噸多晶硅項(xiàng)目可行建議

1、http:/www .doc in. com/chess95660STWWliS關(guān)于籌建年產(chǎn)1200噸多晶硅項(xiàng)目的可 行性報(bào)告目錄第一章 總 論 11.1概述11.2項(xiàng)目的建設(shè)條件41.3本項(xiàng)目設(shè)計(jì)方案51.4項(xiàng)目的綜合經(jīng)濟(jì)效果 7第二章多晶硅市場(chǎng)分析82.1多晶硅的產(chǎn)品市場(chǎng)82.2原料、輔助材料及動(dòng)力122.3企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)能力分析12第三章 多晶硅項(xiàng)目的基本方案 133.1概述133.2設(shè)計(jì)產(chǎn)能及生產(chǎn)配置 133.3生產(chǎn)工藝18http:/www .doc in. com/chess95660http:/www .doc in. com/chess95660第四章土建工程及輔助設(shè)施 22234.

2、1主要土建工程有（合同簽定之后再行設(shè)計(jì)）：22第五章環(huán)境保護(hù)、消防、節(jié)能、勞動(dòng)安全及衛(wèi)生防護(hù)5.1污染物排放及治理措施235.2消防245.3節(jié)能245.4勞動(dòng)安全及衛(wèi)生防護(hù) 24第六章投資概算256.1概述256.2編制依據(jù)256.3投資分析266.4結(jié)合概算與總概算26第七章技術(shù)經(jīng)濟(jì)277.1概述277.2綜合經(jīng)濟(jì)評(píng)估29http:/www .doc in. com/chess95660第一章 總 論1.1概述1.1.1本項(xiàng)目制作依據(jù)受內(nèi)蒙古霍煤源源硅業(yè)科技有限公司之委托制作。1.1.2項(xiàng)目提出的前景多晶硅市場(chǎng)的需求多晶硅的用途多晶硅通稱(chēng)為高純硅，是制備半導(dǎo)體單晶硅的原料。工

3、業(yè)上 通常把多晶硅及單晶硅統(tǒng)稱(chēng)為高純或超純硅， 以別于單質(zhì)硅。其 主要用途如下：一、用于整流器件：目前有各種容量的硅整流器，已取代了 或部分取代以前的直流電源，如直流發(fā)電機(jī)、鉛蓄電池、汞整流 器與硒整流器等；二、用于二極管：其它晶體管及集成電路，基本上取代了過(guò) 去各種類(lèi)型的電子管；三、用于可控硅整流元件：已廣泛用于電子技術(shù)部門(mén)；四、用于各種無(wú)線電器材：計(jì)算機(jī)及自動(dòng)化元件上的檢波器 和高頻振蕩轉(zhuǎn)化器；五、用于太陽(yáng)能電池：將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換電能；估計(jì)太陽(yáng)能電池 的用硅量約占整個(gè)硅用量的 5% ;六、用于原子能電池：將放射性廢物的輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?；七、用于探測(cè)元件：放射性強(qiáng)度測(cè)定儀中采用；八、用于紅外線測(cè)

4、試設(shè)備：用作紅外透鏡或?yàn)V色片；九、用于光電池：以硅為基底的P N型光電池效率高；十、硅及其它半導(dǎo)體材料：還廣泛用作熱敏電阻、光敏電阻、 溫差電偶、半導(dǎo)體鐵磁體以及半導(dǎo)體致冷器等方面。國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)對(duì)多晶硅的需求隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展和歐洲太陽(yáng)能市場(chǎng)的迅速擴(kuò)大，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量增長(zhǎng)迅速。從2006年開(kāi)始太陽(yáng)能級(jí)和半導(dǎo)體級(jí)多晶硅需求均有缺口，其中太陽(yáng)能級(jí)產(chǎn)能缺口更大。 從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，考慮到未來(lái)石化能源的短缺和各國(guó)對(duì)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的大 力支持，多晶硅的需求仍將持續(xù)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2010年，全球多晶硅的缺口量將高達(dá) 26200噸。由于多晶硅供給嚴(yán)重不足，導(dǎo) 致全球多晶硅價(jià)格不斷上漲，目前國(guó)內(nèi)已達(dá)275萬(wàn)元

5、/噸。 多晶硅市場(chǎng)的質(zhì)量要求由于雜質(zhì)的存在大大影響多晶硅的物理及化學(xué)性能，因此目前多晶硅市場(chǎng)對(duì)多晶硅純度的要求較高：太陽(yáng)能級(jí)的一般要求 58個(gè)9，即99.999%以上，電子級(jí)的一般要求 911個(gè)9,即99.9999999%以上。這不僅給制備工藝提出了難題，也給制 造環(huán)境提出了更高的要求。也正因?yàn)槿绱?，現(xiàn)在在國(guó)內(nèi)能生產(chǎn)多晶硅的廠家寥寥無(wú)幾。項(xiàng)目進(jìn)行的優(yōu)勢(shì)內(nèi)蒙古霍林河煤業(yè)集團(tuán)公司、內(nèi)蒙古源源能源集團(tuán)公司和浙江湖州新元泰微電子有限公司有著一般企業(yè)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，有內(nèi)蒙古源源能源集團(tuán)公司配置科學(xué)合理的煤、電、硅產(chǎn)業(yè)，以及 浙江湖州新元泰微電子有限公司良好的技術(shù)條件和管理經(jīng)驗(yàn)，人員素質(zhì)高，

6、資源優(yōu)勢(shì)等客觀條件好。 多晶硅項(xiàng)目完成后還可以進(jìn) 一步加工成各種電子元器件以及單晶硅，在單晶硅的基礎(chǔ)上還可以進(jìn)行IC的刻制成各種IC芯片，產(chǎn)業(yè)鏈不僅長(zhǎng)，而且產(chǎn)業(yè)分支 多，這樣可以使企業(yè)保持旺盛的發(fā)展勢(shì)頭，獲得更好的經(jīng)濟(jì)效益。1.1.3本項(xiàng)目的主要內(nèi)容新建一座年產(chǎn)1200噸多晶硅的還原車(chē)間，其中包括： 采用改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅的還原車(chē)間 三氯氫硅凈化除雜車(chē)間 氫氣凈化車(chē)間 化驗(yàn)室 變電所 辦公樓及附屬配置 1.1.4項(xiàng)目的基本原則充分利用內(nèi)蒙古源源能源集團(tuán)公司低成本的煤及電力資源 和未來(lái)鋁工業(yè)園區(qū)內(nèi)危險(xiǎn)品站臺(tái)，在工業(yè)園內(nèi)建廠，以節(jié)約投資，提高工作效率。1.2項(xiàng)目的建設(shè)條件1.2.1生產(chǎn)工藝條件

7、由內(nèi)蒙古源源能源集團(tuán)公司供應(yīng)成本低廉的電力，由浙江湖州新元泰微電子有限公司負(fù)責(zé)多晶硅廠的建設(shè)及專(zhuān)有的生產(chǎn)技 術(shù)，以及聘用多晶硅生產(chǎn)工藝師和熟悉多晶硅生產(chǎn)的相關(guān)技術(shù)和 操作人員及管理人員，以保證先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)和優(yōu)良的產(chǎn)品 質(zhì)量。1.2.2電力供應(yīng)條件在內(nèi)蒙古源源能源集團(tuán)公司經(jīng)過(guò)一次變壓 （66KV）后，傳輸?shù)?鋁工業(yè)園區(qū)的霍煤源源硅業(yè)科技有限公司后經(jīng)二次變壓 （380V）， 直接進(jìn)行生產(chǎn)多晶硅。1.2.3主要原材料供應(yīng)條件1200噸多晶硅所需的17820噸三氯氫硅、780萬(wàn)立方米氫 氣、20公斤鉬絲以及500公斤硅初棒等全部外購(gòu)1.2.4其它建設(shè)條件新增42m X300m多晶硅還原廠房及12

8、對(duì)多晶硅還原爐，即 可生產(chǎn)24個(gè)硅棒，以及擴(kuò)散爐一套。新增35m X.5m原料庫(kù)。新增18m X145m三氯氫硅除雜凈化、精制車(chē)間及凈化、精 制設(shè)備一套。新增18m xi10m氫氣凈化車(chē)間及凈化設(shè)備一套。新增42m 65m酸洗車(chē)間及酸洗設(shè)備兩套。新增35m X100m廢氣、廢物回收車(chē)間及回收設(shè)備一套。新增42m 65m烘干車(chē)間及烘干設(shè)備三套。新增42m 65m切斷車(chē)間及裁切機(jī)兩套。新增42m 65m鑄造車(chē)間及鑄錠爐一套。新增35m M5m來(lái)料化驗(yàn)室及成品化驗(yàn)室各一間，來(lái)料及成品檢測(cè)設(shè)備若干。新增55m刈0m成品庫(kù)。1.3本項(xiàng)目設(shè)計(jì)方案1.3.1生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品 設(shè)計(jì)生產(chǎn)規(guī)模為多晶硅1200噸/年

9、 產(chǎn)品質(zhì)量：全部產(chǎn)品硅含量純度均99.9999999% 硅鑄錠及硅片1.3.2項(xiàng)目工程布局 多晶硅還原車(chē)間（包括擴(kuò)散設(shè)備）：設(shè)置于廠區(qū)中西部，與上 下游車(chē)間緊湊建設(shè)，便于中間品與產(chǎn)品的運(yùn)輸； 三氯氫硅精制車(chē)間與氫氣凈化車(chē)間并列建設(shè)，通過(guò)管道將三氯氫硅及氫氣輸送到還原車(chē)間的化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器（即還原爐）內(nèi)進(jìn)行還原； 沉積出的多晶硅棒，要運(yùn)抵酸洗車(chē)間進(jìn)行酸洗， 然后到烘干 設(shè)備里進(jìn)行烘干，在裁切機(jī)上裁切成所需長(zhǎng)度尺寸， 然后進(jìn)行鑄 造，鑄造成所需尺寸的硅棒，進(jìn)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行檢測(cè)，然后合格品包裝、入庫(kù)、待出貨； 將還原階段產(chǎn)生的廢物輸送到廢物回收車(chē)間進(jìn)行回收再利用，以提高原材料的利用率。1.3.3生產(chǎn)工

10、藝流程米用改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅。設(shè)計(jì)建12對(duì)還原爐生產(chǎn)多晶硅，以提高電能利用率。其工藝流程詳見(jiàn)第三章。1.3.4環(huán)境保護(hù)本項(xiàng)目工程高度重視環(huán)境保護(hù)，生產(chǎn)過(guò)程中幾乎不產(chǎn)生廢渣，廢液通過(guò)回收、氫化等手段可以回收利用，因此幾乎也不產(chǎn) 生廢液，廢氣主要是氫氣，可以回收利用，以提高氫的利用率。 少許廢氣通過(guò)煙氣凈化系統(tǒng)粉塵凈化率可達(dá)99%以上，經(jīng)過(guò)凈化后的各種污染物均可達(dá)到或低于GB16279-1996大氣污染綜合排放標(biāo)準(zhǔn)要求。1.3.5項(xiàng)目實(shí)施方案本項(xiàng)目從批準(zhǔn)并簽定合同之日起 6個(gè)月內(nèi)投產(chǎn)。設(shè)備、物料、結(jié)構(gòu)制作，土建同時(shí)進(jìn)行以提高速度，爭(zhēng)取盡早投產(chǎn)。1.4項(xiàng)目的綜合經(jīng)濟(jì)效果1.4.1項(xiàng)目總投資12億

11、元人民幣（產(chǎn)能1200噸/年）142項(xiàng)目的經(jīng)濟(jì)效益年效益：13.7948億元人民幣（按現(xiàn)行價(jià)格計(jì)算1200噸/年 產(chǎn)量），10個(gè)月即可收回全部投資。1.4.3主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 電流效率：98%交流電耗：300000KWH/t.Si 化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器內(nèi)溫度：10501150 C 每對(duì)還原爐日生產(chǎn)能力：330kg/臺(tái).d1.4.4綜合評(píng)價(jià)本項(xiàng)目多晶硅產(chǎn)品市場(chǎng)巨大，工藝技術(shù)先進(jìn)、成熟、可靠。投產(chǎn)后可以根據(jù)市場(chǎng)需求逐步擴(kuò)大產(chǎn)能及上下游產(chǎn)品（如三氯氫硅、單晶硅以及太陽(yáng)能電池等 ），形成優(yōu)良的產(chǎn)業(yè)鏈，發(fā)揮規(guī)模 效益的優(yōu)勢(shì)，并在生產(chǎn)中不斷創(chuàng)新進(jìn)一步提高經(jīng)濟(jì)指標(biāo)和經(jīng)濟(jì)效 益，增強(qiáng)企業(yè)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。本項(xiàng)目最大

12、限度的利用內(nèi)蒙古源源能源集團(tuán)公司成本低廉的煤和電，和浙江湖州新元泰微電子有限公司的先進(jìn)技術(shù)和管理經(jīng)驗(yàn)，投資預(yù)算合理，見(jiàn)效快，回報(bào)期短，利稅高，具有較強(qiáng)的 抗風(fēng)險(xiǎn)能力。綜上所述，由于該項(xiàng)目具有較高的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益，具有相當(dāng)好的市場(chǎng)和極為有利的資源，具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和抗風(fēng)險(xiǎn)能力，因此是可行的，應(yīng)盡快投入建設(shè)，抓住發(fā)展機(jī)遇，早日 投產(chǎn)。第二章多晶硅市場(chǎng)分析2.1多晶硅的產(chǎn)品市場(chǎng)2.1.1多晶硅的性質(zhì)多晶硅具有灰色金屬光澤。密度2.322.34g/cm 3。熔點(diǎn)1410 C，沸點(diǎn)2355 C。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、 硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎 裂。加熱

13、至800 C以上即有延展性，1300 C時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑，咼溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。咼溫熔融狀 態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量 的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體 收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ) 材料。多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒， 則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶 硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)

14、和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅 顯著，甚至于幾乎沒(méi)有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極 小。2.1.2多晶硅的用途由于多晶硅具有上述各種特征，因此廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域。 尤其是太陽(yáng)能電池、電子工業(yè)方面，作為影響其全部性能的主要 材料來(lái)使用。多晶硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域見(jiàn)下圖：多晶硅是半導(dǎo)體工業(yè)、電子信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能光伏電池產(chǎn)業(yè)的最主要、硅最礎(chǔ)的功能性材料電主要用做半導(dǎo)體的原料,做單晶硅的主要原料，可作各種晶體管無(wú) 光 太太陽(yáng)自芯電池、集控成電路電電子計(jì)算機(jī)芯片以及IC可空硅紅外探測(cè)器等差電偶整流二極管、熱（光）敏電阻半導(dǎo)體磁體2.1.3當(dāng)前

15、國(guó)際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況： 晶體硅材料（包括多晶硅和單晶 硅）是最主要的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在 90 %以上，而且在今 后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。 多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場(chǎng)壟斷的狀況。多晶硅的需 求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。其中，用于電子級(jí)多晶硅占55 %左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45 %，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多 晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況：我國(guó)集成電路的增長(zhǎng)

16、，硅片生產(chǎn)和太 陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，大大帶動(dòng)多晶硅材料的增長(zhǎng)。太陽(yáng)能電池用多晶硅按每生產(chǎn)1MW多晶硅太陽(yáng)能電池需要11 - 12噸多晶 硅計(jì)算，我國(guó)2004年多晶、單晶太陽(yáng)能電池產(chǎn)量為48.45MW ,多晶硅用量為678噸左右，而實(shí)際產(chǎn)能已達(dá) 70MW左右，多晶 硅缺口達(dá)250噸以上。到2005年底國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能電池產(chǎn)能達(dá)到 300MW，實(shí)際能形成的產(chǎn)量約為110MW，需要多晶硅1400噸 左右，預(yù)測(cè)到2010年太陽(yáng)能電池產(chǎn)量達(dá) 300MW,需要多晶硅保 守估計(jì)約4200噸，因此太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)將大大帶動(dòng)多晶硅需 求的增加。2005年中國(guó)太陽(yáng)能電池用單晶硅企業(yè)開(kāi)工率在20%-30 %，半導(dǎo)體用單晶

17、硅企業(yè)開(kāi)工率在80 %-90 %，都不能滿負(fù)荷生產(chǎn)，主要原因是多晶硅供給量不足所造成的。預(yù)計(jì)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)量，仍然滿足不了快速增長(zhǎng)的需要。2005年全球太陽(yáng)能電池用多晶硅供應(yīng)量約為10448噸，而2005年太陽(yáng)能用硅材料需求量約為22881噸，如果太陽(yáng)能電池用多晶硅需求量按占總需求量的65%計(jì)，則太陽(yáng)能電池用多晶硅需求量約為14873噸，這樣全球太陽(yáng)能電池用多晶硅的市場(chǎng) 缺口達(dá)4424噸。2005年半導(dǎo)體用多晶硅短缺 6000噸，加上太 陽(yáng)能用多晶硅缺口 4424噸，合計(jì)10424噸，供給嚴(yán)重不足，導(dǎo) 致全球多晶硅價(jià)格上漲。目前多晶硅市場(chǎng)的持續(xù)升溫，導(dǎo)致各生產(chǎn)廠商紛紛列出了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，

18、 根據(jù)來(lái)自國(guó)際光伏組織的統(tǒng)計(jì)，至2008年全球多晶硅的產(chǎn)能將達(dá) 49550噸，至2010年將達(dá)58800 噸。預(yù)計(jì)到2010年全球多晶硅需求量將達(dá) 85000噸，缺口 26200 噸。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，考慮到未來(lái)石化能源的短缺和各國(guó)對(duì)太陽(yáng)能產(chǎn) 業(yè)的大力支持，需求將持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)歐洲光伏工業(yè)聯(lián)合會(huì)的 2010年各國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃預(yù)計(jì)，屆時(shí)全球光伏產(chǎn)量將達(dá)到 15GW( 1GW=1000MW)，設(shè)想其中60%使用多晶硅為原材料， 如果技術(shù)進(jìn)步每 MW消耗10噸多晶硅，保守估計(jì)全球至少需要 太陽(yáng)能多晶硅5萬(wàn)噸以上。2.1.4多晶硅的價(jià)格分析由于多晶硅生產(chǎn)技術(shù)只掌握在世界上極少數(shù)幾家研究機(jī)構(gòu) 或者生產(chǎn)廠家

19、的手里，因此多晶硅的市場(chǎng)價(jià)格幾近處于壟斷狀 態(tài)。由于多晶硅的消耗不斷增大，所以多晶硅的價(jià)格不斷上漲，目前含稅市場(chǎng)價(jià)大約在 275萬(wàn)元左右。2.2原料、輔助材料及動(dòng)力多晶硅生產(chǎn)所需的原料為三氯氫硅，由唐山中友硅業(yè)有限公 司直接提供，價(jià)格穩(wěn)定，供應(yīng)可靠。也不排除在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi) 內(nèi)蒙古霍煤源源硅業(yè)科技有限公司自己生產(chǎn)三氯氫硅。其它輔助材料如氫氣、鉬絲、石墨、硅棒等市場(chǎng)供應(yīng)充足。多晶硅還原爐所用電能由內(nèi)蒙古源源能源集團(tuán)公司供應(yīng)，電力充足，價(jià)格適宜。2.3企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)能力分析項(xiàng)目在短時(shí)間內(nèi)（6個(gè)月左右）建成投產(chǎn)，采用成熟、世界先 進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，聘用多晶硅工藝師及相關(guān)人員在短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)出純 度為99.9999

20、999%的多晶硅，甚至可直接生產(chǎn)出更高品位的產(chǎn) 品，可很快進(jìn)入市場(chǎng)。企業(yè)優(yōu)勢(shì)：能源一煤、電。多晶硅聯(lián)合價(jià)格優(yōu)勢(shì)技術(shù)經(jīng)濟(jì)一直接生產(chǎn)出高品位多晶硅，指標(biāo)處于國(guó)際先進(jìn)水平管理一人員素質(zhì)高，管理嚴(yán)謹(jǐn)科學(xué)地緣一交通運(yùn)輸便利具有規(guī)模優(yōu)勢(shì)因此企業(yè)有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。第三章多晶硅項(xiàng)目的基本方案3.1概述根據(jù)內(nèi)蒙古霍煤源源硅業(yè)科技有限公司的初步規(guī)劃， 暫定在 內(nèi)蒙古霍林郭勒工業(yè)園區(qū)內(nèi)首先建造產(chǎn)能為1200噸/年的多晶硅生產(chǎn)廠。3.2設(shè)計(jì)產(chǎn)能及生產(chǎn)配置 設(shè)計(jì)產(chǎn)能1200噸/年 廠區(qū)生產(chǎn)配置見(jiàn)平面示意圖3.2.1多晶硅還原車(chē)間多晶硅還原車(chē)間長(zhǎng)度為300m，寬度為42m，其主要配置如下： 12對(duì)化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器1臺(tái)

21、 溫控儀1臺(tái) 電動(dòng)平板車(chē)1臺(tái)(Q=2T) 三氯氫硅含量控制設(shè)備1臺(tái) 氫氣含量控制設(shè)備1臺(tái) 工具若干3.2.2三氯氫硅精制車(chē)間三氯氫硅精制車(chē)間長(zhǎng)度為150m，寬度為18m，其主要配置 如下:1200CBwsmffl尋口曰dww岀+原料庫(kù)Z 1 Z r r- r 、/ |/:一氯氫硅八冃制車(chē)間-:氫氣凈化車(chē)間圖意示面平廠硅晶多間車(chē)原還硅晶多駐 獎(jiǎng)公辦咚仃 溫控儀2臺(tái)（頂溫和釜溫各1臺(tái)）323氫氣凈化車(chē)間氫氣凈化車(chē)間長(zhǎng)度為110m，寬度為18m，其主要配置如下: 氫氣脫水、除氧裝置1臺(tái)3.2.4回收車(chē)間回收車(chē)間長(zhǎng)度為100m，寬度為35m，其主要配置如下: 多級(jí)冷凝分離裝置1臺(tái)3.2.5酸洗車(chē)間酸洗

22、車(chē)間長(zhǎng)度為65m，寬度為42m，其主要配置如下: 酸洗設(shè)備2套3.2.6烘干車(chē)間烘干車(chē)間長(zhǎng)度為65m，寬度為42m，其主要配置如下: 烘干設(shè)備3套3.2.7切斷車(chē)間切斷車(chē)間長(zhǎng)度為65m，寬度為42m，其主要配置如下: 裁切機(jī)2臺(tái)3.2.8鑄造車(chē)間鑄造車(chē)間長(zhǎng)度為65m，寬度為42m，其主要配置如下: 鑄錠爐1套329來(lái)料化驗(yàn)室來(lái)料化驗(yàn)室長(zhǎng)度為45m，寬度為35m，其主要配置如下: ICP - OES檢測(cè)儀1臺(tái)3.2.10成品化驗(yàn)室成品化驗(yàn)室長(zhǎng)度為45m，寬度為35m，其主要配置如下: ICP - MS檢測(cè)儀1臺(tái)3.2.11輔助車(chē)間輔助車(chē)間可根據(jù)需要建設(shè)， 主要為各生產(chǎn)車(chē)間維修服務(wù)。其中包括電氣、

23、機(jī)械、控制等維修人員休息室及備件庫(kù)等。3.2.12其它辦公、生活、消防、安全環(huán)境等設(shè)施根據(jù)需要建設(shè)。3.2.13多晶硅廠人員配置（生產(chǎn)單位：131人，其它待定）總工程師：1人工藝工程師：5人多晶硅還原車(chē)間：12人原料庫(kù)：15人三氯氫硅除雜凈化、精制車(chē)間：9人氫氣凈化車(chē)間：9人酸洗車(chē)間：9人廢氣、廢物回收車(chē)間：12人烘干車(chē)間：18人切斷車(chē)間：12人鑄造車(chē)間：12人來(lái)料化驗(yàn)室及成品化驗(yàn)室：各 4人成品庫(kù)：9人廠部及其它待定：安全、保衛(wèi)、生活、福利等。3.3生產(chǎn)工藝本項(xiàng)目的多晶硅生產(chǎn)主要用改良西門(mén)子法，在化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器內(nèi)加氫還原三氯氫硅，三氯氫硅還原后在加熱的初棒上沉積出多晶硅棒。3.3.1原料

24、及輔助材料三氯氫硅每年約需17820噸三氯氫硅，其質(zhì)量應(yīng)符合內(nèi)蒙古霍煤源源硅業(yè)科技有限公司使用要求，由唐山中友硅業(yè)有限公司提供。 氫氣每年約需780萬(wàn)m3的氫氣、質(zhì)量符合 GB/T3634-1995標(biāo) 準(zhǔn)中一級(jí)品以上標(biāo)準(zhǔn)要求，由國(guó)內(nèi)氫氣生產(chǎn)廠供應(yīng)。 鉬絲每年約需20公斤鉬絲，其質(zhì)量要求由內(nèi)蒙古霍煤源源硅業(yè) 科技有限公司提出，由國(guó)內(nèi)鉬絲生產(chǎn)廠供應(yīng)。331.4硅初棒每年約需500公斤硅初棒，其質(zhì)量要求由內(nèi)蒙古霍煤源源硅 業(yè)科技有限公司提出，由國(guó)內(nèi)硅初棒生產(chǎn)廠供應(yīng)。3.3.2生產(chǎn)工藝流程工藝流程選擇及工藝流程簡(jiǎn)述本項(xiàng)目生產(chǎn)多晶硅采用改良西門(mén)子法

25、工藝，其工藝流程簡(jiǎn)述如下：改良西門(mén)子法是生產(chǎn)多晶硅的主要方法之一，大體可分為5個(gè)工序，即精制、還原、尾氣回收、氫化和后處理：精制工序采用多級(jí)分餾塔對(duì)三氯氫硅進(jìn)行精制，除去SiCI 4及硼、磷等有害雜質(zhì)。還原工序是在化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器 （還原爐）內(nèi)加氫還原三 氯氫硅，先在還原爐中預(yù)先放置初始硅棒， 利用特別的啟動(dòng)裝置 來(lái)對(duì)初棒進(jìn)行預(yù)熱，然后對(duì)初棒直接通電加熱， 三氯氫硅還原后 在初棒上沉積出多晶硅棒。尾氣回收工序?qū)?lái)自還原爐的三氯氫硅、四氯化硅和氫氣等進(jìn)行分離、凈化和回收。氫化工序是在高壓反應(yīng)器內(nèi)把四氯化硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅再 返回還原爐。后處理工序?qū)ψ罱K多晶硅產(chǎn)品進(jìn)行酸洗、烘干、破碎、凈化、 鑄錠

26、、包裝該工藝涉及的主要化學(xué)反應(yīng)式如下:SiHCl 3 H2Si 3HCI 還原S i 4C l 2 tH S 4 H氫化 H C I改良西門(mén)子法的特點(diǎn)是加強(qiáng)尾氣的干法回收，對(duì)尾氣進(jìn)行加壓多級(jí)冷凝分離處理。分離出來(lái)的三氯氫硅、氯化氫、氫氣返回 系統(tǒng)利用，分離出來(lái)的四氯化硅加氫反應(yīng)轉(zhuǎn)化成三氯氫硅后返回 還原爐。這樣可以使氯化氫和氫氣得到循環(huán)使用，則氯化氫和氫氣只需要補(bǔ)充生產(chǎn)中損耗量即可，從而大大降低物料消耗，并可 將“三廢”量減少到最低程度。其工藝流程見(jiàn)下圖多晶硅生產(chǎn)工藝流程3.322主要操作技術(shù)條件98% 電流效率: 化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器內(nèi)溫度：10501150 C 3.323工藝制度用改良西門(mén)子

27、法生產(chǎn)多晶硅必須連續(xù)作業(yè)，生產(chǎn)操作人員為三班三運(yùn)轉(zhuǎn)工作制，每班工作八小時(shí)，年工作日為365天。3.3.3主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)產(chǎn)品產(chǎn)量與質(zhì)量產(chǎn)量：多晶硅1200噸/年產(chǎn)品質(zhì)量：硅含量為：99.9999999%主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器：1臺(tái)初始硅棒數(shù)：12對(duì)電流效率：98%化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng)器內(nèi)溫度：1050 1150 C每對(duì)還原爐日生產(chǎn)能力：330kg/ 臺(tái).d主要原材料、動(dòng)力消耗：三氯氫硅：17820噸/年氫氣：780萬(wàn)m3/年20公斤/年 鉬絲: 硅初棒：500公斤/年第四章土建工程及輔助設(shè)施4.1主要土建工程有（合同簽定之后再行設(shè)計(jì)）：4.1.1多晶硅還原車(chē)

28、間廠房及還原爐槽基礎(chǔ)等。廠房為300m長(zhǎng)，42m寬，磚混結(jié)構(gòu)防風(fēng)沙，防塵等級(jí)極高，內(nèi)置一臺(tái)化學(xué)蒸發(fā) 沉積反應(yīng)器。4.1.2三氯氫硅精制車(chē)間為防風(fēng)沙，防塵等級(jí)極高的磚混結(jié)構(gòu)，150m 長(zhǎng)，18m 寬。4.1.3氫氣凈化車(chē)間為防風(fēng)沙，防塵等級(jí)極高的磚混結(jié)構(gòu)，110m 長(zhǎng)，18m寬。4.1.4回收車(chē)間氫氣凈化車(chē)間為防風(fēng)沙，防塵等級(jí)極高的磚混結(jié)構(gòu)，100m長(zhǎng)，35m寬4.1.5酸洗車(chē)間、烘干車(chē)間、切斷車(chē)間、鑄造車(chē)間為相連建筑， 仍為防風(fēng)沙，防塵等級(jí)極高的磚混結(jié)構(gòu)，長(zhǎng)總計(jì)260m，寬42m。4.1.6來(lái)料化驗(yàn)室、成品化驗(yàn)室均為防風(fēng)沙，防塵等級(jí)極高的磚 混結(jié)構(gòu)，長(zhǎng)度為45m，寬度為35m。4.1.7輔助車(chē)

29、間、辦公、生活、消防、安全環(huán)境等設(shè)施待定第五章 環(huán)境保護(hù)、消防、節(jié)能、勞動(dòng)安全及衛(wèi)生防護(hù)5.1污染物排放及治理措施5.1.1三廢 廢氣本項(xiàng)目由于防塵性極高，且在還原階段產(chǎn)生的廢氣經(jīng)多級(jí)冷 凝分離都回收重新利用。只有少些氯化氫經(jīng)回收，銷(xiāo)售給消費(fèi)氯 化氫的廠家。其它工序產(chǎn)生的廢氣和可以通過(guò)凈化系統(tǒng)吸收凈 化，除塵效率可達(dá) 99%。經(jīng)凈化后的廢氣和粉塵均達(dá)到和低于 GB16297-1996大氣污染綜合排放標(biāo)準(zhǔn)的要求 廢水多晶硅生產(chǎn)過(guò)程不產(chǎn)生廢水，部分系統(tǒng)的冷卻水全部循環(huán)使 用。 廢渣多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中不產(chǎn)生廢渣。5.1.2環(huán)境影響評(píng)估本項(xiàng)目采用改良西門(mén)子法工藝

30、，主要生產(chǎn)過(guò)程中不產(chǎn)生“三 廢”在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的極少量的廢氣和粉塵通過(guò)系統(tǒng)凈化設(shè)備 處理后均符合國(guó)家排放標(biāo)準(zhǔn)， 不會(huì)對(duì)廠區(qū)及周?chē)h(huán)境質(zhì)量產(chǎn)生不 利影響，而且將會(huì)逐步改善廠區(qū)周?chē)沫h(huán)境質(zhì)量。5.2消防本工程項(xiàng)目不影響周邊的建筑物防火等級(jí)， 生產(chǎn)火災(zāi)危險(xiǎn)為 丁類(lèi)。多晶硅還原車(chē)間的還原爐內(nèi)為氣相硅， 可在廠房?jī)?nèi)設(shè)置足 夠數(shù)量的干粉滅火器，室外可采用高壓水消防系統(tǒng)。5.3節(jié)能本工程項(xiàng)目采用世界上目前較為先進(jìn)的化學(xué)蒸發(fā)沉積反應(yīng) 器，屬突破性專(zhuān)有技術(shù)，節(jié)能效果明顯，技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)具國(guó)內(nèi)及 世界先進(jìn)水平。其它各種設(shè)備也選用高效節(jié)能設(shè)備。5.4勞動(dòng)安全及衛(wèi)生防護(hù)5.4.1勞動(dòng)安全本項(xiàng)目工程設(shè)計(jì)為防止生產(chǎn)設(shè)備事

31、故對(duì)生產(chǎn)和人身的危害，采取了相應(yīng)的勞動(dòng)安全防護(hù)措施，在安全方面達(dá)到了冶金企業(yè)安全生產(chǎn)規(guī)程的標(biāo)準(zhǔn)。多晶硅車(chē)間要求對(duì)人能觸及到的物體都 必須與大地絕緣，不允許在地電位。地面采用絕緣地面，管道與 建筑之間沒(méi)有絕緣斷接頭。與生產(chǎn)相關(guān)的各類(lèi)設(shè)備都設(shè)置防護(hù) 罩，以防燙傷事故發(fā)生，以確保安全生產(chǎn)。5.4.2衛(wèi)生防護(hù)本項(xiàng)目涉及到危害人體健康的主要因素為化學(xué)品的蒸氣及用電安全?；瘜W(xué)品的存儲(chǔ)及使用都具有嚴(yán)格的規(guī)程，如果沒(méi)有不當(dāng)操作，不會(huì)對(duì)操作人員造成危害。用電操作相應(yīng)的采取了完善 的絕緣措施以防漏電、觸電、短路事故的發(fā)生。本項(xiàng)目設(shè)計(jì)雖然采取完善的勞動(dòng)安全及衛(wèi)生防護(hù)措施，但在生產(chǎn)過(guò)程中必須加強(qiáng)管理， 遵守崗位安全操

32、作規(guī)程，才能保證達(dá) 到安全技術(shù)和衛(wèi)生防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)要求。第六章投資概算6.1概述本項(xiàng)目是內(nèi)蒙古霍煤源源硅業(yè)科技有限公司1200噸/年多晶硅工程，投資范圍包括：多晶硅還原車(chē)間、原料庫(kù)、三氯氫硅 除雜凈化、精制車(chē)間、氫氣凈化車(chē)間、酸洗車(chē)間、廢氣、廢物回 收車(chē)間、烘干車(chē)間、切斷車(chē)間、鑄造車(chē)間、來(lái)料化驗(yàn)室及成品化 驗(yàn)室、成品庫(kù)?？偼顿Y概算 12億兀人民幣。6.2編制依據(jù)6.2.1 土建及安裝制做工程參考 2002年硅工業(yè)概算指標(biāo)，材料 預(yù)算按東北地區(qū)現(xiàn)行價(jià)格計(jì)算。6.2.2設(shè)備費(fèi)按現(xiàn)行價(jià)格詢價(jià)，運(yùn)雜費(fèi)按市場(chǎng)價(jià)計(jì)取。6.2.3其它費(fèi)用參考2005年多晶硅工業(yè)工程建設(shè)費(fèi)用定額指標(biāo) 執(zhí)行。6.3投資分析本項(xiàng)目投資按比例分析見(jiàn)下表：?jiǎn)挝唬喝f(wàn)元序號(hào)工程費(fèi)用名