版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、v1.0 可編輯可修改Wlj460887PCB 封裝命名規(guī)范魔電 EDA 建庫工作室目錄1 范圍 - 42 引用 - 43 約束 - 44 焊盤的命名 - 5表貼焊盤命名規(guī)范 - 5通孔焊盤命名規(guī)范v1.0 可編輯可修改花焊盤命名 - 9Shape 命名 105 PCB 封裝命名 11封裝命名要求 11電阻類命名 13電位器命名 15電容器命名 16電感器命名 19磁珠命名 21二極管命名 21晶體諧振器命名 23晶體振蕩器命名 24熔斷器命名 24發(fā)光二極管命名 24v1.0 可編輯可修改BGA 封裝命名 25CGA 封裝命名 25LGA 封裝命名 26PGA 封裝命名 26CFP 封裝命名
2、 27DIP 封裝命名 27DFN 封裝命名 28QFN 封裝命名 28J 型引腳 LCC 封裝命名 29無引腳 LCC 封裝命名 29QFP 類封裝命名 30SOP 類封裝命名 30SOIC 封裝命名 31SOJ 封裝命名 31SON 封裝命名 31SOT 封裝命名 32TO 封裝命名 33連接器封裝命名 34其它封裝命名 34v1.0 可編輯可修改1 范圍本規(guī)范適用于主流 EDA軟件在 PCB設(shè)計前的封裝建庫命名。2 引用IPC-7351B : Generic Requirements for Surface Mount Design and Land PatternStandard. P
3、CB libraries Footprint Naming Convention.3 約束 本規(guī)范中所有的命名只能采用占一個字節(jié)(即半角輸入)的數(shù)字 ( 0-9 )、 字母( a-z 無大小寫限制)、 下劃線 (_)、中橫線 ( - )四種字符 ,其它符號均屬于非法字符。 命名中所使用的尺寸單位只能采用公制單位毫米(mm)或者英制單位毫英寸( mil )。 命名中的所有尺寸(如長、寬、高等),如果采用公制,數(shù)字的 后兩位表示小數(shù)位 (如果 實 際小數(shù)位不止兩位則四舍五入到兩位數(shù)),整數(shù)位長度無限制。例如: r160_50s15mm 中的長度 160 表示,寬度 50 表示。 命名中的所有尺寸(
4、如長、寬、高等),如果采用英制,那么 數(shù)字全都是整數(shù) ,沒有小數(shù) 位,整個數(shù)字的長度無限制。例如: r210_90s6mil 中的長度 210 表示 210mil ,寬度 90 表示 90mil 。 規(guī)范中 大括號 以及它包含的內(nèi)容表示參數(shù)。例如: capaeBody SizexHeightLevelmm(mil) 假設(shè)對應(yīng)的封裝名為capae240x310nmm, 那么Body Size 就是 240,Height 就是 310, Level 就是 n,如果單位用的毫米,后綴就是 mm, 否則就是 mil 。 參數(shù)解釋。Level密度等級。見 節(jié)。v1.0 可編輯可修改 :器件廠家??捎猛暾?/p>
5、英文或者英文縮寫或者漢語拼音。Part Number :廠家完整型號。如果包含非法字符,須刪除或者用下劃線替代。Length :器件長度。取典型值,若無典型值則取平均值,若僅有一個值,則取該值。v1.0 可編輯可修改Width :器件寬度。取典型值。Height :器件高度。取最大。Lead Spacing : 兩引腳插裝器件的引腳間距。取典型值。Pitch :相鄰引腳的間距。取典型值。Lead Diameter :插裝器件引腳的直徑。取最大值。Body Length : 封裝體長度。取典型值。Body Width : 封裝體寬度。取典型值。Body Height : 封裝體高度。取最大。Bo
6、dy Thickness :封裝體厚度。Body Diameter :圓柱形器件封裝體的直徑。取典型值。Lead Span : 排距。兩排引腳外沿的距離,取典型值。Lead Span L1 : 排距 1。矩形四邊引腳的器件其中較小的排距。取典型值。Lead Span L2 : 排距 2。矩形四邊引腳的器件其中較大的排距。取典型值。Pin Qty :引腳數(shù)量。此數(shù)量包含功能引腳數(shù)量和散熱盤的數(shù)量。Columns :引腳的列數(shù)。Rows :引腳的行數(shù)。說明:根據(jù)實際數(shù)據(jù)手冊( datasheet )的描述,如果手冊沒有給出典型值,則計算平均值;如果手冊 只給出了唯一值(無論是最小值還是最大值),則
7、取該值。4 焊盤的命名焊盤是組成封裝的單元,本節(jié)所講的焊盤包括表貼焊盤、通孔焊盤,以及組成特殊表貼焊 盤 的 shape 和組成通孔焊盤的 flash 。表貼焊盤命名規(guī)范標準表貼焊盤 標準表貼焊盤包含正方形、長方形、圓形和橢圓形焊盤。v1.0 可編輯可修改例: W=,H=, D=40milv1.0 可編輯可修改命名格式:長方形 / 橢圓形:正方形/ 圓形:說明: 焊盤形狀。 r 表示矩形 (rectangle) ;c 表示圓形 (circle) ;s 表示方形 (square) ;b 表示橢圓 形 (oblong) W:焊盤的長度 ( 長邊 ) 。 H: 焊盤的寬度 ( 短邊 ) s: 固定字
8、符,表示阻焊 (solder mask) 。 阻焊增量。阻焊長度 ( 寬度 ) 減去焊盤長度 ( 寬度 ) 的尺寸。 創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制 ) 和 mil( 英制 ) 兩種。D 形表貼焊盤例: W=, H=命名格式:說明: d 表示焊盤形狀為 D 形。 W:焊盤的長度 ( 長邊 ) 。 H: 焊盤的寬度 ( 短邊 ) s: 固定字符,表示阻焊 (solder mask) 阻焊增量。阻焊長度 ( 寬度 ) 減去焊盤長度 ( 寬度 ) 的尺寸。v1.0 可編輯可修改 創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制 ) 和 mil( 英制 ) 兩種。非標準表貼焊盤v1.0 可編輯可修改非標準表
9、貼焊盤是指不能直接制作,只能用 shape 組成的除標準焊盤和 D 形焊盤外的其它任 意形狀焊盤。例如:命名格式: smd_Number 其中為這個焊盤適用的封裝名, Number為數(shù)字,如果此封裝只包含一 個非標準焊盤,那么 Number可忽略,如果封裝包含兩個非標準焊盤,那么 Number就分別表示 1 和2,以此類推。例如:封裝 sot230p700x180-4nmm 包含兩個非標準焊盤,那么這兩個焊盤名分別為 smd_sot230p700x180-4nmm_1 和 smd_sot230p700x180-4nmm_2 。通孔焊盤命名規(guī)范EDA軟件能創(chuàng)建的通孔焊盤,其通孔部分的形狀包含圓形
10、、矩形和橢圓形,焊接部分的焊盤形狀有圓形、矩形、橢圓形、正方形、八邊形。圓形 / 方形焊盤命名例: H=, D=1mm 命名格式: 帶自定義 flash 的金屬孔:不帶自定義 flash 的金屬孔:非金屬孔:10v1.0 可編輯可修改11v1.0 可編輯可修改說明: t :固定字符,表示通孔焊盤( through )。 焊盤的形狀, c 為圓形( circle ), s 為方形( square )。 焊盤的邊長。 表示鉆孔形狀, c 為圓形( circle ), s 為方形( square )。 鉆孔直徑。 鉆孔類型。 p 表示鉆孔內(nèi)壁上錫( plated ),為金屬孔; n 為非金屬孔( n
11、on-plated )。 花焊盤( thermal relief)的外徑。 花焊盤( thermal relief)的內(nèi)徑。 花焊盤的輻寬。 s: 固定字符,表示阻焊 (solder mask) 。 阻焊增量。阻焊長度 ( 寬度 ) 減去焊盤長度 ( 寬度 ) 的尺寸。 創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制 ) 和 mil( 英制 ) 兩種。橢圓形 / 矩形焊盤命名例: W1=, W2=, H1=, H2=命名格式:帶自定義 flash 的金屬孔:不帶自定義 flash 的金屬孔:非金屬孔:12v1.0 可編輯可修改13v1.0 可編輯可修改說明: t :固定字符,表示通孔焊盤( throug
12、h )。 焊盤的形狀, b 為橢圓形( oblong ), r 為矩形( rectangle )。 焊盤的長度。 焊盤的寬度。 表示鉆孔形狀, b 為橢圓形( oblong ), r 為矩形( rectangle )。 鉆孔的長度。 鉆孔的寬度。non-plated )。 鉆孔類型。 p 表示鉆孔內(nèi)壁上錫( plated ),為金屬孔; n 為非金屬孔 花焊盤( thermal relief)的外圈長度。 花焊盤( thermal relief)的內(nèi)圈長度。 花焊盤的輻寬。 s: 固定字符,表示阻焊 (solder mask) 。 阻焊增量。阻焊長度 ( 寬度 ) 減去焊盤長度 ( 寬度 )
13、的尺寸。 創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制 ) 和 mil( 英制 ) 兩種?;ê副P命名例:D=,d=1mm, w=,b=90,H1=,H2=1m,mW1=,W2=。 命名格式: 矩形/ 橢圓形花焊盤:方形/ 圓形花焊盤:14v1.0 可編輯可修改15v1.0 可編輯可修改說明: f :固定字母,代表花焊盤( flash )。 花焊盤外圈長度。 花焊盤外圈寬度。 x :分隔符號。 花焊盤內(nèi)圈長度。 花焊盤內(nèi)圈寬度。 花焊盤形狀。 c表示圓形( circle ), b表示橢圓形( oblong ), s 表示方形( square ), r 表示矩形( rectangle )。 花焊盤的輻寬。
14、 花焊盤開口方向與水平線的夾角(銳角)。 命名的單位。Shape 命名shape,下面是特殊形狀焊盤的要制作特殊形狀的焊盤, 需要事先在軟件中制作焊盤的形狀 例子,如鍵盤按鍵的焊盤、 SON封裝的散熱焊盤等。16命名格式: sh_Number 說明: sh :固定字符,表示特殊形狀焊盤(shape )。 表示此 shape 適用的封裝名。Number是數(shù)字后綴。如果封裝只包含一個 shape,那么 Number可忽略;如果封裝有兩個 shape, Number 分別是 1 和 2,以此類推。例如:封裝 sot230p700x180-4nmm 包含兩個非標準焊盤,每個非標準焊盤對應(yīng)的 shape
15、 分別是sh_sot230p700x180-4nmm_1 和 sh_sot230p700x180-4nmm_2 。v1.0 可編輯可修改5 PCB 封裝命名 封裝命名要求 由于 PCB分為高密度板,中等密度板,低密度板,因此制作的封裝也分高中低三個等 級。 M( A)低密度( most )。后綴 M( A)表示低密度封裝,封裝尺寸較大。N( B)中等密度( nominal )。后綴 N( B)表示中等密度封裝,封裝尺寸適中。 L ( C)高密度( least )。后綴 L(C)表示高密度封裝,封裝尺寸較小。表貼封裝使用 M, N, L;插件封裝使用 A,B,C 。例如: SOIC127P104
16、1X419_8NMM, DIP762W46P254L1918H533Q7_14BMM。 某些器件,尺寸的典型值完全一樣, 但偏差不一樣。 例如 8pin 的 SOIC封裝,對于引腳跨距, 有些廠家是 6,有些廠家是 6。對于這種情況,需要在封裝名稱最后加上數(shù)字 1,2,3,4 來區(qū)分。例如: SOIC127P1041X419_8N_1NMM。 有些器件尺寸完全一樣,但引腳排列順序相反,如下圖:這種情況需要在封裝名稱后面加字母 R 區(qū)分。例如上圖右邊的引腳排序與常規(guī)的逆時針排序相17v1.0 可編輯可修改反,那么它的命名就是:PLCC127P990X990X457_20RNMM。18v1.0 可
17、編輯可修改 某些 datasheet 上的器件引腳最大編號大于引腳總數(shù),如下圖:引腳最大編號 14,但實際引腳數(shù)是 4。對于這種情況,命名中需要先體現(xiàn)出實際引腳數(shù),然后列出引腳最大編號。例如: DIP762W46P254L1918H533Q_4_14BMM。 某些器件實際引腳數(shù)大于 datasheet 上的引腳編號,如下圖:有編號的引腳數(shù)是 48 個,而實際引腳數(shù)是 56 個。此時命名也需要體現(xiàn)出兩者的數(shù)值。例如: BGA48C75P6X8_800X1200X1205_6_48NMM。所對應(yīng)的極。例如 1,2,3 對應(yīng)的極是 不同廠家的晶體管和場效應(yīng)管,三個極的位置可能排列不一樣,如下圖:命名
18、時,可在封裝名后面加上 pin number1,2,3B,C,E,那么封裝名稱就是 SOT95P237X117_BCE_3NMM。19v1.0 可編輯可修改電阻類命名表貼電阻表貼電阻常見類型:片狀電阻 Resistor chip(RESC), 模制電阻 Resistor molded(RESM), 柱狀電阻Resistor Melf (RESMELF) 。命名格式: 片狀電阻:resc_eType_ Body Length x Body Width x Height xPin Length Level mm(mil) 模制電阻:resm Body Length x Body Width x H
19、eight Level mm(mil) 柱狀電阻:resmelf Body Length xBody Diameter Level mm(mil)例如: resc_e2010_500x250x65x60nmm表示片狀電阻通用尺寸是英制的 2010,實際長寬高分別是5mm、,引腳長度是。 resmelf260x76nmm 表示圓柱形電阻長度和直徑分別是和。說明:eType 中的 e 表示 EIA(采用英制單位) ,Type 表示片狀電阻的通用尺寸, 例如0402,0603,0805英制020104020603080512061210181220102512公制 (mm)0603100516082
20、01232163225483250256432等等,下面是通用尺寸的公制英制對照表,本規(guī)范命名采用英制Type。例如:英制 0805 的長寬分別是和,對應(yīng)的公制分別是2mm和。 res (resistor )后面的 c 表示片狀( chip ), m表示模制( molded ), melf (Metal Electrical Face ) 表示圓柱。表貼排阻有下列幾種類型:貼片排阻20v1.0 可編輯可修改21v1.0 可編輯可修改命名格式: 引腳凹陷的排阻:rescav Pitch p Body Length xBody Width x Height _Pin Qty Level mm(mi
21、l) 引腳凸出并且引腳尺寸都一樣的排阻:rescaxe Pitch p Body Length x Body Width x Height _Pin Qty Level mm(mil) 引腳凸出并且同一側(cè)引腳尺寸不一樣的排阻:rescaxs Pitch p Body Length xBody Width x Height _Pin Qty Level mm(mil) 引腳平滑的排阻:rescaf Pitch pBody Length x Body Width x Height _Pin Qty Level mm(mil)例如: rescav50p160x100x55_8nmm 表示引腳凹陷的排
22、阻相鄰引腳間距是,長寬高分別是 、 1mm和,引腳總數(shù)是 8 ,以公制為單位制作的中等密度封裝。rescav_Part rescaxe_Part rescaxs_Part rescaf_Part引腳在側(cè)面而非底部的排阻命名:NumberLevelmm(mil)NumberLevelmm(mil)NumberLevelmm(mil)NumberLevelmm(mil)說明: res ( resistor )后面的 cav 表示引腳凹陷的片狀陣列( Chip Array, Concave ), caxe 表示引腳 凸出并且引腳尺寸都一樣的片狀陣列(Chip Array, Convex, Even
23、Pin Size), caxs表示引腳凸出并 且同一側(cè) 引腳尺寸不一 樣的片狀陣列 (Chip Array, Convex,Side Pins Diff ),caf 表示引腳平滑的片 狀陣列( Chip, Array, Flat )。軸向電阻命名格式:22v1.0 可編輯可修改插裝軸向電阻(橫向安裝)23v1.0 可編輯可修改resadh Lead Spacing wLead Diameter l Body Length dBody Diameter Level mm(mil) ;插裝軸向電阻(縱向安裝):resadv Lead Spacing wLead Diameter l Body Le
24、ngth dBody Diameter Level mm(mil) ;例如: RESADH0800W0052L0600D0150BM表M示 軸向電阻水平安裝,引腳間距8mm,引腳直徑 ,電阻長度 6mm ,電阻直徑 ,封裝采用公制按照中等密度制作。說明: res ( resistor )后面的 adh 表示軸向水平安裝( Axial Diameter HorizontalMounting ),adv 表 示軸向垂直安裝( Axial Diameter Vertical Mounting)。非標準電阻 非標準電阻是指上述電阻以外的電阻類型,例如封裝為 橢圓形,矩形等。命名格式:res_ Part
25、 Number Level mm(mil) ;例如: res_zenithsun_sqp5w100jnmm 表示廠家 zenithsun 生產(chǎn)的型號為 sqp5w100j 的水泥電阻封裝以公制為單位制作的中等密度封裝。電位器命名命名格式: pot_ PartNumber Level mm(mil) ;例如: pot_bourns_pda241srt01504a2nmm 表示電位器廠家是 Bourns ,型號是 pda241srt01504a2 ,封裝以公制為單位,中等密度封裝。說明: pot ( potentiometer )指電位器、電位計、可變電阻24v1.0 可編輯可修改器。25v1.0
26、 可編輯可修改電容器命名表貼電容命名格式: 無極性片狀電容:capc_eType_ Body Length x Body Width x Height xPin Length Level mm(mil) 有極性片狀電容:capcp_eType_ Body Length x Body Width x Height xPinLength Level mm(mil) 線繞矩形片狀電容: capcwr BodyLength x Diameter Level mm(mil) 模制有極性電容: capmp BodyLength x BodyWidth x Height Level mm(mil)模制無極性
27、電容:capm Body Length x Body Width x Height Level mm(mil)表貼鋁電解電容:capae Body Size x Height Level mm(mil)說明:eType 中的 e 表示 EIA(采用英制單位) ,Type 表示片狀電阻的通用尺寸, 例如0402,0603,0805等等,下面是通用尺寸的公制英制對照表,本規(guī)范命名采用英制 Type 。英制020104020603080512061210181220102512公制 (mm)060310051608201232163225483250256432例如:英制 0805 的長寬分別是和,
28、對應(yīng)的公制分別是2mm和。cap(capacitor )后面的 c 表示片狀(chip),p表示有極性(polarized ),cwr 表示片狀矩形(Wire Rectangle ), m表示模制( molded), mp表示模制有極性( Molded,Polarized ), ae(Aluminum Electrolytic )表示鋁電解。表貼電容陣列26v1.0 可編輯可修改命名格式: 引腳凹陷的電容陣列:capcav Pitch p Body Length x Body Width x Height -Pin Qty Level mm(mil)引腳平滑的電容陣列:27v1.0 可編輯可修
29、改capcav _Part capcaf _Part capcax_Part說明:cap(capacitor )后面的 cav 表示引腳凹陷的片狀陣列( ChipArray,Concave),capcaf Pitch p BodyLength x BodyWidth x Height -PinQty Level mm(mil)引腳凸出的電容陣列:capcax Pitch p BodyLength x BodyWidth xHeight - PinQty Level mm(mil)例如: capcav50p160x100x55_8nmm表示引腳凹陷的電容陣列相鄰引腳間距是,長寬高分別是、 1mm
30、和,引腳總數(shù)是 8,以公制為單位制作的中等密度封裝。引腳在側(cè)面而非底部的電容陣列:NumberLevelmm(mil)NumberLevelmm(mil)NumberLevelmm(mil)caf 表示引腳 平滑的片狀陣列( Chip, Array, Flat )。 cax 表示引腳凸出的片狀陣列( ChipArray, Convex )。插裝電容命名格式:無極性軸向圓柱形電容(橫向安裝)capadh Lead Spacing w Lead Diameter lBody Length d Body Diameter Level mm(mil)無極性軸向圓柱形電容(縱向安裝)28v1.0 可編輯
31、可修改capadv Lead Spacing w Lead Diameter lBody Length d Body Diameter Level mm(mil) 有極性軸向圓柱形電容(橫向安裝):cappadh Lead Spacing wLead Diameter l Body Length d Body Diameter Level mm(mil) 無極性軸向矩形電容(橫向安裝):caparh Lead Spacing w Lead Diameter l Body Length t Body thickness h Body Height Level mm(mil)無極性軸向矩形電容(縱
32、向安裝):caparv Lead Spacing w Lead Diameter l Body Length t Body thickness h Body Height Level 29v1.0 可編輯可修改mm(mil)有極性軸向矩形電容(橫向安裝)capparh Lead Spacing w Lead Diameter l Body Length tBody thickness h Body Height Level mm(mil)無極性徑向圓柱形電容:caprd Lead Spacing wLead Diameter d Body Diameter hBody Height Level
33、 mm(mil) ; 有極性徑向圓柱形電容:capprd Lead Spacing w Lead Diameter d Body Diameter h Body Height Level mm(mil) ;無極性徑向矩形電容:caprr Lead Spacing wLead Diameter l Body Length t Body thickness h BodyHeight Level mm(mil)無極性徑向圓形電容:caprb Lead Spacing w Lead Diameter l Body Diameter t Body thickness h Body Height Leve
34、l mm(mil) ;例如: capadh800w52l600d150bmm 表示橫向安裝的無極性軸向圓柱形電容引腳間距是 8mm ,引腳直 徑是 ,封裝體長度 6mm,封裝體直徑是 ,以公制為單位制作的中等密度封裝。),說明: cap ( capacitor )后面的 adh 表示軸向水平安裝( Axial Diameter Horizontal Mounting 30v1.0 可編輯可修改adv 表 示軸向垂直安裝( Axial Diameter Vertical Mounting), padh 表示有極性軸向水平安裝( Polarized Axial Diameter Vertical
35、Mounting), arh 表示軸向矩形的水平安裝 ( AxialRectangular Horizontal Mounting), arv 表示軸向矩形的垂直安裝( Axial Rectangular VerticalMounting ), parh 表示有極性軸向矩形的水31v1.0 可編輯可修改平安裝( Polarized Axial Rectangular Horizontal Mounting), rd 表示徑向圓柱形( RadialDiameter ),prd 表示有極性的徑向圓柱形( Polarized Radial Diameter), rr 表示徑向矩形( RadialRe
36、ctangular ), rb 表示徑向圓形( Radial Disk Button )。非標準電容命名格式:可變電容( Capacitors, Variable )capv_ Part Number Levelmm(mil) 其它電容( Capacitors, Miscellaneous ) cap_ Part Number Levelmm(mil)例如: capv_best_jml06-30pfbmm 表示 best 公司生產(chǎn)的型號為 jml06-30pf 的可調(diào)電容,以 公制為 單位制作的中等密度封裝。 說明: cap ( capacitor )指電容,本規(guī)范沒有描述的電 容類型都屬于“
37、其它電容”。電感器命名表貼電感命名格式: 片狀電感:indc_eType_ Body Length xBody Width x Height xPin Length Level mm(mil)模制電感:indm Body Length x Body Width x Height Level mm(mil)繞線電感:32v1.0 可編輯可修改indpw Body Length x Body Width x Height Level mm(mil)33v1.0 可編輯可修改有極性電感:indp Body Length x Body Width x Height Level mm(mil)例如: i
38、ndc_e2010_500x250x65x60nmm 表示片狀電感通用尺寸是英制的2010,實際長寬高分別是5mm、,引腳長度是,按中等密度封裝制作。說明: eType 中的 e 表示 EIA(采用英制單位) ,Type 表示片狀電阻的通用尺寸, 例如 0402,0603,0805英制020104020603080512061210181220102512公制 (mm)060310051608201232163225483250256432等等,下面是通用尺寸的公制英制對照表,本規(guī)范命名采用英制Type。例如:英制 0805 的長寬分別是和,對應(yīng)的公制分別是2mm和。ind ( inducto
39、r )后面的 c表示片狀( chip ),m表示模制( Molded),pw表示精密繞線Precision Wire ), p 表示有極性( Polarized )。插裝電感 命名格式: 軸向電感(橫向安裝):indadh Lead Spacing w Lead Diameter l Body Length d Body Diameter Level mm(mil) 軸向電感(縱向安裝):indadv Lead Spacing w Lead Diameter l Body Length d Body Diameter Level mm(mil) 徑向電感: indrd Lead Spacing
40、 wLead Diameter d Body Diameter h Body Height Level mm(mil)例如: indadh800w52l600d150bmm 表示橫向安裝的軸向電感引腳間距是8mm,引腳直徑是 , 封裝體長度 6mm ,封裝體直徑是,以公制為單位制作的中等密度封裝。說明:電感 ind ( inductor )后面的 adh 表示軸向水平安裝( Axial Diameter Horizontal Mounting ), adv表示軸向垂直安裝( Axial Diameter Vertical Mounting)。非標準電感命名格式:電感: ind_ _ PartN
41、umber Level mm(mil)說明: ind ( inductor )指電感。本規(guī)范沒有描述的電感類型都屬于非標準電感。34v1.0 可編輯可修改片狀電感陣列命名格式:Qty Level mm(mil)Qty Level mm(mil)片狀電感陣列(平面): indcaf pitch p Length x Width x Height -Pin 片狀電感陣列(凹面): indcav pitch p Length x Width x Height -Pin引腳在側(cè)面而非底部的非標準電感陣列: 片狀電感陣列(平面): indcaf _PartNumberLevelmm(mil) 片狀電感陣
42、列(凹面)indcav _PartNumberLevelmm(mil)35v1.0 可編輯可修改說明: ind 后面的 cav 表示引腳凹陷的片狀陣列( Chip Array, Concave ), caf 表示引腳平滑的片狀陣 列( Chip, Array, Flat)。磁珠命名表貼磁珠命名格式:片狀磁珠:fb Length xWidthx Height Level mm(mil) 說明:fb 表示磁珠( Ferrite bead)。插裝磁珠命名格式: 軸向磁珠(橫向安裝)fbadh Lead Spacing wLead Diameter l Body Length d Body Diame
43、ter Level mm(mil) 軸向磁珠(縱向安裝): Level mm(mil)fbadv Lead Spacing wLead Diameter l Body Length d Body Diameter徑向磁珠: fbrd Lead Spacing wLead Diameter d Body Diameter h Body Height Level mm(mil)說明:磁珠 fb ( Ferrite bead)后面的 adh 表示軸向水平安裝( Axial Diameter HorizontalMounting ), adv 表示軸向垂直安裝( Axial Diameter Vert
44、ical Mounting )。非標準磁珠命名格式:fb_ Part Number Level mm(mil)說明: fb ( Ferrite bead )表示磁珠。二極管命名表貼二極管命名格式:36v1.0 可編輯可修改片狀二極管:dioc Body Length xBody Width x Height Level mm(mil)模制二極管:diom Body Length x Body Width x Height Level mm(mil)圓柱體二極管:diomelf Body Length x Body Diameter Level mm(mil) 兩端凹面二極管: diosc Bo
45、dy Length x Body Width x Height Level mm(mil)37v1.0 可編輯可修改SOD 二極管: sod Lead Span x Body Width x Height Level mm(mil)扁平引腳 SOD 二極管: sodfl Lead Span x Body Width x Height Level mm(mil)和 ,以公制為單 位制作的中等密度例如: diom430x360x265nmm 表示模制二極管長寬高分別是封裝。說明:二極管 dio (diode)后面的 c表示片狀( chip),m表示模制( molded),melf (Metal Electrical Face )表示圓柱。插裝二極管命名格式:橫向安裝)dioadh Lead Spacing w Lead Width l Body Length d Body Diameter Level mm(mil)38v1.0 可編輯可修改39v1.0 可編輯可修改軸向二極管(縱向安裝):dioadv Lead Spacing w Lead Width l Body Length d Body Diameter Level mm(mil)說明:二極管 dio ( diode )后面的 adh 表示軸向水平安裝( Axial Diameter Horizon
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 2024年度網(wǎng)絡(luò)游戲開發(fā)運營合同
- 2024年度塔吊操作培訓(xùn)合同
- 2024合同書CIF合同書
- 2024全新血液透析培訓(xùn)
- 2024年家具加盟授權(quán)合同
- 2024國際貨物買賣中檢驗檢疫服務(wù)合同
- 公司管理年終工作總結(jié)
- 企業(yè)辦公室勵志標語8篇
- 2024年度××智能穿戴設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)合同
- 2024年度鋼材物流配送合同
- 有限空間監(jiān)理實施細則
- 我家鄉(xiāng)宜興介紹課件
- 4.2+酶催化細胞的化學反應(yīng)(教學課件)-【知識精講精研】高一生物 (滬科版2020必修1)
- 森林資源概況課件
- 胰腺癌的影像學表現(xiàn)課件
- 電梯維保報價單【模板】
- 2023年四川涼山州木里重點國有林保護局招聘18人筆試備考試題及答案解析
- 思想意識形態(tài)滲透就在你我身邊
- 2023跨界聯(lián)名營銷趨勢報告-SocialBeta
- 小學一年級寫字教案()
- 做好車險續(xù)保工作探討課件
評論
0/150
提交評論