電力電子器件應(yīng)用共性問題

1、第第9章章 電力電子器件應(yīng)用的共性問題電力電子器件應(yīng)用的共性問題 9.1 電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的驅(qū)動(dòng) 9.2 電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的保護(hù) 9.3 電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用 本章小結(jié)本章小結(jié)2/26本章要點(diǎn)本章要點(diǎn)本章要點(diǎn)本章要點(diǎn) 對(duì)電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路的基本要求。對(duì)電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路的基本要求。 在驅(qū)動(dòng)電路中實(shí)現(xiàn)電力電子主電路和控制電路電氣隔離的基本方在驅(qū)動(dòng)電路中實(shí)現(xiàn)電力電子主電路和控制電路電氣隔離的基本方 法和原理。法和原理。 對(duì)晶閘管觸發(fā)電路的基本要求以及典型觸發(fā)電路的基本原理。對(duì)晶閘管觸發(fā)電路的基本要求以及典型觸發(fā)電路的基本原

2、理。 對(duì)電力對(duì)電力MOSFET和和IGBT等全控型器件驅(qū)動(dòng)電路的基本要求以及典等全控型器件驅(qū)動(dòng)電路的基本要求以及典 型驅(qū)動(dòng)電路的基本原理。型驅(qū)動(dòng)電路的基本原理。 電力電子器件過電壓的產(chǎn)生原因和過電壓保護(hù)的主要方法及原理。電力電子器件過電壓的產(chǎn)生原因和過電壓保護(hù)的主要方法及原理。 電力電子器件過電流保護(hù)的主要方法及原理。電力電子器件過電流保護(hù)的主要方法及原理。 電力電子器件緩沖電路的概念、分類、典型電路。電力電子器件緩沖電路的概念、分類、典型電路。 電力電子器件串聯(lián)和并聯(lián)使用的目的、基本要求以及具體注意事電力電子器件串聯(lián)和并聯(lián)使用的目的、基本要求以及具體注意事 項(xiàng)。項(xiàng)。3/269.1 電力電子器

3、件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的驅(qū)動(dòng) 9.1.1 電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述 9.1.2 晶閘管的觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路 9.1.3 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路 4/269.1.1 電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路 是電力電子主電路與控制電路之間的是電力電子主電路與控制電路之間的接口接口。 良好的驅(qū)動(dòng)電路使電力電子器件工作在較理想的良好的驅(qū)動(dòng)電路使電力電子器件工作在較理想的開關(guān)開關(guān)狀態(tài)狀態(tài)，縮短開關(guān)時(shí)間，減小開關(guān)損耗。，縮短開關(guān)時(shí)間，減小開關(guān)損耗。 對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全

4、性都有重要的意義。 一些保護(hù)措施也往往設(shè)在驅(qū)動(dòng)電路中，或通過驅(qū)動(dòng)電一些保護(hù)措施也往往設(shè)在驅(qū)動(dòng)電路中，或通過驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)。路實(shí)現(xiàn)。驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù)驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù) 按控制目標(biāo)的要求給器件施加按控制目標(biāo)的要求給器件施加開通開通或或關(guān)斷關(guān)斷的信號(hào)。的信號(hào)。 對(duì)半控型器件只需提供開通控制信號(hào)；對(duì)全控型器件對(duì)半控型器件只需提供開通控制信號(hào)；對(duì)全控型器件則既要提供開通控制信號(hào)，又要提供關(guān)斷控制信號(hào)。則既要提供開通控制信號(hào)，又要提供關(guān)斷控制信號(hào)。5/269.1.1 電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環(huán)節(jié)，一般采用驅(qū)動(dòng)電路還要提供控制電路與主電路

5、之間的電氣隔離環(huán)節(jié)，一般采用光隔光隔離離或或磁隔離磁隔離。 光隔離一般采用光耦合器光隔離一般采用光耦合器 光耦合器由發(fā)光二極管和光敏晶體管組成，封裝在一個(gè)外殼內(nèi)。光耦合器由發(fā)光二極管和光敏晶體管組成，封裝在一個(gè)外殼內(nèi)。 有有普通普通、高速高速和和高傳輸比高傳輸比三種類型。三種類型。 磁隔離的元件通常是脈沖變壓器磁隔離的元件通常是脈沖變壓器 ERERERa)b)c)UinUoutR1ICIDR1R1圖圖9-1 光耦合器的類型及接法光耦合器的類型及接法a) 普通型普通型 b) 高速型高速型 c) 高傳輸比型高傳輸比型 6/269.1.1 電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路的分

6、類驅(qū)動(dòng)電路的分類 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)，可以將電力電子器件分為信號(hào)的性質(zhì)，可以將電力電子器件分為電流驅(qū)動(dòng)型電流驅(qū)動(dòng)型和和電電壓驅(qū)動(dòng)型壓驅(qū)動(dòng)型兩類。兩類。 晶閘管的驅(qū)動(dòng)電路常稱為觸發(fā)電路。晶閘管的驅(qū)動(dòng)電路常稱為觸發(fā)電路。 驅(qū)動(dòng)電路具體形式可為驅(qū)動(dòng)電路具體形式可為分立元件分立元件的，但目前的趨勢(shì)是采的，但目前的趨勢(shì)是采用專用用專用集成驅(qū)動(dòng)電路集成驅(qū)動(dòng)電路。 雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內(nèi)的雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內(nèi)的混合集成電路。混合集成電路。 為達(dá)到參數(shù)最佳配合，首選所用器件生產(chǎn)廠家

7、專門開為達(dá)到參數(shù)最佳配合，首選所用器件生產(chǎn)廠家專門開發(fā)的集成驅(qū)動(dòng)電路。發(fā)的集成驅(qū)動(dòng)電路。7/269.1.2 晶閘管的觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路圖圖9-3 常見的晶閘管觸發(fā)電路常見的晶閘管觸發(fā)電路常見的晶閘管觸發(fā)電路常見的晶閘管觸發(fā)電路 由由V2、V3構(gòu)成的構(gòu)成的脈沖放大環(huán)脈沖放大環(huán)節(jié)節(jié)和脈沖變壓器和脈沖變壓器TM和附屬電路構(gòu)和附屬電路構(gòu)成的成的脈沖輸出環(huán)節(jié)脈沖輸出環(huán)節(jié)兩部分組成。兩部分組成。 當(dāng)當(dāng)V1、V2導(dǎo)通時(shí)，通過脈沖導(dǎo)通時(shí)，通過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰極之變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。間輸出觸發(fā)脈沖。 VD1和和R3是為了是為了V2、V3由導(dǎo)由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)脈沖變壓器通變

8、為截止時(shí)脈沖變壓器TM釋放釋放其儲(chǔ)存的能量而設(shè)的。其儲(chǔ)存的能量而設(shè)的。 為了獲得觸發(fā)脈沖波形中的為了獲得觸發(fā)脈沖波形中的強(qiáng)脈沖部分，還需適當(dāng)附加其它強(qiáng)脈沖部分，還需適當(dāng)附加其它電路環(huán)節(jié)。電路環(huán)節(jié)。 8/269.1.3 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路tOibGTR 開通的基極驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)使其處于開通的基極驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)使其處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)通狀態(tài)，使之不進(jìn)入放大區(qū)和深飽和區(qū)。，使之不進(jìn)入放大區(qū)和深飽和區(qū)。 關(guān)斷時(shí)，施加一定的負(fù)基極電流有利于減關(guān)斷時(shí)，施加一定的負(fù)基極電流有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗，關(guān)斷后同樣應(yīng)在基射小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗，關(guān)斷后同樣應(yīng)在基射極之間施加一定幅值（

9、極之間施加一定幅值（6V左右）的負(fù)偏壓。左右）的負(fù)偏壓。 GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路的一種驅(qū)動(dòng)電路 包括包括電氣隔離電氣隔離和和晶體管放大電路晶體管放大電路兩部分。兩部分。驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)GTR的集成驅(qū)動(dòng)電路中，的集成驅(qū)動(dòng)電路中，THOMSON公公司的司的UAA4002和三菱公司的和三菱公司的M57215BL較為常較為常見。見。圖圖9-6 理想的理想的GTR基極驅(qū)動(dòng)電流波形基極驅(qū)動(dòng)電流波形VD1AVVS0V+10V+15VV1VD2VD3VD4V3V2V4V5V6R1R2R3R4R5C1C2圖圖9-7 GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路的一種驅(qū)動(dòng)電路 9/269.1.3 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路圖

10、圖9-8 電力電力MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路的一種驅(qū)動(dòng)電路電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路 電力電力MOSFET和和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。 電力電力MOSFET 專為驅(qū)動(dòng)電力專為驅(qū)動(dòng)電力MOSFET而設(shè)計(jì)的混合集成而設(shè)計(jì)的混合集成電路有三菱公司的電路有三菱公司的M57918L，其輸入信號(hào)電，其輸入信號(hào)電流幅值為流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為，輸出最大脈沖電流為+2A和和-3A，輸出驅(qū)動(dòng)電壓，輸出驅(qū)動(dòng)電壓+15V和和-10V。 10/269.1.3 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路圖圖9-9 M57962L型型IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理和接線

11、圖驅(qū)動(dòng)器的原理和接線圖 IGBT 多采用專用的多采用專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器混合集成驅(qū)動(dòng)器，常用的有，常用的有三菱公司的三菱公司的M579系列（如系列（如M57962L和和M57959L）和富士公司的）和富士公司的EXB系列（如系列（如EXB840、EXB841、EXB850和和EXB851）。）。11/269.2 電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的保護(hù) 9.2.1 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù) 9.2.2 過電流保護(hù)過電流保護(hù) 9.2.3 緩沖電路緩沖電路12/269.2.1 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)過電壓分為過電壓分為外因過電壓外因過電壓和和內(nèi)因過電壓

12、內(nèi)因過電壓兩類。兩類。 外因過電壓主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外部原外因過電壓主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外部原 因，包括因，包括 操作過電壓操作過電壓：由分閘、合閘等開關(guān)操作引起的過電壓。：由分閘、合閘等開關(guān)操作引起的過電壓。 雷擊過電壓雷擊過電壓：由雷擊引起的過電壓。：由雷擊引起的過電壓。內(nèi)因過電壓主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過內(nèi)因過電壓主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過 程，包括程，包括 換相過電壓換相過電壓：晶閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管：晶閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后，反向電流急劇減小，會(huì)由線路電感在在換相結(jié)束后，反向電流急劇減小，會(huì)由線路電感在器

13、件兩端感應(yīng)出過電壓。器件兩端感應(yīng)出過電壓。 關(guān)斷過電壓關(guān)斷過電壓：全控型器件在較高頻率下工作，當(dāng)器件：全控型器件在較高頻率下工作，當(dāng)器件關(guān)斷時(shí)，因正向電流的迅速降低而由線路電感在器件關(guān)斷時(shí)，因正向電流的迅速降低而由線路電感在器件兩端感應(yīng)出的過電壓。兩端感應(yīng)出的過電壓。 13/269.2.1 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)圖圖9-10過電壓抑制措施及配置位置過電壓抑制措施及配置位置F避雷器避雷器D變壓器靜電屏蔽層變壓器靜電屏蔽層C靜電感應(yīng)過電壓抑制電容靜電感應(yīng)過電壓抑制電容RC1閥側(cè)閥側(cè)浪涌過電壓抑制用浪涌過電壓抑制用RC電路電路RC2閥側(cè)浪涌過電壓抑制用反向阻斷式閥側(cè)浪涌過電

14、壓抑制用反向阻斷式RC電路電路RV壓敏電阻過電壓抑制器壓敏電阻過電壓抑制器RC3閥器件換相過電壓抑制用閥器件換相過電壓抑制用RC電路電路RC4直直流側(cè)流側(cè)RC抑制電路抑制電路RCD閥器件關(guān)斷過電壓抑制用閥器件關(guān)斷過電壓抑制用RCD電路電路各電力電子裝置可視具體情況只采用其中的幾種。各電力電子裝置可視具體情況只采用其中的幾種。 14/269.2.1 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)圖圖9-11 RC過電壓抑制電路聯(lián)結(jié)方式過電壓抑制電路聯(lián)結(jié)方式a)單相單相b)三相三相圖圖9-12反向阻斷式過電壓抑制用反向阻斷式過電壓抑制用RC電路電路抑制外因過電壓來采用抑制外因過電壓來采用RC過電

15、壓抑制電路。過電壓抑制電路。對(duì)大容量的電力電子裝置，可采用圖對(duì)大容量的電力電子裝置，可采用圖9-12所示的所示的反向阻斷式反向阻斷式RC電路。電路。采用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉(zhuǎn)折二極管（采用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉(zhuǎn)折二極管（BOD）等非線性元器件來限制或吸收過電壓也是較常用的措施。等非線性元器件來限制或吸收過電壓也是較常用的措施。 15/269.2.2 過電流保護(hù)過電流保護(hù)圖圖9-13 過電流保護(hù)措施及配置位置過電流保護(hù)措施及配置位置過電流分過載和短路兩種情況。過電流分過載和短路兩種情況。 過電流保護(hù)措施及其配置位置過電流保護(hù)措施及其配置位置 快速熔斷器快速熔斷

16、器、直流快速斷路器直流快速斷路器和和過電流繼電器過電流繼電器是較為常用的措施，一般電是較為常用的措施，一般電力電子裝置均同時(shí)采用幾種過電流保護(hù)措施，以提高保護(hù)的可靠性和合理性。力電子裝置均同時(shí)采用幾種過電流保護(hù)措施，以提高保護(hù)的可靠性和合理性。 通常，電子電路作為第一保護(hù)措施，快熔僅作為短路時(shí)的部分區(qū)段的保護(hù)，通常，電子電路作為第一保護(hù)措施，快熔僅作為短路時(shí)的部分區(qū)段的保護(hù)，直流快速斷路器整定在電子電路動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù)，過電流繼電器整定在過載直流快速斷路器整定在電子電路動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù)，過電流繼電器整定在過載時(shí)動(dòng)作。時(shí)動(dòng)作。 16/269.2.2 過電流保護(hù)過電流保護(hù)快速熔斷器（簡(jiǎn)稱快熔）快速

17、熔斷器（簡(jiǎn)稱快熔） 是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過電流保是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過電流保護(hù)措施。護(hù)措施。 對(duì)重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備，或全控型器件，對(duì)重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備，或全控型器件，需采用需采用電子電子電路電路進(jìn)行過電流保護(hù)。進(jìn)行過電流保護(hù)。常在全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置常在全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置過電流保護(hù)環(huán)節(jié)過電流保護(hù)環(huán)節(jié)，器，器件對(duì)電流的件對(duì)電流的響應(yīng)是最快的。響應(yīng)是最快的。17/269.2.3 緩沖電路緩沖電路緩沖電路（緩沖電路（Snubber Circuit）又稱為吸收電路，其作用）又稱為吸收電路，其作用是抑制電力電子器件的是抑制電力電子

18、器件的內(nèi)因過電壓內(nèi)因過電壓、du/dt或者或者過電流過電流和和di/dt，減小器件的，減小器件的開關(guān)損耗開關(guān)損耗。分類分類 分為分為關(guān)斷緩沖電路關(guān)斷緩沖電路和和開通緩沖電路開通緩沖電路 關(guān)斷緩沖電路：又稱為關(guān)斷緩沖電路：又稱為du/dt抑制電路，用于吸收器抑制電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損，減小關(guān)斷損耗。耗。 開通緩沖電路：又稱為開通緩沖電路：又稱為di/dt抑制電路，用于抑制器抑制電路，用于抑制器件開通時(shí)的電流過沖和件開通時(shí)的電流過沖和di/dt，減小器件的開通損耗。，減小器件的開通損耗。 復(fù)合緩沖電路：關(guān)斷緩沖電路和開

19、通緩沖電路結(jié)合復(fù)合緩沖電路：關(guān)斷緩沖電路和開通緩沖電路結(jié)合在一起。在一起。 還可分為還可分為耗能式緩沖電路耗能式緩沖電路和和饋能式緩沖電路饋能式緩沖電路 耗能式緩沖電路耗能式緩沖電路 ：緩沖電路中儲(chǔ)能元件的能量消耗：緩沖電路中儲(chǔ)能元件的能量消耗在其吸收電阻上。在其吸收電阻上。 通常將緩沖電路專指關(guān)斷緩沖電路，而將開通緩沖電通常將緩沖電路專指關(guān)斷緩沖電路，而將開通緩沖電路區(qū)別叫做路區(qū)別叫做di/dt抑制電路。抑制電路。 18/269.2.3 緩沖電路緩沖電路b)tuCEiCOd idt抑制電路時(shí)無didt抑制電路時(shí)有有緩沖電路時(shí)無緩沖電路時(shí)uCEiC圖圖9-14di/dt抑制電路和充放電型抑制電

20、路和充放電型RCD緩沖電路及波形緩沖電路及波形a) 電路電路 b) 波形波形緩沖電路緩沖電路 圖圖9-14a給出的是一種緩給出的是一種緩沖電路和沖電路和di/dt抑制電路的電抑制電路的電路圖。路圖。 在無緩沖電路的情況下，在無緩沖電路的情況下，di/dt很大，關(guān)斷時(shí)很大，關(guān)斷時(shí)du/dt很大，很大，并出現(xiàn)很高的過電壓，如圖并出現(xiàn)很高的過電壓，如圖9-14b。 在有緩沖電路的情況下在有緩沖電路的情況下 V開通時(shí)，開通時(shí)，Cs先通過先通過Rs向向V放電，使放電，使iC先上一個(gè)先上一個(gè)臺(tái)階，以后因?yàn)榕_(tái)階，以后因?yàn)長(zhǎng)i的作用，的作用，iC的上升速度減慢。的上升速度減慢。 19/269.3 電力電子器件

21、的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用 9.3.1 晶閘管的串聯(lián)晶閘管的串聯(lián) 9.3.2 晶閘管的并聯(lián)晶閘管的并聯(lián) 9.3.3 電力電力MOSFET的并聯(lián)和的并聯(lián)和IGBT的并聯(lián)的并聯(lián)20/269.3.1 晶閘管的串聯(lián)晶閘管的串聯(lián)圖圖9-17 晶閘管的串聯(lián)晶閘管的串聯(lián)a)伏安特性差異伏安特性差異b)串聯(lián)均壓措施串聯(lián)均壓措施對(duì)較大型的電力電子裝置，當(dāng)單個(gè)對(duì)較大型的電力電子裝置，當(dāng)單個(gè)電力電子器件的電壓或電流定額不能電力電子器件的電壓或電流定額不能滿足要求時(shí)，往往需要滿足要求時(shí)，往往需要將電力電子器將電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)件串聯(lián)或并聯(lián)起來工作，或者起來工作，或者將電力將電力電子裝置串

22、聯(lián)或并聯(lián)電子裝置串聯(lián)或并聯(lián)起來工作。起來工作。 晶閘管的串聯(lián)晶閘管的串聯(lián) 當(dāng)晶閘管的當(dāng)晶閘管的額定電壓額定電壓小于實(shí)際要小于實(shí)際要求時(shí)，可以用兩個(gè)以上同型號(hào)器件相求時(shí)，可以用兩個(gè)以上同型號(hào)器件相串聯(lián)。串聯(lián)。 靜態(tài)不均壓?jiǎn)栴}靜態(tài)不均壓?jiǎn)栴} 由于器件靜態(tài)特性不同而造成由于器件靜態(tài)特性不同而造成的均壓?jiǎn)栴}。的均壓?jiǎn)栴}。 為達(dá)到靜態(tài)均壓，首先應(yīng)選用為達(dá)到靜態(tài)均壓，首先應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的器件，此外可參數(shù)和特性盡量一致的器件，此外可以以采用電阻均壓采用電阻均壓。 Rp的阻值應(yīng)比任的阻值應(yīng)比任何一個(gè)器件阻斷何一個(gè)器件阻斷時(shí)的正、反向電時(shí)的正、反向電阻小得多阻小得多21/269.3.1 晶閘管的串聯(lián)晶

23、閘管的串聯(lián)圖圖9-17 晶閘管的串聯(lián)晶閘管的串聯(lián)a)伏安特性差異伏安特性差異b)串聯(lián)均壓措施串聯(lián)均壓措施對(duì)較大型的電力電子裝置，當(dāng)單個(gè)對(duì)較大型的電力電子裝置，當(dāng)單個(gè)電力電子器件的電壓或電流定額不能電力電子器件的電壓或電流定額不能滿足要求時(shí)，往往需要滿足要求時(shí)，往往需要將電力電子器將電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)件串聯(lián)或并聯(lián)起來工作，或者起來工作，或者將電力將電力電子裝置串聯(lián)或并聯(lián)電子裝置串聯(lián)或并聯(lián)起來工作。起來工作。 晶閘管的串聯(lián)晶閘管的串聯(lián) 動(dòng)態(tài)不均壓?jiǎn)栴}動(dòng)態(tài)不均壓?jiǎn)栴} 由于器件動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性的差由于器件動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓?jiǎn)栴}。異造成的不均壓?jiǎn)栴}。 為達(dá)到動(dòng)態(tài)均壓，同樣首先應(yīng)為達(dá)到動(dòng)態(tài)

24、均壓，同樣首先應(yīng)選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件，選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件，另外還可以另外還可以用用RC并聯(lián)支路作動(dòng)態(tài)均并聯(lián)支路作動(dòng)態(tài)均壓壓；對(duì)于晶閘管來講，；對(duì)于晶閘管來講，采用門極強(qiáng)脈采用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以顯著減小器件開通時(shí)間上沖觸發(fā)可以顯著減小器件開通時(shí)間上的差異的差異。 Rp的阻值應(yīng)比任的阻值應(yīng)比任何一個(gè)器件阻斷何一個(gè)器件阻斷時(shí)的正、反向電時(shí)的正、反向電阻小得多阻小得多22/269.3.2 晶閘管的并聯(lián)晶閘管的并聯(lián)晶閘管的并聯(lián)晶閘管的并聯(lián) 大功率晶閘管裝置中，常用多個(gè)器件并聯(lián)來承大功率晶閘管裝置中，常用多個(gè)器件并聯(lián)來承擔(dān)擔(dān)較大的電流較大的電流。 晶閘管并聯(lián)就會(huì)分別因晶閘管并聯(lián)就會(huì)分別因靜態(tài)靜態(tài)和和動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)特性參數(shù)的特性參數(shù)的差異而存在電流分配不均勻的問題。差異而存在電流分配不均勻的問題。 均流的首要措施是挑選特性參數(shù)盡量一致的器均流的首要措施是挑選特性參數(shù)盡量一致的器件，此外還可以采用件，此外還可以采用均流電抗器均流電抗器；同樣，用門極；同樣，用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)也有助于動(dòng)態(tài)均流。強(qiáng)脈沖觸發(fā)也有助于動(dòng)態(tài)均流。 當(dāng)需要同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí)，通常采用當(dāng)需要同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí)，通常采用先先串后并串后并的方法聯(lián)接。的方法聯(lián)接。 23/269.3.3 電力電力MOSFET的并聯(lián)和的并聯(lián)和IGBT的并聯(lián)的并聯(lián)電力電力MOSFET的并聯(lián)的并聯(lián) Ron具有具有正溫度系數(shù)正溫