入到下游的應(yīng)用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上的過(guò)程，這段時(shí)期硅晶片附加值增長(zhǎng)最快。該環(huán)節(jié)的制造難度相較后端的封裝測(cè)試要高很多，對(duì)于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，該部分設(shè)備投資體量巨大，占整體設(shè)備投資的70%以上。其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環(huán)節(jié)。晶圓制造工藝及

44、設(shè)備：硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)得到冶金級(jí)硅，然后通過(guò)蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.9999999%（7個(gè)9以上），成為電子級(jí)硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經(jīng)過(guò)切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠的基本原料硅晶圓片。第三章 市場(chǎng)分析一、中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)分析在泛半導(dǎo)體行業(yè)，

45、國(guó)內(nèi)廠商已接近國(guó)外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對(duì)晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長(zhǎng)設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長(zhǎng)爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動(dòng)化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)單晶硅生長(zhǎng)爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長(zhǎng)爐，如德國(guó)的PVATePlaAG公司，美國(guó)的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國(guó)內(nèi)廠商，其

46、設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國(guó)外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)的絕大部分份額。未來(lái)，國(guó)產(chǎn)晶圓生長(zhǎng)設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。光刻工藝及設(shè)備：光刻是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細(xì)加工技術(shù)。由于晶圓表面上的電路設(shè)計(jì)圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻也是IC制造最核心的環(huán)節(jié)。光刻主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強(qiáng)光通過(guò)一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠發(fā)生變質(zhì)，然后用腐蝕性液體清

47、洗硅片，除去變質(zhì)的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會(huì)被刻蝕液影響。光刻工藝價(jià)值巨大，ASML獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷。即使是微米級(jí)的光刻工藝，也需要重復(fù)循環(huán)5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個(gè)光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費(fèi)時(shí)間約占40%-60%。而光刻機(jī)則是IC制造中最核心的設(shè)備，價(jià)值量占到設(shè)備總投資的比例約為20%。全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)巨大，其EUV光刻機(jī)工藝水平已經(jīng)達(dá)到10nm的級(jí)別，單臺(tái)設(shè)備售價(jià)超過(guò)1億美元。公司的市場(chǎng)份額超過(guò)60%，甩開(kāi)了兩個(gè)老對(duì)手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實(shí)現(xiàn)10nm以下工藝制程的最經(jīng)濟(jì)手段，并且只有ASML一

48、家供應(yīng)商具備開(kāi)發(fā)EUV光刻機(jī)的能力。因此半導(dǎo)體三巨頭英特爾、臺(tái)積電、三星均爭(zhēng)相投資ASML開(kāi)發(fā)EUV技術(shù)，助其快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，以及獲得EUV設(shè)備的優(yōu)先購(gòu)買權(quán)。雖然我國(guó)上海微電子也研發(fā)出光刻機(jī)，但由于中國(guó)半導(dǎo)體起步較晚，技術(shù)上與外資品牌差距巨大?？涛g工藝：按照掩模圖形對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)工藝，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面上用稀釋的化學(xué)品等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)工藝，通過(guò)電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的

49、表面時(shí)，更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，從而利用物理上的能量轉(zhuǎn)移實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。中微半導(dǎo)體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，美國(guó)的泛林半導(dǎo)體憑借著先發(fā)優(yōu)勢(shì)和大量研發(fā)投入保持行業(yè)龍頭地位，但中國(guó)廠商中微半導(dǎo)體在近十年迅速崛起，并開(kāi)始打入國(guó)際市場(chǎng)。中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，目前已經(jīng)進(jìn)入臺(tái)積電的5個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)線，7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備可以與世界最前沿技術(shù)比肩。隨著中微的崛起，2015年美國(guó)商業(yè)部的工業(yè)安全局特別發(fā)布公告，承認(rèn)中國(guó)已經(jīng)擁有制造具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力刻蝕機(jī)的能力，且等離子刻蝕機(jī)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，因而決定將等離子刻蝕機(jī)從美國(guó)對(duì)中國(guó)控制出口名錄中去除。離子注入工藝及設(shè)備：是人為地將所需雜質(zhì)以一

50、定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達(dá)到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫?zé)釘U(kuò)散法是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)一種方法；離子注入法是通過(guò)注入機(jī)的加速和引導(dǎo)，將能量為100keV量級(jí)的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發(fā)生一系列理化反應(yīng)，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，最后停留在材料中，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。在離子注入機(jī)領(lǐng)域，美國(guó)應(yīng)用材料占據(jù)了70%以上的市場(chǎng)份額。成膜工藝及設(shè)備：主要運(yùn)用CVD技術(shù)（ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相沉積），是把含有構(gòu)成薄膜元素的反應(yīng)劑蒸氣

51、引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程。CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點(diǎn)，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性和重復(fù)性好，其中應(yīng)用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強(qiáng)的化學(xué)活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），是以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種-V族、-族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長(zhǎng)都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不銹鋼反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200，用射

52、頻感應(yīng)加熱石墨基座，氫氣通過(guò)溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長(zhǎng)區(qū)。薄膜工藝也是IC制造的一個(gè)基礎(chǔ)工藝，加工難度較高。該環(huán)節(jié)設(shè)備投資占整體設(shè)備的14%-15%。在CVD設(shè)備領(lǐng)域，中國(guó)與世界先進(jìn)水平差距較大。美國(guó)應(yīng)用材料幾乎涵蓋了除光刻機(jī)以外的前制程設(shè)備，并在CVD及PVD設(shè)備領(lǐng)域位居全球市占率第一，而中國(guó)企業(yè)近年來(lái)在“02”專項(xiàng)的支持下也實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，其中北方華創(chuàng)的CVD設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入中芯國(guó)際28nm生產(chǎn)線，14nm設(shè)備正處于驗(yàn)證階段。二、中高頻熔煉設(shè)備市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測(cè)試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為7

53、0%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個(gè)核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長(zhǎng)制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體設(shè)備的上游為電子元器件和機(jī)械加工行業(yè)，原材料包括機(jī)械零件、視覺(jué)系統(tǒng)、繼電器、傳感器、計(jì)算機(jī)和PCB板等，優(yōu)質(zhì)的上游產(chǎn)品或服務(wù)有助于設(shè)備產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。行業(yè)的下游主要為封裝測(cè)試、晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)。集成電路產(chǎn)品技術(shù)含量高、工藝復(fù)雜，技術(shù)更新和工藝升級(jí)依托于裝備的發(fā)展；反之，下游信息產(chǎn)業(yè)不斷開(kāi)發(fā)的新產(chǎn)品

54、和新工藝，為設(shè)備行業(yè)提供了新需求和市場(chǎng)空間。以晶圓加工為例，8英寸的晶圓制造設(shè)備無(wú)法運(yùn)用于其他尺寸的加工，因此當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入12英寸時(shí)代后，8英寸產(chǎn)品需要全部更新?lián)Q代，由此也帶來(lái)了設(shè)備行業(yè)的增量空間，促進(jìn)了其持續(xù)發(fā)展。總體設(shè)備市場(chǎng)恢復(fù)性增長(zhǎng)，接近歷史最高水平。設(shè)備行業(yè)與半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣程度密切相關(guān)，且波動(dòng)較大。2008、2009年受到金融危機(jī)的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強(qiáng)勢(shì)回升，并于次年達(dá)到歷史最高點(diǎn)435億美元，隨后受到周期性影響設(shè)備支出有所下降。而2016年全球集成電路設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為412億美元，同比增長(zhǎng)13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設(shè)，將帶動(dòng)上

55、游設(shè)備銷售，2017年全球半導(dǎo)體新設(shè)備銷售額將達(dá)494億美元，同比增長(zhǎng)19.8%，突破歷史最高水平。分產(chǎn)品來(lái)看，SEMI預(yù)計(jì)2017年晶圓加工設(shè)備達(dá)到398億美元，同比增長(zhǎng)21.7%；光罩等其他前端設(shè)備23億美元，增長(zhǎng)25.6%；而封裝測(cè)試裝備總計(jì)約73億美元。下游企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，產(chǎn)業(yè)預(yù)期持續(xù)向好。中國(guó)設(shè)備占比逐步提升。分地區(qū)來(lái)看，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要銷售區(qū)域?yàn)橹袊?guó)、日本、韓國(guó)、北美和臺(tái)灣地區(qū)，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國(guó)大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導(dǎo)體設(shè)備、服務(wù)、材料等廠商提供了寶貴的機(jī)遇。2016年中國(guó)大陸設(shè)備銷售收入64.6億美元，同比增長(zhǎng)32%，并首次超過(guò)日本，成為全球第三大半導(dǎo)體設(shè)備銷售地區(qū)。同時(shí)，SEMI預(yù)計(jì)韓國(guó)設(shè)備銷售將在2017年達(dá)到129.7億美元，超過(guò)臺(tái)灣成為全球第一大市場(chǎng)。晶圓產(chǎn)能集中度提高，12英寸是當(dāng)前主流。遵循摩爾定律的半導(dǎo)體行業(yè)曾經(jīng)實(shí)現(xiàn)了快速增長(zhǎng)，在較低成本的基礎(chǔ)上帶來(lái)了強(qiáng)大的計(jì)算能力。為了保持成本，既有通過(guò)技術(shù)進(jìn)步的小型化之路，也有增大晶圓尺寸的做法。通常，半導(dǎo)體行業(yè)每十年升級(jí)fab架構(gòu)來(lái)增加晶圓直徑，而同時(shí)技術(shù)進(jìn)步則是每?jī)赡暌粋€(gè)節(jié)點(diǎn)。隨著納米尺度逼近物理極限，技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)放緩，晶圓尺寸的增加變得越來(lái)越