杭州熔煉設(shè)備投資計(jì)劃書

1、泓域咨詢/杭州熔煉設(shè)備投資計(jì)劃書杭州熔煉設(shè)備投資計(jì)劃書泓域咨詢摘要中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運(yùn)。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計(jì)，2016年中國大陸已進(jìn)入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外

2、，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬片/月。半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別

3、為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。該中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目計(jì)劃總投資16808.63萬元，其中：固定資產(chǎn)投資12815.46萬元，占項(xiàng)目總投資的76.24%；流動資金3993.17萬元，占項(xiàng)目總投資的23.76%。本期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入33709.00萬元，總成本費(fèi)用25525.68萬元，稅金及附加341.84萬元，利潤總額8183.32萬元，

4、利稅總額9653.89萬元，稅后凈利潤6137.49萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額3516.40萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率48.69%，投資利稅率57.43%，投資回報(bào)率36.51%，全部投資回收期4.24年，提供就業(yè)職位561個。杭州熔煉設(shè)備投資計(jì)劃書目錄第一章 概況一、項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)二、項(xiàng)目承辦單位三、戰(zhàn)略合作單位四、項(xiàng)目提出的理由五、項(xiàng)目選址及用地綜述六、土建工程建設(shè)指標(biāo)七、設(shè)備購置八、產(chǎn)品規(guī)劃方案九、原材料供應(yīng)十、項(xiàng)目能耗分析十一、環(huán)境保護(hù)十二、項(xiàng)目建設(shè)符合性十三、項(xiàng)目進(jìn)度規(guī)劃十四、投資估算及經(jīng)濟(jì)效益分析十五、報(bào)告說明十六、項(xiàng)目評價(jià)十七、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)第二章 投資背景及必要性分析一、項(xiàng)目承辦單位背

5、景分析二、產(chǎn)業(yè)政策及發(fā)展規(guī)劃三、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展四、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢分析五、區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展概況六、項(xiàng)目必要性分析第三章 項(xiàng)目市場調(diào)研第四章 產(chǎn)品規(guī)劃方案一、產(chǎn)品規(guī)劃二、建設(shè)規(guī)模第五章 項(xiàng)目選址一、項(xiàng)目選址原則二、項(xiàng)目選址三、建設(shè)條件分析四、用地控制指標(biāo)五、用地總體要求六、節(jié)約用地措施七、總圖布置方案八、運(yùn)輸組成九、選址綜合評價(jià)第六章 項(xiàng)目工程方案一、建筑工程設(shè)計(jì)原則二、項(xiàng)目工程建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范三、項(xiàng)目總平面設(shè)計(jì)要求四、建筑設(shè)計(jì)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)五、土建工程設(shè)計(jì)年限及安全等級六、建筑工程設(shè)計(jì)總體要求七、土建工程建設(shè)指標(biāo)第七章 工藝技術(shù)一、項(xiàng)目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況二、項(xiàng)目運(yùn)營期原輔材料采購及管理二、技術(shù)管理特點(diǎn)三

6、、項(xiàng)目工藝技術(shù)設(shè)計(jì)方案四、設(shè)備選型方案第八章 項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)和綠色生產(chǎn)分析一、建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀二、建設(shè)期環(huán)境保護(hù)三、運(yùn)營期環(huán)境保護(hù)四、項(xiàng)目建設(shè)對區(qū)域經(jīng)濟(jì)的影響五、廢棄物處理六、特殊環(huán)境影響分析七、清潔生產(chǎn)八、項(xiàng)目建設(shè)對區(qū)域經(jīng)濟(jì)的影響九、環(huán)境保護(hù)綜合評價(jià)第九章 企業(yè)安全保護(hù)一、消防安全二、防火防爆總圖布置措施三、自然災(zāi)害防范措施四、安全色及安全標(biāo)志使用要求五、電氣安全保障措施六、防塵防毒措施七、防靜電、觸電防護(hù)及防雷措施八、機(jī)械設(shè)備安全保障措施九、勞動安全保障措施十、勞動安全衛(wèi)生機(jī)構(gòu)設(shè)置及教育制度十一、勞動安全預(yù)期效果評價(jià)第十章 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)評價(jià)一、政策風(fēng)險(xiǎn)分析二、社會風(fēng)險(xiǎn)分析三、市場風(fēng)險(xiǎn)分析四、

7、資金風(fēng)險(xiǎn)分析五、技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)分析六、財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)分析七、管理風(fēng)險(xiǎn)分析八、其它風(fēng)險(xiǎn)分析九、社會影響評估第十一章 節(jié)能情況分析一、節(jié)能概述二、節(jié)能法規(guī)及標(biāo)準(zhǔn)三、項(xiàng)目所在地能源消費(fèi)及能源供應(yīng)條件四、能源消費(fèi)種類和數(shù)量分析二、項(xiàng)目預(yù)期節(jié)能綜合評價(jià)三、項(xiàng)目節(jié)能設(shè)計(jì)四、節(jié)能措施第十二章 實(shí)施安排一、建設(shè)周期二、建設(shè)進(jìn)度三、進(jìn)度安排注意事項(xiàng)四、人力資源配置五、員工培訓(xùn)六、項(xiàng)目實(shí)施保障第十三章 項(xiàng)目投資情況一、項(xiàng)目估算說明二、項(xiàng)目總投資估算三、資金籌措第十四章 經(jīng)濟(jì)評價(jià)一、經(jīng)濟(jì)評價(jià)綜述二、經(jīng)濟(jì)評價(jià)財(cái)務(wù)測算二、項(xiàng)目盈利能力分析第十五章 項(xiàng)目招投標(biāo)方案一、招標(biāo)依據(jù)和范圍二、招標(biāo)組織方式三、招標(biāo)委員會的組織設(shè)立四、項(xiàng)目招投

8、標(biāo)要求五、項(xiàng)目招標(biāo)方式和招標(biāo)程序六、招標(biāo)費(fèi)用及信息發(fā)布第十六章 結(jié)論附表1：主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表附表2：土建工程投資一覽表附表3：節(jié)能分析一覽表附表4：項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度一覽表附表5：人力資源配置一覽表附表6：固定資產(chǎn)投資估算表附表7：流動資金投資估算表附表8：總投資構(gòu)成估算表附表9：營業(yè)收入稅金及附加和增值稅估算表附表10：折舊及攤銷一覽表附表11：總成本費(fèi)用估算一覽表附表12：利潤及利潤分配表附表13：盈利能力分析一覽表第一章 概況一、項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)（一）項(xiàng)目名稱杭州熔煉設(shè)備（二）項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì)該項(xiàng)目屬于新建項(xiàng)目，依托某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和創(chuàng)新氛圍，充分發(fā)揮區(qū)位優(yōu)勢，全力打造以中高頻熔

9、煉設(shè)備為核心的綜合性產(chǎn)業(yè)基地，年產(chǎn)值可達(dá)34000.00萬元。二、項(xiàng)目承辦單位xxx有限公司三、戰(zhàn)略合作單位xxx公司四、項(xiàng)目提出的理由在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有

10、少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。五、項(xiàng)目選址及用地綜述（一）項(xiàng)目選址方案項(xiàng)目選址位于某產(chǎn)

11、業(yè)發(fā)展示范區(qū),地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，建設(shè)條件良好。杭州，簡稱杭，古稱臨安、錢塘，是浙江省省會、副省級市、杭州都市圈核心城市，國務(wù)院批復(fù)確定的中國浙江省省會和全省經(jīng)濟(jì)、文化、科教中心、長江三角洲中心城市之一。截至2019年，全市下轄10個區(qū)、2個縣、代管1個縣級市，總面積16853.57平方千米，建成區(qū)面積559.2平方千米，常住人口1036萬人，城鎮(zhèn)人口813.26萬人，城鎮(zhèn)化率78.5%。杭州地處中國華東地區(qū)、錢塘江下游、東南沿海、浙江北部、京杭大運(yùn)河南端，是環(huán)杭州灣大灣區(qū)核心城市、滬嘉杭G60科創(chuàng)走廊中心城市、國際重要的電子商務(wù)中心。杭州人文古跡

12、眾多，西湖及其周邊有大量的自然及人文景觀遺跡，具代表性的有西湖文化、良渚文化、絲綢文化、茶文化，以及流傳下來的許多故事傳說。杭州自秦朝設(shè)縣治以來已有2200多年的歷史，曾是吳越國和南宋的都城。因風(fēng)景秀麗，素有人間天堂的美譽(yù)。杭州得益于京杭運(yùn)河和通商口岸的便利，以及自身發(fā)達(dá)的絲綢和糧食產(chǎn)業(yè)，歷史上曾是重要的商業(yè)集散中心。后來依托滬杭鐵路等鐵路線路的通車以及上海在進(jìn)出口貿(mào)易方面的帶動，輕工業(yè)發(fā)展迅速。新世紀(jì)以來，隨著阿里巴巴等高科技企業(yè)的帶動，互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)成為杭州新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。2018年世界短池游泳錦標(biāo)賽、2022年亞運(yùn)會在杭州舉辦。2017年中國百強(qiáng)城市排行榜排第7位。2019年6月未來網(wǎng)絡(luò)試驗(yàn)

13、設(shè)施開通運(yùn)行。11月29日，杭州直飛開羅航線正式開通。2019年12月，長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要將杭州定位為特大城市。（二）項(xiàng)目用地規(guī)模項(xiàng)目總用地面積51599.12平方米（折合約77.36畝），土地綜合利用率100.00%；項(xiàng)目建設(shè)遵循“合理和集約用地”的原則，按照中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范和要求進(jìn)行科學(xué)設(shè)計(jì)、合理布局，符合規(guī)劃建設(shè)要求。六、土建工程建設(shè)指標(biāo)項(xiàng)目凈用地面積51599.12平方米，建筑物基底占地面積39777.76平方米，總建筑面積70174.80平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程54910.09平方米，項(xiàng)目規(guī)劃綠化面積4518.75平方米。七、設(shè)備購置項(xiàng)目計(jì)劃購置設(shè)備共計(jì)

14、163臺（套），主要包括：xxx生產(chǎn)線、xx設(shè)備、xx機(jī)、xx機(jī)、xxx儀等，設(shè)備購置費(fèi)4620.98萬元。八、產(chǎn)品規(guī)劃方案根據(jù)項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設(shè)計(jì)方案為：中高頻熔煉設(shè)備xxx單位/年。綜合考xxx有限公司企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、產(chǎn)品市場定位、資金籌措能力、產(chǎn)能發(fā)展需要、技術(shù)條件、銷售渠道和策略、管理經(jīng)驗(yàn)以及相應(yīng)配套設(shè)備、人員素質(zhì)以及項(xiàng)目所在地建設(shè)條件與運(yùn)輸條件、xxx有限公司的投資能力和原輔材料的供應(yīng)保障能力等諸多因素，項(xiàng)目按照規(guī)?；?、流水線生產(chǎn)方式布局，本著“循序漸進(jìn)、量入而出”原則提出產(chǎn)能發(fā)展目標(biāo)。九、原材料供應(yīng)項(xiàng)目所需的主要原材料及輔助材料有：xxx、xxx、xx、xxx、xx等，x

15、xx有限公司所選擇的供貨單位完全能夠穩(wěn)定供應(yīng)上述所需原料，供貨商可以完全保障項(xiàng)目正常經(jīng)營所需要的原輔材料供應(yīng)，同時能夠滿足xxx有限公司今后進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的預(yù)期要求。十、項(xiàng)目能耗分析1、項(xiàng)目年用電量407318.20千瓦時，折合50.06噸標(biāo)準(zhǔn)煤，滿足杭州熔煉設(shè)備項(xiàng)目生產(chǎn)、辦公和公用設(shè)施等用電需要2、項(xiàng)目年總用水量21597.22立方米，折合1.84噸標(biāo)準(zhǔn)煤,主要是生產(chǎn)補(bǔ)給水和辦公及生活用水。項(xiàng)目用水由某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)市政管網(wǎng)供給。3、杭州熔煉設(shè)備項(xiàng)目年用電量407318.20千瓦時，年總用水量21597.22立方米，項(xiàng)目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）51.90噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年。達(dá)產(chǎn)年綜合節(jié)能量21

16、.20噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年，項(xiàng)目總節(jié)能率23.30%，能源利用效果良好。十一、環(huán)境保護(hù)項(xiàng)目符合某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)發(fā)展規(guī)劃，符合某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實(shí)可行的治理措施，嚴(yán)格控制在國家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，項(xiàng)目建設(shè)不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。項(xiàng)目設(shè)計(jì)中采用了清潔生產(chǎn)工藝，應(yīng)用清潔原材料，生產(chǎn)清潔產(chǎn)品，同時采取完善和有效的清潔生產(chǎn)措施，能夠切實(shí)起到消除和減少污染的作用。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，各項(xiàng)環(huán)境指標(biāo)均符合國家和地方清潔生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)要求。十二、項(xiàng)目建設(shè)符合性（一）產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx有限公司承辦的“杭州熔煉設(shè)備”主要從事中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目投資經(jīng)營，

17、其不屬于國家發(fā)展改革委產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）（2013年修正）有關(guān)條款限制類及淘汰類項(xiàng)目。（二）項(xiàng)目選址與用地規(guī)劃相容性杭州熔煉設(shè)備選址于某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)，項(xiàng)目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地，符合用地規(guī)劃要求，此外，項(xiàng)目建設(shè)前后，未改變項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境功能區(qū)劃；在落實(shí)該項(xiàng)目提出的各項(xiàng)污染防治措施后，可確保污染物達(dá)標(biāo)排放，滿足某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)環(huán)境保護(hù)規(guī)劃要求。因此，建設(shè)項(xiàng)目符合項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域用地規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護(hù)紅線：杭州熔煉設(shè)備用地性質(zhì)為建設(shè)用地，不在主導(dǎo)生態(tài)功能區(qū)范圍內(nèi)，且不在當(dāng)?shù)仫嬘盟磪^(qū)、風(fēng)景區(qū)、自然保護(hù)區(qū)等生態(tài)保護(hù)區(qū)內(nèi)，符

18、合生態(tài)保護(hù)紅線要求。2、環(huán)境質(zhì)量底線：該項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量不低于項(xiàng)目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容量，符合環(huán)境質(zhì)量底線要求。3、資源利用上線：項(xiàng)目營運(yùn)過程消耗一定的電能、水，資源消耗量相對于區(qū)域資源利用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單：該項(xiàng)目所在地?zé)o環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單，項(xiàng)目采取環(huán)境保護(hù)措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達(dá)標(biāo)排放，固體廢物能夠得到合理處置，不會產(chǎn)生二次污染。十三、項(xiàng)目進(jìn)度規(guī)劃本期工程項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。項(xiàng)目承辦單位要合理安排設(shè)計(jì)、采購和設(shè)備安裝的時間，在工作上交叉進(jìn)行，最大限度縮短建設(shè)周期。將投資密度比較大的部分工程盡量押后施工，諸如其他配套工程等。十

19、四、投資估算及經(jīng)濟(jì)效益分析（一）項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資16808.63萬元，其中：固定資產(chǎn)投資12815.46萬元，占項(xiàng)目總投資的76.24%；流動資金3993.17萬元，占項(xiàng)目總投資的23.76%。（二）資金籌措該項(xiàng)目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（三）項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)項(xiàng)目預(yù)期達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入33709.00萬元，總成本費(fèi)用25525.68萬元，稅金及附加341.84萬元，利潤總額8183.32萬元，利稅總額9653.89萬元，稅后凈利潤6137.49萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額3516.40萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率48.69%，投資利稅率57.43%，投資回報(bào)率36.51%，全部投資回收

20、期4.24年，提供就業(yè)職位561個。十五、報(bào)告說明該項(xiàng)目報(bào)告對項(xiàng)目所涉及的主要問題，例如：項(xiàng)目資源條件、項(xiàng)目原輔材料、項(xiàng)目燃料和動力的供應(yīng)、項(xiàng)目交通運(yùn)輸條件、項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模、項(xiàng)目投資規(guī)模、項(xiàng)目產(chǎn)工藝和設(shè)備選型、項(xiàng)目產(chǎn)品類別、項(xiàng)目節(jié)能技術(shù)和措施、環(huán)境影響評價(jià)和勞動衛(wèi)生保障等，從技術(shù)、經(jīng)濟(jì)和環(huán)境保護(hù)等多個方面進(jìn)行較為詳細(xì)的調(diào)查研究。通過分析比較方案，并對項(xiàng)目建成后可能取得的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效果進(jìn)行預(yù)測，從而為投資決策提供可靠的依據(jù)，作為該項(xiàng)目進(jìn)行下一步環(huán)境評價(jià)及工程設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)文件。 項(xiàng)目報(bào)告核心提示：項(xiàng)目投資環(huán)境分析，項(xiàng)目背景和發(fā)展概況，項(xiàng)目建設(shè)的必要性，行業(yè)競爭格局分析，行業(yè)財(cái)務(wù)指標(biāo)分析參考，行業(yè)市場分析

21、與建設(shè)規(guī)模，項(xiàng)目建設(shè)條件與選址方案，項(xiàng)目不確定性及風(fēng)險(xiǎn)分析，行業(yè)發(fā)展趨勢分析所謂產(chǎn)業(yè)（項(xiàng)目）規(guī)劃是國家或地方各級政府根據(jù)國家的方針、政策和法規(guī)，對行業(yè)、專項(xiàng)和區(qū)域的發(fā)展目標(biāo)、規(guī)模、速度，以及相應(yīng)的步驟和措施等所做的設(shè)計(jì)、部署和安排。十六、項(xiàng)目評價(jià)1、本期工程項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)及某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)布局和結(jié)構(gòu)調(diào)整政策；項(xiàng)目的建設(shè)對促進(jìn)某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)中高頻熔煉設(shè)備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、技術(shù)結(jié)構(gòu)、組織結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx科技公司為適應(yīng)國內(nèi)外市場需求，擬建“杭州熔煉設(shè)備”，本期工程項(xiàng)目的建設(shè)能夠有力促進(jìn)某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展

22、，為社會提供就業(yè)職位561個，達(dá)產(chǎn)年納稅總額3516.40萬元，可以促進(jìn)某產(chǎn)業(yè)發(fā)展示范區(qū)區(qū)域經(jīng)濟(jì)的繁榮發(fā)展和社會穩(wěn)定，為地方財(cái)政收入做出積極的貢獻(xiàn)。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年投資利潤率48.69%，投資利稅率57.43%，全部投資回報(bào)率36.51%，全部投資回收期4.24年，固定資產(chǎn)投資回收期4.24年（含建設(shè)期），項(xiàng)目具有較強(qiáng)的盈利能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力。4、引導(dǎo)民間投資參與制造業(yè)重大項(xiàng)目建設(shè)，國務(wù)院辦公廳轉(zhuǎn)發(fā)財(cái)政部發(fā)展改革委人民銀行關(guān)于在公共服務(wù)領(lǐng)域推廣政府和社會資本合作模式指導(dǎo)意見，要求廣泛采用政府和社會資本合作（PPP）模式。為推動中國制造2025國家戰(zhàn)略實(shí)施，中央財(cái)政在工業(yè)轉(zhuǎn)型升級資金基礎(chǔ)上整合設(shè)立了

23、工業(yè)轉(zhuǎn)型升級（中國制造2025）資金。圍繞中國制造2025戰(zhàn)略，重點(diǎn)解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)、共性問題，充分發(fā)揮政府資金的引導(dǎo)作用，帶動產(chǎn)業(yè)向縱深發(fā)展。重點(diǎn)支持制造業(yè)關(guān)鍵領(lǐng)域和薄弱環(huán)節(jié)發(fā)展，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)支持力度，為各類企業(yè)轉(zhuǎn)型升級提供產(chǎn)業(yè)和技術(shù)支撐。提振民營經(jīng)濟(jì)、激發(fā)民間投資已被列入重要清單。民營經(jīng)濟(jì)是經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展的重要組成部分，在壯大區(qū)域經(jīng)濟(jì)、安排勞動就業(yè)、增加城鄉(xiāng)居民收入、維護(hù)社會和諧穩(wěn)定以及全面建成小康社會進(jìn)程中起著不可替代的作用，如何做大做強(qiáng)民營經(jīng)濟(jì)，已成為當(dāng)前的一項(xiàng)重要課題。undefined綜上所述，項(xiàng)目的建設(shè)和實(shí)施無論是經(jīng)濟(jì)效益、社會效益還是環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。

24、十七、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米51599.1277.36畝1.1容積率1.361.2建筑系數(shù)77.09%1.3投資強(qiáng)度萬元/畝165.661.4基底面積平方米39777.761.5總建筑面積平方米70174.801.6綠化面積平方米4518.75綠化率6.44%2總投資萬元16808.632.1固定資產(chǎn)投資萬元12815.462.1.1土建工程投資萬元5021.982.1.1.1土建工程投資占比萬元29.88%2.1.2設(shè)備投資萬元4620.982.1.2.1設(shè)備投資占比27.49%2.1.3其它投資萬元3172.502.1.3.1其它投資占比18.8

25、7%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比76.24%2.2流動資金萬元3993.172.2.1流動資金占比23.76%3收入萬元33709.004總成本萬元25525.685利潤總額萬元8183.326凈利潤萬元6137.497所得稅萬元1.368增值稅萬元1128.739稅金及附加萬元341.8410納稅總額萬元3516.4011利稅總額萬元9653.8912投資利潤率48.69%13投資利稅率57.43%14投資回報(bào)率36.51%15回收期年4.2416設(shè)備數(shù)量臺（套）16317年用電量千瓦時407318.2018年用水量立方米21597.2219總能耗噸標(biāo)準(zhǔn)煤51.9020節(jié)能率23.30%21節(jié)

26、能量噸標(biāo)準(zhǔn)煤21.2022員工數(shù)量人561第二章 投資背景及必要性分析一、項(xiàng)目承辦單位背景分析（一）公司概況展望未來，公司將圍繞企業(yè)發(fā)展目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)，在“夢想、責(zé)任、忠誠、一流”核心價(jià)值觀的指引下，圍繞業(yè)務(wù)體系、管控體系和人才隊(duì)伍體系重塑，推動體制機(jī)制改革和管理及業(yè)務(wù)模式的創(chuàng)新，加強(qiáng)團(tuán)隊(duì)能力建設(shè)，提升核心競爭力，努力把公司打造成為國內(nèi)一流的供應(yīng)鏈管理平臺。成立以來，公司秉承“誠實(shí)、信用、謹(jǐn)慎、有效”的信托理念，將“誠信為本、合規(guī)經(jīng)營”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險(xiǎn)控制能力。公司的能源管理系統(tǒng)經(jīng)過多年的探索，已經(jīng)建立了比較完善的能源管理體系，形成了行之有效的公司、車間和班組級能

27、源管理體系，全面推行全員能源管理及全員節(jié)能工作；項(xiàng)目承辦單位成立了由公司董事長及總經(jīng)理為主要領(lǐng)導(dǎo)的能源管理委員會，能源管理工作小組為公司的常設(shè)能源管理機(jī)構(gòu)，全面負(fù)責(zé)公司日常能源管理的組織、監(jiān)督、檢查和協(xié)調(diào)工作，下設(shè)的能源管理工作室代表管理部門，負(fù)責(zé)具體開展項(xiàng)目承辦單位能源管理工作；各車間的能源管理機(jī)構(gòu)設(shè)在本車間內(nèi)，由設(shè)備管理副總經(jīng)理、各車間主管及設(shè)備管理人為本部門的第一責(zé)任人，各部門設(shè)立專（兼）職能源管理員，負(fù)責(zé)現(xiàn)場能源的具體管理工作。公司根據(jù)自身發(fā)展的需要，擬在項(xiàng)目建設(shè)地建設(shè)項(xiàng)目，同時，為公司后期產(chǎn)品的研制開發(fā)預(yù)留發(fā)展余地，項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，不僅大幅度提升項(xiàng)目承辦單位項(xiàng)目產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化水平，為新產(chǎn)

28、品研發(fā)打下良好基礎(chǔ)，有力促進(jìn)公司經(jīng)濟(jì)效益和社會效益的提高，將帶動區(qū)域內(nèi)相關(guān)行業(yè)發(fā)展，形成配套的產(chǎn)業(yè)集群，為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)發(fā)展做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。公司以生產(chǎn)運(yùn)行部、規(guī)劃發(fā)展部等專業(yè)技術(shù)人員為主體，依托各單位生產(chǎn)技術(shù)人員，組建了技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。研發(fā)團(tuán)隊(duì)現(xiàn)有核心技術(shù)骨干 十余人，均有豐富的科研工作經(jīng)驗(yàn)及實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。產(chǎn)品的研發(fā)效率和質(zhì)量是產(chǎn)品創(chuàng)新的保障，公司將進(jìn)一步加大研發(fā)基礎(chǔ)建設(shè)。通過研發(fā)平臺的建設(shè)，使產(chǎn)品研發(fā)管理更加規(guī)范化和信息化；通過產(chǎn)品監(jiān)測中心的建設(shè)，不斷完善產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，提高專業(yè)檢測能力，提升產(chǎn)品可靠性。（二）公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx科技公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入33557.92萬元，同比增長20.96%（58

29、15.12萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)及銷售收入為27356.29萬元，占營業(yè)總收入的81.52%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號項(xiàng)目第一季度第二季度第三季度第四季度合計(jì)1營業(yè)收入7047.169396.228725.068389.4833557.922主營業(yè)務(wù)收入5744.827659.767112.646839.0727356.292.1中高頻熔煉設(shè)備(A)1895.792527.722347.172256.899027.582.2中高頻熔煉設(shè)備(B)1321.311761.751635.911572.996291.952.3中高頻熔煉設(shè)備(C)976.621302.161209.1

30、51162.644650.572.4中高頻熔煉設(shè)備(D)689.38919.17853.52820.693282.752.5中高頻熔煉設(shè)備(E)459.59612.78569.01547.132188.502.6中高頻熔煉設(shè)備(F)287.24382.99355.63341.951367.812.7中高頻熔煉設(shè)備(.)114.90153.20142.25136.78547.133其他業(yè)務(wù)收入1302.341736.461612.421550.416201.63根據(jù)初步統(tǒng)計(jì)測算，公司實(shí)現(xiàn)利潤總額8174.30萬元，較去年同期相比增長894.02萬元，增長率12.28%；實(shí)現(xiàn)凈利潤6130.73萬

31、元，較去年同期相比增長988.90萬元，增長率19.23%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項(xiàng)目單位指標(biāo)完成營業(yè)收入萬元33557.92完成主營業(yè)務(wù)收入萬元27356.29主營業(yè)務(wù)收入占比81.52%營業(yè)收入增長率（同比）20.96%營業(yè)收入增長量（同比）萬元5815.12利潤總額萬元8174.30利潤總額增長率12.28%利潤總額增長量萬元894.02凈利潤萬元6130.73凈利潤增長率19.23%凈利潤增長量萬元988.90投資利潤率53.55%投資回報(bào)率40.17%財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率24.99%企業(yè)總資產(chǎn)萬元37123.86流動資產(chǎn)總額占比萬元30.35%流動資產(chǎn)總額萬元11266.74資產(chǎn)負(fù)債率32.9

32、3%二、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目背景分析在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Ka

33、yex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。光刻工藝及設(shè)備：光刻是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細(xì)加工技術(shù)。由于晶圓表面上的電路設(shè)計(jì)圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻也是IC制造最核心的環(huán)節(jié)。光刻主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分

34、（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠發(fā)生變質(zhì)，然后用腐蝕性液體清洗硅片，除去變質(zhì)的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會被刻蝕液影響。光刻工藝價(jià)值巨大，ASML獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷。即使是微米級的光刻工藝，也需要重復(fù)循環(huán)5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費(fèi)時間約占40%-60%。而光刻機(jī)則是IC制造中最核心的設(shè)備，價(jià)值量占到設(shè)備總投資的比例約為20%。全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域優(yōu)勢巨大，其EUV光刻機(jī)工藝水平已經(jīng)達(dá)到10nm的級別，單臺設(shè)備售價(jià)超過1億美元。公司的市場份額超過60%，甩開了兩個老對手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實(shí)現(xiàn)1

35、0nm以下工藝制程的最經(jīng)濟(jì)手段，并且只有ASML一家供應(yīng)商具備開發(fā)EUV光刻機(jī)的能力。因此半導(dǎo)體三巨頭英特爾、臺積電、三星均爭相投資ASML開發(fā)EUV技術(shù)，助其快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，以及獲得EUV設(shè)備的優(yōu)先購買權(quán)。雖然我國上海微電子也研發(fā)出光刻機(jī)，但由于中國半導(dǎo)體起步較晚，技術(shù)上與外資品牌差距巨大?？涛g工藝：按照掩模圖形對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)工藝，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面上用稀釋的化學(xué)品等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)工藝，通過電場對等離子體進(jìn)

36、行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時，更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，從而利用物理上的能量轉(zhuǎn)移實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。中微半導(dǎo)體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，美國的泛林半導(dǎo)體憑借著先發(fā)優(yōu)勢和大量研發(fā)投入保持行業(yè)龍頭地位，但中國廠商中微半導(dǎo)體在近十年迅速崛起，并開始打入國際市場。中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，目前已經(jīng)進(jìn)入臺積電的5個半導(dǎo)體生產(chǎn)線，7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備可以與世界最前沿技術(shù)比肩。隨著中微的崛起，2015年美國商業(yè)部的工業(yè)安全局特別發(fā)布公告，承認(rèn)中國已經(jīng)擁有制造具備國際競爭力刻蝕機(jī)的能力，且等離子刻蝕機(jī)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，因而決定將等離子刻蝕機(jī)從美國對中國控制出口名錄

37、中去除。離子注入工藝及設(shè)備：是人為地將所需雜質(zhì)以一定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達(dá)到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫?zé)釘U(kuò)散法是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)一種方法；離子注入法是通過注入機(jī)的加速和引導(dǎo)，將能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發(fā)生一系列理化反應(yīng)，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，最后停留在材料中，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。在離子注入機(jī)領(lǐng)域，美國應(yīng)用材料占據(jù)了70%以上的市場份額。成膜工藝及設(shè)備：主要運(yùn)用CVD技術(shù)（ChemicalVaporDeposition

38、，化學(xué)氣相沉積），是把含有構(gòu)成薄膜元素的反應(yīng)劑蒸氣引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點(diǎn)，膜厚與淀積時間成正比，均勻性和重復(fù)性好，其中應(yīng)用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強(qiáng)的化學(xué)活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），是以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種-V族、-族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不

39、銹鋼反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座，氫氣通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長區(qū)。薄膜工藝也是IC制造的一個基礎(chǔ)工藝，加工難度較高。該環(huán)節(jié)設(shè)備投資占整體設(shè)備的14%-15%。在CVD設(shè)備領(lǐng)域，中國與世界先進(jìn)水平差距較大。美國應(yīng)用材料幾乎涵蓋了除光刻機(jī)以外的前制程設(shè)備，并在CVD及PVD設(shè)備領(lǐng)域位居全球市占率第一，而中國企業(yè)近年來在“02”專項(xiàng)的支持下也實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，其中北方華創(chuàng)的CVD設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入中芯國際28nm生產(chǎn)線，14nm設(shè)備正處于驗(yàn)證階段。三、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)必要性分析中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶

40、圓廠投入營運(yùn)。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計(jì)，2016年中國大陸已進(jìn)入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的

41、12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬片/月。在政策和資本的雙重驅(qū)動下，中國大陸晶圓生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)入了新一輪發(fā)展浪潮。除了已經(jīng)量產(chǎn)的9條12英寸產(chǎn)線外，從2014下半年至2017上半年，中國大陸正在興建或宣布計(jì)劃興建的12英寸晶圓生產(chǎn)線共有20條（包括擴(kuò)產(chǎn)升級的產(chǎn)線），大大超越了已有數(shù)量，這在史上也是絕無

42、僅有的集建設(shè)時期。中國大陸正在興建的12英寸晶圓產(chǎn)線，按主流產(chǎn)品和工藝技術(shù)來分，可以分為邏輯（Logic）芯片、存儲器（Memory）芯片和專用芯片生產(chǎn)線3類。目前興建中技術(shù)水平最高的廠商依然是中芯國際，其在北京投資40億美元的B3產(chǎn)線已達(dá)到14nm制程；同時還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產(chǎn)工藝涵蓋28-14nm，并且開始著手研發(fā)10/7nm工藝，預(yù)計(jì)2018年正式投產(chǎn)。而作為臺灣地區(qū)晶圓代工龍頭臺積電，也于2017年宣布在南京建設(shè)12英寸晶圓廠，這也意味著16nm制程芯片將在大陸量產(chǎn)。除了新建產(chǎn)線，原有的外資12英寸產(chǎn)線也開始了技術(shù)升級、產(chǎn)能擴(kuò)建的進(jìn)程。其中包括SK海力士（無錫）進(jìn)行

43、第5期擴(kuò)建工程，以及三星（西安）進(jìn)行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設(shè)。根據(jù)目前的規(guī)劃，若這些晶圓廠全部量產(chǎn)，可達(dá)到的理論產(chǎn)能約為125萬片/月。疊加現(xiàn)有產(chǎn)能，則未來中國12英寸晶圓產(chǎn)能將超過160萬片/月，將大大拉動對半導(dǎo)體設(shè)備的需求。從2016年下半年起，國內(nèi)外8英寸晶圓產(chǎn)能日趨緊張，現(xiàn)有的8英寸產(chǎn)線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和擴(kuò)建12英寸產(chǎn)線的同時，8英寸晶圓生產(chǎn)線的新建和擴(kuò)建也隨勢展開。至今，新建的8英寸晶圓生產(chǎn)線主要有大連宇宙半導(dǎo)體和淮安德克瑪?shù)?，擴(kuò)建的8英寸產(chǎn)線主要是中芯國際（天津）Fab7?？傮w來說，國內(nèi)的8英寸產(chǎn)線共計(jì)21條，其中量產(chǎn)16條，在建或擴(kuò)建5條，共

44、計(jì)產(chǎn)能115萬片/月。中國晶圓廠投資迎來爆發(fā)期。我們統(tǒng)計(jì)了國內(nèi)所有8英寸及12英寸產(chǎn)線的投資數(shù)據(jù)，從未來的投資軌跡來看，2017-2020年是晶圓廠投資的高峰期。這四年內(nèi)，將有20條產(chǎn)線12英寸晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其中包括紫光集團(tuán)兩條、中芯國際四條、長江存儲三條，臺積電、三星、美國AOS、聯(lián)華電子、力晶、華力微電子、合肥長鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪、SK海力士各一條，合計(jì)投資金額約6827億元（去除紫光成都產(chǎn)線和中芯國際寧波產(chǎn)線，因?yàn)槠渲慌c政府簽訂合作意向，項(xiàng)目并未實(shí)際動工）。全部投產(chǎn)后，中國的12英寸晶圓產(chǎn)能將領(lǐng)先臺灣與韓國。同時，未來國內(nèi)新增的8英寸晶圓產(chǎn)能45.5萬片/月，相比目前的量

45、產(chǎn)規(guī)模增長65%，新增投資247億元。來國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場空間測算：根據(jù)我們?nèi)斯そy(tǒng)計(jì)的晶圓產(chǎn)線數(shù)據(jù)，按照產(chǎn)線的投資額進(jìn)行4年的平滑，可以計(jì)算出未來每年晶圓廠投資數(shù)據(jù)。在過去的十年中，全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產(chǎn)線的全部資本投資中，2/3的資金用于購買設(shè)備，剩下的1/3用于廠房建設(shè)，包括人員開支、設(shè)計(jì)、材料等費(fèi)用。我們以一條15億美元的產(chǎn)線為例，其中10億美元用于設(shè)備支出，主要的設(shè)備包括以下幾種：i.光刻機(jī)：最高端的ASML光刻機(jī)售價(jià)高達(dá)1億美元，整條產(chǎn)線根據(jù)產(chǎn)能大小只需要幾臺光刻機(jī)即可；ii.等離子刻蝕機(jī)：一條產(chǎn)線需要30-50臺，單臺價(jià)格在200-2

46、50萬美元左右。iii.CVD設(shè)備：一個晶圓廠至少需要30臺，單臺價(jià)格200-300萬美元。iv.檢測設(shè)備：最貴的美國檢測機(jī)單價(jià)約為100萬-120萬美元，其中前道工序需要50臺，而后道工序則需要上百臺。約70%的市場為前端晶圓制造設(shè)備，而封裝設(shè)備、測試設(shè)備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過程中不斷循環(huán)往復(fù)，對于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，這部分設(shè)備價(jià)值體量也最高，其中最核心裝備光刻機(jī)、鍍膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備分別占晶圓廠設(shè)備總投資的20%、15%和14%左右。中國晶圓廠設(shè)備未來幾年的投資額將達(dá)到千億級別，對應(yīng)的設(shè)備投資額也為585億-1210億元不等，我們預(yù)計(jì)2

47、019年設(shè)備投資額將達(dá)到近期峰值水平，其中晶圓制造的設(shè)備投資額將達(dá)到847億元。由于前道設(shè)備技術(shù)難度極高，同時國外實(shí)施技術(shù)封鎖，國產(chǎn)企業(yè)無法掌握核心技術(shù)而較難切入該領(lǐng)域。后道的封裝測試環(huán)節(jié)技術(shù)難度相對較低，尤其是測試設(shè)備，大陸憑借著技術(shù)引進(jìn)和較低的勞動力成本優(yōu)勢已經(jīng)在該領(lǐng)域有所建樹，2017年測試設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)到59億元。持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動了國內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為裝備制造業(yè)提供了巨大的市場空間。第三章 項(xiàng)目市場調(diào)研一、中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、

48、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。IC產(chǎn)品生產(chǎn)附加值極高，工藝進(jìn)步依托于設(shè)備提升。目前的集成電路技術(shù)大多基于元素硅，并在晶片上構(gòu)建各種復(fù)雜電路。硅元素在地殼中的含量達(dá)到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過富含二氧化硅的砂石經(jīng)提煉獲得。由價(jià)格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生產(chǎn)過程就是硅元素附加值大量增長的過程。從最初的設(shè)計(jì)，到最終的下線檢測，生產(chǎn)過程需經(jīng)過幾十步甚至幾百步的工藝，整個制造過程工藝復(fù)雜，其中任何一步的錯誤都可能是最后導(dǎo)致產(chǎn)品失效的原因，因此對設(shè)備可靠性的要求極高。下游廠商也愿意為高可

49、靠性、高精度設(shè)備支付技術(shù)溢價(jià)，這也是半導(dǎo)體投資中設(shè)備投資占比較高的原因之一。從生產(chǎn)工藝來看，半導(dǎo)體制造過程可以分為IC設(shè)計(jì)（電路與邏輯設(shè)計(jì)）、制造（前道工序）和封裝與測試環(huán)節(jié)（后道工序）。設(shè)備主要針對制造及測封環(huán)節(jié)，設(shè)計(jì)部分的占比較少。IC設(shè)計(jì)：是一個將系統(tǒng)、邏輯與性能的設(shè)計(jì)要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過程，主要包含邏輯設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)和圖形設(shè)計(jì)等。將最終設(shè)計(jì)出的電路圖制作成光罩，進(jìn)入下一個制造環(huán)節(jié)。由于設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)主要通過計(jì)算機(jī)完成，所需的設(shè)備占比較少。IC制造：制造環(huán)節(jié)又分為晶圓制造和晶圓加工兩部分。前者是指運(yùn)用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過程，主要包含硅的純化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等

50、，對應(yīng)的設(shè)備分別是熔煉爐、CVD設(shè)備、單晶爐和切片機(jī)等；晶圓加工則是指在制備晶圓材料上構(gòu)建完整的集成電路芯片的過程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。i.鍍膜工藝：通過PECVD、LPCVD等設(shè)備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構(gòu)成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過光刻機(jī)，對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)，加工的晶體管數(shù)量和密度都會隨著制程工藝的升級而不斷加強(qiáng)；iii.刻蝕工藝：通過刻蝕機(jī)，對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過離子注入機(jī)或擴(kuò)散爐為材料加入特殊元素，從而優(yōu)化材料表面性能，或

51、獲得某些新的優(yōu)異性能。IC測封：封裝是半導(dǎo)體設(shè)備制造過程中的最后一個環(huán)節(jié)，主要包含減薄/切割、貼裝/互聯(lián)、封裝、測試等過程，分別對應(yīng)切割減薄設(shè)備、引線機(jī)、鍵合機(jī)、分選測試機(jī)等。將半導(dǎo)體材料模塊集中于一個保護(hù)殼內(nèi)，防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，最后通過測試的產(chǎn)品將作為最終成品投入到下游的應(yīng)用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程，這段時期硅晶片附加值增長最快。該環(huán)節(jié)的制造難度相較后端的封裝測試要高很多，對于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，該部分設(shè)備投資體量巨大，占整體設(shè)備投資的70%以上。其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環(huán)節(jié)。晶圓制造工藝及設(shè)備：硅晶圓的制造可以歸納為

52、三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)得到冶金級硅，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.9999999%（7個9以上），成為電子級硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠的基本原料硅晶圓片。二、中高頻熔煉設(shè)備市場分析預(yù)測半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶

53、圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體設(shè)備的上游為電子元器件和機(jī)械加工行業(yè)，原材料包括機(jī)械零件、視覺系統(tǒng)、繼電器、傳感器、計(jì)算機(jī)和PCB板等，優(yōu)質(zhì)的上游產(chǎn)品或服務(wù)有助于設(shè)備產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。行業(yè)的下游主要為封裝測試、晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)。集成電路產(chǎn)品技術(shù)含量高、工藝復(fù)雜，

54、技術(shù)更新和工藝升級依托于裝備的發(fā)展；反之，下游信息產(chǎn)業(yè)不斷開發(fā)的新產(chǎn)品和新工藝，為設(shè)備行業(yè)提供了新需求和市場空間。以晶圓加工為例，8英寸的晶圓制造設(shè)備無法運(yùn)用于其他尺寸的加工，因此當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入12英寸時代后，8英寸產(chǎn)品需要全部更新?lián)Q代，由此也帶來了設(shè)備行業(yè)的增量空間，促進(jìn)了其持續(xù)發(fā)展?？傮w設(shè)備市場恢復(fù)性增長，接近歷史最高水平。設(shè)備行業(yè)與半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣程度密切相關(guān)，且波動較大。2008、2009年受到金融危機(jī)的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強(qiáng)勢回升，并于次年達(dá)到歷史最高點(diǎn)435億美元，隨后受到周期性影響設(shè)備支出有所下降。而2016年全球集成電路設(shè)備市場規(guī)模為412億美元，同

55、比增長13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設(shè)，將帶動上游設(shè)備銷售，2017年全球半導(dǎo)體新設(shè)備銷售額將達(dá)494億美元，同比增長19.8%，突破歷史最高水平。分產(chǎn)品來看，SEMI預(yù)計(jì)2017年晶圓加工設(shè)備達(dá)到398億美元，同比增長21.7%；光罩等其他前端設(shè)備23億美元，增長25.6%；而封裝測試裝備總計(jì)約73億美元。下游企業(yè)競爭日趨激烈，產(chǎn)業(yè)預(yù)期持續(xù)向好。中國設(shè)備占比逐步提升。分地區(qū)來看，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要銷售區(qū)域?yàn)橹袊?、日本、韓國、北美和臺灣地區(qū)，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導(dǎo)體設(shè)備、服務(wù)、材料等廠商提供了寶貴的機(jī)遇。2016年中國大陸設(shè)備銷售收入64.6億美元，同比增長32%，并首次超過日本，成為全球第三大半導(dǎo)體設(shè)備銷售地區(qū)。同時，SEMI預(yù)計(jì)韓國設(shè)備銷售將在2017年達(dá)到129.7億美元，超過臺灣成為全球第一大市場。晶圓產(chǎn)能集中度提高，12英寸是當(dāng)前主流。遵循摩爾定律的半導(dǎo)體行業(yè)曾經(jīng)實(shí)現(xiàn)了快速增長，在較低成本的基礎(chǔ)上帶來了強(qiáng)大的計(jì)算能力。為了保持成本，既有通過技術(shù)進(jìn)步的小型化之路，也有增大晶圓尺寸的做法。通常，半導(dǎo)體行業(yè)每十年升級fab架構(gòu)來增加晶圓直徑，而同時技術(shù)進(jìn)步則是每兩年一個節(jié)點(diǎn)