湖北熔煉設(shè)備可行性研究報(bào)告

1、泓域咨詢/湖北熔煉設(shè)備可行性研究報(bào)告湖北熔煉設(shè)備可行性研究報(bào)告泓域咨詢 MACRO摘要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場(chǎng)。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國(guó)內(nèi)廠商已接近國(guó)外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對(duì)晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長(zhǎng)設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長(zhǎng)爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動(dòng)化程度和單晶硅棒成品品

2、質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)單晶硅生長(zhǎng)爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長(zhǎng)爐，如德國(guó)的PVATePlaAG公司，美國(guó)的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國(guó)內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國(guó)外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)的絕大部分份額。未來，國(guó)產(chǎn)晶圓生長(zhǎng)設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。該中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目計(jì)劃總投資11826.47萬元，其中：固定資產(chǎn)投資8523.98萬元，占項(xiàng)目總投資的7

3、2.08%；流動(dòng)資金3302.49萬元，占項(xiàng)目總投資的27.92%。本期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入26951.00萬元，總成本費(fèi)用21464.04萬元，稅金及附加208.53萬元，利潤(rùn)總額5486.96萬元，利稅總額6452.31萬元，稅后凈利潤(rùn)4115.22萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額2337.09萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率46.40%，投資利稅率54.56%，投資回報(bào)率34.80%，全部投資回收期4.37年，提供就業(yè)職位559個(gè)。湖北熔煉設(shè)備可行性研究報(bào)告目錄第一章 項(xiàng)目基本信息一、項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)二、項(xiàng)目承辦單位三、戰(zhàn)略合作單位四、項(xiàng)目提出的理由五、項(xiàng)目選址及用地綜述六、土建工程建設(shè)指標(biāo)七、設(shè)備購(gòu)置八、產(chǎn)

4、品規(guī)劃方案九、原材料供應(yīng)十、項(xiàng)目能耗分析十一、環(huán)境保護(hù)十二、項(xiàng)目建設(shè)符合性十三、項(xiàng)目進(jìn)度規(guī)劃十四、投資估算及經(jīng)濟(jì)效益分析十五、報(bào)告說明十六、項(xiàng)目評(píng)價(jià)十七、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)第二章 項(xiàng)目建設(shè)及必要性一、項(xiàng)目承辦單位背景分析二、產(chǎn)業(yè)政策及發(fā)展規(guī)劃三、鼓勵(lì)中小企業(yè)發(fā)展四、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)分析五、區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展概況六、項(xiàng)目必要性分析第三章 市場(chǎng)調(diào)研分析第四章 產(chǎn)品規(guī)劃方案一、產(chǎn)品規(guī)劃二、建設(shè)規(guī)模第五章 項(xiàng)目選址方案一、項(xiàng)目選址原則二、項(xiàng)目選址三、建設(shè)條件分析四、用地控制指標(biāo)五、用地總體要求六、節(jié)約用地措施七、總圖布置方案八、運(yùn)輸組成九、選址綜合評(píng)價(jià)第六章 土建工程分析一、建筑工程設(shè)計(jì)原則二、項(xiàng)目工程建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范三

5、、項(xiàng)目總平面設(shè)計(jì)要求四、建筑設(shè)計(jì)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)五、土建工程設(shè)計(jì)年限及安全等級(jí)六、建筑工程設(shè)計(jì)總體要求七、土建工程建設(shè)指標(biāo)第七章 工藝可行性分析一、項(xiàng)目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況二、項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)期原輔材料采購(gòu)及管理二、技術(shù)管理特點(diǎn)三、項(xiàng)目工藝技術(shù)設(shè)計(jì)方案四、設(shè)備選型方案第八章 環(huán)境保護(hù)可行性一、建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀二、建設(shè)期環(huán)境保護(hù)三、運(yùn)營(yíng)期環(huán)境保護(hù)四、項(xiàng)目建設(shè)對(duì)區(qū)域經(jīng)濟(jì)的影響五、廢棄物處理六、特殊環(huán)境影響分析七、清潔生產(chǎn)八、項(xiàng)目建設(shè)對(duì)區(qū)域經(jīng)濟(jì)的影響九、環(huán)境保護(hù)綜合評(píng)價(jià)第九章 安全規(guī)范管理一、消防安全二、防火防爆總圖布置措施三、自然災(zāi)害防范措施四、安全色及安全標(biāo)志使用要求五、電氣安全保障措施六、防塵防毒措施

6、七、防靜電、觸電防護(hù)及防雷措施八、機(jī)械設(shè)備安全保障措施九、勞動(dòng)安全保障措施十、勞動(dòng)安全衛(wèi)生機(jī)構(gòu)設(shè)置及教育制度十一、勞動(dòng)安全預(yù)期效果評(píng)價(jià)第十章 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)分析一、政策風(fēng)險(xiǎn)分析二、社會(huì)風(fēng)險(xiǎn)分析三、市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)分析四、資金風(fēng)險(xiǎn)分析五、技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)分析六、財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)分析七、管理風(fēng)險(xiǎn)分析八、其它風(fēng)險(xiǎn)分析九、社會(huì)影響評(píng)估第十一章 節(jié)能可行性分析一、節(jié)能概述二、節(jié)能法規(guī)及標(biāo)準(zhǔn)三、項(xiàng)目所在地能源消費(fèi)及能源供應(yīng)條件四、能源消費(fèi)種類和數(shù)量分析二、項(xiàng)目預(yù)期節(jié)能綜合評(píng)價(jià)三、項(xiàng)目節(jié)能設(shè)計(jì)四、節(jié)能措施第十二章 項(xiàng)目計(jì)劃安排一、建設(shè)周期二、建設(shè)進(jìn)度三、進(jìn)度安排注意事項(xiàng)四、人力資源配置五、員工培訓(xùn)六、項(xiàng)目實(shí)施保障第十三章 項(xiàng)目投資可

7、行性分析一、項(xiàng)目估算說明二、項(xiàng)目總投資估算三、資金籌措第十四章 項(xiàng)目盈利能力分析一、經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)綜述二、經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)財(cái)務(wù)測(cè)算二、項(xiàng)目盈利能力分析第十五章 項(xiàng)目招投標(biāo)方案一、招標(biāo)依據(jù)和范圍二、招標(biāo)組織方式三、招標(biāo)委員會(huì)的組織設(shè)立四、項(xiàng)目招投標(biāo)要求五、項(xiàng)目招標(biāo)方式和招標(biāo)程序六、招標(biāo)費(fèi)用及信息發(fā)布第十六章 項(xiàng)目綜合結(jié)論附表1：主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表附表2：土建工程投資一覽表附表3：節(jié)能分析一覽表附表4：項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度一覽表附表5：人力資源配置一覽表附表6：固定資產(chǎn)投資估算表附表7：流動(dòng)資金投資估算表附表8：總投資構(gòu)成估算表附表9：營(yíng)業(yè)收入稅金及附加和增值稅估算表附表10：折舊及攤銷一覽表附表11：總成本費(fèi)用估算一

8、覽表附表12：利潤(rùn)及利潤(rùn)分配表附表13：盈利能力分析一覽表第一章 項(xiàng)目基本信息一、項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)（一）項(xiàng)目名稱湖北熔煉設(shè)備（二）項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì)該項(xiàng)目屬于新建項(xiàng)目，依托某某產(chǎn)業(yè)園良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和創(chuàng)新氛圍，充分發(fā)揮區(qū)位優(yōu)勢(shì)，全力打造以中高頻熔煉設(shè)備為核心的綜合性產(chǎn)業(yè)基地，年產(chǎn)值可達(dá)27000.00萬元。二、項(xiàng)目承辦單位xxx科技發(fā)展公司三、戰(zhàn)略合作單位xxx實(shí)業(yè)發(fā)展公司四、項(xiàng)目提出的理由中國(guó)晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)。中國(guó)大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國(guó)為10座，臺(tái)灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需

9、求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2016年中國(guó)大陸已進(jìn)入連年國(guó)產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國(guó)際在北京的Fab4廠是中國(guó)最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國(guó)際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國(guó)內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國(guó)產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級(jí)為12英寸。而英特爾大

10、連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬片/月。半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測(cè)試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個(gè)核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長(zhǎng)制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域

11、處于領(lǐng)先地位。五、項(xiàng)目選址及用地綜述（一）項(xiàng)目選址方案項(xiàng)目選址位于某某產(chǎn)業(yè)園,地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，建設(shè)條件良好。湖北省，簡(jiǎn)稱鄂，中華人民共和國(guó)省級(jí)行政區(qū)，省會(huì)武漢。地處中國(guó)中部地區(qū)，東鄰安徽，西連重慶，西北與陜西接壤，南接江西、湖南，北與河南毗鄰，介于北緯29015333647、東經(jīng)10821421160750之間，東西長(zhǎng)約740千米，南北寬約470千米，總面積18.59萬平方千米，占中國(guó)總面積的1.94%。最東端是黃梅縣，最西端是利川市，最南端是來鳳縣，最北端是鄖西縣。湖北省地勢(shì)大致為東、西、北三面環(huán)山，中間低平，略呈向南敞開的不完整盆地。在全省

12、總面積中，山地占56%，丘陵占24%，平原湖區(qū)占20%，屬長(zhǎng)江水系。湖北省地處亞熱帶，全省除高山地區(qū)屬高山氣候外，大部分地區(qū)屬亞熱帶季風(fēng)性濕潤(rùn)氣候。截至2019年末，湖北省共轄12個(gè)地級(jí)市、1個(gè)自治州、4個(gè)省直轄縣級(jí)行政單位，共有25個(gè)縣級(jí)市、36個(gè)縣、2個(gè)自治縣、1個(gè)林區(qū)，常住人口5927萬人。實(shí)現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值（GD）45828.31億元，其中，第一產(chǎn)業(yè)完成增加值3809.09億元，第二產(chǎn)業(yè)完成增加值19098.62億元，第三產(chǎn)業(yè)完成增加值22920.60億元。（二）項(xiàng)目用地規(guī)模項(xiàng)目總用地面積29428.04平方米（折合約44.12畝），土地綜合利用率100.00%；項(xiàng)目建設(shè)遵循“合理和集約

13、用地”的原則，按照中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范和要求進(jìn)行科學(xué)設(shè)計(jì)、合理布局，符合規(guī)劃建設(shè)要求。六、土建工程建設(shè)指標(biāo)項(xiàng)目?jī)粲玫孛娣e29428.04平方米，建筑物基底占地面積23024.50平方米，總建筑面積36196.49平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程28836.49平方米，項(xiàng)目規(guī)劃綠化面積2796.01平方米。七、設(shè)備購(gòu)置項(xiàng)目計(jì)劃購(gòu)置設(shè)備共計(jì)111臺(tái)（套），主要包括：xxx生產(chǎn)線、xx設(shè)備、xx機(jī)、xx機(jī)、xxx儀等，設(shè)備購(gòu)置費(fèi)2250.02萬元。八、產(chǎn)品規(guī)劃方案根據(jù)項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設(shè)計(jì)方案為：中高頻熔煉設(shè)備xxx單位/年。綜合考xxx科技發(fā)展公司企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、產(chǎn)品市場(chǎng)定位、資金籌措

14、能力、產(chǎn)能發(fā)展需要、技術(shù)條件、銷售渠道和策略、管理經(jīng)驗(yàn)以及相應(yīng)配套設(shè)備、人員素質(zhì)以及項(xiàng)目所在地建設(shè)條件與運(yùn)輸條件、xxx科技發(fā)展公司的投資能力和原輔材料的供應(yīng)保障能力等諸多因素，項(xiàng)目按照規(guī)?；?、流水線生產(chǎn)方式布局，本著“循序漸進(jìn)、量入而出”原則提出產(chǎn)能發(fā)展目標(biāo)。九、原材料供應(yīng)項(xiàng)目所需的主要原材料及輔助材料有：xxx、xxx、xx、xxx、xx等，xxx科技發(fā)展公司所選擇的供貨單位完全能夠穩(wěn)定供應(yīng)上述所需原料，供貨商可以完全保障項(xiàng)目正常經(jīng)營(yíng)所需要的原輔材料供應(yīng)，同時(shí)能夠滿足xxx科技發(fā)展公司今后進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的預(yù)期要求。十、項(xiàng)目能耗分析1、項(xiàng)目年用電量1214713.01千瓦時(shí)，折合149.

15、29噸標(biāo)準(zhǔn)煤，滿足湖北熔煉設(shè)備項(xiàng)目生產(chǎn)、辦公和公用設(shè)施等用電需要2、項(xiàng)目年總用水量27507.76立方米，折合2.35噸標(biāo)準(zhǔn)煤,主要是生產(chǎn)補(bǔ)給水和辦公及生活用水。項(xiàng)目用水由某某產(chǎn)業(yè)園市政管網(wǎng)供給。3、湖北熔煉設(shè)備項(xiàng)目年用電量1214713.01千瓦時(shí)，年總用水量27507.76立方米，項(xiàng)目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）151.64噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年。達(dá)產(chǎn)年綜合節(jié)能量40.31噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年，項(xiàng)目總節(jié)能率25.19%，能源利用效果良好。十一、環(huán)境保護(hù)項(xiàng)目符合某某產(chǎn)業(yè)園發(fā)展規(guī)劃，符合某某產(chǎn)業(yè)園產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國(guó)家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對(duì)產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實(shí)可行的治理措施，嚴(yán)格控制在國(guó)家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，項(xiàng)目

16、建設(shè)不會(huì)對(duì)區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。項(xiàng)目設(shè)計(jì)中采用了清潔生產(chǎn)工藝，應(yīng)用清潔原材料，生產(chǎn)清潔產(chǎn)品，同時(shí)采取完善和有效的清潔生產(chǎn)措施，能夠切實(shí)起到消除和減少污染的作用。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，各項(xiàng)環(huán)境指標(biāo)均符合國(guó)家和地方清潔生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)要求。十二、項(xiàng)目建設(shè)符合性（一）產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx科技發(fā)展公司承辦的“湖北熔煉設(shè)備”主要從事中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目投資經(jīng)營(yíng)，其不屬于國(guó)家發(fā)展改革委產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）（2013年修正）有關(guān)條款限制類及淘汰類項(xiàng)目。（二）項(xiàng)目選址與用地規(guī)劃相容性湖北熔煉設(shè)備選址于某某產(chǎn)業(yè)園，項(xiàng)目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地，符合用地規(guī)劃要求，此外，項(xiàng)目建設(shè)前后，未改變項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域

17、環(huán)境功能區(qū)劃；在落實(shí)該項(xiàng)目提出的各項(xiàng)污染防治措施后，可確保污染物達(dá)標(biāo)排放，滿足某某產(chǎn)業(yè)園環(huán)境保護(hù)規(guī)劃要求。因此，建設(shè)項(xiàng)目符合項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域用地規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護(hù)紅線：湖北熔煉設(shè)備用地性質(zhì)為建設(shè)用地，不在主導(dǎo)生態(tài)功能區(qū)范圍內(nèi)，且不在當(dāng)?shù)仫嬘盟磪^(qū)、風(fēng)景區(qū)、自然保護(hù)區(qū)等生態(tài)保護(hù)區(qū)內(nèi)，符合生態(tài)保護(hù)紅線要求。2、環(huán)境質(zhì)量底線：該項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量不低于項(xiàng)目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容量，符合環(huán)境質(zhì)量底線要求。3、資源利用上線：項(xiàng)目營(yíng)運(yùn)過程消耗一定的電能、水，資源消耗量相對(duì)于區(qū)域資源利用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面

18、清單：該項(xiàng)目所在地?zé)o環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單，項(xiàng)目采取環(huán)境保護(hù)措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達(dá)標(biāo)排放，固體廢物能夠得到合理處置，不會(huì)產(chǎn)生二次污染。十三、項(xiàng)目進(jìn)度規(guī)劃本期工程項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個(gè)月。項(xiàng)目承辦單位要合理安排設(shè)計(jì)、采購(gòu)和設(shè)備安裝的時(shí)間，在工作上交叉進(jìn)行，最大限度縮短建設(shè)周期。將投資密度比較大的部分工程盡量押后施工，諸如其他配套工程等。項(xiàng)目承辦單位要合理安排設(shè)計(jì)、采購(gòu)和設(shè)備安裝的時(shí)間，在工作上交叉進(jìn)行，最大限度縮短建設(shè)周期。將投資密度比較大的部分工程盡量押后施工，諸如其他配套工程等。對(duì)于難以預(yù)見的因素導(dǎo)致施工進(jìn)度趕不上計(jì)劃要求時(shí)及時(shí)研究，項(xiàng)目建設(shè)單位要認(rèn)真制定和安排趕工計(jì)劃并及時(shí)付諸實(shí)施。十四

19、、投資估算及經(jīng)濟(jì)效益分析（一）項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資11826.47萬元，其中：固定資產(chǎn)投資8523.98萬元，占項(xiàng)目總投資的72.08%；流動(dòng)資金3302.49萬元，占項(xiàng)目總投資的27.92%。（二）資金籌措該項(xiàng)目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（三）項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)項(xiàng)目預(yù)期達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入26951.00萬元，總成本費(fèi)用21464.04萬元，稅金及附加208.53萬元，利潤(rùn)總額5486.96萬元，利稅總額6452.31萬元，稅后凈利潤(rùn)4115.22萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額2337.09萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率46.40%，投資利稅率54.56%，投資回報(bào)率34.80%，全部投資回收期4

20、.37年，提供就業(yè)職位559個(gè)。十五、報(bào)告說明報(bào)告有五大用途：可用于企業(yè)融資、對(duì)外招商合作；用于國(guó)家發(fā)展和改革委(以前的計(jì)委)立項(xiàng)；用于銀行貸款告；用于申請(qǐng)進(jìn)口設(shè)備免稅；用于境外投資項(xiàng)目核準(zhǔn)。十六、項(xiàng)目評(píng)價(jià)1、本期工程項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某某產(chǎn)業(yè)園及某某產(chǎn)業(yè)園中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)布局和結(jié)構(gòu)調(diào)整政策；項(xiàng)目的建設(shè)對(duì)促進(jìn)某某產(chǎn)業(yè)園中高頻熔煉設(shè)備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、技術(shù)結(jié)構(gòu)、組織結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動(dòng)意義。2、xxx集團(tuán)為適應(yīng)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求，擬建“湖北熔煉設(shè)備”，本期工程項(xiàng)目的建設(shè)能夠有力促進(jìn)某某產(chǎn)業(yè)園經(jīng)濟(jì)發(fā)展，為社會(huì)提供就業(yè)職位559個(gè)，達(dá)產(chǎn)年納稅總額2337.09萬元，可以

21、促進(jìn)某某產(chǎn)業(yè)園區(qū)域經(jīng)濟(jì)的繁榮發(fā)展和社會(huì)穩(wěn)定，為地方財(cái)政收入做出積極的貢獻(xiàn)。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率46.40%，投資利稅率54.56%，全部投資回報(bào)率34.80%，全部投資回收期4.37年，固定資產(chǎn)投資回收期4.37年（含建設(shè)期），項(xiàng)目具有較強(qiáng)的盈利能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力。4、鼓勵(lì)民營(yíng)企業(yè)參與智能制造工程，圍繞離散型智能制造、流程型智能制造、網(wǎng)絡(luò)協(xié)同制造、大規(guī)模個(gè)性化定制、遠(yuǎn)程運(yùn)維服務(wù)等新模式開展應(yīng)用，建設(shè)一批數(shù)字化車間和智能工廠，引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)智能升級(jí)。支持民營(yíng)企業(yè)開展智能制造綜合標(biāo)準(zhǔn)化工作，建設(shè)一批試驗(yàn)驗(yàn)證平臺(tái)，開展標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)驗(yàn)證。加快傳統(tǒng)行業(yè)民營(yíng)企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備的智能化改造，提高精準(zhǔn)制造、敏捷制造能力。民

22、間投資是我國(guó)制造業(yè)發(fā)展的主要力量，約占制造業(yè)投資的85%以上，黨中央、國(guó)務(wù)院一直高度重視民間投資的健康發(fā)展。為貫徹黨的十九大精神，落實(shí)國(guó)務(wù)院對(duì)促進(jìn)民間投資的一系列工作部署，工業(yè)和信息化部與發(fā)展改革委、科技部、財(cái)政部等15個(gè)相關(guān)部門和單位聯(lián)合印發(fā)了關(guān)于發(fā)揮民間投資作用推進(jìn)實(shí)施制造強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略的指導(dǎo)意見，圍繞中國(guó)制造2025，明確了促進(jìn)民營(yíng)制造業(yè)企業(yè)健康發(fā)展的指導(dǎo)思想、主要任務(wù)和保障措施，旨在釋放民間投資活力，引導(dǎo)民營(yíng)制造業(yè)企業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，加快制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)。引導(dǎo)民間投資參與制造業(yè)重大項(xiàng)目建設(shè)，國(guó)務(wù)院辦公廳轉(zhuǎn)發(fā)財(cái)政部發(fā)展改革委人民銀行關(guān)于在公共服務(wù)領(lǐng)域推廣政府和社會(huì)資本合作模式指導(dǎo)意見，要求廣泛采用政府和

23、社會(huì)資本合作（PPP）模式。為推動(dòng)中國(guó)制造2025國(guó)家戰(zhàn)略實(shí)施，中央財(cái)政在工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)資金基礎(chǔ)上整合設(shè)立了工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)（中國(guó)制造2025）資金。圍繞中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，重點(diǎn)解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)、共性問題，充分發(fā)揮政府資金的引導(dǎo)作用，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)向縱深發(fā)展。重點(diǎn)支持制造業(yè)關(guān)鍵領(lǐng)域和薄弱環(huán)節(jié)發(fā)展，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)支持力度，為各類企業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)提供產(chǎn)業(yè)和技術(shù)支撐。綜上所述，項(xiàng)目的建設(shè)和實(shí)施無論是經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益還是環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。十七、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米29428.0444.12畝1.1容積率1.231.2建筑系數(shù)78.24%1.3投

24、資強(qiáng)度萬元/畝193.201.4基底面積平方米23024.501.5總建筑面積平方米36196.491.6綠化面積平方米2796.01綠化率7.72%2總投資萬元11826.472.1固定資產(chǎn)投資萬元8523.982.1.1土建工程投資萬元3139.092.1.1.1土建工程投資占比萬元26.54%2.1.2設(shè)備投資萬元2250.022.1.2.1設(shè)備投資占比19.03%2.1.3其它投資萬元3134.872.1.3.1其它投資占比26.51%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比72.08%2.2流動(dòng)資金萬元3302.492.2.1流動(dòng)資金占比27.92%3收入萬元26951.004總成本萬元21464

25、.045利潤(rùn)總額萬元5486.966凈利潤(rùn)萬元4115.227所得稅萬元1.238增值稅萬元756.829稅金及附加萬元208.5310納稅總額萬元2337.0911利稅總額萬元6452.3112投資利潤(rùn)率46.40%13投資利稅率54.56%14投資回報(bào)率34.80%15回收期年4.3716設(shè)備數(shù)量臺(tái)（套）11117年用電量千瓦時(shí)1214713.0118年用水量立方米27507.7619總能耗噸標(biāo)準(zhǔn)煤151.6420節(jié)能率25.19%21節(jié)能量噸標(biāo)準(zhǔn)煤40.3122員工數(shù)量人559第二章 項(xiàng)目建設(shè)及必要性一、項(xiàng)目承辦單位背景分析（一）公司概況公司堅(jiān)持“以人為本，無為而治”的企業(yè)管理理念，以“

26、走正道，負(fù)責(zé)任，心中有別人”的企業(yè)文化核心思想為指針，實(shí)現(xiàn)新的跨越，創(chuàng)造新的輝煌。熱忱歡迎社會(huì)各界人士咨詢與合作。公司始終堅(jiān)持 “服務(wù)為先、品質(zhì)為本、創(chuàng)新為魄、共贏為道”的經(jīng)營(yíng)理念，遵循“以客戶需求為中心，堅(jiān)持高端精品戰(zhàn)略，提高最高的服務(wù)價(jià)值”的服務(wù)理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于為客戶量身定制出完美解決方案，滿足高端市場(chǎng)高品質(zhì)的需求。本公司秉承“以人為本、品質(zhì)為本”的發(fā)展理念，倡導(dǎo)“誠(chéng)信尊重”的企業(yè)情懷；堅(jiān)持“品質(zhì)營(yíng)造未來，細(xì)節(jié)決定成敗”為質(zhì)量方針；以“真誠(chéng)服務(wù)贏得市場(chǎng)，以優(yōu)質(zhì)品質(zhì)謀求發(fā)展”的營(yíng)銷思路；以科學(xué)發(fā)展觀縱觀全局，爭(zhēng)取實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)軍、技術(shù)領(lǐng)先、產(chǎn)品領(lǐng)跑的發(fā)展目標(biāo)。

27、公司引進(jìn)世界領(lǐng)先的技術(shù)，匯聚跨國(guó)高科技人才以確保公司產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展和保持長(zhǎng)期的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。公司不斷加強(qiáng)新產(chǎn)品的研制開發(fā)力度，通過開發(fā)新品種、優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，產(chǎn)品暢銷全國(guó)各地，深受廣大客戶的好評(píng)；通過多年經(jīng)驗(yàn)積累，建立了穩(wěn)定的原料供給和產(chǎn)品銷售網(wǎng)絡(luò)；公司不斷強(qiáng)化和提高企業(yè)管理水平，健全質(zhì)量管理和質(zhì)量保證體系，嚴(yán)格按照ISO9000標(biāo)準(zhǔn)組織生產(chǎn)，并堅(jiān)持以質(zhì)量求效益的發(fā)展之路，不斷強(qiáng)化和提高企業(yè)管理水平，實(shí)現(xiàn)企業(yè)發(fā)展速度與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、質(zhì)量、效益相統(tǒng)一，堅(jiān)持在結(jié)構(gòu)調(diào)整中發(fā)展總量的原則，走可持續(xù)發(fā)展的新型工業(yè)化道路。經(jīng)過多年發(fā)展，公司已經(jīng)形成一個(gè)成熟的核心管理團(tuán)隊(duì)，團(tuán)隊(duì)具有豐富的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)于

28、整個(gè)行業(yè)的發(fā)展、企業(yè)的定位都有著較深刻的認(rèn)識(shí)，形成了科學(xué)合理的公司發(fā)展戰(zhàn)略和經(jīng)營(yíng)理念，有利于公司在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中贏得主動(dòng)權(quán)。公司一直注重科研投入，具有較強(qiáng)的自主研發(fā)能力，經(jīng)過多年的產(chǎn)品研發(fā)、技術(shù)積累和創(chuàng)新，逐步建立了一套高效的研發(fā)體系，掌握了一系列相關(guān)產(chǎn)品的核心技術(shù)。公司核心技術(shù)均為自主研發(fā)取得，支撐公司取得了多項(xiàng)專利和著作權(quán)。（二）公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx集團(tuán)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入16214.75萬元，同比增長(zhǎng)28.91%（3636.82萬元）。其中，主營(yíng)業(yè)業(yè)務(wù)中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)及銷售收入為14530.30萬元，占營(yíng)業(yè)總收入的89.61%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目第一季度第二季度第三季度第四季度

29、合計(jì)1營(yíng)業(yè)收入3405.104540.134215.844053.6916214.752主營(yíng)業(yè)務(wù)收入3051.364068.483777.883632.5714530.302.1中高頻熔煉設(shè)備(A)1006.951342.601246.701198.754795.002.2中高頻熔煉設(shè)備(B)701.81935.75868.91835.493341.972.3中高頻熔煉設(shè)備(C)518.73691.64642.24617.542470.152.4中高頻熔煉設(shè)備(D)366.16488.22453.35435.911743.642.5中高頻熔煉設(shè)備(E)244.11325.48302.23290

30、.611162.422.6中高頻熔煉設(shè)備(F)152.57203.42188.89181.63726.512.7中高頻熔煉設(shè)備(.)61.0381.3775.5672.65290.613其他業(yè)務(wù)收入353.73471.65437.96421.111684.45根據(jù)初步統(tǒng)計(jì)測(cè)算，公司實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額3911.03萬元，較去年同期相比增長(zhǎng)961.43萬元，增長(zhǎng)率32.60%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2933.27萬元，較去年同期相比增長(zhǎng)497.13萬元，增長(zhǎng)率20.41%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項(xiàng)目單位指標(biāo)完成營(yíng)業(yè)收入萬元16214.75完成主營(yíng)業(yè)務(wù)收入萬元14530.30主營(yíng)業(yè)務(wù)收入占比89.61%營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率（同

31、比）28.91%營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)量（同比）萬元3636.82利潤(rùn)總額萬元3911.03利潤(rùn)總額增長(zhǎng)率32.60%利潤(rùn)總額增長(zhǎng)量萬元961.43凈利潤(rùn)萬元2933.27凈利潤(rùn)增長(zhǎng)率20.41%凈利潤(rùn)增長(zhǎng)量萬元497.13投資利潤(rùn)率51.04%投資回報(bào)率38.28%財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率25.01%企業(yè)總資產(chǎn)萬元26672.35流動(dòng)資產(chǎn)總額占比萬元30.61%流動(dòng)資產(chǎn)總額萬元8164.88資產(chǎn)負(fù)債率47.26%二、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目背景分析半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測(cè)試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的

32、龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個(gè)核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長(zhǎng)制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體設(shè)備的上游為電子元器件和機(jī)械加工行業(yè)，原材料包括機(jī)械零件、視覺系統(tǒng)、繼電器、傳感器、計(jì)算機(jī)和PCB板等，優(yōu)質(zhì)的上游產(chǎn)品或服務(wù)有助于設(shè)備產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。行業(yè)的下游主要為封裝測(cè)試、晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)。集成電路產(chǎn)品技術(shù)含量高、工藝復(fù)雜，技術(shù)更新和工藝升級(jí)依托于裝備的發(fā)展；反之，下游信息產(chǎn)業(yè)不斷開發(fā)的新產(chǎn)品和新工藝，為設(shè)備行業(yè)提供了新需求和市場(chǎng)空間。以

33、晶圓加工為例，8英寸的晶圓制造設(shè)備無法運(yùn)用于其他尺寸的加工，因此當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入12英寸時(shí)代后，8英寸產(chǎn)品需要全部更新?lián)Q代，由此也帶來了設(shè)備行業(yè)的增量空間，促進(jìn)了其持續(xù)發(fā)展?？傮w設(shè)備市場(chǎng)恢復(fù)性增長(zhǎng)，接近歷史最高水平。設(shè)備行業(yè)與半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣程度密切相關(guān)，且波動(dòng)較大。2008、2009年受到金融危機(jī)的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強(qiáng)勢(shì)回升，并于次年達(dá)到歷史最高點(diǎn)435億美元，隨后受到周期性影響設(shè)備支出有所下降。而2016年全球集成電路設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為412億美元，同比增長(zhǎng)13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設(shè)，將帶動(dòng)上游設(shè)備銷售，2017年全球半導(dǎo)體新設(shè)備銷售額將

34、達(dá)494億美元，同比增長(zhǎng)19.8%，突破歷史最高水平。分產(chǎn)品來看，SEMI預(yù)計(jì)2017年晶圓加工設(shè)備達(dá)到398億美元，同比增長(zhǎng)21.7%；光罩等其他前端設(shè)備23億美元，增長(zhǎng)25.6%；而封裝測(cè)試裝備總計(jì)約73億美元。下游企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，產(chǎn)業(yè)預(yù)期持續(xù)向好。中國(guó)設(shè)備占比逐步提升。分地區(qū)來看，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要銷售區(qū)域?yàn)橹袊?guó)、日本、韓國(guó)、北美和臺(tái)灣地區(qū)，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國(guó)大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導(dǎo)體設(shè)備、服務(wù)、材料等廠商提供了寶貴的機(jī)遇。2016年中國(guó)大陸設(shè)備銷售收入64.6億美元，同比增長(zhǎng)32%，并首次超過日本，成為

35、全球第三大半導(dǎo)體設(shè)備銷售地區(qū)。同時(shí)，SEMI預(yù)計(jì)韓國(guó)設(shè)備銷售將在2017年達(dá)到129.7億美元，超過臺(tái)灣成為全球第一大市場(chǎng)。晶圓產(chǎn)能集中度提高，12英寸是當(dāng)前主流。遵循摩爾定律的半導(dǎo)體行業(yè)曾經(jīng)實(shí)現(xiàn)了快速增長(zhǎng)，在較低成本的基礎(chǔ)上帶來了強(qiáng)大的計(jì)算能力。為了保持成本，既有通過技術(shù)進(jìn)步的小型化之路，也有增大晶圓尺寸的做法。通常，半導(dǎo)體行業(yè)每十年升級(jí)fab架構(gòu)來增加晶圓直徑，而同時(shí)技術(shù)進(jìn)步則是每?jī)赡暌粋€(gè)節(jié)點(diǎn)。隨著納米尺度逼近物理極限，技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)放緩，晶圓尺寸的增加變得越來越重要。目前全球12英寸晶圓產(chǎn)能約為每月11.5百萬片，占總體產(chǎn)能的65%左右，未來12英寸產(chǎn)能預(yù)計(jì)會(huì)繼續(xù)擴(kuò)張。但是，更大晶圓尺寸的

36、資本投入也會(huì)大幅增長(zhǎng)，這為更弱小的玩家設(shè)置了進(jìn)入壁壘。設(shè)備行業(yè)在12英寸平臺(tái)開發(fā)上投入了116億美元，幾乎是開發(fā)8英寸平臺(tái)的9倍。由于這樣的尺寸遷移會(huì)產(chǎn)生進(jìn)入壁壘，領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商的擴(kuò)張速度會(huì)遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)平均水平，促進(jìn)集中度的提升。行業(yè)前十企業(yè)的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力是技術(shù)進(jìn)步和晶圓尺寸增加帶來的多樣化新應(yīng)用和成本降低，這給設(shè)備供應(yīng)商帶來了更大的增量空間。三、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)必要性分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技

37、術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場(chǎng)。IC產(chǎn)品生產(chǎn)附加值極高，工藝進(jìn)步依托于設(shè)備提升。目前的集成電路技術(shù)大多基于元素硅，并在晶片上構(gòu)建各種復(fù)雜電路。硅元素在地殼中的含量達(dá)到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過富含二氧化硅的砂石經(jīng)提煉獲得。由價(jià)格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生產(chǎn)過程就是硅元素附加值大量增長(zhǎng)的過程。從最初的設(shè)計(jì)，到最終的下線檢測(cè)，生產(chǎn)過程需經(jīng)過幾十步甚至幾百步的工藝，整個(gè)制造過程工藝復(fù)雜，其中任何一步的錯(cuò)誤都可能是最后導(dǎo)致產(chǎn)品失效的原因，因此對(duì)設(shè)備可靠性的要求極高。下游廠商也愿意為高可靠性、高精度設(shè)備支付技術(shù)溢價(jià)

38、，這也是半導(dǎo)體投資中設(shè)備投資占比較高的原因之一。從生產(chǎn)工藝來看，半導(dǎo)體制造過程可以分為IC設(shè)計(jì)（電路與邏輯設(shè)計(jì)）、制造（前道工序）和封裝與測(cè)試環(huán)節(jié)（后道工序）。設(shè)備主要針對(duì)制造及測(cè)封環(huán)節(jié)，設(shè)計(jì)部分的占比較少。IC設(shè)計(jì)：是一個(gè)將系統(tǒng)、邏輯與性能的設(shè)計(jì)要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過程，主要包含邏輯設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)和圖形設(shè)計(jì)等。將最終設(shè)計(jì)出的電路圖制作成光罩，進(jìn)入下一個(gè)制造環(huán)節(jié)。由于設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)主要通過計(jì)算機(jī)完成，所需的設(shè)備占比較少。IC制造：制造環(huán)節(jié)又分為晶圓制造和晶圓加工兩部分。前者是指運(yùn)用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過程，主要包含硅的純化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，對(duì)應(yīng)的設(shè)備分別是熔煉爐、C

39、VD設(shè)備、單晶爐和切片機(jī)等；晶圓加工則是指在制備晶圓材料上構(gòu)建完整的集成電路芯片的過程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。i.鍍膜工藝：通過PECVD、LPCVD等設(shè)備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構(gòu)成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過光刻機(jī)，對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)，加工的晶體管數(shù)量和密度都會(huì)隨著制程工藝的升級(jí)而不斷加強(qiáng)；iii.刻蝕工藝：通過刻蝕機(jī)，對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過離子注入機(jī)或擴(kuò)散爐為材料加入特殊元素，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。IC測(cè)

40、封：封裝是半導(dǎo)體設(shè)備制造過程中的最后一個(gè)環(huán)節(jié)，主要包含減薄/切割、貼裝/互聯(lián)、封裝、測(cè)試等過程，分別對(duì)應(yīng)切割減薄設(shè)備、引線機(jī)、鍵合機(jī)、分選測(cè)試機(jī)等。將半導(dǎo)體材料模塊集中于一個(gè)保護(hù)殼內(nèi)，防止物理?yè)p壞或化學(xué)腐蝕，最后通過測(cè)試的產(chǎn)品將作為最終成品投入到下游的應(yīng)用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程，這段時(shí)期硅晶片附加值增長(zhǎng)最快。該環(huán)節(jié)的制造難度相較后端的封裝測(cè)試要高很多，對(duì)于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，該部分設(shè)備投資體量巨大，占整體設(shè)備投資的70%以上。其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環(huán)節(jié)。晶圓制造工藝及設(shè)備：硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、

41、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)得到冶金級(jí)硅，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.9999999%（7個(gè)9以上），成為電子級(jí)硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠的基本原料硅晶圓片。第三章 市場(chǎng)調(diào)研分析一、中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)分析中國(guó)晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的

42、晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)。中國(guó)大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國(guó)為10座，臺(tái)灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2016年中國(guó)大陸已進(jìn)入連年國(guó)產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國(guó)際在北京的Fab4廠是中國(guó)最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國(guó)際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國(guó)內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國(guó)產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)

43、的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級(jí)為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬片/月。在政策和資本的雙重驅(qū)動(dòng)下，中國(guó)大陸晶圓生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)入了新一輪發(fā)展浪潮。除了已經(jīng)量產(chǎn)的9條12英寸產(chǎn)線外，從2014下半年至2017上半年，中國(guó)大陸正在興建或宣布計(jì)劃興建的12英寸晶圓生產(chǎn)線共有20條（包括擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)的產(chǎn)線），大大超越了已有數(shù)量，這在史上也是絕

44、無僅有的集建設(shè)時(shí)期。中國(guó)大陸正在興建的12英寸晶圓產(chǎn)線，按主流產(chǎn)品和工藝技術(shù)來分，可以分為邏輯（Logic）芯片、存儲(chǔ)器（Memory）芯片和專用芯片生產(chǎn)線3類。目前興建中技術(shù)水平最高的廠商依然是中芯國(guó)際，其在北京投資40億美元的B3產(chǎn)線已達(dá)到14nm制程；同時(shí)還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產(chǎn)工藝涵蓋28-14nm，并且開始著手研發(fā)10/7nm工藝，預(yù)計(jì)2018年正式投產(chǎn)。而作為臺(tái)灣地區(qū)晶圓代工龍頭臺(tái)積電，也于2017年宣布在南京建設(shè)12英寸晶圓廠，這也意味著16nm制程芯片將在大陸量產(chǎn)。除了新建產(chǎn)線，原有的外資12英寸產(chǎn)線也開始了技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)能擴(kuò)建的進(jìn)程。其中包括SK海力士（無錫）進(jìn)

45、行第5期擴(kuò)建工程，以及三星（西安）進(jìn)行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設(shè)。根據(jù)目前的規(guī)劃，若這些晶圓廠全部量產(chǎn)，可達(dá)到的理論產(chǎn)能約為125萬片/月。疊加現(xiàn)有產(chǎn)能，則未來中國(guó)12英寸晶圓產(chǎn)能將超過160萬片/月，將大大拉動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求。從2016年下半年起，國(guó)內(nèi)外8英寸晶圓產(chǎn)能日趨緊張，現(xiàn)有的8英寸產(chǎn)線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和擴(kuò)建12英寸產(chǎn)線的同時(shí)，8英寸晶圓生產(chǎn)線的新建和擴(kuò)建也隨勢(shì)展開。至今，新建的8英寸晶圓生產(chǎn)線主要有大連宇宙半導(dǎo)體和淮安德克瑪?shù)龋瑪U(kuò)建的8英寸產(chǎn)線主要是中芯國(guó)際（天津）Fab7。總體來說，國(guó)內(nèi)的8英寸產(chǎn)線共計(jì)21條，其中量產(chǎn)16條，在建或擴(kuò)建5條，

46、共計(jì)產(chǎn)能115萬片/月。中國(guó)晶圓廠投資迎來爆發(fā)期。我們統(tǒng)計(jì)了國(guó)內(nèi)所有8英寸及12英寸產(chǎn)線的投資數(shù)據(jù)，從未來的投資軌跡來看，2017-2020年是晶圓廠投資的高峰期。這四年內(nèi)，將有20條產(chǎn)線12英寸晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其中包括紫光集團(tuán)兩條、中芯國(guó)際四條、長(zhǎng)江存儲(chǔ)三條，臺(tái)積電、三星、美國(guó)AOS、聯(lián)華電子、力晶、華力微電子、合肥長(zhǎng)鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪、SK海力士各一條，合計(jì)投資金額約6827億元（去除紫光成都產(chǎn)線和中芯國(guó)際寧波產(chǎn)線，因?yàn)槠渲慌c政府簽訂合作意向，項(xiàng)目并未實(shí)際動(dòng)工）。全部投產(chǎn)后，中國(guó)的12英寸晶圓產(chǎn)能將領(lǐng)先臺(tái)灣與韓國(guó)。同時(shí)，未來國(guó)內(nèi)新增的8英寸晶圓產(chǎn)能45.5萬片/月，相比目前的

47、量產(chǎn)規(guī)模增長(zhǎng)65%，新增投資247億元。來國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)空間測(cè)算：根據(jù)我們?nèi)斯そy(tǒng)計(jì)的晶圓產(chǎn)線數(shù)據(jù)，按照產(chǎn)線的投資額進(jìn)行4年的平滑，可以計(jì)算出未來每年晶圓廠投資數(shù)據(jù)。在過去的十年中，全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產(chǎn)線的全部資本投資中，2/3的資金用于購(gòu)買設(shè)備，剩下的1/3用于廠房建設(shè)，包括人員開支、設(shè)計(jì)、材料等費(fèi)用。我們以一條15億美元的產(chǎn)線為例，其中10億美元用于設(shè)備支出，主要的設(shè)備包括以下幾種：i.光刻機(jī)：最高端的ASML光刻機(jī)售價(jià)高達(dá)1億美元，整條產(chǎn)線根據(jù)產(chǎn)能大小只需要幾臺(tái)光刻機(jī)即可；ii.等離子刻蝕機(jī)：一條產(chǎn)線需要30-50臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格在200-

48、250萬美元左右。iii.CVD設(shè)備：一個(gè)晶圓廠至少需要30臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格200-300萬美元。iv.檢測(cè)設(shè)備：最貴的美國(guó)檢測(cè)機(jī)單價(jià)約為100萬-120萬美元，其中前道工序需要50臺(tái)，而后道工序則需要上百臺(tái)。約70%的市場(chǎng)為前端晶圓制造設(shè)備，而封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過程中不斷循環(huán)往復(fù)，對(duì)于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，這部分設(shè)備價(jià)值體量也最高，其中最核心裝備光刻機(jī)、鍍膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備分別占晶圓廠設(shè)備總投資的20%、15%和14%左右。中國(guó)晶圓廠設(shè)備未來幾年的投資額將達(dá)到千億級(jí)別，對(duì)應(yīng)的設(shè)備投資額也為585億-1210億元不等，我們預(yù)計(jì)

49、2019年設(shè)備投資額將達(dá)到近期峰值水平，其中晶圓制造的設(shè)備投資額將達(dá)到847億元。由于前道設(shè)備技術(shù)難度極高，同時(shí)國(guó)外實(shí)施技術(shù)封鎖，國(guó)產(chǎn)企業(yè)無法掌握核心技術(shù)而較難切入該領(lǐng)域。后道的封裝測(cè)試環(huán)節(jié)技術(shù)難度相對(duì)較低，尤其是測(cè)試設(shè)備，大陸憑借著技術(shù)引進(jìn)和較低的勞動(dòng)力成本優(yōu)勢(shì)已經(jīng)在該領(lǐng)域有所建樹，2017年測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到59億元。持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為裝備制造業(yè)提供了巨大的市場(chǎng)空間。二、中高頻熔煉設(shè)備市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國(guó)內(nèi)廠商已接近國(guó)外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對(duì)晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓

50、生長(zhǎng)設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長(zhǎng)爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動(dòng)化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)單晶硅生長(zhǎng)爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長(zhǎng)爐，如德國(guó)的PVATePlaAG公司，美國(guó)的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國(guó)內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國(guó)外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)的絕大部分份額。未來，國(guó)產(chǎn)晶圓生長(zhǎng)設(shè)

51、備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。光刻工藝及設(shè)備：光刻是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細(xì)加工技術(shù)。由于晶圓表面上的電路設(shè)計(jì)圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻也是IC制造最核心的環(huán)節(jié)。光刻主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠發(fā)生變質(zhì)，然后用腐蝕性液體清洗硅片，除去變質(zhì)的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會(huì)被刻蝕液影響。光刻工藝價(jià)值巨大，ASML獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷。即使是微米級(jí)的光刻

52、工藝，也需要重復(fù)循環(huán)5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個(gè)光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費(fèi)時(shí)間約占40%-60%。而光刻機(jī)則是IC制造中最核心的設(shè)備，價(jià)值量占到設(shè)備總投資的比例約為20%。全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)巨大，其EUV光刻機(jī)工藝水平已經(jīng)達(dá)到10nm的級(jí)別，單臺(tái)設(shè)備售價(jià)超過1億美元。公司的市場(chǎng)份額超過60%，甩開了兩個(gè)老對(duì)手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實(shí)現(xiàn)10nm以下工藝制程的最經(jīng)濟(jì)手段，并且只有ASML一家供應(yīng)商具備開發(fā)EUV光刻機(jī)的能力。因此半導(dǎo)體三巨頭英特爾、臺(tái)積電、三星均爭(zhēng)相投資ASML開發(fā)EUV技術(shù)，助其快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

53、，以及獲得EUV設(shè)備的優(yōu)先購(gòu)買權(quán)。雖然我國(guó)上海微電子也研發(fā)出光刻機(jī)，但由于中國(guó)半導(dǎo)體起步較晚，技術(shù)上與外資品牌差距巨大?？涛g工藝：按照掩模圖形對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)工藝，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面上用稀釋的化學(xué)品等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)工藝，通過電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時(shí)，更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，從而利用物理上的能量轉(zhuǎn)移實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。中微半導(dǎo)體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，美國(guó)的泛

54、林半導(dǎo)體憑借著先發(fā)優(yōu)勢(shì)和大量研發(fā)投入保持行業(yè)龍頭地位，但中國(guó)廠商中微半導(dǎo)體在近十年迅速崛起，并開始打入國(guó)際市場(chǎng)。中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，目前已經(jīng)進(jìn)入臺(tái)積電的5個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)線，7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備可以與世界最前沿技術(shù)比肩。隨著中微的崛起，2015年美國(guó)商業(yè)部的工業(yè)安全局特別發(fā)布公告，承認(rèn)中國(guó)已經(jīng)擁有制造具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力刻蝕機(jī)的能力，且等離子刻蝕機(jī)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，因而決定將等離子刻蝕機(jī)從美國(guó)對(duì)中國(guó)控制出口名錄中去除。離子注入工藝及設(shè)備：是人為地將所需雜質(zhì)以一定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達(dá)到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫?zé)釘U(kuò)散法是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片

55、的高溫爐，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)一種方法；離子注入法是通過注入機(jī)的加速和引導(dǎo)，將能量為100keV量級(jí)的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發(fā)生一系列理化反應(yīng)，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，最后停留在材料中，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。在離子注入機(jī)領(lǐng)域，美國(guó)應(yīng)用材料占據(jù)了70%以上的市場(chǎng)份額。成膜工藝及設(shè)備：主要運(yùn)用CVD技術(shù)（ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相沉積），是把含有構(gòu)成薄膜元素的反應(yīng)劑蒸氣引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點(diǎn)，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性和重復(fù)性好，其中應(yīng)用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強(qiáng)的化學(xué)活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），是以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種-V族、-族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長(zhǎng)都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不銹鋼反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-12