半導(dǎo)體制造前道工藝

1、半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造前道工藝制造前道工藝謝梓建Attention 在參考資料的時候，有的步驟或是工藝在不同資料里面的說法有點出入，所以本PPT可能有很多不對的地方，希望大家多多指正。前道工序晶圓處理清洗氧化化學(xué)氣相沉積光刻蝕刻晶圓針測制作晶圓晶圓晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓處理工序晶圓處理工序 本工序主要是通過清洗、氧化

2、、化學(xué)氣相沉積、涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟在晶圓上制作電路及電子元件，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。 清洗：用特殊的清洗機和不同的清洗劑進行多道清洗。用于減少污染物。 氧化：使硅片表面形成氧化膜。主要方法有熱氧化法及氣相成長法。（絕緣、保護等作用） 化學(xué)氣相沉積：反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進而制得固體材料的工藝技術(shù)。光刻加工光刻加工 光刻是一種利用類似于照片洗印的原理通過曝光和選擇性化學(xué)腐蝕將掩膜版上的集成電路印制到硅片上的精密表面加工技術(shù)。硅片清洗烘干（用于減少污染物，減少缺陷，使光刻膠更容易粘附。）涂底旋轉(zhuǎn)

3、涂膠*（利用離心力）軟烘（去除圓片表面的潮氣，增加粘附性）邊緣光刻膠的去除對準*曝光*（接觸、接近、投影、步進）后烘（平衡駐波效應(yīng)，提高分辨率。）顯影*硬烘（提高刻蝕和注入的抵抗力，提高粘附性）清洗預(yù)烘和底膜涂覆蝕刻蝕刻通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻，指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。（選擇性刻蝕轉(zhuǎn)移光刻膠上的IC設(shè)計圖形到晶圓表面）干法蝕刻濕法蝕刻（ HNO3-HF-H2O(HAC) ）離子注入離子注入 用離子束去撞擊固態(tài)物體。固態(tài)物體會對離子束的運動產(chǎn)生阻礙，使其最終留在固體中，這一現(xiàn)象就是離子注入。(摻雜、真空、低溫、加速)晶元針測晶元針測 經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的晶粒，然后用針測儀對每個晶粒檢測其性能，將不合格的晶粒標上記號