第9章 二極管和三極管

1、第第9 9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.1 半導體的導電特性半導體的導電特性 9.2 PN結及其單向導電性結及其單向導電性 9.3 半導體二極管半導體二極管 9.4 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管 9.5 晶體管晶體管 2021-6-18 1第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 本章要求：本章要求： 1.理解理解PN結的單向導電性結的單向導電性，晶體管，晶體管（三極管）的（三極管）的 電流分配電流分配 和和電流放大作用電流放大作用； 2.了解二極管、穩(wěn)壓管和三極管的基本構造、工作原理和了解二極管、穩(wěn)壓管和三極管的基本構造、工作原理和 特性曲線，理解主要參數(shù)的意義；特性曲線，理解主要參數(shù)的意

2、義； 3.會分析會分析含有含有二極管二極管的電路。的電路。 2021-6-18 2第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.1 半導體的導電特性半導體的導電特性 半導體的導電特性：半導體的導電特性： ( (可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻) )。 摻雜性摻雜性：往純凈的半導體中摻入某些雜質，導電往純凈的半導體中摻入某些雜質，導電 能力明顯改變能力明顯改變( (可做成各種不同用途的半導可做成各種不同用途的半導 體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。 光敏性：光敏性：當受到光照時，導電能力明顯變化當受到光照時，導電能力明顯變化

3、( (可可做成各種做成各種 光敏光敏元件，如光敏電阻、光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管二極管、光敏三、光敏三極極 管管等等) )。 熱敏性：熱敏性：當環(huán)境溫度升高時，導電能力顯著增強當環(huán)境溫度升高時，導電能力顯著增強 2021-6-18 3第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.1.1 本征半導體本征半導體 完全純凈的、具有晶體結構的完全純凈的、具有晶體結構的鍺、硅、硒鍺、硅、硒，稱為，稱為本征半導體本征半導體。 晶體中原子的排列方式晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價健結構硅單晶中的共價健結構 共價健共價健 共價鍵中的兩個電子，稱為共價鍵中的兩個電子，稱為價電子價電子。 Si Si Si

4、 Si 價電子價電子 2021-6-18 4第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 Si Si Si Si 本征激發(fā)：本征激發(fā)：價電子在獲得一定價電子在獲得一定 能量（溫度升高或受光照）后，能量（溫度升高或受光照）后， 即可掙脫原子核的束縛，成為即可掙脫原子核的束縛，成為 自由電子自由電子（帶負電），同時共（帶負電），同時共 價鍵中留下一個空位，稱為價鍵中留下一個空位，稱為空空 穴穴（帶正電）（帶正電）。 本征半導體的導電機理本征半導體的導電機理 溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的 自由電子便愈多。自由電子便愈多。 在外電場的作用下，空穴吸引相鄰原子的價電子來在外電場的作用下，空穴

5、吸引相鄰原子的價電子來填補填補， 而在該原子中出現(xiàn)一個空穴，其結果相當于而在該原子中出現(xiàn)一個空穴，其結果相當于空穴的運動空穴的運動（相（相 當于正電荷的移動）。當于正電荷的移動）。 2021-6-18 5第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 本征半導體的導電機理本征半導體的導電機理 l當半導體兩端加上外電壓時，載流子定向運動（漂移運動），當半導體兩端加上外電壓時，載流子定向運動（漂移運動）， 在半導體中將出現(xiàn)兩部分電流在半導體中將出現(xiàn)兩部分電流 (1)自由電子作定向運動自由電子作定向運動 電子電流電子電流 (2)價電子遞補空穴價電子遞補空穴 空穴電流空穴電流 注意：注意： (1) 本征半導

6、體中載流子數(shù)目極少本征半導體中載流子數(shù)目極少, 其導電性能很差；其導電性能很差； (2) 溫度愈高，溫度愈高， 載流子的數(shù)目愈多載流子的數(shù)目愈多,半導體的導電性能也就愈好。半導體的導電性能也就愈好。 所以，所以，溫度對半導體器件性能影響很大。溫度對半導體器件性能影響很大。 l自由電子和自由電子和空穴成對地產(chǎn)生的同時，又不斷復合?？昭ǔ蓪Φ禺a(chǎn)生的同時，又不斷復合。 在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復合達到在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復合達到動態(tài)平衡動態(tài)平衡， 半導體中載流子便維持一定的數(shù)目。半導體中載流子便維持一定的數(shù)目。 l半導體有兩種導電粒子（半導體有兩種導電粒子（載流子載流子）：）：自由電子、

7、空穴自由電子、空穴 2021-6-18 6第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.1.2 N型半導體和型半導體和 P 型半導體型半導體 摻雜后自由電子數(shù)目大量摻雜后自由電子數(shù)目大量 增加，自由電子導電成為這增加，自由電子導電成為這 種半導體的主要導電方式，種半導體的主要導電方式， 稱為稱為電子電子半導體或半導體或N型型半導體。半導體。 摻入五價元素摻入五價元素 Si Si Si Si p+ 多多 余余 電電 子子 磷原子磷原子 在常溫下即可在常溫下即可 變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮?失去一個失去一個 電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)?正離子正離子 在本征半導體中摻入微量的在本征半導體中摻入微量的雜質雜質（某

8、種（某種元素元素）,形成形成雜質半導體雜質半導體。 多數(shù)載流子（多數(shù)載流子（多子多子）：）：自由電子自由電子 少數(shù)載流子（少數(shù)載流子（少子少子）：）：空穴空穴 2021-6-18 7第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 摻雜后空穴數(shù)目大量增加，摻雜后空穴數(shù)目大量增加， 空穴導電成為這種半導體空穴導電成為這種半導體 的主要導電方式，稱為的主要導電方式，稱為空空 穴穴半導體或半導體或 P型型半導體。半導體。 摻入三價元素摻入三價元素 Si Si Si Si 多子多子：空穴：空穴 少子少子：自由電子：自由電子 B 硼原子硼原子 接受一個電子接受一個電子 變?yōu)樨撾x子變?yōu)樨撾x子 空穴空穴 無論無論N

9、型或型或P型半導體都是中性的，對外不顯電性。型半導體都是中性的，對外不顯電性。 2021-6-18 8第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.1.2 N型半導體和型半導體和 P 型半導體型半導體 1. 在雜質半導體中多子的數(shù)量與在雜質半導體中多子的數(shù)量與 （a. 摻雜濃度、摻雜濃度、b.溫度）有關。溫度）有關。 2. 在雜質半導體中少子的數(shù)量與在雜質半導體中少子的數(shù)量與 （a. 摻雜濃度、摻雜濃度、b.溫度）有關。溫度）有關。 3. 當溫度升高時，少子的數(shù)量當溫度升高時，少子的數(shù)量 （a. 減少、減少、b. 不變、不變、c. 增多）。增多）。 a b c 4. 在外加電壓的作用下，在外加

10、電壓的作用下，P 型半導體中的電流型半導體中的電流 主要是主要是 ，N 型半導體中的電流主要是型半導體中的電流主要是 。 （a. 電子電流、電子電流、b.空穴電流）空穴電流） b a 2021-6-18 9第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.2 PN結及其單向導電性結及其單向導電性 PN 結：結：P型半導體和型半導體和N型半導體交界面的特殊薄層型半導體交界面的特殊薄層 1. PN 結加正向電壓（正向偏置）結加正向電壓（正向偏置） P接正、接正、N接負接負 外電場外電場 IF PN + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 多子在外電場多子在外電場 作

11、用下定向移作用下定向移 動，形成較大動，形成較大 的正向電流。的正向電流。 PN 結加正向電壓時，正向電阻較小，處于導通狀態(tài)。結加正向電壓時，正向電阻較小，處于導通狀態(tài)。 低阻態(tài)低阻態(tài) 2021-6-18 10第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 + 2. PN 結加反向電壓（反向偏置）結加反向電壓（反向偏置） 外電場外電場 P接負、接負、N接正接正 少子在外電場少子在外電場 作用下定向移作用下定向移 動，形成很小動，形成很小 的反向電流。的反向電流。 PN 結加反向電壓時，反向電阻較大，處于截止狀態(tài)。結加反向電壓時，反向電阻較大，處于截止狀態(tài)。 溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增

12、加。溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增加。 PN + + + + + + + + + + + + + + + + + + IR 高阻態(tài)高阻態(tài) 2021-6-18 11第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.3 半導體二極管半導體二極管 1. 基本結構（一個基本結構（一個PN結）結） (a) 點接觸型點接觸型(b)面接觸型面接觸型 結面積小、結結面積小、結 電容小、正向電電容小、正向電 流小。用于檢波流小。用于檢波 和變頻等高頻電和變頻等高頻電 路。路。 結面積大、正結面積大、正 向電流大、結電向電流大、結電 容大，用于工頻容大，用于工頻 大電流整流電路。大電流整流電路。 (c)

13、平面型平面型 用于集成電路制作工藝中。用于集成電路制作工藝中。PN結結面積可大可小，用于結結面積可大可小，用于 高頻整流和開關電路中。高頻整流和開關電路中。 2021-6-18 12第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 陰極引線陰極引線 陽極引線陽極引線 二氧化硅保護層二氧化硅保護層 P型硅型硅 N型硅型硅 ( c ) 平面型 平面型 金屬觸絲金屬觸絲 陽極引線陽極引線 N型鍺片型鍺片 陰極引線陰極引線 外殼外殼 ( a ) 點接觸型點接觸型 鋁合金小球鋁合金小球 N型硅型硅 陽極引線陽極引線 PN結結 金銻合金金銻合金 底座底座 陰極引線陰極引線 ( b ) 面接觸型面接觸型 二極管的結

14、構示意圖二極管的結構示意圖 陰極陰極陽極陽極 ( d ) 符號符號 D 2021-6-18 13第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 2. 伏安特性伏安特性 硅管硅管0.5V, 鍺管鍺管0.1V。 外加電壓大于死區(qū)電壓二外加電壓大于死區(qū)電壓二 極管才能導通。極管才能導通。 外加電壓大于反向擊穿電外加電壓大于反向擊穿電 壓二極管被擊穿，失去單壓二極管被擊穿，失去單 向導電性。向導電性。 特點：非線性特點：非線性 硅硅0 0.60.7V 鍺鍺0.20.3V P N + U I 反向電流在一定電壓反向電流在一定電壓 范圍內保持常數(shù)。范圍內保持常數(shù)。 反向擊穿反向擊穿 電壓電壓U(BR) 反向特性

15、反向特性 P N + 死區(qū)電壓死區(qū)電壓 導通壓降導通壓降 正向特性正向特性 2021-6-18 14第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 3. 主要參數(shù)主要參數(shù) 1） 最大整流電流最大整流電流 IOM 二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。 2） 反向工作峰值電壓反向工作峰值電壓URWM 是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二 極管反向擊穿電壓極管反向擊穿電壓U UBR BR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向 的一半或三分之二。二極管擊穿后單向 導電性被破壞，甚至

16、過熱而燒壞。導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。 3） 反向峰值電流反向峰值電流IRM 指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大，指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大， 說明管子的單向導電性差，說明管子的單向導電性差，IRM受溫度的影響，溫度越高反向受溫度的影響，溫度越高反向 電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅 管的幾十到幾百倍。管的幾十到幾百倍。 2021-6-18 15第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 4.二極管的單向導電性二極管的單向導電性 1） 二極管加正向電壓（正向偏置，陽極接正、陰極

17、接負二極管加正向電壓（正向偏置，陽極接正、陰極接負 ） 時，時， 二極管處于正向導通狀態(tài)，二極管正向電阻較小，正向二極管處于正向導通狀態(tài)，二極管正向電阻較小，正向 電流較大。電流較大。 2） 二極管加反向電壓（反向偏置，陽極接負、陰極接正二極管加反向電壓（反向偏置，陽極接負、陰極接正 ） 時，時， 二極管處于反向截止狀態(tài)，二極管反向電阻較大，反向二極管處于反向截止狀態(tài)，二極管反向電阻較大，反向 電流很小。電流很小。 3 3）外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向）外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向 導電性。導電性。 4 4） 二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流二

18、極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流 愈大。愈大。 2021-6-18 16第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 二極管電路分析舉例二極管電路分析舉例 定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài) 導通導通 截止截止 否則，正向管壓降否則，正向管壓降 硅硅0 0.60.7V 鍺鍺0.20.3V 分析方法：分析方法：將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或 所加電壓所加電壓UD的正負。的正負。 若若 V陽 陽 V陰陰或 或 UD為正，二極管導通為正，二極管導通 若若 V陽 陽 V陰陰 ，二極管導通 ，二極管導通 若忽略管壓降，二

19、極管可看作短路，若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB = 6V 否則，否則， UAB低于低于6V一個管壓降，為一個管壓降，為6.3或或6.7V 例例1： 取取 B 點作參考點，斷開點作參考點，斷開 二極管，分析二極管陽極二極管，分析二極管陽極 和陰極的電位。和陰極的電位。 D 6V 12V 3k B A UAB + 解：解： D:鉗位作用鉗位作用 2021-6-18 18第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 A B D1 D2 R Y +3V 0V 3V A V 0V B V 二極管正向導通時的壓降為二極管正向導通時的壓降為0.3V 二極管二極管D1優(yōu)先導通，所以優(yōu)先導通，所以Y點電位點

20、電位 0.32.7 V YA VV YB VV由于此時由于此時 二極管二極管D2外加反向電壓，所以截止外加反向電壓，所以截止 例例2： D1鉗位鉗位 求：求：VY 2021-6-18 19第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 取取 B 點作參考點，斷開二極點作參考點，斷開二極 管，分析二極管陽極和陰極的電管，分析二極管陽極和陰極的電 位。位。 V1陽 陽 = 6 V，V2陽 陽=0 V， ，V1陰 陰 = V2陰陰= 12 V UD1 = 6V，UD2 =12V UD2 UD1 D2 優(yōu)先導通，優(yōu)先導通， 鉗位，使鉗位，使D1截止。截止。 若忽略管壓降，二極管可看作短路，若忽略管壓降，二極

21、管可看作短路，UAB = 0 V 例例3: 流過流過 D2 的電流為的電流為mA4 3 12 2D I 求：求：UAB D2 ：鉗位作用，：鉗位作用， D1： 隔離作用。隔離作用。 B D1 6V 12V 3k A D2 UAB + 解：解： 2021-6-18 20第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 ui 8V，二極管導通，可看作短路，二極管導通，可看作短路 uo = 8V ui E，二極管導通，可看作短路，二極管導通，可看作短路 uo = ui ui E，二極管截止，可看作開路 ，二極管截止，可看作開路 uo = E D:串聯(lián)二極管限幅串聯(lián)二極管限幅 2021-6-18 22第第9章

22、章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.4 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管 1. 符號符號 UZ IZ IZM UZ IZ 2. 伏安特性伏安特性 穩(wěn)壓管正常工作時穩(wěn)壓管正常工作時 加反向電壓加反向電壓 使用時要加限流電阻使用時要加限流電阻 穩(wěn)壓管反向擊穿后，穩(wěn)壓管反向擊穿后， 電流變化很大，但其兩電流變化很大，但其兩 端電壓變化很小，利用端電壓變化很小，利用 此特性，穩(wěn)壓管在電路此特性，穩(wěn)壓管在電路 中可起穩(wěn)壓作用。中可起穩(wěn)壓作用。 _ + U I O 2021-6-18 23第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 3. 主要參數(shù)主要參數(shù) (1) (1) 穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓UZ 穩(wěn)壓管正常工作穩(wěn)壓管正常

23、工作(反向擊穿反向擊穿)時管子兩端的電壓。時管子兩端的電壓。 (2) (2) 電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù) 環(huán)境溫度每變化環(huán)境溫度每變化1 1 C引起引起穩(wěn)壓值變化的穩(wěn)壓值變化的百分數(shù)百分數(shù)。 (3) (3) 動態(tài)電阻動態(tài)電阻 Z Z ZI U r (4) (4) 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流、最大穩(wěn)定電流 IZM (5) (5) 最大允許耗散功率最大允許耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。 2021-6-18 24第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.5 晶體管晶體管 9.5.1 基本結構基本結構 NNP 基極基極

24、 發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極 NPN型型 B E C PNP型型 基極基極 發(fā)射極發(fā)射極 集電極集電極 符號：符號： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三極管型三極管 PNP型三極管型三極管 2021-6-18 25第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 基區(qū)：最薄，基區(qū)：最薄， 摻雜濃度最低摻雜濃度最低 發(fā)射結發(fā)射結 集電結：面積大集電結：面積大 B B E E C C 基極基極 發(fā)射極發(fā)射極 集電極集電極 結構特點：結構特點： 2021-6-18 26第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.5.2 電流分配和放大原理電流分配和放大原理 1. 三極管放

25、大的外部條件三極管放大的外部條件 E EB RB RC 發(fā)射結正偏、集電結反偏發(fā)射結正偏、集電結反偏 PNP: 發(fā)射結正偏發(fā)射結正偏 VBVE 集電結反偏集電結反偏 VCVE 集電結反偏集電結反偏 VCVB 2. 各電極電流關系及電流放大作用各電極電流關系及電流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 00.02 0.040.06 0.080.10 0.0010.701.502.303.103.95 0.0010.721.542.363.184.05 結論結論: 1）三電極電流）三電極電流關系：關系：IE = IB + IC 2） IC IB ， IC IE 3） IC IB 把基極

26、電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特 性稱為晶體管的電流放大作用。性稱為晶體管的電流放大作用。 實質實質:用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化，用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化， 是是CCCS器件器件。 2021-6-18 28第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 3.3.三極管內部載流子的運動規(guī)律三極管內部載流子的運動規(guī)律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基區(qū)空穴向基區(qū)空穴向 發(fā)射區(qū)的擴散發(fā)射區(qū)的擴散 可忽略?？珊雎?。 發(fā)射結正偏，發(fā)射結正偏， 發(fā)射區(qū)電子不斷發(fā)射區(qū)電子

27、不斷 向基區(qū)擴散，形向基區(qū)擴散，形 成發(fā)射極電流成發(fā)射極電流I IE E。 進入進入P P 區(qū)的電子少部分與區(qū)的電子少部分與 基區(qū)的空穴復合，形成電流基區(qū)的空穴復合，形成電流 I IBE BE ，多數(shù)擴散到集電結。 ，多數(shù)擴散到集電結。 從基區(qū)擴散來的從基區(qū)擴散來的 電子作為集電結電子作為集電結 的少子，漂移進的少子，漂移進 入集電結而被收入集電結而被收 集，形成集，形成I ICE CE。 。 集電結反偏，有少集電結反偏，有少 子形成的反向電流子形成的反向電流 I ICBO CBO。 。 2021-6-18 29第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 IC = ICE+ICBO ICE IC

28、 IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO IBE ICE 與與 IBE 之比稱為共之比稱為共 發(fā)射極電流放大倍數(shù)發(fā)射極電流放大倍數(shù) B C CBOB CBOC BE CE I I II II I I BC CBO III，有忽略 (常用公式常用公式) 3.3.三極管內部載流子的運動規(guī)律三極管內部載流子的運動規(guī)律 2021-6-18 30第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 9.5.3 特性曲線特性曲線 即管子各電極電壓與電流的關系曲線，是管子內部載流即管子各電極電壓與電流的關系曲線，是管子內部載流 子運動的外部表現(xiàn)，反映

29、了晶體管的性能，是分析放大電路子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路 的依據(jù)。的依據(jù)。 為什么要研究特性曲線：為什么要研究特性曲線： 1 1）直觀地分析管子的工作狀態(tài)）直觀地分析管子的工作狀態(tài) 2 2）合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設計性能良好的電路）合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設計性能良好的電路 重點討論應用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線重點討論應用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線 2021-6-18 31第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端 共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路 測量晶體管特性的實驗線路測量晶體管特性的實驗

30、線路 輸入回路輸入回路 輸出回路輸出回路 EC IC EB mA A V UCE UBE RB IB V + + + + 2021-6-18 32第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 1. 輸入特性輸入特性 常數(shù)常數(shù) CE )( BEB U UfI 特點特點: :非線性非線性 死區(qū)電壓死區(qū)電壓： 硅硅管管0.5V， 鍺鍺管管0.1V。 正常工作時發(fā)射結電壓：正常工作時發(fā)射結電壓： NPN型硅管型硅管: : UBE 0.60.7V NPN型鍺管型鍺管: : UBE 0.2 0.3V IB( A) UBE(V) 20 40 60 80 0.40.8 UCE 1V O 2021-6-18 33第

31、第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 2. 輸出特性輸出特性 IB=0 20 A 40 A 60 A 80 A 100 A 常數(shù)常數(shù) B )( CEC I UfI 36 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 912 O 放大區(qū)放大區(qū) 輸出特性曲線通常分三個工作區(qū)：輸出特性曲線通常分三個工作區(qū)： (1) 放大區(qū)放大區(qū) 在放大區(qū)有在放大區(qū)有 IC= IB ，也，也稱稱 為線性區(qū)，具有恒流特性。為線性區(qū)，具有恒流特性。 條件：條件：發(fā)射結正向偏置發(fā)射結正向偏置 集電結反向偏置集電結反向偏置 2021-6-18 34第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 IB=0 20 A 40 A 60

32、 A 80 A 100 A IC(mA ) UCE(V) O （2）截止區(qū)）截止區(qū) IB E 時，時， D 導通，導通，uO = E = 3 V；在；在 ui 正正 半周，但半周，但 ui 0，且硅管的且硅管的 UBE 約為約為 0.6 0.7 V，由此可知，該，由此可知，該 晶體管為晶體管為 NPN 型硅管，型硅管，1 腳為基極腳為基極 B， 2 腳為發(fā)射極腳為發(fā)射極 E， 3 腳為集電極腳為集電極 C。 2021-6-18 51第第9章章 二極管和晶體管二極管和晶體管 例例4有兩個穩(wěn)壓管有兩個穩(wěn)壓管 DZ1 和和 DZ2，其穩(wěn)定電壓分別為，其穩(wěn)定電壓分別為 5.5 V 和和 8.5 V，正向壓降都是，正向壓降都是 0.5 V。如果要得到。如果要得到 3 V 的穩(wěn)定電壓，的穩(wěn)定電壓， 應如何連接？應如何連接？ 解解應按下圖應按下圖(a)或或(b)連接，連接，UZ = 3 V。圖中。圖中 R1、R2 是限是限 流電阻。流電阻。 (a)