ld7575中文版

1、控制器與高壓啟動電路綠色模式PWM概述控制器。它具有一個高電壓的電流源直接PWMLD7575是一個帶有良好的省電操作 的電流模式它的集成功能如電流檢測的前沿并進(jìn)一步提供了無損的啟動電路。從 大容量電容器提供啟動電流，電源應(yīng)DC消隱，內(nèi)部斜率補(bǔ)償，和小組件，為使 用者提供了高效率、最少的外部元件數(shù)量和AC /用低成本的解決方案。過負(fù)荷保護(hù)和特殊的綠色模式控制為用戶能夠更容易地 設(shè)計一個高性嵌入過電壓保護(hù)，此外，8-兩種封裝方式。有SOP-8和DIP能 的電源電路提供了解決方案。LD7575特:點500V）啟動電路高電壓（電流模式控制非聽覺噪聲的綠色模式控制UVLO （欠壓鎖定）（前沿消隱）CS引

2、腳的LEB- 可編程開關(guān)頻率內(nèi)部斜率補(bǔ)償（過壓保護(hù)）的OVP Vcc OLP （過載保護(hù)） 500毫安驅(qū)動能力應(yīng)用適配器和電池充電器開關(guān)AC / DC -ModeControlVbiasLeadingEdg。BlankirtgimPWM ContpmaiwPORDrivor StageOCP ComparatorTi-D-GND絕對最大額定值電源電壓 . 30VVCC高電壓引腳，高壓,HV. 03V500VCOMP, RT, CS.0.3 7V口1mA1GOVA1OOVStope Compensation0.8JV j dear。結(jié)溫C 工作環(huán)境溫度CC to 85-40. 儲存溫度范圉CC

3、to 150 -65 . ） 封裝熱阻（C/W160.SOP-& ）封裝熱阻（CA/MOODIP-8功耗（，在環(huán)境溫度為。C） 400mW 85SOP-8功耗（,在環(huán)境溫度為C ） 650mW.85DIP- 8 -秒）引線溫度（焊接，C260 10電壓保護(hù)，人體模型（引腳除外）3KVHVESD電壓保護(hù)，機(jī)器模型200VESDTJ輸岀電流-500Ma注意：超出指定的“絕對最大額定值”的壓力可能會對設(shè)備造成永久性損壞，推薦工作條件名稱最小值最大值單位電源電壓Vcc1125V電容Vcc1047MF50130KHZ電氣特性（TA二+25C,除非另有說明，Vcc=15. 0V）芟杵*可E觀5（朋胸）Vc

4、c UVLO(off). HV=600V36電沒電E（ Vcc?IW）啟動電代100MA工作電克VcctF=0V2.03.0mAV16 016017 0VOVP Level25.027.530.0V電更厲烷CO郵I側(cè)）v=ov1522mA開廉屯匪COMP pin opn6.0V2.35V定豌刪（CS引腳葉軻入電壓0.800.850.90V350nS刪a抗1MO100nSRT=100KH60.065.070.0KHz穌色複式如牢Fs=65.0KHz20KHz性(40 SC-105X13%皈馮定性(VCC=11V-25V)1%門北動絢岀（can引腳）緒出愜唱平VCC=15V. lo=20mA1V令

5、岀花電平VCC=15V. Io 二20mA9VLoad Cap3citonce= 10OOpF50160nS下陸時詢Load C3px( (tonc= 10OOpF30GOnS0LP （過榊護(hù)OLP Trip Level60VOLP Delay Time (note)Fs=65KHz30mS注釋：OLP延遲時間與開關(guān)周期是成正比的。因此，較低的RT值將設(shè)置較高的 開關(guān)頻率和較短的OLP延遲時間。典型性能特性lefnxmni 巴 g0&3tx IXTMlpaQJfe2(zT) Ten k alu =r9 1 iB伍加負(fù)笏盤加冬仇(bV-50Gv Vcvs8c.-vs8cQ40aknipcGure

6、 CC) 淤舸訝幀詛PC繪勺JUw笛6：02eo C 14 怡X 2i 2* XVCC(V)Fij的受仏& 工藝 gantwlr25H 1214 W W M 22 MXVCC(V)AO 8眾色複潮腳純漁電壓的気化232I191T232I191T65K._w30120 12837373力0303 -込 MnaxEs35-040120 125lbmpcraturoCCJF0 10奴圧悅護(hù)體返朋涯比30第201620162 2 soso 000055-Al-Al BB45-c、-lempecature g眄.$ ：ft主工作剛芟化40 12060* -6403-4004380131 12&Tempe

7、raiure (X)F12 OLP眺可水平矩說口的交化Q Q r r0 4 45 5 adadTenipcfatureC)n-11 VcovJP環(huán)電E趣弧浹化應(yīng)用信息操作概述只要綠色電源的要求成為一種趨勢而且省電對于開關(guān)電源和開關(guān)適配器越來越 重要，傳統(tǒng)的PWM控制器就不能支持這種新的要求。此外，由于成本和尺寸的限 制，PWM控制器需要強(qiáng)大的，集.成更多的功能，以減少外部部件數(shù)量。LD7575是針對這樣的需求提供了一種簡 單和成本有效的解決方案，其詳細(xì)的功能說明如下：內(nèi)部高壓啟動電路，欠壓鎖定()UVLO傳統(tǒng)的電路通過啟動電阻來提供啟動電流，從而啟動PWM控制器。然而，啟動電 阻消耗顯著的電能

8、，每當(dāng)省電的要求緊迫時這個問題就更加關(guān)鍵。理論上該啟 動電阻可以是非常大的電阻值。但是較高的電阻會導(dǎo)致啟動時間的延長。為了實現(xiàn)優(yōu)化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如圖13所示，對此要求LD7575實現(xiàn)了高電壓啟動電 路。在啟動期間，高壓電流源從大容量電容器匯總電流從而提供啟動電流同時為 Vcc電容C1充電。在啟動瞬態(tài)，VCC低于UVLO的閾值，因此電流源供電電流為 1毫安。同時，VCC電源電流低至100 UA,因此大多數(shù)的高壓電流是用于Vcc電 容的充電。通過使用這樣的配萱，開啟延遲時間無論是在低線還是高線的情況下 將幾乎相同。每當(dāng)VCC電壓高于UVL0 （上）開啟LD7575和進(jìn)一步提供柵極驅(qū)動電源信號，高 壓

9、電流源就會關(guān)閉，供應(yīng)電流由輔助繞組變壓器來提供。因此，在啟動電路的功 率損耗可以被消除，從而可以輕松實現(xiàn)省電。UVL0比較器包括檢測Vcc引腳上的電壓，以確保供電電壓除了可以驅(qū)動功率 M0SFET之外足夠啟動LD7575 PWM控制器。如圖14所示,提供的滯后是為了防 止在啟動期間的電壓驟降而引起的關(guān)機(jī)。開啟和關(guān)閉閾值水平分別設(shè)置在16V 和 10. OVoVcc cuvrertt電流感應(yīng)，前沿消隱和引腳上的負(fù)尖峰CS典型的電流模式PWM 控制器通過反饋電流信號和電壓信號來關(guān)閉控制回路和實現(xiàn)調(diào)控，LD7575檢測 CS引腳的初始的M0SFET電流，這不僅是峰值電流模式控制，同時也為脈沖-脈 沖

10、電流限制。最大的電流檢測引腳電壓閾值設(shè)置為0. 85Vo因此，M0SFET的峰值O.85VPEAK（MAX） =電流可以計算如下：5CS引腳的輸入包括了一個350nS的前沿消隱（LEB）時間，以防止電流尖峰引起 假觸發(fā)現(xiàn)象。在低功耗應(yīng)用中，如果開啟尖峰的總脈沖寬度小于350nS而且CS 引腳上的負(fù)尖峰不超過-0. 3V, RC濾波器（圖15所示）可以被淘汰。然而，開啟尖峰的總脈沖寬度與輸出功率，電路設(shè)計和PCB布局相關(guān)。我們強(qiáng)烈 建議增加為更高功率所應(yīng)用的小RC濾波器（如圖16所示），以避免負(fù)的開啟尖VccSUrt (VAIFig. 14spike is exceed -03Y or the

11、total spike widlli i. Qver 350nS LEB pdhdd.Fig. 16峰損壞cs引腳。spike is not over spec. (-0.3Y).Fig. 15輸出級和最大占空比一個輸出階段的帶有典型的500毫安驅(qū)動能力CMOS緩沖器組合起來可以直接驅(qū) 動功率MOSFETo LD7575最大占空比限于75%,以避免變壓器飽和。電壓反饋環(huán)路電壓反饋信號是通過LD7575的COMP引腳與光電耦合器的連接，由在二次側(cè)的 TL431提供的。與UC384X 一樣，在LD7575輸入階段，有2個二極管的電壓偏移， 然后以1/ 3的比例送入分壓器，也就是說，VT(PWMCO

12、KARATOR ) = 4X(VCQMP 2VP)上拉電阻是內(nèi)部嵌入的從而可以簡化外部電路振蕩器和開關(guān)頻率根據(jù)公式在RT引腳與GND之間連接一個電阻，可以實現(xiàn)的正常開關(guān)頻率: fsw =7-X100J-5OLP trip I.9V9vccOVP Level-UVLO(on) UVLO(o-ff)OUTpiSwitc KingNon-S witchi ngSwitchingOVP TripodFig. 18故障保護(hù)LD7575已經(jīng)實施了很多的保護(hù)功能，以防止LD7575引腳開路或短路狀態(tài)的單 故障條件而造成電源或適配器的損壞。在下面列出的條件下，為保護(hù)電源電路, 門輸出將被立即關(guān)閉：RT引腳對地

13、短路RT引腳懸空CS引腳懸空的引腳上的下拉電阻MOSFET GATELD7575的OUT引腳輸出加上 一個定值電阻，以防止輸出的不確定狀態(tài)，這種不確定狀態(tài)可能導(dǎo)致MOSFET的 工作異?；蛘咤e誤觸發(fā)。然而，這樣的設(shè)計將不包括柵極電阻RG脫節(jié)的狀況， 因此仍然強(qiáng)烈建議在MOSFET柵極端子（如圖19所示）連接一個電阻從而在故障 條件下的提供額外的保護(hù)。這種外部下拉電阻是為了防止在柵極電阻沒有連接情況下上電時MOSFET不受損 壞。在這種單一故障狀態(tài)，如在圖21所示，電阻R8可以提供一個放電通路，以 避免MOSFET被通過gate-to-drai n電容Cg的電流虛假觸發(fā)。因此，MOSFET始 終

14、是下拉，并保持在關(guān)閉狀態(tài)，無論柵極電阻斷開或在任何情況下打開。Without this resistor, the MOSFET will be false triggered by the current through Cgd If Rg teFig. 20LD787S is wrth an internal pulWow resistor to prevent iiny (looting condition Fig. 19的支路上白勺保護(hù)電阻HiV在一些其他的Hi-v的工藝和設(shè)計，有可能 導(dǎo)致HV引腳，VCC和GND之間存在寄生SCR （晶閘管）。如圖21所示，HV引腳 上的一個小負(fù)尖峰

15、可能會觸發(fā)這種寄生SCR,導(dǎo)致VCC和GND之間的閉鎖。這種 閉鎖的行為會引起等效短路，所以這種閉鎖很容易損壞芯片。因為Leadtrend專有的Hi- V技術(shù)，LD7575不存在這樣的的寄生SCR。圖22顯 示了 LD7575的Hi -V結(jié)構(gòu)的等效電路，因此，LD7575有比同類產(chǎn)品更高的性 能維持負(fù)電壓。然而，我們建議在Hi-V的路徑上接一個10kQ電阻，從而在任 何情況下當(dāng)施加負(fù)電壓時，此電阻會發(fā)揮一個限流電阻的作用。KV弓I腳上的一亍小ft尖峰可“合制這和寄 生SCR.導(dǎo)致兀邙0肋之間的閉鎖用Y勰黑讓容霹節(jié)壞丙F 22參考應(yīng)用電路（）適配器10W5V/2A引腳0.1 sw,當(dāng)Pout =

16、ow 且 V i n=264Vac77TRGBSOP-8BOMP/NCoinponeiit ValueOriginalRIAN/ARIBN/AR4A39KQ 1206R4B39KQ. 1206R622fif 1206R710Q. 1206R810KH. 1206R910KO. 1206RS1270, 1206, 1%RS22 7Q, 1206,1%RT100KQ 0806. 1%R51A100Q. 1206R51B100Q. 1206R522.49KQ. 0805.1%R532 49KQ. 0805. 1%R54100Q 0805R551KQ 0806R56A27KQ, 1206R568N/A

17、NTC15Q. 3A08SP005FL120mHUU9.8T1EI-22L512.7fiHP/NComponent ValueNvteC122jiF. 400VL-tecC222屮 50Vl2CC4lOOOpF, 1000, 1206HdystoneC60.01 pF, 16V, 0805C511000pF, 50V, 0805C521000nF. 10VL-tecC54470nF. 10VL-tecC550 022PFJ6V.0805CXIO.I.HFXY合pCY12200pFY心pD1A1N4007D1B1N4007D1C1N4007D1D1N40O7D2PS102RD41N4007Q12N60B600V, 2ACR51SB540ZD516V2CIC1LD7575PSSOP-8IC2EL8I7BIC51TL4311%F1250V 1AZ1N丿A封裝信息匸DDimensions in MillimetersDimensions in InchSymbolsMINMAXMIHMAXA4.8015.0040.1890.197B3.8103.9880.150Q.1&7C1.34617530.0530.069D0.3300.5080.0130.020F1.1941.3460.0470.053H0.1780.2290.0070.00910.1020.2540.0040.010J5.791