王琳數(shù)字邏輯與數(shù)字系統(tǒng)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理_第1頁(yè)
王琳數(shù)字邏輯與數(shù)字系統(tǒng)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理_第2頁(yè)
王琳數(shù)字邏輯與數(shù)字系統(tǒng)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理_第3頁(yè)
王琳數(shù)字邏輯與數(shù)字系統(tǒng)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理_第4頁(yè)
王琳數(shù)字邏輯與數(shù)字系統(tǒng)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩16頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、 si si si si價(jià)電子價(jià)電子這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。空穴空穴自由電子自由電子 si si si sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)失去一個(gè)電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差濃度差 擴(kuò)散的結(jié)果使擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬??臻g電荷區(qū)變寬??臻g電荷區(qū)也稱空間電荷區(qū)也稱 pn 結(jié)結(jié) +動(dòng)畫動(dòng)畫形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)pn 結(jié)變窄結(jié)變窄 p接正、接正、n接負(fù)接負(fù) 外電場(chǎng)外電場(chǎng)if內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)pn+動(dòng)畫動(dòng)畫+動(dòng)畫動(dòng)畫+ 內(nèi)電場(chǎng)被加內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng),少子

2、的漂強(qiáng),少子的漂移加強(qiáng),由于移加強(qiáng),由于少子數(shù)量很少,少子數(shù)量很少,形成很小的反形成很小的反向電流。向電流。ir動(dòng)畫動(dòng)畫+nnpbecbecibieicbecibieicbecnnpebrbecieibeiceicboib=020 a40 a60 a80 a100 a常常數(shù)數(shù) b)(ceciufi36ic(ma )1234uce(v)912o放大區(qū)放大區(qū)o漏極漏極d金屬電極金屬電極柵極柵極g源極源極ssio2絕緣層絕緣層p p型硅襯底型硅襯底 高摻雜高摻雜n區(qū)區(qū)gsd 由于柵極是絕緣的,柵極電流幾乎為零,輸入由于柵極是絕緣的,柵極電流幾乎為零,輸入電阻很高,最高可達(dá)電阻很高,最高可達(dá)1014

3、。漏極漏極d金屬電極金屬電極柵極柵極g源極源極ssio2絕緣層絕緣層p p型硅襯底型硅襯底 高摻雜高摻雜n區(qū)區(qū) 由于金屬柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層目前常用由于金屬柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層目前常用二氧化硅,故又稱金屬二氧化硅,故又稱金屬- -氧化物氧化物- -半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱mos場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管。egp型硅襯底型硅襯底n+n+gsd+ugsed+ 由結(jié)構(gòu)圖可見由結(jié)構(gòu)圖可見,n+型漏區(qū)和型漏區(qū)和n+型源區(qū)之間被型源區(qū)之間被p型型襯底隔開,漏極和源極之間是兩個(gè)背靠背的襯底隔開,漏極和源極之間是兩個(gè)背靠背的pn結(jié)結(jié)。 當(dāng)柵源電壓當(dāng)柵源電壓ugs = 0 時(shí)時(shí),不管漏極和源極之

4、間所不管漏極和源極之間所加電壓的極性如何,其加電壓的極性如何,其中總有一個(gè)中總有一個(gè)pn結(jié)是反向結(jié)是反向偏置的,反向電阻很高,偏置的,反向電阻很高,漏極電流近似為零漏極電流近似為零。sdegp型硅襯底型硅襯底n+n+gsd+ugsed+ 當(dāng)當(dāng)ugs 0 時(shí),時(shí),p p型襯底中的電子受到電場(chǎng)力的吸型襯底中的電子受到電場(chǎng)力的吸引到達(dá)表層,填補(bǔ)空穴形成負(fù)離子的耗盡層;引到達(dá)表層,填補(bǔ)空穴形成負(fù)離子的耗盡層;n型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)電溝道egp型硅襯底型硅襯底n+n+gsd+ugsed+n型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)電溝道當(dāng)當(dāng)ugs ugs(th(th)后,場(chǎng)后,場(chǎng)效應(yīng)管才形成導(dǎo)電溝道,效應(yīng)管才形成導(dǎo)電溝道,開始導(dǎo)通,開始

5、導(dǎo)通,若漏若漏源之間源之間加上一定的電壓加上一定的電壓uds,則,則有漏極電流有漏極電流id產(chǎn)生。在產(chǎn)生。在一定的一定的uds下下漏極電流漏極電流id的大小與柵源電壓的大小與柵源電壓ugs有有關(guān)。所以,場(chǎng)效應(yīng)管是關(guān)。所以,場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制電流的器一種電壓控制電流的器件。件。 在一定的漏在一定的漏源電壓源電壓uds下,使管子由不導(dǎo)通變下,使管子由不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開啟電壓為導(dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開啟電壓ugs(thth)。有導(dǎo)電溝道有導(dǎo)電溝道無導(dǎo)電無導(dǎo)電溝道溝道udsugs/id/mauds/vo ougs= 1vugs= 2vugs= 3vugs= 4vn型襯底型襯底p+p+gsd符號(hào):符號(hào):結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)sio2絕

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論