模擬電子技術(shù) 康華光等主編

1、1,第一章,半導(dǎo)體器件,康華光等主編,2,第一章,半導(dǎo)體器件,1.1,半導(dǎo)體的特性,1.2,半導(dǎo)體二極管,1.3,半導(dǎo)體三極管,1.4,場效應(yīng)晶體管,3,1.1.1,導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體,導(dǎo)體：,自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為,導(dǎo)體,，金屬,一般都是導(dǎo)體。,絕緣體：,有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為,絕緣體,，如橡,皮、陶瓷、塑料和石英。,半導(dǎo)體：,另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣,體之間，稱為,半導(dǎo)體,，如鍺、硅、砷化鎵,和一些硫化物、氧化物等。,1.1,半導(dǎo)體的特性,4,半導(dǎo)體,的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有,不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如：,?,當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能,力明顯變化

2、。,?,往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使,它的導(dǎo)電能力明顯改變。,5,1.1.2,本征半導(dǎo)體,一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),Ge,Si,通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成,晶體,。,現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們,的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。,6,本征半導(dǎo)體：,完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。,在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成,晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，,而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子,與其相臨的原子之間形成,共價(jià)鍵,，共用一對(duì)價(jià),電子。,硅和鍺的晶,體結(jié)構(gòu)：,7,硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),共價(jià)鍵共,用電子對(duì),+4,+4,+4,+4,+4,表示,除去價(jià)

3、電,子后的原,子,8,共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為,束縛電子,，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為,自,由電子,，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。,形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是,八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。,共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī),則排列，形成晶體。,+4,+4,+4,+4,9,二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理,在絕對(duì),0,度（,T,=0K,）和沒有外界激發(fā)時(shí),價(jià),電子完全被共價(jià)鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有,可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即,載流子,），它的導(dǎo)電,能力為,0,，相當(dāng)于絕緣體。,在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲,得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛

4、，成為,自由電,子,，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為,空穴,。,1.,載流子、自由電子和空穴,10,+4,+4,+4,+4,自由電子,空穴,束縛電子,11,2.,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理,+4,+4,+4,+4,在其它力的作用下，,空穴吸引附近的電子,來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果,相當(dāng)于空穴的遷移，,而空穴的遷移相當(dāng)于,正電荷的移動(dòng)，因此,可以認(rèn)為空穴是載流,子。,本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即,自由電子,和,空穴,。,12,溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半,導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響半導(dǎo)體性,能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一,大特點(diǎn)。,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。,本

5、征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：,1.,自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。,2.,空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。,13,1.1.3,雜質(zhì)半導(dǎo)體,在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì),使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻,雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。,P,型半導(dǎo)體：,空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也,稱為（空穴半導(dǎo)體）。,N,型半導(dǎo)體：,自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，,也稱為（電子半導(dǎo)體）。,14,一、,N,型半導(dǎo)體,在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷,（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被,雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，,其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，,必定多出一個(gè)電子，這個(gè)電子幾乎

6、不受束縛，,很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子,就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。每個(gè)磷原,子給出一個(gè)電子，稱為,施主原子,。,15,+4,+4,+5,+4,多余,電子,磷原子,N,型半導(dǎo)體中,的載流子是什,么？,1.,由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。,2.,本征半導(dǎo)體中成對(duì)產(chǎn)生的電子和空穴。,摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自,由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為,多數(shù)載流,子,（,多子,），空穴稱為,少數(shù)載流子,（,少子,）。,16,二、,P,型半導(dǎo)體,在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼,（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì),取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電

7、子，與相鄰的,半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，,產(chǎn)生一個(gè)空穴。這個(gè)空穴,可能吸引束縛電子來填補(bǔ)，,使得硼原子成為不能移動(dòng),的帶負(fù)電的離子。由于硼,原子接受電子，所以稱為,受主原子,。,+4,+4,+3,+4,空穴,硼原子,P,型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子,。,17,三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法,P,型半導(dǎo)體,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,N,型半導(dǎo)體,雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。,但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子,。,近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。,18,1.2.1,PN,結(jié)的形成,在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造,

8、P,型半導(dǎo),體和,N,型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們的,交界面處就形成了,PN,結(jié)。,1.2,半導(dǎo)體二極管,19,P,型半導(dǎo)體,N,型半導(dǎo)體,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),內(nèi)電場,E,漂移運(yùn)動(dòng),擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電,荷區(qū)逐漸加寬，空間電,荷區(qū)越寬。,內(nèi)電場越強(qiáng)，就使漂移,運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空,間電荷區(qū)變薄。,空間電荷區(qū)，,也稱耗盡層。,20,漂移運(yùn)動(dòng),P,型半導(dǎo)體,N,型半導(dǎo)體,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),內(nèi)電場,E,所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)

9、相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，,相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚,度固定不變。,21,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,空間,電荷,區(qū),N,型區(qū),P,型區(qū),電位,V,V,0,22,1.,空間電荷區(qū)中沒有載流子。,2.,空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙,P,中的空穴,.,N,區(qū),中的電子（,都是多子,）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（,擴(kuò)散,運(yùn)動(dòng),）。,3.,P,區(qū)中的電子和,N,區(qū)中的空穴（,都是少,），,數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。,注意,:,23,1.2.2,PN,結(jié)的單向?qū)щ娦?PN,結(jié),加上正向電壓,、,正向偏置,的意思都是,：,P,區(qū),加

10、正、,N,區(qū)加負(fù)電壓。,PN,結(jié),加上反向電壓,、,反向偏置,的意思都是：,P,區(qū),加負(fù)、,N,區(qū)加正電壓。,24,+,+,+,+,R,E,一、,PN,結(jié)正向偏置,內(nèi)電場,外電場,變薄,P,N,+,_,內(nèi)電場被削弱，多子,的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成,較大的擴(kuò)散電流。,25,二、,PN,結(jié)反向偏置,+,+,+,+,內(nèi)電場,外電場,變厚,N,P,+,_,內(nèi)電場被被加強(qiáng)，多子,的擴(kuò)散受抑制。少子漂,移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有,限，只能形成較小的反,向電流。,R,E,26,1.2.3,半導(dǎo)體二極管,一、基本結(jié)構(gòu),PN,結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。,引線,外殼線,觸絲線,基片,點(diǎn)接觸型,PN,結(jié),面接觸型,

11、P,N,二極管的電路符號(hào)：,27,二、伏安特性,U,I,死區(qū)電壓,硅管,0.6V,鍺管,0.2V,。,導(dǎo)通壓降,:,硅管,0.60.7V,鍺管,0.20.3V,。,反向擊穿,電壓,U,BR,28,三、主要參數(shù),1.,最大整流電流,I,OM,二極管長期使用時(shí)，允許流過二極管的最大,正向平均電流。,2.,反向擊穿電壓,U,BR,二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電,流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚?過熱而燒壞。手冊(cè)上給出的最高反向工作電,壓,U,WRM,一般是,U,BR,的一半。,29,3.,反向電流,I,R,指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電,流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦?差，

12、因此反向電流越小越好。反向電流受,溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅,管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比,硅管大幾十到幾百倍。,以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是,主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、,保護(hù)等等。下面介紹兩個(gè)交流參數(shù)。,30,4.,微變電阻,r,D,i,D,u,D,I,D,U,D,Q,?,i,D,?,u,D,r,D,是二極管特性曲線上工,作點(diǎn),Q,附近電壓的變化與,電流的變化之比：,D,D,D,i,u,r,?,?,?,顯然，,r,D,是對(duì),Q,附近的微小,變化區(qū)域內(nèi)的電阻。,31,1.2.4,二極管的極間電容,二極管的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：,勢

13、壘電容,C,B,和,擴(kuò)散電容,C,D,。,勢壘電容：,勢壘區(qū)是積累空間電荷的區(qū)域，當(dāng)電壓變化時(shí)，,就會(huì)引起積累在勢壘區(qū)的空間電荷的變化，這樣所表現(xiàn)出,的電容是,勢壘電容,。,擴(kuò)散電容：,為了形成正向電流,（擴(kuò)散電流），注入,P,區(qū)的少子,（電子）在,P,區(qū)有濃度差，越靠,近,PN,結(jié)濃度越大，即在,P,區(qū)有電,子的積累。同理，在,N,區(qū)有空穴的,積累。正向電流大，積累的電荷,多。這樣所產(chǎn)生的電容就是擴(kuò)散,電容,C,D,。,P,+,-,N,32,C,B,在正向和反向偏置時(shí)均不能忽略。而反向偏置,時(shí)，由于載流子數(shù)目很少，擴(kuò)散電容可忽略。,PN,結(jié)高頻小信號(hào)時(shí)的等效電路：,勢壘電容和擴(kuò)散電,容的綜合

14、效應(yīng),r,d,33,二極管：,死區(qū)電壓,=0 .5V,，正向壓降,?,0.7V(,硅二極管,),理想二極管：,死區(qū)電壓,=0,，正向壓降,=0,R,L,u,i,u,o,u,i,u,o,t,t,二極管的應(yīng)用舉例,1,：,二極管半波整流,34,二極管的應(yīng)用舉例,2,：,t,t,t,u,i,u,R,u,o,R,R,L,u,i,u,R,u,o,35,1.2.5,穩(wěn)壓二極管,U,I,I,Z,I,Zmax,?,U,Z,?,I,Z,穩(wěn)壓,誤差,曲線越陡，,電壓越穩(wěn),定。,+,-,U,Z,動(dòng)態(tài)電阻：,Z,Z,I,U,Z,r,?,?,?,r,z,越小，穩(wěn),壓性能越好。,36,（,4,）,穩(wěn)定電流,I,Z,、,最

15、大、最小穩(wěn)定電流,I,zmax,、,I,zmin,。,（,5,）最大允許功耗,max,Z,Z,ZM,I,U,P,?,穩(wěn)壓二極管的參數(shù),:,（,1,）,穩(wěn)定電壓,U,Z,（,2,）,電壓溫度系數(shù),?,U,（,%/,）,穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。,（,3,）動(dòng)態(tài)電阻,Z,Z,I,U,Z,r,?,?,?,37,1.2.6,光電二極管,反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。,I,U,照度增加,38,1.2.7,發(fā)光二極管,有正向電流流過,時(shí)，發(fā)出一定波長,范圍的光，目前的,發(fā)光管可以發(fā)出從,紅外到可見波段的,光，它的電特性與,一般二極管類似。,39,1.3.1,基本結(jié)構(gòu),B,E,C,N,N,P,基極,發(fā)

16、射極,集電極,NPN,型,P,N,P,集電極,基極,發(fā)射極,B,C,E,PNP,型,1.3,半導(dǎo)體三極管,40,B,E,C,N,N,P,基極,發(fā)射極,集電極,基區(qū)：較薄，,摻雜濃度低,集電區(qū)：,面積較大,發(fā)射區(qū)：摻,雜濃度較高,41,B,E,C,N,N,P,基極,發(fā)射極,集電極,發(fā)射結(jié),集電結(jié),42,1.3.2,電流放大原理,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,I,E,基區(qū)空穴,向發(fā)射區(qū),的擴(kuò)散可,忽略。,I,BE,進(jìn)入,P,區(qū)的電子,少部分與基區(qū)的,空穴復(fù)合，形成,電流,I,BE,，多數(shù),擴(kuò)散到集電結(jié)。,發(fā)射結(jié)正,偏，發(fā)射,區(qū)電子不,斷向基區(qū),擴(kuò)散，形,成發(fā)射極,電流,I,E,。

17、,43,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,I,E,集電結(jié)反偏，,有少子形成的,反向電流,I,CBO,。,I,CBO,I,C,=,I,CE,+,I,CBO,?,I,CE,I,BE,I,CE,從基區(qū)擴(kuò),散來的電,子作為集,電結(jié)的少,子，漂移,進(jìn)入集電,結(jié)而被收,集，形成,I,CE,。,44,I,B,=,I,BE,-,I,CBO,?,I,BE,I,B,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,I,E,I,CBO,I,CE,I,C,=,I,CE,+,I,CBO,?,I,CE,I,BE,45,I,CE,與,I,BE,之比稱為電流放大倍數(shù),要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正,偏，集電

18、結(jié)反偏。,B,C,CBO,B,CBO,C,BE,CE,I,I,I,I,I,I,I,I,?,?,?,?,?,?,46,B,E,C,I,B,I,E,I,C,NPN,型三極管,B,E,C,I,B,I,E,I,C,PNP,型三極管,47,1.3.3,特性曲線,I,C,m,A,?,A,V,V,U,CE,U,BE,R,B,I,B,E,C,E,B,實(shí)驗(yàn)線路,48,一、輸入特性,U,CE,?,1V,I,B,(,?,A),U,BE,(V),20,40,60,80,0.4,0.8,工作壓降：,硅管,U,BE,?,0.60.7V,鍺,管,U,BE,?,0.20.3V,。,U,CE,=0V,U,CE,=0.5V,死區(qū)

19、電,壓，硅管,0.5V,，鍺,管,0.2V,。,49,二、輸出特性,I,C,(mA ),1,2,3,4,U,CE,(V),3,6,9,12,I,B,=0,20,?,A,40,?,A,60,?,A,80,?,A,100,?,A,此區(qū)域滿,足,I,C,=,?,I,B,稱為線性,區(qū)（放大,區(qū)）。,當(dāng),U,CE,大于一,定的數(shù)值時(shí)，,I,C,只與,I,B,有關(guān)，,I,C,=,?,I,B,。,50,I,C,(mA ),1,2,3,4,U,CE,(V),3,6,9,12,I,B,=0,20,?,A,40,?,A,60,?,A,80,?,A,100,?,A,此區(qū)域中,U,CE,?,U,BE,集電結(jié)正偏，,?

20、,I,B,I,C,，,U,CE,?,0.3V,稱為飽和區(qū)。,51,I,C,(mA ),1,2,3,4,U,CE,(V),3,6,9,12,I,B,=0,20,?,A,40,?,A,60,?,A,80,?,A,100,?,A,此區(qū)域中,:,I,B,=0,I,C,=,I,CEO,U,BE,死區(qū),電壓，稱為,截止區(qū)。,52,輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn),:,(1),放大區(qū)：,發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。,即：,I,C,=,?,I,B,且,?,I,C,=,?,?,I,B,(2),飽和區(qū)：,發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。,即：,U,CE,?,U,BE,，,?,I,B,I,C,，,U,CE,?,0.3V,(3),截止區(qū)：

21、,U,BE,死區(qū)電壓，,I,B,=0,，,I,C,=,I,CEO,?,0,53,三、主要參數(shù),前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的,公共點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共,集接法。共射,直流電流放大倍數(shù),：,B,C,I,I,?,_,?,工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在,直流上的交流信號(hào)?；鶚O電流的變化量為,?,I,B,，,相應(yīng)的集電極電流變化為,?,I,C,，,則,交流電流放,大倍數(shù),為：,B,I,I,C,?,?,?,?,1.,電流放大倍數(shù),?,_,?,54,例：,U,CE,=6V,時(shí),：,I,B,= 40,?,A,I,C,=1.5 mA,；,I,B,= 60,?,A,I,C,=2

22、.3 mA,。,5,.,37,04,.,0,5,.,1,_,?,?,?,B,C,I,I,?,40,04,.,0,06,.,0,5,.,1,3,.,2,?,?,?,?,?,?,?,B,C,I,I,?,在以后的計(jì)算中，一般作近似處理：,?,=,?,55,2.,集,-,基極反向截止電流,I,CBO,?,A,I,CBO,I,CBO,是集,電結(jié)反偏,由少子的,漂移形成,的反向電,流，受溫,度的變化,影響。,56,B,E,C,N,N,P,I,CBO,I,CEO,=,(1+,?,),I,CBO,3,.,集,-,射極反向截止電流,I,CEO,I,CEO,受溫度影響,很大，當(dāng)溫度上,升時(shí)，,I,CEO,增加,很

23、快，所以,I,C,也,相應(yīng)增加。,三極,管的溫度特性較,差,。,57,4.,集電極最大電流,I,CM,集電極電流,I,C,上升會(huì)導(dǎo)致三極管的,?,值的下降，,當(dāng),?,值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電,流即為,I,CM,。,5.,集,-,射極反向擊穿電壓,當(dāng)集,-,射極之間的電壓,U,CE,超過一定的數(shù)值,時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù)值是,25,?,C,、基極開路時(shí)的擊穿電壓,U,(BR)CEO,。,58,6.,集電極最大允許功耗,P,CM,?,集電極電流,I,C,流過三極管，,所發(fā)出的焦耳,熱為：,P,C,=,I,C,U,CE,?,必定導(dǎo)致結(jié)溫,上升，所以,P,C,有限制。,P,C

24、,?,P,CM,I,C,U,CE,I,C,U,CE,=,P,CM,I,CM,U,(BR)CEO,安全工作區(qū),59,場效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子,導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。,結(jié)型場效應(yīng)管,JFET,絕緣柵型場效應(yīng)管,MOS,場效應(yīng)管有兩種,:,1.4,場效應(yīng)晶體管,60,N,基底,：,N,型半導(dǎo)體,P,P,兩邊是,P,區(qū),G(,柵極,),S,源極,D,漏極,一、結(jié)構(gòu),1.4.1,結(jié)型場效應(yīng)管,:,導(dǎo)電溝道,61,N,P,P,G,(,柵極,),S,源極,D,漏極,N,溝道結(jié)型場效應(yīng)管,D,G,S,D,G,S,62,P,N,N,G,(,柵極,),S,源極,D,漏極,P,溝道結(jié)型場效應(yīng)管

25、,D,G,S,D,G,S,63,二、工作原理（以,P,溝道為例）,P,G,S,D,U,DS,U,GS,N,N,I,D,PN,結(jié)反偏，,U,GS,越大則耗盡區(qū)越,寬，導(dǎo)電溝道越,窄。,64,P,G,S,D,U,DS,U,GS,I,D,N,N,U,GS,越大耗盡區(qū)越寬，,溝道越窄，電阻越大。,65,P,G,S,D,U,DS,U,GS,N,N,U,GS,達(dá)到一定值時(shí),（,夾斷電壓,V,P,）,耗,盡區(qū)碰到一起，,DS,間被夾斷，這時(shí)，即,使,U,DS,?,0V,，漏極電,流,I,D,=0A,。,I,D,66,三、特性曲線,U,GS,0,I,D,I,DSS,V,P,飽和漏極電流,夾斷電壓,轉(zhuǎn)移特性曲線

26、,一定,U,DS,下的,I,D,-U,GS,曲線,67,I,D,U,DS,2V,U,GS,=0V,1V,3V,4V,5V,可變電阻區(qū),夾斷區(qū),恒流區(qū),輸出特性曲線,0,68,N,溝道結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線,轉(zhuǎn)移特性曲線,U,GS,0,I,D,I,DSS,V,P,69,輸出特性曲線,I,D,U,DS,0,U,GS,=0V,-1V,-3V,-4V,-5V,N,溝道結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線,70,1.4.2,絕緣柵場效應(yīng)管,:,一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào),P,N,N,G,S,D,P,型基底,兩個(gè),N,區(qū),SiO,2,絕緣層,導(dǎo)電溝道,金屬鋁,G,S,D,N,溝道增強(qiáng)型,71,N,溝道耗盡型,P,N,N,G,S,D,予埋了導(dǎo),電溝道,G,S,D,72,N,