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1、iphone8 plus 正式版主板標注圖推出及 iphone7P 對比測評之前發(fā)布了 iphone8P 的經驗發(fā)布版,今天來發(fā)布最全面的主板標注圖及和 7P 及高通版英特爾做個元件 IC 對比,我們來看看8P 多了那些功能除了 IC 的名稱有一些變化及部分 IC 的位置發(fā)生變化, 從表面上與7P 大同小異, 但比較起來還有一些不一樣,小編來一一解讀A 面看到新增的ICU3100 系統恒壓IC ,這是一個3.4V 的升壓器,在7P 以下的機型上都沒有這IC , 一般都是電池電壓通過一個電壓轉換管( P-MOS )轉換成 B+ 電壓給系統各單元進行供電,但8P新增了模塊,單B+給系統單元供電功率
2、還不夠,所有8P上面我們看到了 U3100 ,分擔了 VDD MAIN 和 BATT VCC的負擔2. 增加了一個USB PD 快速充電管理IC U6200 用于設備在充電時進行的快速充電 3. 由于 IC 的增加, 激增了 I2C串行總線的繁忙, 8P 上特安排了兩個IC U1601 U1602 用于指紋 I2C 串行總線的轉換,在指紋發(fā)生計算譯碼出錯時,降低系統的風險4. 在 U6300 USB 控制器上面增加了一個U5900 ,此芯片用于固件識別的一個緩沖管,控制固件識別時降低USB 控制器激壞的風險5.基帶方面A 面我們看到增加了一個 GPOLAT_RF 基帶數據電子開關6.新增加了無
3、線充電模塊 U3400 , 這是 7P 之后新增的功能 7. 中頻 U_WTR_E 從原先的 7P 大小射頻又合二為一了 8.U3600 整合了加速器和陀螺儀二合一了,之前 7P 上為 U2401,U24049. 增加了一個U2_E SWCLK 時鐘信號緩沖器10.CPL_E 上 下天下耦合器,而之前 7P 采用的 UATCP_RF , LATCP_RF 兩個控制管來完成的。 我們再來看B 面 11. 新增 NFC_DCDC_S NFC 供電管 ,之前 6/6S/7/7P 等通病報錯 9 NFC 虛焊的故障,現在看來恐怕這個IC 也是個通病了(猜測的) 12.A11 處理器( CPU+GPU+
4、DDR ) SOC 三項功能均有大幅度提升,關于仿生處理器網上太多了,這里不累贅了 13. 基帶時鐘發(fā)生了變化,變成了 38.4MHZ14. 新增 U6100 開關穩(wěn)壓器, U61101.5V-1.9V BUCK 穩(wěn)壓器, U6100 開關穩(wěn)壓器輸出的電壓用于提供給 U6110 供電, U6110 的的電壓輸出同于提供給USB控制器供電,而之前的機型通常都直接由電源IC 直供15.M5500 ,三位一體電感集成器,作用又作為充電 -SPK 功放, ARC 背光的增強驅動, 其中就涵蓋了只讀存儲器 (指紋存儲) ,而在之前 7P 上是有一個單獨的 U110116. 新增無線充電接口 J35001
5、7. 新增 JLAT_EF 接口, 用于 Cell 下天線頭,WIFI 上 天線頭 兩個 ANT 天線連接器形式呈現, 18.新增指紋識別供電 IC U5890 ,提供倒指紋接口 2.75V 供電以上為 8P 高通版與 7P 的對比,下面再看下英特爾版的對比 , 當然是除了用不同的基帶除外了高通版CPL2_E 上 下天線耦合器, 整合成一個, 英特爾版還是兩個名稱為: UATCP_K ,LATCP_K 英特爾版還留了 GSMPA_K , 2GPA , 即 2G 功放,高通版直接不采用 2G 了高通版 DSM_LB_E 低頻段副 RX 選擇開關, DSM_HB_E 中高頻段副 RX 選擇開關, 而英特爾整合成一個 DSM_K ,另高通版低噪聲放大器集成于低噪聲放大器集成于 DSM_LB-HB_E 內高通版基帶名稱U_MDM_E ,英特爾版名稱改成BB_K 高通版基帶電源名稱 U_PMIC_E ,英特爾版改成 BBPMU_K 高通版中頻一個U_WTR_E 集成,英特爾版還是兩個XCVR0_K , XCVR1_K 關于高通版和英特爾版名稱細心觀察通常再后綴上有所改變高通版為
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