長沙半導體器件項目可行性研究報告

1、泓域咨詢/長沙半導體器件項目可行性研究報告長沙半導體器件項目可行性研究報告泓域咨詢 MACRO 報告說明半導體已經發(fā)展成為全球經濟增長的支柱性產業(yè)，隨著技術的不斷突破，越來越多的國家開始重視相關技術的發(fā)展。在全球半導體技術發(fā)展和應用里，北美、歐洲和亞太地區(qū)成為全球三大半導體產業(yè)的發(fā)源地和主要消費市場。該半導體芯片項目計劃總投資11799.66萬元，其中：固定資產投資8220.20萬元，占項目總投資的69.66%；流動資金3579.46萬元，占項目總投資的30.34%。達產年營業(yè)收入26548.00萬元，總成本費用20287.67萬元，稅金及附加213.86萬元，利潤總額6260.33萬元，利稅

2、總額7337.68萬元，稅后凈利潤4695.25萬元，達產年納稅總額2642.43萬元；達產年投資利潤率53.06%，投資利稅率62.19%，投資回報率39.79%，全部投資回收期4.01年，提供就業(yè)職位515個。半導體芯片是指在半導體片材上進行浸蝕、布線、制成的能實現(xiàn)某種功能的半導體器件，通常也可稱為集成電路。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等半導體材料。半導體制造的過程就是“點石成金”的過程，主要是對硅晶圓的一系列處理，簡單來說就是通過外延生長、光刻、刻蝕、摻雜和拋光，在硅片上形成所需要的電路，將硅片變成芯片。目錄第一章 項目總論第二章 項目單位概況第三章 項目建設背景第四

3、章 市場前景分析第五章 產品規(guī)劃第六章 項目選址分析第七章 土建工程說明第八章 工藝原則第九章 環(huán)境影響分析第十章 安全生產經營第十一章 投資風險分析第十二章 節(jié)能方案分析第十三章 項目計劃安排第十四章 投資方案分析第十五章 項目經營效益第十六章 項目評價第十七章 項目招投標方案第一章 項目總論一、項目提出的理由龐大信息社會的根基是一枚枚小巧的集成電路，通常被人們稱為“芯片”。別看芯片“身材小”，他們“喂養(yǎng)”著現(xiàn)代工業(yè)，手機、電腦、家電、高鐵、電動車、機器人、醫(yī)療儀器等離開他們根本無法運轉。半導體芯片是科技創(chuàng)新的硬件基礎，站在5G+AI這新一輪全球科技創(chuàng)新周期的起點，半導體芯片將是科技創(chuàng)新發(fā)展

4、確定的方向之一，全球的半導體指數(shù)表現(xiàn)優(yōu)異。二、項目概況（一）項目名稱長沙半導體器件項目（二）項目選址xx經濟示范中心長沙，別稱星城，湖南省省會，國務院批復確定的中國長江中游地區(qū)重要的中心城市；全國兩型社會綜合配套改革試驗區(qū)、中國重要的糧食生產基地，長江中游城市群和長江經濟帶重要的節(jié)點城市。也是綜合交通樞紐、國家物流樞紐，京廣高鐵、滬昆高鐵、渝廈高鐵在此交匯，。長沙地處中國華中地區(qū)、湘江下游、長瀏盆地西緣、湖南東部偏北，東鄰江西省宜春、萍鄉(xiāng)兩市，南接株洲、湘潭兩市，西連婁底、益陽兩市，北抵岳陽、益陽兩市。截至2018年，全市下轄6個區(qū)、1個縣、代管2個縣級市，總面積11819平方千米，建成區(qū)面積

5、567.32平方千米。截至2019年，實現(xiàn)地區(qū)生產總值11574.22億元，常住總人口839.45萬人，城鎮(zhèn)化率為79.56%。長沙是首批國家歷史文化名城，歷經三千年城名、城址不變，有屈賈之鄉(xiāng)、楚漢名城、瀟湘洙泗之稱。有馬王堆漢墓、四羊方尊、三國吳簡、岳麓書院、銅官窯等歷史遺跡。凝練出經世致用、兼收并蓄的湖湘文化。長沙既是清末維新運動和舊民主主義革命策源地之一，又是新民主主義的發(fā)祥地之一。走出了黃興、蔡鍔、劉少奇等名人。長沙是中國（大陸）國際形象最佳城市、東亞文化之都、世界媒體藝術之都。打造了電視湘軍、出版湘軍、動漫湘軍等文化品牌。長沙有高等學校51所，獨立科研機構97家，兩院院士73名，國家

6、工程技術研究中心14家，國家重點工程實驗室15個；有雜交水稻育種、天河超級計算機、國內首臺3D燒結打印機等科研成果。投資項目對其生產工藝流程、設施布置等都有較為嚴格的標準化要求，為了更好地發(fā)揮其經濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據項目選址的一般原則和項目建設地的實際情況，該項目選址應遵循以下基本原則的要求。（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積27560.44平方米（折合約41.32畝）。（四）項目用地控制指標該工程規(guī)劃建筑系數(shù)74.96%，建筑容積率1.32，建設區(qū)域綠化覆蓋率6.01%，固定資產投資強度198.94萬元/畝。（五）土建工程指標項目凈用地面積27560.44平方米，建筑物基底

7、占地面積20659.31平方米，總建筑面積36379.78平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程24080.97平方米，項目規(guī)劃綠化面積2187.26平方米。（六）設備選型方案項目計劃購置設備共計86臺（套），設備購置費3060.46萬元。（七）節(jié)能分析1、項目年用電量1368250.66千瓦時，折合168.16噸標準煤。2、項目年總用水量22632.17立方米，折合1.93噸標準煤。3、“長沙半導體器件項目投資建設項目”，年用電量1368250.66千瓦時，年總用水量22632.17立方米，項目年綜合總耗能量（當量值）170.09噸標準煤/年。達產年綜合節(jié)能量45.21噸標準煤/年，項目總節(jié)能率28

8、.88%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護項目符合xx經濟示范中心發(fā)展規(guī)劃，符合xx經濟示范中心產業(yè)結構調整規(guī)劃和國家的產業(yè)發(fā)展政策；對產生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴格控制在國家規(guī)定的排放標準內，項目建設不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構成項目預計總投資11799.66萬元，其中：固定資產投資8220.20萬元，占項目總投資的69.66%；流動資金3579.46萬元，占項目總投資的30.34%。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預期經濟效益規(guī)劃目標預期達產年營業(yè)收入26548.00萬元，總成本費用20287.67萬元，稅金及附加21

9、3.86萬元，利潤總額6260.33萬元，利稅總額7337.68萬元，稅后凈利潤4695.25萬元，達產年納稅總額2642.43萬元；達產年投資利潤率53.06%，投資利稅率62.19%，投資回報率39.79%，全部投資回收期4.01年，提供就業(yè)職位515個。（十二）進度規(guī)劃本期工程項目建設期限規(guī)劃12個月。對于難以預見的因素導致施工進度趕不上計劃要求時及時研究，項目建設單位要認真制定和安排趕工計劃并及時付諸實施。實行動態(tài)計劃管理，加強施工進度的統(tǒng)計和分析工作，根據實際施工進度，及時調整施工進度計劃，隨時掌握關鍵線路的變化狀況。undefined三、項目評價1、本期工程項目符合國家產業(yè)發(fā)展政策

10、和規(guī)劃要求，符合xx經濟示范中心及xx經濟示范中心半導體芯片行業(yè)布局和結構調整政策；項目的建設對促進xx經濟示范中心半導體芯片產業(yè)結構、技術結構、組織結構、產品結構的調整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx公司為適應國內外市場需求，擬建“長沙半導體器件項目”，本期工程項目的建設能夠有力促進xx經濟示范中心經濟發(fā)展，為社會提供就業(yè)職位515個，達產年納稅總額2642.43萬元，可以促進xx經濟示范中心區(qū)域經濟的繁榮發(fā)展和社會穩(wěn)定，為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產年投資利潤率53.06%，投資利稅率62.19%，全部投資回報率39.79%，全部投資回收期4.01年，固定資產投資回收期4.0

11、1年（含建設期），項目具有較強的盈利能力和抗風險能力。推進節(jié)能減排，提高生態(tài)效益。牢固樹立綠色發(fā)展理念，堅定不移走綠色發(fā)展、循環(huán)發(fā)展、低碳發(fā)展之路，加大節(jié)能減排和污染整治力度，在資源節(jié)約、環(huán)境友好、提高生態(tài)效率基礎上，提高發(fā)展的質量和效益，增強可持續(xù)發(fā)展能力。四、主要經濟指標主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米27560.4441.32畝1.1容積率1.321.2建筑系數(shù)74.96%1.3投資強度萬元/畝198.941.4基底面積平方米20659.311.5總建筑面積平方米36379.781.6綠化面積平方米2187.26綠化率6.01%2總投資萬元11799.662.1固定

12、資產投資萬元8220.202.1.1土建工程投資萬元2974.182.1.1.1土建工程投資占比萬元25.21%2.1.2設備投資萬元3060.462.1.2.1設備投資占比25.94%2.1.3其它投資萬元2185.562.1.3.1其它投資占比18.52%2.1.4固定資產投資占比69.66%2.2流動資金萬元3579.462.2.1流動資金占比30.34%3收入萬元26548.004總成本萬元20287.675利潤總額萬元6260.336凈利潤萬元4695.257所得稅萬元1.328增值稅萬元863.499稅金及附加萬元213.8610納稅總額萬元2642.4311利稅總額萬元7337.

13、6812投資利潤率53.06%13投資利稅率62.19%14投資回報率39.79%15回收期年4.0116設備數(shù)量臺（套）8617年用電量千瓦時1368250.6618年用水量立方米22632.1719總能耗噸標準煤170.0920節(jié)能率28.88%21節(jié)能量噸標準煤45.2122員工數(shù)量人515 第二章 項目單位概況一、項目承辦單位基本情況（一）公司名稱xxx實業(yè)發(fā)展公司（二）公司簡介本公司奉行“客戶至上，質量保障”的服務宗旨，樹立“一切為客戶著想” 的經營理念，以高效、優(yōu)質、優(yōu)惠的專業(yè)精神服務于新老客戶。 undefined公司經過長時間的生產實踐，培養(yǎng)和造就了一批管理水平高、綜合素質優(yōu)秀

14、的職工隊伍，操作技能經驗豐富，積累了先進的生產項目產品的管理經驗，并擁有一批過硬的產品研制開發(fā)和經營人員，因此，項目承辦單位具備較強的新產品開發(fā)能力和新技術應用能力，為實施項目提供了有力的技術支撐和技術人才資源保障。二、公司經濟效益分析上一年度，xxx公司實現(xiàn)營業(yè)收入25883.95萬元，同比增長18.79%（4093.53萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務半導體芯片生產及銷售收入為22699.37萬元，占營業(yè)總收入的87.70%。上年度營收情況一覽表序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入5435.637247.516729.836470.9925883.952主營業(yè)務收入4766.87

15、6355.825901.845674.8422699.372.1半導體芯片(A)1573.072097.421947.611872.707490.792.2半導體芯片(B)1096.381461.841357.421305.215220.862.3半導體芯片(C)810.371080.491003.31964.723858.892.4半導體芯片(D)572.02762.70708.22680.982723.922.5半導體芯片(E)381.35508.47472.15453.991815.952.6半導體芯片(F)238.34317.79295.09283.741134.972.7半導體芯片(

16、.)95.34127.12118.04113.50453.993其他業(yè)務收入668.76891.68827.99796.153184.58根據初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額5789.61萬元，較去年同期相比增長1173.89萬元，增長率25.43%；實現(xiàn)凈利潤4342.21萬元，較去年同期相比增長809.97萬元，增長率22.93%。上年度主要經濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元25883.95完成主營業(yè)務收入萬元22699.37主營業(yè)務收入占比87.70%營業(yè)收入增長率（同比）18.79%營業(yè)收入增長量（同比）萬元4093.53利潤總額萬元5789.61利潤總額增長率25.43%利潤總額增長

17、量萬元1173.89凈利潤萬元4342.21凈利潤增長率22.93%凈利潤增長量萬元809.97投資利潤率58.36%投資回報率43.77%財務內部收益率27.32%企業(yè)總資產萬元27759.45流動資產總額占比萬元26.77%流動資產總額萬元7432.54資產負債率20.48% 第三章 項目建設背景一、半導體芯片項目背景分析半導體芯片是科技創(chuàng)新的硬件基礎，站在5G+AI這新一輪全球科技創(chuàng)新周期的起點，半導體芯片將是科技創(chuàng)新發(fā)展確定的方向之一，全球的半導體指數(shù)表現(xiàn)優(yōu)異。2019年12月份全球半導體銷售額為361.0億美金，同比下滑5.5%，同比增速大幅改善。分地區(qū)來看，中國的銷售額恢復較快，2

18、019年12月份銷售額同比已經實現(xiàn)0.8%的正增長，亞太（除中國、日本外）、歐洲、日本和美洲均有所下降，分別降低了7.5%、7.8%、8.4%和10.5%，較前幾個月的同比數(shù)據來看正處于改善過程中。半導體設備與材料則從上游源頭反射行業(yè)景氣度的變化趨勢。北美半導體設備制造商月度出貨數(shù)據自2018年11月起同比增速為負，2019年10月份出貨同比增速首度轉正為3.9%，2020年1月份出貨額同比增長23.6%；日本半導體設備制造商月度出貨數(shù)據自2019年2月開始雙位數(shù)下滑，2020年1月同比增速達到3.1%，行業(yè)先行指標快速恢復增長預示行業(yè)未來景氣度高。當前臺積電最先進的工藝為7nm制程，主要用于

19、生產手機處理器、基帶芯片、高性能運算等對性能及功耗要求均非常高的產品，客戶主要包括華為、蘋果、高通、AMD和MTK。由于蘋果iPhone11系列銷售情況優(yōu)于預期，A13應用處理器委由臺積電以7納米制程量產，而蘋果早就預訂了臺積電大部分7納米產能，目前仍然維持計劃投片，導致華為海思、賽靈思（Xilinx）、超微（AMD）、聯(lián)發(fā)科等大廠都拿不到足夠的7納米產能，目前交期已經超過100天，2019Q4的營收占比達到35%，預期2020Q1高端制程的產能仍然緊張。5G手機芯片、人工智能（AI）、高效能運算（HPC）處理器、網絡處理器、IOT芯片等在內的需求強勁，將拉動半導體行業(yè)快速復蘇。2019年全球

20、半導體營收超過4100億美元，其中中國地區(qū)銷售額占比為35%，是占比最高的國家和地區(qū)。根據海關數(shù)據，2019年中國集成電路進口額為3050億美元。功率器件是分立器件的重要組成部分，典型的功率半導體處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等。功率半導體幾乎用于所有的電子制造業(yè)，包括計算機、網絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等一系列電子領域。由于功率半導體在電源或者電能轉換模塊中必不可少，所以稱之為電子產品的必需品。在小功率（幾W至幾千W）領域，從計算機、電視機、洗衣機、冰箱、空調等電器的電源中均有使用；在中等功率范圍（10000W到幾兆瓦），功率器件向機車、工業(yè)驅動、冶煉爐等設備中的

21、電機提供電能；在吉瓦的大功率范圍內，高壓直流輸電系統(tǒng)中需要超高電壓功率半導體器件。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管。它是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件，既有MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，是未來應用發(fā)展的主要方向。IGBT芯片經歷了6代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽

22、和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6500V以上。IGBT是新能源汽車和高鐵等軌道交通車輛動力系統(tǒng)“核心中的核心”，為業(yè)界公認發(fā)展最為迅速的新型功率器件品種。新能源汽車及其配套設施快速增長將為IGBT等高端功率半導體市場規(guī)模的加速擴張?zhí)峁┯辛Φ谋Ｕ?。預計，電動汽車用IGBT市場到2022年將占整個IGBT市場的40左右。目前國內外IGBT市場仍主要由外國企業(yè)占據，雖然我國IGBT市場需求增長迅速，但由于國內相關人才缺乏，工藝基礎薄弱，國內企業(yè)產業(yè)化起步較晚。預計2022年全球IGBT市場將超過55億美元，主要增長來自電動汽車IGBT功率模塊；預計2

23、018年國內IGBT市場達到153億元。從市場格局來看，由于國內IGBT產業(yè)鏈基礎薄弱，目前只有少數(shù)企業(yè)能夠參與競爭，國內百億的IGBT市場主要被外資品牌所占據。從國內IGBT的供需情況來看，2018年國內IGBT產量僅占需求的約14%，即86%左右的需求依賴對外資品牌的采購。隨著國內相關企業(yè)在IGBT領域的持續(xù)突破，IGBT國產化比率逐年提高，從2014年的9%提升至2018年的15%，雖然由于技術差距較大導致整體國產化比率仍然偏低，但是未來國產化趨勢比較明確。一方面，IGBT屬于工業(yè)核心零部件并且具備關鍵技術，在“自主可控”的大背景下，預計有望得到國家層面的持續(xù)重點支持，目前國網、中車等集

24、團也在不斷投入研發(fā)；另一方面，國內企業(yè)具備成本、服務優(yōu)勢，若未來技術差距縮小，存在一定的替代可行性。未來隨著國產化的不斷提升，國內自主品牌所面臨的IGBT行業(yè)需求將保持持續(xù)較快增長。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高，未來在功率半導體領域有很大的應用潛力，這一領域可以說是傳統(tǒng)硅基功率半導體的全方位升級。目前第三代半導體功率器件發(fā)展方向主要有SiC和GaN兩大方向，SiC擁有更高的熱導率和更成熟的技術，而GaN高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點，兩者的不同優(yōu)勢決定了應用范圍上的差異，GaN的市場應用偏向高頻小電力領域，集中在600V以下；而SiC適用于

25、1200V以上的高溫大電力領域。碳化硅器件比硅器件具備更高的電流密度，在功率等級相同的條件下，采用碳化硅器件可將電體積縮小化，滿足功率密度更高、設計更緊湊的需求。未來5-10年在汽車中使用SiC功率器件將推動行業(yè)的快速發(fā)展，SiC在汽車中的應用包括主逆變器、車載充電器及DC/DC轉換器等。據Yole統(tǒng)計，截至2018年，有超過20家汽車廠商已經準備好將在車載充電器中應用SiC肖特基二極管或者SiCMOSFET。SiC的出現(xiàn)符合未來能源效率提升的趨勢，也是產業(yè)鏈努力的結果，未來市場空間必將越來越大。GaN功率器件的定位為小體積、成本敏感、功率要求低的電源領域，如輕量化的消費電子電源適配器、無人機

26、用超輕電源、無線充電設備等。對于充電器，一個很重要的功能是將220V的市電變?yōu)樵O備可接受的電壓，220V交流電整流后先經過開關管（一個速度很快的開關）然后才到變壓器，由于開關管的高頻開啟和關閉，所以輸入電壓是高頻變動的。如果提高開關的頻率，則意味著每次電磁變化轉換的能量一樣的情況下可以使單位時間內能量轉換的次數(shù)增加，所以導致轉換功率增加。反過來說就是總功率一定時，頻率越高，變壓器的體積可以更小。氮化鎵充電器小的關鍵原因是繼續(xù)提高了開關頻率，對比傳統(tǒng)硅開關，GaN的開關速度可高100倍。GaN固有的較低柵極和輸出電容支持以兆赫茲級的開關頻率運行，同時降低柵極和開關損耗，從而提高效率。不同于硅，G

27、aN不需要體二極管，因而消除了反向恢復損耗，并進一步提高了效率、減少了開關節(jié)點振鈴和EMI。開關損耗會隨著開關管大小的增大而增加，導通損耗會隨著開關管大?。w積V）的增大而減小，兩者曲線的交叉點就是傳統(tǒng)MOSFET的功率損耗，在功率損耗一致的情況下GaN開關的體積要比傳統(tǒng)MOSFET要小。GaN充電器相比傳統(tǒng)快充充電器，其最大的優(yōu)勢便是在同等功率的情況下重量、體積、價格上均有優(yōu)勢，對于消費電子充電器品類有著較強的滲透能力，未來100-200元區(qū)間的GaN充電器將進一步對現(xiàn)有傳統(tǒng)充電器乃至傳統(tǒng)快充充電器進行替代，全面利好產業(yè)鏈。存儲器構筑了智能大時代的數(shù)據基石。隨著5G技術的逐漸落地，人工智能應

28、用的場景化多點開花，工業(yè)智造+家居智能+社會智理的全面智聯(lián)時代即將拉開帷幕，這其中支撐智能時代的不僅是人工智能的大腦算法&高效能運算芯片，感知器官傳感器，血管筋絡傳輸網絡，還有一切智能產生的根基與開端數(shù)據&存儲器。存儲器是計算機系統(tǒng)中用來存儲程序和各種數(shù)據的記憶設，計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。存儲器主要有SRAM、DRAM和FLASHMEMORY。SRAM的一個存儲單元需要較多的晶體管，價格昂貴，容量不大，多用于制造CPU內部的Cache；DRAM即我們通常所說的內存大小，用于我們通常的數(shù)據存??；FLASHMEMORY壽命長、

29、體積小、功耗低、抗振性強，并具有在線非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據信息）等優(yōu)點，為嵌入式系統(tǒng)中典型的存儲設備，多用于數(shù)碼相機、手機、平板電腦、MP3等。FLASHMEMORY又分為NORFLASH和NANDFLASH，NORFLASH的傳輸效率高，容量小，程序可以在芯片內部執(zhí)行，價格較昂貴，因此適合頻繁隨機讀寫的場合；NANDFLASH生產過程簡單，容量大，價格較低，因此主要用來存儲資料。存儲器競爭以海外龍頭為主，三星、東芝、西部數(shù)據、SK海力士、鎂光等擁有先發(fā)優(yōu)勢的行業(yè)龍頭掌握了絕大多數(shù)的存儲器市場。未來，隨著半導體產業(yè)鏈的逐步轉移，我國如合肥長鑫、長江存儲等存儲器企業(yè)的技術及產

30、能的不斷推進，疊加國內智能手機、物聯(lián)網、車載系統(tǒng)等需求釋放在即，未來存儲器國產化機遇十分充足。二、半導體芯片項目建設必要性分析半導體芯片是指在半導體片材上進行浸蝕、布線、制成的能實現(xiàn)某種功能的半導體器件，通常也可稱為集成電路。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等半導體材料。半導體制造的過程就是“點石成金”的過程，主要是對硅晶圓的一系列處理，簡單來說就是通過外延生長、光刻、刻蝕、摻雜和拋光，在硅片上形成所需要的電路，將硅片變成芯片。從20世紀90年代初開始，國際半導體巨頭紛紛來華創(chuàng)辦獨資或合資企業(yè)，轉移生產能力?？鐕鞠蛭覈就赁D移生產線，更貼近中國市場，市場反應更加靈敏和迅速，

31、同時利用國內廉價的原材料和勞動力資源，增強了自身的競爭能力?？鐕驹賾{借其先進的技術、雄厚的資本以及靈活的經營方式，確立了市場領先地位，在競爭中處于較為有利的地位。目前，中國芯片企業(yè)在封裝領域已具備一定的市場與技術核心競爭能力。在中低端芯片器件封裝領域，中國芯片封裝企業(yè)的市場占有率較高;在高端芯片器件封裝領域，部分中國企業(yè)有較大突破，形成了一大批具有一定規(guī)模的封裝企業(yè)，如深圳雷曼光電、廈門華聯(lián)、佛山國星等，這些企業(yè)已打入高端顯示屏、背光源、照明器件等門檻較高領域，避開同低端廠商的價格戰(zhàn)，依靠提供穩(wěn)定可靠、品質更高的產品和服務獲得較高的品牌溢價。2017全年中國集成電路產量達到1564.9億塊

32、，與2016年的1329億塊相比增長17.8%。在一系列政策措施扶持下，中國集成電路行業(yè)保持快速發(fā)展的勢頭，產業(yè)規(guī)模持續(xù)擴大，技術水平顯著提升，預計2018年中國集成電路產量將進一步增長，達到1813.5億塊，同比增長率為15.9%。數(shù)據顯示，2017年中國集成電路產業(yè)全年產業(yè)規(guī)模達到5430.2億元，同比增長20.2%。預計2018年中國集成電路產業(yè)規(guī)模將超6000億元，達到6489.1億元，同比增長19.5%。近年來，在國家和產業(yè)的大力投入下，我國集成電路制造業(yè)得到了快速發(fā)展，2016年產值首度超過1000億元，達到1126.9億元。2017年我國集成電路制造業(yè)繼續(xù)保持良好成長勢頭，產業(yè)規(guī)

33、模達到1415.4億元。從近幾年的發(fā)展情況來看，我國半導體芯片行業(yè)的發(fā)展整個處于上升態(tài)勢，行業(yè)的毛利率一直維持在20%左右的水平，以華微電子的為例，2014-2017年，華微電子的毛利率一直維持在20%左右的水平，凈利潤則是處于緩慢增長狀態(tài)，并于2017年實現(xiàn)了高速增長。 第四章 市場前景分析一、半導體芯片行業(yè)分析龐大信息社會的根基是一枚枚小巧的集成電路，通常被人們稱為“芯片”。別看芯片“身材小”，他們“喂養(yǎng)”著現(xiàn)代工業(yè)，手機、電腦、家電、高鐵、電動車、機器人、醫(yī)療儀器等離開他們根本無法運轉。西方發(fā)達國家一直對出口到中國的集成電路制造裝備和材料以及工藝技術嚴格審查和限制。這對我國集成電路產業(yè)發(fā)

34、展構成了嚴重制約，問題日益凸顯。與此同時，隨著我國國民經濟的快速發(fā)展尤其是信息化進程的加快，對集成電路產品的需求持續(xù)快速增長，從2006年開始，集成電路產品超過石油成為我國最大宗進口產品，2013年至今，每年進口額均超過2000億美元，逐年遞增。2008年，我國啟動實施“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項（簡稱集成電路裝備專項）。10年來，集成電路高端制造裝備和材料從無到有填補產業(yè)鏈空白，制造工藝與封裝集成由弱漸強、走向世界參與國際競爭，集成電路產業(yè)開始駛入自主創(chuàng)新發(fā)展的快車道。鑒于下游IC設計業(yè)快速成長帶來晶圓代工剛需，大陸代工廠產能規(guī)模及本地化優(yōu)勢依舊穩(wěn)固，光大證券認為：

35、大陸晶圓代工廠通過把握現(xiàn)有制程市場仍能實現(xiàn)快速成長，預計未來三年大陸晶圓代工業(yè)復合增速在15%以上。俗稱“芯片”行業(yè)的集成電路產業(yè)，其重要性可以用“工業(yè)糧食”來形容。然而，集成電路（芯片）行業(yè)是我國發(fā)展的痛點之一，是我國進口額最大的商品，連續(xù)四年進口額超2000億美元。沒有自己的“中國芯”，也是國家安全的重大隱患。因此，國家多年來在稅收、資金補貼等政策扶持該產業(yè)發(fā)展。盡管當前產業(yè)技術實現(xiàn)多點突破，產業(yè)鏈各方面得到全面提升，但仍然存在整體技術水平不高、核心產品創(chuàng)新不力、嚴重依賴進口等問題。盡管我國是半導體消費大國，但長期以來相關產品嚴重依賴進口，進口額逐年攀升。而比巨額進口費更令人擔憂的是芯片嚴

36、重依賴西方發(fā)達國家?guī)淼膰倚畔踩蛧覒?zhàn)略壓力。作為國家的“工業(yè)糧食”，芯片幾乎是所有設備的“心臟”。如果一味依賴外國的產品，不能在芯片上實現(xiàn)獨立自主，國家信息安全必將時刻處于威脅之下。隨著外部貿易環(huán)境惡化，對于關乎國民經濟和國家安全的戰(zhàn)略型產業(yè)，半導體領域的進口替代迫在眉睫。國內集成電路產業(yè)銷售增長迅速。在設備領域，中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會副秘書長金存忠指出，2018年-2020年國產集成電路設備銷售的年均增長率將超過15%。到2020年銷售額將達到50億元左右。2018年1月中國半導體銷售額增長18.3%，并有持續(xù)增長趨勢。根據中國制造2025規(guī)劃，到2025年中國集成電路自給率提升到

37、70%。但目前我國上游相關電子材料自給率低，國產化替代空間巨大。這對集成電路產業(yè)來說無疑是利好的，但中國該產業(yè)尚處于起步階段，通過海外并購是實現(xiàn)迭代升級的重要途徑，而愈演愈烈的貿易保護主義限制了相關領域的技術轉讓等，如果這些領域完全靠自主研發(fā)，勢必將使得我國快速突破核心技術的難度成倍增加。因此，此次稅收政策是鼓勵企業(yè)向更高制程與更先進工藝的集成電路產業(yè)投資，重點扶持優(yōu)質半導體產業(yè)資產。通過鼓勵與引導國內集成電路理性投資，進而推動集成電路產業(yè)健康有序發(fā)展。減免稅收政策增厚公司盈利空間，反哺公司資金再投入帶來的技術提升與盈利能力增長，從而縮短我國半導體產業(yè)和國外先進產業(yè)之間的差距。國家集成電路產業(yè)

38、投資基金是由國開金融、中國煙草總公司、中國移動、上海國盛等知名股東共同出資設立，重點投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業(yè)，實施市場化運作、專業(yè)化管理。截至2017年底，大基金首期募集資金1387億元已基本投資完畢，累計有效決策投資67個項目，涉及上市公司23家。目前大基金的投資覆蓋了集成電路制造、封裝測試、設計、設備、材料、生態(tài)建設以及第三代半導體、傳感器等領域，實現(xiàn)了產業(yè)鏈上的完整布局。二、半導體芯片市場分析預測半導體已經發(fā)展成為全球經濟增長的支柱性產業(yè)，隨著技術的不斷突破，越來越多的國家開始重視相關技術的發(fā)展。在全球半導體技術發(fā)展和應用里，北美、歐洲和亞太地區(qū)成

39、為全球三大半導體產業(yè)的發(fā)源地和主要消費市場。美國作為全球半導體技術最發(fā)達的國家，它稱霸這個產業(yè)數(shù)十年，2018年，美國在最先進的芯片制造工藝7nm上首次落后臺積電，但是美國半導體產業(yè)依舊亮點十足。2018年7月，英特爾宣布收購eASIC，加速FPGA，降低對CPU業(yè)務的依賴，eASIC位于英特爾公司總部所在地美國加利福尼亞州圣克拉拉，是一家生產可定制eASIC芯片的無晶圓廠半導體公司（IC設計商），其芯片可用于無線和云環(huán)境。近日，英特爾全球最大的FPGA創(chuàng)新中心落戶重慶，為英特爾的FPGA在中國落地開路。英特爾公司和加州大學伯克利分校的研究者發(fā)表了他們研究的新型半導體器件，適用于邏輯門電路和存

40、儲電路，這是一種具有創(chuàng)新意義的半導體器件，甚至有望取代CMOS成為應用最廣泛的半導體器件。近年來，中國的半導體技術發(fā)展迅速，2018年7月，華為發(fā)布昇騰310芯片，這是一款高能效、靈活可編程的人工智能處理器，突破人工智能芯片設計的功耗、算力等約束，大幅提升了能效比，為自動駕駛、云業(yè)務和智能制造等應用場景提供全新的解決方案。前不久，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，該光刻機完全由中國自主研制，分辨率達到了22納米，未來還能用于制造10納米級別的芯片，這是中國在芯片生產上的重大突破。高端芯片一直是“中國芯”的痛點，2018年5月，中國科學家不斷努力，終于研制出了一款不遜于大國

41、重器的產品中國“魂芯二號A”芯片。據OFweek電子工程網編輯了解到，“魂芯二號A”是中國電科38所純自主設計研制的高端電子芯片，該芯片整體水平絕對領先于國際上同類產品很多倍，它可以與高速ADC、DAC直接互連，也能在1秒內完成千億次浮點的操作運算，成功實現(xiàn)P波段射頻直采軟件的無線電處理形態(tài)。 第五章 產品規(guī)劃一、產品規(guī)劃項目主要產品為半導體芯片，根據市場情況，預計年產值26548.00萬元。通過對國內外市場需求預測可以看出，我國項目產品將以內銷為主并擴大外銷，隨著產品宣傳力度的加大，產品價格的降低，產品質量的提高和產品的多樣化，項目產品必將更受歡迎；通過對市場需求預測分析，國內外市場對項目產

42、品的需求量均呈逐年增加的趨勢，市場銷售前景非常看好。采取靈活的定價辦法，項目承辦單位應當依據原輔材料的價格、加工內容、需求對象和市場動態(tài)原則，以盈利為目標，經過科學測算，確定項目產品銷售價格，為了迅速進入市場并保持競爭能力，項目產品一上市，可以采取靈活的價格策略，迅速提升項目承辦單位的知名度和項目產品的美譽度。通過以上分析表明，項目承辦單位所生產的項目產品市場風險較低，具有較強的市場競爭力和廣闊的市場發(fā)展空間，因此，項目產品市場前景良好，投資項目建設具有良好的經濟效益和社會效益，其市場可拓展的空間巨大，倍增效應顯著，具有較強的市場競爭力和廣闊的市場空間。二、建設規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面

43、積27560.44平方米（折合約41.32畝），其中：凈用地面積27560.44平方米（紅線范圍折合約41.32畝）。項目規(guī)劃總建筑面積36379.78平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程24080.97平方米，計容建筑面積36379.78平方米；預計建筑工程投資2974.18萬元。（二）設備購置項目計劃購置設備共計86臺（套），設備購置費3060.46萬元。（三）產能規(guī)模項目計劃總投資11799.66萬元；預計年實現(xiàn)營業(yè)收入26548.00萬元。 第六章 項目選址分析一、項目選址該項目選址位于xx經濟示范中心。長沙，別稱星城，湖南省省會，國務院批復確定的中國長江中游地區(qū)重要的中心城市；全國兩型社會

44、綜合配套改革試驗區(qū)、中國重要的糧食生產基地，長江中游城市群和長江經濟帶重要的節(jié)點城市。也是綜合交通樞紐、國家物流樞紐，京廣高鐵、滬昆高鐵、渝廈高鐵在此交匯，。長沙地處中國華中地區(qū)、湘江下游、長瀏盆地西緣、湖南東部偏北，東鄰江西省宜春、萍鄉(xiāng)兩市，南接株洲、湘潭兩市，西連婁底、益陽兩市，北抵岳陽、益陽兩市。截至2018年，全市下轄6個區(qū)、1個縣、代管2個縣級市，總面積11819平方千米，建成區(qū)面積567.32平方千米。截至2019年，實現(xiàn)地區(qū)生產總值11574.22億元，常住總人口839.45萬人，城鎮(zhèn)化率為79.56%。長沙是首批國家歷史文化名城，歷經三千年城名、城址不變，有屈賈之鄉(xiāng)、楚漢名城、

45、瀟湘洙泗之稱。有馬王堆漢墓、四羊方尊、三國吳簡、岳麓書院、銅官窯等歷史遺跡。凝練出經世致用、兼收并蓄的湖湘文化。長沙既是清末維新運動和舊民主主義革命策源地之一，又是新民主主義的發(fā)祥地之一。走出了黃興、蔡鍔、劉少奇等名人。長沙是中國（大陸）國際形象最佳城市、東亞文化之都、世界媒體藝術之都。打造了電視湘軍、出版湘軍、動漫湘軍等文化品牌。長沙有高等學校51所，獨立科研機構97家，兩院院士73名，國家工程技術研究中心14家，國家重點工程實驗室15個；有雜交水稻育種、天河超級計算機、國內首臺3D燒結打印機等科研成果。園區(qū)不斷完善產業(yè)園區(qū)管理體制。以服務企業(yè)為中心，以招商引資為重點，按照精簡、統(tǒng)一、效能的

46、要求，進一步理順行政區(qū)劃與產業(yè)園區(qū)、政府部門與產業(yè)園區(qū)的關系，進一步完善現(xiàn)行國家級、省級產業(yè)園區(qū)管理體制，規(guī)范產業(yè)園區(qū)內設機構設置，探索小管委會、大公司的管理體制，逐步實現(xiàn)行政職能和經營職能分離，鼓勵產業(yè)園區(qū)兼并重組。市州、縣市區(qū)要建立科學合理的產業(yè)園區(qū)人事管理制度和嚴格的績效考核機制，依法實行靈活高效的用人機制和薪酬機制，選優(yōu)配強產業(yè)園區(qū)領導班子。產業(yè)園區(qū)管委會要依法建立完善的投資服務體系，精簡和優(yōu)化辦事程序，實行首問負責、一站式服務和限時辦結制度，為產業(yè)園區(qū)企業(yè)和產業(yè)發(fā)展提供優(yōu)質服務。設立產業(yè)園區(qū)的人民政府可以依照法律規(guī)定在產業(yè)園區(qū)實行相對集中行政處罰權和行政許可權。園區(qū)把握時代特征，以培

47、育創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài)為核心，發(fā)展新經濟，創(chuàng)造新供給。世界已經進入以信息產業(yè)為主導的新經濟發(fā)展時期，新一輪科技和產業(yè)革命正孕育興起，一些重要的科學問題和關鍵核心技術已經呈現(xiàn)出革命性突破的先兆。新一代信息技術與各行各業(yè)深度融合，正在引發(fā)影響深遠的產業(yè)變革，形成新的生產方式、產業(yè)形態(tài)、商業(yè)模式和經濟增長點。創(chuàng)新周期不斷縮短，創(chuàng)新頻率大大加快，創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大爆炸時代悄然來臨。創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)主體由精英走向大眾，開放式創(chuàng)新、平臺創(chuàng)新、跨界創(chuàng)新成為新的創(chuàng)新方式。國家高新區(qū)、自創(chuàng)區(qū)要充分把握時代特征，以培育創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài)為核心，努力營造“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”的環(huán)境與氛圍，努力探索新一輪科技產業(yè)革命帶來的新技術、新產業(yè)、新業(yè)態(tài)、

48、新模式，努力提升供給體系的水平與效率，努力建設成為新經濟的集聚區(qū)，真正實現(xiàn)結構優(yōu)化和動力轉換。投資項目對其生產工藝流程、設施布置等都有較為嚴格的標準化要求，為了更好地發(fā)揮其經濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據項目選址的一般原則和項目建設地的實際情況，該項目選址應遵循以下基本原則的要求。產品品牌優(yōu)勢明顯。品牌是企業(yè)的無形資產；隨著項目承辦單位規(guī)模的擴大，公司將創(chuàng)品牌列為系統(tǒng)工程來做，通過廣告宣傳、各類國內會展、各種促銷手段等形式來擴大品牌的知名度，按照“質量一流、服務至上”的原則來創(chuàng)出品牌的美譽度；經過這些市場運作，不僅可提高企業(yè)的整體形象，而且還能體現(xiàn)出品牌更大的價值。項目承辦單位現(xiàn)有資

49、產運營優(yōu)良，財務管理制度健全且完善，企業(yè)的資金雄厚，憑借優(yōu)異的產品質量、嚴謹科學的管理和靈活通暢的銷售網絡，連年實現(xiàn)盈利，能夠為項目建設提供充足的計劃自籌資金。完善的國內銷售網絡，項目承辦單位經過多年來的經營，不僅有長期穩(wěn)定客戶和潛在客戶，而且有非常完善的銷售體系；企業(yè)的銷售激勵制度大大提高了員工的工作積極性，再加上平時公司領導對員工的感情投資，使銷售員工對公司有很強的向心力；正是具備穩(wěn)定有激情的銷售團隊，才保證了企業(yè)的銷售政策很好的貫徹執(zhí)行下去，也使企業(yè)的銷售業(yè)績有很大的提高；企業(yè)的銷售團隊將在有項目產品銷售市場的區(qū)域，根據當?shù)貙嶋H情況，銷售適合當?shù)丶庸て髽I(yè)需要的項目產品。二、用地控制指標該

50、項目均按照項目建設地建設用地規(guī)劃許可證及建設用地規(guī)劃設計要求進行設計，同時，嚴格按照項目建設地建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。三、地總體要求本期工程項目建設規(guī)劃建筑系數(shù)74.96%，建筑容積率1.32，建設區(qū)域綠化覆蓋率6.01%，固定資產投資強度198.94萬元/畝。土建工程投資一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米27560.4441.32畝2基底面積平方米20659.313建筑面積平方米36379.782974.18萬元4容積率1.325建筑系數(shù)74.96%6主體工程平方米24080.977綠化面積平方米2187.268綠化率6.01%9投

51、資強度萬元/畝198.94四、節(jié)約用地措施采用大跨度連跨廠房，方便生產設備的布置，提高廠房面積的利用率，有利于節(jié)約土地資源；原料及輔助材料倉庫采用簡易貨架，提高了庫房的面積和空間利用率，從而有效地節(jié)約土地資源。在項目建設過程中，項目承辦單位根據項目建設地的總體規(guī)劃以及項目建設地對投資項目地塊的控制性指標，本著“經濟適宜、綜合利用”的原則進行科學規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。五、總圖布置方案1、同時考慮用地少、施工費用節(jié)約等要求，沿圍墻、路邊和可利用場地種植花卉、樹木、草坪及常綠植物，改善和美化生產環(huán)境。undefined道路在項目建設場區(qū)內呈環(huán)狀布置，擬采用城市型水泥混凝土路面

52、結構形式，可以滿足不同運輸車輛行駛的功能要求。項目承辦單位項目建設場區(qū)道路網呈環(huán)形布置，方便生產、生活、運輸組織及消防要求，所有道路均采用水泥混凝土路面，其坡路及彎道等均按國家現(xiàn)行有關規(guī)范設計。2、場區(qū)綠化設計要達到“營造嚴謹開放的交流環(huán)境，催人奮進的工作環(huán)境，舒適宜人的休閑環(huán)境，和諧統(tǒng)一的生態(tài)環(huán)境”之目的。場區(qū)綠化設計要達到“營造嚴謹開放的交流環(huán)境，催人奮進的工作環(huán)境，舒適宜人的休閑環(huán)境，和諧統(tǒng)一的生態(tài)環(huán)境”之目的。消防水源采用低壓制，同一時間內按火災一次考慮，室內外均設環(huán)狀消防管網，室外消火栓間距不大于100.00米，消火栓距道路邊不大于2.00米。投資項目采用雨、污分流制排水系統(tǒng)，分別匯

53、集后排入項目建設區(qū)不同污水管網。3、投資項目廠房排水方案采用室內懸吊管接入主管排至室外，室外排水采用暗溝、雨水井、檢修井、下水管組成的排水系統(tǒng)。項目用水由項目建設地市政管網給水干管統(tǒng)一提供，供水管網水壓大于0.40Mpa可以滿足項目用水需求；進廠總管徑選用DN300?L，各車間分管選用DN50?L-DN100?L，給水管道在場區(qū)內形成完善的環(huán)狀給水管網，各單體用水從場區(qū)環(huán)網上分別接出支管，以滿足各單體的生產、生活、消防用水的需要；室外給水主管道采用PP-R給水管，消防管道采用熱鍍鋅鋼管。供電回路及電壓等級確定：配電系統(tǒng)采用TN-C-S制，供電電壓為380V/220V，電壓波動不超過額定電壓的1

54、0.00%，電源頻率為50.000.50Hz。室外電源采用三相四線制380V/220V，室內采用三相五線制，照明燈具電壓為220V；場內動力、照明負荷按“類”用電負荷設計；自10KV電網引一路架空線作為主電源引入場內10KV終端桿，經避雷器保護后，以電纜方式引入場內配電室。4、項目承辦單位外部運輸和內部運輸可采用送貨制；采用合適的運輸方式和運輸路線，使企業(yè)的物流組成達到合理優(yōu)化；把企業(yè)的組成內部從原材料輸入、產品外運以及車間與車間、車間與倉庫、車間內部各工序之間的物料流動都作為整體系統(tǒng)進行物流系統(tǒng)設計，使全場物料運輸形成有機的整體。數(shù)據通信：數(shù)據傳輸通道主要采用中國電信ADSL構建VPN虛擬專

55、用通信網，可同時解決場區(qū)數(shù)據、IP數(shù)據及計算機上網需求；也可采用GPRS數(shù)據傳輸通信，投資項目數(shù)據利用中國電信ADSL構建VPN虛擬專用通信網，上傳至項目承辦單位調度中心。項目承辦單位設計提供監(jiān)控系統(tǒng)的基本要求和配置；選用系統(tǒng)設備時，各配套設備的性能及技術要求應協(xié)調一致，系統(tǒng)配置的詳細清單及安裝、輔助材料待確定系統(tǒng)成套供貨商后，按技術要求由成套廠商提供；系統(tǒng)應由資信地位可靠、具有相關資質、有一定業(yè)績、服務良好、具有現(xiàn)場安裝調試、開車運行經驗、能做到“交鑰匙”工程的成套廠商配套供貨，并應對項目承辦單位操作人員進行相關的技術培訓。六、選址綜合評價項目建設地擁有多支具備相應資質的勘測隊伍、設計隊伍和專業(yè)化建設工程隊伍，擁有一大批高素質的產業(yè)工人，確保投資項目的實施能力，同時，項目建設地商貿流通行業(yè)發(fā)達，與國內260多個大中城市開設了貨運直達業(yè)務。項目建設遵循“合理和集約用地”的原則，按照產品制造行業(yè)生產規(guī)范和要求，進行科學設計、合理布局，符合行業(yè)產品生產經營的需要。 第七章 土建工程說明一、建筑工程設計原則項目承辦單位本著“適用、安全、經濟、美觀”的原則并遵照國家建筑設計規(guī)范進行項目建筑工程設計；在滿足投資項目生產工藝設備要求的前提下，力求布局合理、造型美觀、色彩協(xié)調