數(shù)字邏輯復(fù)習(xí)題

1、數(shù)字邏輯復(fù)習(xí)第一章 開關(guān)理論考點(diǎn)：1.進(jìn)制的轉(zhuǎn)換(選擇填空)2. 邏輯函數(shù)的化簡3. 卡若圖化簡4. 用與非門進(jìn)行邏輯設(shè)計(jì)課后試題用布爾代數(shù)化簡下列各邏輯函數(shù)表達(dá)式(1) F二A+ABC+A+CB+二 A+BC+ F = (A+B+)(A+B+C) = (A+B)+C= A+B(2) F = ABC+ABD+BC+ABCD+B二 AB+BC+BDF= BC(5) F=9. 將下列函數(shù)展開為最小項(xiàng)表達(dá)式(1) F(A,B,C)= 藝(1,4,567)(2) F(A,B,C,D)= 藝(4,5,6,7,9,12,14)10. 用卡諾圖化簡下列各式(1)化簡得F=化簡得F=(3) F(A,B,C,D

2、)=刀 m(0,1,2,5,6,7,8,9,13,14)化簡得F=(4) F(A,B,C,D)= 刀 m(0,13,14,15)+ 刀(1,2,3,9,10,11)化簡得F=11. 利用與非門實(shí)現(xiàn)下列函數(shù)，并畫出邏輯圖F=參考試題：1、Fi(A, B,C) AB AC BC A C (用代數(shù)法化簡)F1 A(B 1) AC BC CA AC B CA C C B12、 F2(A,B,C,D)m(4,6,8,9,10,12,13,14)d(0,2,5)(用卡諾圖法化簡)F2 D AC3、 用公式法化簡邏輯函數(shù)：Y= ABC +(A+B)C答：Y= ABC +(A+B)C =( AB) C+( A

3、B) C = C4、什么叫組合邏輯電路中的競爭一冒險(xiǎn)現(xiàn)象？消除競爭一冒險(xiǎn)現(xiàn)象 的常用方法有哪些？答：由于競爭而在電路輸出端可能產(chǎn)生尖峰脈沖的現(xiàn)象叫競爭一冒 險(xiǎn)現(xiàn)象。消除競爭一冒險(xiǎn)現(xiàn)象的常用方法有：接入濾波電容，引入選通 脈沖，修改邏輯設(shè)計(jì)。5、用卡諾圖化簡下列邏輯函數(shù)F(A,B,C, D)m(0,1,2,8,9,10,12,13,14,15)解：畫出邏輯函數(shù)F的卡諾圖。得到C1A001111111111106、完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換(1) (37)16= (110111 )(2) (63)10= ( 11111 )AB ACBC ADBD2 = ( 57 )2 = ( 37 )8= ( 1F )16

4、用真值表證明等式：B+A=abAC真值表如下:ABA BAB0011010010001100由真值表知，A A B A B用布爾代數(shù)化簡邏輯函數(shù)表達(dá)式：F ABC ABC ABCF ABC ABCABC一AC_=(ABC+ABCj+(ABC+ACy =AC(B+B)+A(BC+C)=AC+A(B+C)_=AB+ACAC=AB+C第二章組合邏輯考點(diǎn)： 1.組合邏輯分析（給定組合邏輯電路，分析其功能）2. 組合邏輯電路設(shè)計(jì)3. 多路選擇器 譯碼器 編碼器 電路基本功能及設(shè)計(jì)課后題：分析下圖所示邏輯電路，列出真值表，說明其邏輯功能解：真值表如下：因此，這是一個(gè)四選一的選擇器。6. 下圖所示為兩種十進(jìn)

5、制數(shù)代碼轉(zhuǎn)換器，輸入為余三碼，輸出為什 么代碼？ 解：這是一個(gè)余三碼 至8421 BCD碼轉(zhuǎn)換的電路已知輸入信號(hào) A,B,C,D 的波形如下圖所示，選擇適當(dāng)?shù)募蛇壿?門電路，設(shè)計(jì)產(chǎn)生輸出 F 波形的組合電路（輸入無反變量） 解： 列出真值表如下： 用紅、黃、綠三個(gè)指示燈表示三臺(tái)設(shè)備的工作情況：綠燈亮表示全部正常；紅燈亮表示有一臺(tái)不正常；黃燈亮表示有兩臺(tái)不正常； 紅、黃燈全亮表示三臺(tái)都不正常。列出控制電路真值表，并選出合 適的集成電路來實(shí)現(xiàn)。解：設(shè)：三臺(tái)設(shè)備分別為 A 、B、C： “1”表示有故障，“ 0”表示無 故障；紅、黃、綠燈分別為 Y1、Y2、Y3：“ 1”表示燈亮；“ 0”表 示燈滅

6、。據(jù)題意列出真值表如下： 于是得：設(shè)計(jì)一個(gè)血型配比指示器。解：用XY表示供血者代碼，MN表示受血者代碼。代碼設(shè)定如下：XY =00 A型MN = 00A型01B型01B型10AB型10AB型11O型11O型得：Fi =藝(0,2,5,6,10,12,13,14,15)參考試題：1、分析圖 1 所示組合邏輯電路的邏輯功能，寫出 F1、F2 的表達(dá)式Fi Y0 ? ?Y5 m0 ? mi ?m5 m0 m-j m5 AB BCF2 Y2 ?丫3 ?Ys ?% m2 ? m3 ?m6 ? m7 m2 m3 m6 m7 B2、試為燃油鍋爐設(shè)計(jì)一個(gè)報(bào)警邏輯電路。要求在燃油噴嘴處于開啟 狀態(tài)時(shí)，如果鍋爐水

7、溫或煙道溫度過高則發(fā)出報(bào)警信號(hào)。要求畫出 真值表、寫出邏輯函數(shù)。解：設(shè)燃油噴嘴為A,開啟為1,否則為0;鍋爐水溫為B,過高位Fmsm6 m71, 否則為0;煙道溫度為C,過高為1,否則為0;報(bào)警信號(hào)為F， 報(bào)警為1,否則為0。ABCF00000010010001101000101111011111真值表:由真值表得:3、今有A B、C三人可以進(jìn)入某秘密檔案室，但條件是 A B、C三人 在場或有兩人在場，但其中一人必須是 A,否則報(bào)警系統(tǒng)就發(fā)出警報(bào) 信號(hào)。試：（1）列出真值表；（2）寫出邏輯表達(dá)式并化簡；（3）畫出邏輯圖。解：設(shè)變量A B C表示三個(gè)人，邏輯1表示某人在場，0表示不 在場。F表示

8、警報(bào)信號(hào)，F(xiàn)=1表示報(bào)警，F(xiàn)=0表示不報(bào)警。根據(jù)題意義，列出真值表A B CF00000011010101111001101011001110由出真值表寫出邏輯函數(shù)表達(dá)式，并化簡F ABC ABC ABC AB C AC C(A B)畫出邏輯電路圖4、3-8譯碼器 74LS138邏輯符號(hào) 如圖所示，S1、 S；、S3為使能控制端。試用兩片74LS138構(gòu)成一個(gè)4-16譯碼器。 要求畫出連接圖說明設(shè)計(jì)方案。-(JiQO_O0Oi丫7 Y6 丫5 Y4 Y3 Y 2 Y 1 YoA Ai A 74LS13 Si S S5、組合邏輯電路設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)組合邏輯電路，實(shí)現(xiàn)功能如下：接收 3位二進(jìn)制數(shù)，并判斷

9、收到的二進(jìn)制數(shù)是否能被3整除。設(shè)定電路輸入輸出狀態(tài)；列寫真值表；寫出邏輯表達(dá)式；采用“與非門”和“非門”，畫出邏輯電路圖。答：（1）設(shè)定輸出狀態(tài)電路輸入設(shè)為3個(gè)：A, B，C三個(gè)輸入端；每個(gè)輸入端接收二進(jìn) 制數(shù)的1位。電路的輸出設(shè)為1個(gè)：F。F為“ T表示能被整除；為“ 0”時(shí) 表示不能整除。(2) 畫真值表根據(jù)上述假設(shè)，我們可推得如下真值表：ABCF000000100P 10001111000101011011110(3)寫邏輯函數(shù)式F ABC ABC畫邏輯電路圖F ABC ABC F ABC ABC ABC?ABCABC&F第三章時(shí)序邏輯考點(diǎn)：1、觸發(fā)器特征方程D觸發(fā)器Q=DJK觸發(fā)器JQ

10、 KQ2、時(shí)序邏輯設(shè)計(jì)與分析課后題: 第7題分析下圖所示同步計(jì)數(shù)電路解：先寫出激勵(lì)方程，然后求得狀態(tài)方程狀態(tài)圖如下：該計(jì)數(shù)器是五進(jìn)制計(jì)數(shù)器，可以自啟動(dòng) 參考試題:1、分析圖2所示的時(shí)序電路的邏輯功能，寫出電路的驅(qū)動(dòng)方程、狀 態(tài)方程，畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，說明電路能否自啟動(dòng)。FF0 FF1、FF2是三個(gè)下降沿觸發(fā)型JK觸發(fā)器。nnJ2 Q1Q0nK2 Qon 1Q2nnnQ1Q0Q2nnQ0Q2nnJ1 Q2Q0nK1 Qon 1Q1nnnQ0Q1Q2nnQ0Q1n 1nJ0 K。1 Qo Qo模6的加法計(jì)數(shù)器，電路可以自啟動(dòng)2、試分析圖3(a)所示時(shí)序電路，畫出其狀態(tài)表和狀態(tài)圖。設(shè)電路的 初始狀態(tài)為

11、0,試畫出在圖3(b)所示波形作用下，Q和Z的波形圖3、試分析下圖（圖5）所示的同步時(shí)序電路，寫出各觸發(fā)器的驅(qū)動(dòng) 方程，電路的狀態(tài)方程和輸出方程，畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換表和狀態(tài)轉(zhuǎn)換 圖。4、電路如圖所示，D觸發(fā)器是正邊沿觸發(fā)器，圖中給出了時(shí)鐘 CP 及輸入K的波形。（1）試寫出電路次態(tài)輸出Qn1邏輯表達(dá)式。（2）畫出Q,Q的波 形。Q解：Qn 1 D K Qn5、下圖是由三個(gè)D觸發(fā)器構(gòu)成的寄存器，試問它是完成什么功能的 寄存器？設(shè)它初始狀態(tài) Q Qi Qo =110，在加入1個(gè)CP脈沖后，Q Qi Q等于多少？此后再加入一個(gè) CP脈沖后，Q Q1 Qo等于多少？解：時(shí)鐘方程CP0 CP CF2 CP激勵(lì)

12、方程Do Q2 , Di Q0 , D2 Qin狀態(tài)方程Q0 1DoQ； ,Qin1 DiQon,Q21D2Qin狀態(tài)表q2 q； q0Q21 Q； 1 Q01 11 1 01 0 11 0 10 1 10 1 11 1 0畫出狀態(tài)圖7、時(shí)序邏輯電路分析。分析下面同步計(jì)數(shù)器電路，(1) 寫出激勵(lì)函數(shù)和次態(tài)方程;(2) 作出狀態(tài)轉(zhuǎn)換表和狀態(tài)圖;(3) 分析電路的邏輯功能。(1)寫出輸出函數(shù)、激勵(lì)函數(shù)及次態(tài)函數(shù)；激勵(lì)函數(shù)： D1 Q3n ； D2 Q1n ； D3 Q2n將激勵(lì)函數(shù)代入D觸發(fā)器特征方程：Qn 1 D貝打次態(tài)函數(shù)：Q；1 Q3q2 1 QinQ3 1 Q2n(2) 列出狀態(tài)轉(zhuǎn)換表現(xiàn)態(tài)

13、次態(tài)Q Q QQn+1 亠Qn+1 亠 n+1Q0 0 00000 0 10100 1 01000 1 11101 0 00011 0 10111 1 01011 1 1111(3) 列出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖(4) 邏輯功能分析根據(jù)狀態(tài)圖，該電路執(zhí)行移位功能，當(dāng) cp脈沖到達(dá)時(shí)，寄存器內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)順序左移，最右邊的1位移至最左邊的寄存器中。第四章 存儲(chǔ)邏輯考點(diǎn)：1. SRAM DRAM ROM、Flash memory 概念及特點(diǎn)2.存儲(chǔ)器的字、位擴(kuò)展SRAM DRA啲區(qū)別解：DRAM表示動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其基本存儲(chǔ)單元是一個(gè)晶體管 和一個(gè)電容器，是一種以電荷形式進(jìn)行存儲(chǔ)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，充滿電荷的電容

14、器代表邏輯“ 1”，“空”的電容器代表邏輯“ 0”。數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)在電容器中，電容存儲(chǔ)的電荷一般是會(huì)慢慢泄漏的，因此內(nèi) 存需要不時(shí)地刷新。DRAM擁有更高的密度，常常用于 PC中的主存SRAM 是靜態(tài)的，存儲(chǔ)單元由 4 個(gè)晶體管和兩個(gè)電阻器構(gòu)成，只 要供電它就會(huì)保持一個(gè)值，沒有刷新周期，因此SRAM比 DRAM要快。SRAM常常用于高速緩沖存儲(chǔ)器，因?yàn)樗懈叩乃俾?；ROM EPRO和EEPRO的區(qū)別解：ROM指的是“只讀存儲(chǔ)器”，即 Read-0nly Memory。這是一種 線路最簡單半導(dǎo)體電路，通過掩模工藝， 一次性制造，其中的代碼 與數(shù)據(jù)將永久保存 （除非壞掉 ） ，不能進(jìn)行修改。EPRO

15、Mf的是“可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程存 儲(chǔ)器，它的存儲(chǔ)單元多采用 N溝道疊柵MOS管，信息的存儲(chǔ)是通過 MOS管浮柵上的電荷分布來決定的，編程過程就是一個(gè)電荷注入過 程。EEPROM指的是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即 Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 。也是采 用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程ROM但是構(gòu)成其存儲(chǔ)單元的是隧道MOS管，隧道MOS管也是利用浮柵是否存有電荷來存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的，不 同的是隧道 MOS管是用電擦除的，并且擦除的速度要快的多（一般 為毫秒數(shù)量級(jí)）。flash 存儲(chǔ)器的特點(diǎn)解：Flash也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于 EEPRO的改進(jìn)產(chǎn)品。 FLASH是結(jié)合EPROI和 EEPRO技術(shù)達(dá)到的，F(xiàn)LASH使用雪崩熱電子 注入方式來編程。主要特點(diǎn)是，F(xiàn)LASH對(duì)芯片提供大塊或