半導(dǎo)體電子元器件的有哪些以及命名方式

1、半導(dǎo)體電子元器件的有哪些以 及命名方式半導(dǎo)體電子元器件的有哪些以及命名方式半導(dǎo)體器件(semic on ductor device) 通常，這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化傢， 可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相 區(qū)別，有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端器件(即晶體二極管)的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種 類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放 大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、 毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管(又

2、稱晶體三極管)。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為 放大、振蕩、開關(guān)用的一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體 管、磁敏晶體管，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外，還有一些 特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制 電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等軍事裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波通 信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很

3、快，工作頻率不斷提高，而 噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低 等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)、C(U3)I等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。1、物質(zhì)的分類按照導(dǎo)電能力的大小可以分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)電能力用電阻率衡量。導(dǎo)體：具有良好導(dǎo)電性能的物質(zhì)，如銅、鐵、鋁電阻率一般小于10-4Q ?cm絕緣體：導(dǎo)電能力很差或不導(dǎo)電的物質(zhì)，如玻璃、陶瓷、塑料。電阻率在108Q ?cm以上半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如鍺、硅。純凈的半導(dǎo)體硅的電阻率約為 241000Q ?cm2、半導(dǎo)體的特性與導(dǎo)體、絕緣體相比，半導(dǎo)體具有三個(gè)顯著特點(diǎn)： 電阻率的大小受雜質(zhì)含量多少

4、的影響極大，如硅中只要摻入百萬分之一的雜 質(zhì)硼，硅的電阻率就會(huì)從 241000Q ?cm下降到0.4 Q ?cm變化了 50多萬倍；(2) 電阻率受環(huán)境溫度的影響很大。例如：溫度每升高8C時(shí)，純凈硅的電阻率就會(huì)降低一半左右；金屬每升高10C 時(shí)，電阻率只增加4流右。熱敏電阻：正溫度系數(shù)一隨著溫度的升高，電阻阻值增加。負(fù)溫度系數(shù)一隨著溫度的升高，電阻阻值減小。(3) 光線的照射也會(huì)明顯地影響半導(dǎo)體地導(dǎo)電性能。光敏電阻3、半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料鍺和硅都是四價(jià)元素，它們?cè)雍送鈱佑兴膫€(gè)價(jià)電子。正常情況下 電子受原子核的束縛，不能任意移動(dòng)，所以導(dǎo)電性能差。因?yàn)槲矬w的導(dǎo)電是靠 帶電荷的粒子定向移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)

5、的。當(dāng)向半導(dǎo)體內(nèi)摻入雜質(zhì)后，晶體內(nèi)部原有的平衡被打破，當(dāng)摻入硼原子時(shí)，它 外層原有的三個(gè)價(jià)電子和周圍的硅原子中的價(jià)電子形成“共價(jià)鍵”。這時(shí)硅原 子不再呈電中性，好像失去了一個(gè)帶負(fù)電的價(jià)電子，留下空位，稱它為“空穴”。 由于空穴有接收電子的性質(zhì)，相當(dāng)于一個(gè)正電荷。當(dāng)摻入磷原子，它外層有五 個(gè)價(jià)電子，形成共價(jià)鍵時(shí)就多出了一個(gè)價(jià)電子。此電子可以自由參加導(dǎo)電。把 半導(dǎo)體中載運(yùn)電荷的粒子稱為載流子，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴都是 半導(dǎo)體中的載流子。在摻雜的半導(dǎo)體中電子和空穴的數(shù)目是不相等的，這就有 多數(shù)載流子和少數(shù)載流子之分。載流子一在電場作用下，能作定向運(yùn)動(dòng)的粒子。在半導(dǎo)體中，載流子有兩種：自由電

6、子和空穴。4、本征半導(dǎo)體完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。(純凈度99.99999%)5、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 這種半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。根據(jù)所摻雜質(zhì)的不同，分為 P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體（1）P型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入適量三價(jià)元素（硼、鋁）,形成空穴型（P型） 半導(dǎo)體。它的導(dǎo)電能力大大高于本征半導(dǎo)體。 多子（主要導(dǎo)電的載粒子）：空穴。 少子：自由電子（熱激發(fā)形成）。（2）N型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入適量五價(jià)元素 （磷、銻），形成自由電子型 （N型）半導(dǎo)體。 多子（主要導(dǎo)電的載粒子）：自由電子。 少子：空穴（熱激發(fā)形成）。在兩種雜

7、質(zhì)半導(dǎo)體中，多子是主要導(dǎo)電媒介，數(shù)量取決于雜質(zhì)含量；少子是本征激發(fā)產(chǎn)生的，數(shù)量取決于環(huán)境溫度。雖然雜質(zhì)半導(dǎo)體含有數(shù)量不同的兩種載流 子，但整體上電量平衡，對(duì)外不顯電性。簡單介紹了一下4種常見的電子元器件的基礎(chǔ)知識(shí)與命名方法。電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（1）-電阻電阻器（Resistor）在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個(gè)限流元件，將電阻 接在電路中后，電阻器的阻值是固定的一般是兩個(gè)引腳，它可限制通過它所連 支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或 可變電阻器。理想的電阻器是線性的，即通過電阻器的瞬時(shí)電流與外加瞬時(shí)電 壓成正比。用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著

8、一至兩個(gè)可移 金屬觸點(diǎn)。觸點(diǎn)位置確定電阻體任一端與觸點(diǎn)間的阻值。國產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成（不適用敏感電阻）第一部分：主稱，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。第二部分：材料，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成， T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有機(jī)實(shí)心、N-無機(jī)實(shí)心、J-金屬膜、丫-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉 膜、X-線繞。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高 壓、9-特殊、G-咼功率、T-可調(diào)。第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)

9、分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等例如：R T 1 1型普通碳膜電阻電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)(2)-電容電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。用 C表示電容，電容單位有法 拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF)，1F=10A6uF=10A12pF電容器的型號(hào)命名方法 國產(chǎn)電容器的型號(hào)一般由四部分組成(不適用于壓敏、 可變、真空電容器)。依次分別代表名稱、材料、分類和序號(hào)。第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C.第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別用字母表示。第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示。 用字母表示產(chǎn)品的

10、材料：A-鉭電解、B-聚苯乙 烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H- 復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、0-玻 璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、丫-云母、Z-紙介電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)(3)-電感線圈電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可 以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。用L表示，單位有亨利(H)、 毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10A3mH=10A6uH.電感的分類 按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、

11、銅芯線圈。按 工作性質(zhì) 分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。按 繞線結(jié)構(gòu) 分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。電感線圈的主要特性參數(shù)1、電感量L電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感 線圈(色碼電感)外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。2、 感抗XL電感線圈對(duì)交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與 電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2冗fL3、品質(zhì)因素Q品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等 效的電阻的比值，即：Q=XL/R線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的 Q值 與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，

12、屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效 應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的 Q值通常為幾十到幾百。4、分布電容線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被 稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)(4)-半導(dǎo)體器件中國半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特 殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分 )組成 五個(gè)部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型

13、鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP 型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。 P-普通管、V-微波管、W- 穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc3MHz,Pc1W)、 D-低頻大功率管(f1W)、A-高頻大功率管(f3MHz,Pc1W)、T-半導(dǎo)體 晶閘管(可控整流器)、丫-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、 BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器

14、件。第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管 電流表PA 電壓表PV有功電度表PJ 無功電度表PJR 頻率表PF 相位表PPA最大需量表（負(fù)荷監(jiān)控儀）PM功率因數(shù)表PPF有功功率表PW無功功率表PR無功電流表PAR聲信號(hào)HA光信號(hào)HS指示燈HL紅色燈HR綠色燈HG黃色燈HY藍(lán)色燈HB白色燈HW連接片XB插頭XP插座XS端子板XT電線，電纜，母線W直流母線WB插接式（饋電）母線WIB電力分支線WP 照明分支線WL 應(yīng)急照明分支線WE 電力干線WPM照明干線WLM應(yīng)急照明干線WEM 滑觸線WT合閘小母線WCL控制小母線WC信號(hào)小母線WS閃光小母線WF事故音響小母線WFS 預(yù)告音響小母線WPS 電壓小母線WV事故照明小母線WELM 避雷器F熔斷器FU快速熔斷器FTF跌落式熔斷器FF 限壓保護(hù)器件FV 電容器C 電力電容器CE 正轉(zhuǎn)按鈕SBF 反轉(zhuǎn)按鈕SBR停止按鈕SBS 緊急按鈕SBE試驗(yàn)按鈕SBT復(fù)位按鈕SR限位開關(guān)SQ接近開關(guān)SQPSTVC手動(dòng)控制開關(guān)SH 時(shí)間控制開關(guān)SK 液位控制開關(guān)SL 濕度控制開關(guān)SM 壓力控制開關(guān)SP 速度控制開關(guān)SS 溫度控制開關(guān)，輔助開關(guān) 電壓表切換開關(guān)SV 電流表切換開關(guān)SA 整流器U可控硅整流器UR控制電路有電源的