前后清洗總結(jié)

1、 前后清洗總結(jié) 前清洗【清洗制絨】一、制絨流程單晶：預(yù)處理制絨（NaOH）酸洗（HF，HCL）熱水慢提拉熱水烘干多晶：制絨漂洗堿洗漂洗酸洗漂洗烘干二、原理單晶：利用堿（NaOH)、異丙醇（IPA）與睡的混合液對(duì)單晶硅片的各項(xiàng)異性腐蝕，在表面形成類似“金字塔”狀的絨面，有效增加硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收，從而提高光生電流密度。多晶：由于多晶晶體排列雜亂，無(wú)法利用堿液對(duì)硅晶體的各項(xiàng)異性腐蝕進(jìn)行制絨，所以要用酸溶液對(duì)硅晶體進(jìn)行各項(xiàng)同性腐蝕。即通過硝酸與氫氟酸的混合溶液對(duì)硅片表面腐蝕進(jìn)行制絨。三、影響制絨面質(zhì)量的關(guān)鍵因素單晶：堿的濃度、反應(yīng)溫度、添加劑濃度、IPA濃度、NaSiO3濃度、體系流動(dòng)性、硅片表

2、面原始狀態(tài)。多晶：HF濃度、制絨溫度、腐蝕時(shí)間、制絨液壽命、反應(yīng)連續(xù)性、HNO3濃度、溶液流動(dòng)性、原硅片表面損傷層狀態(tài)。四、監(jiān)控手段單晶：減薄量、反射率、絨面尺寸、顏色一致性、擴(kuò)散后外觀多晶：減薄量、反射率、網(wǎng)紋等級(jí)、擴(kuò)散后外觀五、用到的化學(xué)品單晶：NaOH、HF，HCL（酸洗）、IPA（異丙醇）多晶：NaOH（堿洗）、HCL+HF（酸洗）、HNO3（硝酸）六、硅片表面處理的目的1、去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來(lái)自硅棒切割的物理?yè)p傷）2、清楚表面油污和金屬雜質(zhì)3、形成起伏不平的絨面，增加對(duì)太陽(yáng)光的吸收，增加PN結(jié)面積，提高短路電流（ISC),最終提高電池轉(zhuǎn)換效率。七、預(yù)處理目的：去除硅片表面的機(jī)

3、械損傷層，油污等，減少白斑、白點(diǎn)的產(chǎn)生，為制絨創(chuàng)造一個(gè)良好的反應(yīng)環(huán)境。漂洗：利用去離子水將硅片表面的殘留化學(xué)品漂洗干凈。八、單晶堿制絨會(huì)出現(xiàn)哪些不良及相應(yīng)處理色差：由于反應(yīng)速率不一致引起的絨面大小不一。發(fā)白：表面清洗劑殘留阻礙反應(yīng)，而發(fā)白部分絨面極小。劃痕：切片損傷指紋?。褐饕獮椴僮鲉栴}及所使用的手套問題。雨點(diǎn)：反應(yīng)較快，產(chǎn)生的氫氣泡不能及時(shí)排出。9、 前后清洗有哪些槽制絨槽、堿洗槽、酸洗槽。10、 影響腐蝕量的因素溶液溫度、反應(yīng)時(shí)間、溶液濃度。后清洗【刻蝕】1、 刻蝕目的去除擴(kuò)散后硅片四周的N型硅，防止漏電。2、 原理：SiO2+6HFH2SiF6+2H2O在擴(kuò)散工藝中，在硅片表面形成一種含

4、有磷元素的二氧化硅磷硅玻璃，利用HF能夠溶解二氧化硅的特性，溶解表面的二氧化硅和磷的混合物，使得硅片表面上下絕緣，防止漏電。3、 工藝流程上料刻蝕水洗堿洗水洗酸洗水洗風(fēng)干下料4、 刻蝕所用的化學(xué)品硝酸（HNO3）、氫氟酸（HF）、硫酸（H2SO4）、氫氧化鈉（NaOH）5、 各槽的作用刻蝕槽：硝酸將硅氧化生成二氧化硅，氫氟酸與二氧化硅的反應(yīng)生成物進(jìn)入溶液，硫酸不參加反應(yīng)，增大溶液的粘度，增大溶液與PSG薄層間的張力和溶液的密度。堿槽：中和硅片殘留的酸液，去除多孔硅。HF槽：去磷硅玻璃、中和硅片表面殘留的堿液。水洗槽：洗去硅片表明殘留液。6、 去磷硅玻璃（P、P2O5、SiO2）目的：磷硅玻璃的

5、存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減。：死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會(huì)導(dǎo)致少子壽命的降低，進(jìn)而降低了VOC和ISC。磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。7、 質(zhì)量控制點(diǎn)1、 減薄量（一天測(cè)一次）a、 前清洗（制絨前-制絨后）單：0.450.78g多：0.360.42gb、后清洗（刻蝕前-刻蝕后）單：0.050.07g多：0.060.08g2、 反射率（一天測(cè)多次）單：10.3511.65（一天測(cè)三次，一次拿三片）（4、5、7、8、10）多：24.526.5（一天測(cè)五次，一次拿五片）3、 邊阻（一次）1.5K 正常0.8K1.5K調(diào)整 0.8K停產(chǎn)注：前清洗

6、要測(cè)減薄和反射率 后清洗要測(cè)減薄和邊阻值擴(kuò)散學(xué)習(xí)報(bào)告1、 擴(kuò)散的目的：形成PN結(jié)PN結(jié)的制造：不是兩塊P型和N型的半導(dǎo)體接觸必須使一塊完整的半導(dǎo)體晶體的一部分是P型區(qū)域，一部分是N型區(qū)域在晶體內(nèi)部實(shí)現(xiàn)P型和N型半導(dǎo)體的接觸2、 影響擴(kuò)散的因素(1) POCl3濃度 （2）擴(kuò)散溫度 （3）擴(kuò)散時(shí)間N型區(qū)域磷濃度和擴(kuò)散結(jié)深共同決定著方塊電阻的大小方塊電阻：表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。即是反映擴(kuò)散層質(zhì)量是否符合設(shè)計(jì)要求的重要工藝指標(biāo)之一。標(biāo)志擴(kuò)散到半導(dǎo)體中的雜質(zhì)總量的一個(gè)重要指數(shù)。3、 擴(kuò)散的原理（三氯氧磷在600高溫下分解生成五氯化磷和五氧化二磷）化學(xué)反應(yīng)：POCl3在高溫下（

7、600）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5)4、 擴(kuò)散的操作流程上料插片進(jìn)舟擴(kuò)散推舟在線測(cè)方塊電阻卸片。注：測(cè)試如有偏差，按工藝規(guī)定在四探針測(cè)試儀上進(jìn)行離線測(cè)試，如離線測(cè)試確認(rèn)偏差應(yīng)及時(shí)反饋技術(shù)進(jìn)行調(diào)整。5、 測(cè)量方塊電阻方法：在線測(cè)試儀器Semilab 離線測(cè)試儀器四探針測(cè)試儀如果發(fā)現(xiàn)方阻不正常的片子該怎么做？超OOC（控制限）反饋技術(shù)調(diào)整超OOS(規(guī)范限）反饋技術(shù)6、 擴(kuò)散的工藝多晶UNIF90A中心值905 警戒線80和100單晶MONO70B中心值805 警戒線70和90超OOC，反饋技術(shù)調(diào)整，并跟蹤調(diào)整的結(jié)果。超OOS，反饋技術(shù)若需換源手動(dòng)則可流入下道工序，若其他原因

8、則返工。7、 單多晶擴(kuò)散返工挑選標(biāo)準(zhǔn)單晶：方阻異常和嚴(yán)重?zé)?、石英舟舟印、卡齒印多晶：方阻超范圍、擴(kuò)散不完全或燒焦。注：常用的擴(kuò)散方法有三種我公司采用三氯氧磷（P0Cl3）液態(tài)源擴(kuò)散方式。巡檢在擴(kuò)散過程中抽測(cè)時(shí)應(yīng)注意單晶和多晶、一二線、三四線、五六線的抽片順序。PECVD學(xué)習(xí)報(bào)告1、 PECVD：全稱為“Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositien”即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。解釋：PECVD是借助微波反射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。2、 目的：（一）鍍減反射薄膜可

9、以有效降低光的反射率。 （二）表面鈍化作用增加少子壽命，進(jìn)而增加3ISC和VOC。 即在表面形成一道膜，有助于在燒結(jié)中保護(hù)PN結(jié)。3、 原理：3SiH4+4HN3Si3N4+12H2沉積工藝中產(chǎn)生的H和氫離子使得晶片的氫鈍化性良好，根據(jù)改變硅烷（SiH4）對(duì)氨的比率，來(lái)得到不同的折射指標(biāo)。4、 工藝及折射率單晶L3、L4 SN2 2.070.04/0.05多晶L1、L2、L5、L6 N6 2.230.04/0.05五、PECVD異常案例分析1、 鍍膜后整舟色差片原因：舟使用次數(shù)超過工藝規(guī)定的使用次數(shù)措施：按工藝要求舟使用的次數(shù)或鍍膜出現(xiàn)差片時(shí)進(jìn)行清洗巡檢：關(guān)注舟使用次數(shù)，鍍膜后是否出現(xiàn)批量色差片 查看舟使用記錄，填寫是否規(guī)范 查看洗舟房石墨舟清洗記錄表記錄是否完善，清洗烘干時(shí)間是否按照工藝要求執(zhí)行，清洗吹干后是否進(jìn)行拆洗。2、 鍍膜出現(xiàn)整舟金黃片原因：返工片重新鍍膜，工藝時(shí)間輸入出錯(cuò)，造成二次鍍膜。措施：由于技術(shù)員輸入返工片的鍍膜時(shí)間巡檢：巡查時(shí)關(guān)注返工片的類型和