MOSFET與IGBT的區(qū)別

1、MOSFET與IGBT的區(qū)別MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng),IXYS有一款MOSFET,VMM1500-0075P(75V,1500A,0.55毫歐),這是電流最大的一款;電壓高的一款I(lǐng)XFN38N100Q2(1000V,38A)這個(gè)是目前推廣最多的產(chǎn)品,用于高頻感應(yīng)加熱. 2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFE

2、T可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品. 3,就其應(yīng)用,根據(jù)其特點(diǎn):MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源,鎮(zhèn)流器,高頻感應(yīng)加熱,高頻逆變焊機(jī),通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī),逆變器,變頻器,電鍍電解電源,超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域 開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開

3、關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?#160; SMPS的進(jìn)展一直以來(lái)，離線式SMPS產(chǎn)業(yè)由功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的功率元件發(fā)展所推動(dòng)。作為主要的功率開關(guān)器件IGBT、功率MOSFET和功率二極管正不斷改良，相應(yīng)地也是明顯地改善了SMPS的效率，減小了尺寸，重量和成本也隨之降低。由于器件對(duì)應(yīng)用性能的這種直接影響，SMPS設(shè)計(jì)人員必須比較不同半導(dǎo)體技術(shù)的各種優(yōu)缺點(diǎn)以優(yōu)化其設(shè)計(jì)

4、。例如，MOSFET一般在較低功率應(yīng)用及較高頻應(yīng)用（即功率<1000W及開關(guān)頻率100kHz）中表現(xiàn)較好，而IGBT則在較低頻及較高功率設(shè)計(jì)中表現(xiàn)卓越。為了做出真實(shí)的評(píng)估，筆者在SMPS應(yīng)用中比較了來(lái)自飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RJC，代表了功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)有的器件水平。導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外，IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見(jiàn)圖1）可看出，完全調(diào)節(jié)PNP BJT集電極基極區(qū)的少數(shù)載

5、流子所需的時(shí)間導(dǎo)致了導(dǎo)通電壓拖尾（voltage tail）出現(xiàn)。圖1 IGBT等效電路這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng)，使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下，在負(fù)載電流從組合封裝的反向并聯(lián)二極管轉(zhuǎn)換到 IGBT的集電極的瞬間，VCE電壓會(huì)上升。IGBT產(chǎn)品規(guī)格書中列出的Eon能耗是每一轉(zhuǎn)換周期Icollector與VCE乘積的時(shí)間積分，單位為焦耳，包含了與類飽和相關(guān)的其他損耗。其又分為兩個(gè)Eon能量參數(shù)，Eon1和Eon2。Eon1是沒(méi)有包括與硬開關(guān)二極管恢復(fù)損耗相關(guān)能耗的功率損耗；Eon2則包括了與二極管恢復(fù)

6、相關(guān)的硬開關(guān)導(dǎo)通能耗，可通過(guò)恢復(fù)與IGBT組合封裝的二極管相同的二極管來(lái)測(cè)量，典型的Eon2測(cè)試電路如圖2所示。IGBT通過(guò)兩個(gè)脈沖進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換來(lái)測(cè)量Eon。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測(cè)試電流，然后第二個(gè)脈沖會(huì)測(cè)量測(cè)試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。圖2 典型的導(dǎo)通能耗Eon和關(guān)斷能耗Eoff 測(cè)試電路在硬開關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)電壓和阻抗以及整流二極管的恢復(fù)特性決定了Eon開關(guān)損耗。對(duì)于像傳統(tǒng)CCM升壓PFC電路來(lái)說(shuō)，升壓二極管恢復(fù)特性在Eon (導(dǎo)通) 能耗的控制中極為重要。除了選擇具有最小Trr和QRR的升壓二極管之外，確保該二極管擁有軟恢復(fù)特性也非常重要。軟化度 (Soft

7、ness)，即tb/ta比率，對(duì)開關(guān)器件產(chǎn)生的電氣噪聲和電壓尖脈沖 (voltage spike) 有相當(dāng)?shù)挠绊?。某些高速二極管在時(shí)間tb內(nèi)，從IRM(REC)開始的電流下降速率(di/dt)很高，故會(huì)在電路寄生電感中產(chǎn)生高電壓尖脈沖。這些電壓尖脈沖會(huì)引起電磁干擾(EMI)，并可能在二極管上導(dǎo)致過(guò)高的反向電壓。在硬開關(guān)電路中，如全橋和半橋拓?fù)渲?，與IGBT組合封裝的是快恢復(fù)管或MOSFET體二極管，當(dāng)對(duì)應(yīng)的開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)二極管有電流經(jīng)過(guò)，因而二極管的恢復(fù)特性決定了Eon損耗。所以，選擇具有快速體二極管恢復(fù)特性的MOSFET十分重要，如飛兆半導(dǎo)體的FQA28N50F FRFETTM。不幸的是，MO

8、SFET的寄生二極管或體二極管的恢復(fù)特性比業(yè)界目前使用的分立二極管要緩慢。因此，對(duì)于硬開關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō)，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低VCE(sat)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT組合封裝在一起。相反地，軟恢復(fù)超快二極管，如飛兆半導(dǎo)體的StealthTM系列，可與高頻SMPS2開關(guān)模式IGBT組合封裝在一起。除了選擇正確的二極管外，設(shè)計(jì)人員還能夠通過(guò)調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通源阻抗來(lái)控制Eon損耗。降低驅(qū)動(dòng)源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需

9、要折中，因?yàn)檩^高的di/dt 會(huì)導(dǎo)致電壓尖脈沖、輻射和傳導(dǎo)EMI增加。為選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)阻抗以滿足導(dǎo)通di/dt 的需求，可能需要進(jìn)行電路內(nèi)部測(cè)試與驗(yàn)證，然后根據(jù)MOSFET轉(zhuǎn)換曲線可以確定大概的值 (見(jiàn)圖3)。圖3  MOSFET的轉(zhuǎn)移特性假定在導(dǎo)通時(shí)，F(xiàn)ET電流上升到10A，根據(jù)圖3中25的那條曲線，為了達(dá)到10A的值，柵極電壓必須從5.2V轉(zhuǎn)換到6.7V，平均GFS為10A/(6.7V-5.2V)=6.7m。公式1 獲得所需導(dǎo)通di/dt的柵極驅(qū)動(dòng)阻抗把平均GFS值運(yùn)用到公式1中，得到柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vdrive=10V，所需的 di/dt=600A/s，F(xiàn)CP11N60典型值V

10、GS(avg)=6V，Ciss=1200pF；于是可以計(jì)算出導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)阻抗為37。由于在圖3的曲線中瞬態(tài)GFS值是一條斜線，會(huì)在Eon期間出現(xiàn)變化，意味著di/dt也會(huì)變化。呈指數(shù)衰減的柵極驅(qū)動(dòng)電流Vdrive和下降的Ciss作為VGS的函數(shù)也進(jìn)入了該公式，表現(xiàn)具有令人驚訝的線性電流上升的總體效應(yīng)。 同樣的，IGBT也可以進(jìn)行類似的柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通阻抗計(jì)算，VGE(avg) 和 GFS可以通過(guò)IGBT的轉(zhuǎn)換特性曲線來(lái)確定，并應(yīng)用VGE(avg)下的CIES值代替Ciss。計(jì)算所得的IGBT導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)阻抗為100，該值比前面的37高，表明IGBT GFS較高，而CIES較低。這里的關(guān)鍵之處在于，

11、為了從MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT，必須對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測(cè)，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行的。例如，F(xiàn)GP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均具有1/W的RJC值。圖4顯示了在125的結(jié)溫下傳導(dǎo)損耗與直流電流的關(guān)系，圖中曲線表明在直流電流大于2.92A后，MOSFET的傳導(dǎo)損耗更大。圖4 傳導(dǎo)損耗直流工作圖5  CCM升壓PFC電路中的傳導(dǎo)損耗不過(guò)，圖4中的直流傳導(dǎo)損耗比較不適用于

12、大部分應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線相交點(diǎn)為2.65A RMS。對(duì)PFC電路而言，當(dāng)交流輸入電流大于2.65A RMS時(shí)，MOSFET具有較大的傳導(dǎo)損耗。2.65A PFC交流輸入電流等于MOSFET中由公式2計(jì)算所得的2.29A RMS。MOSFET傳導(dǎo)損耗、I2R，利用公式2定義的電流和MOSFET   125的RDS(on)可以計(jì)算得出。把RDS(on)隨漏極電流變化的因素考慮在內(nèi)，該傳導(dǎo)損耗還可

13、以進(jìn)一步精確化，這種關(guān)系如圖6所示。圖6  FCP11N60(MOSFET): RDS(on)隨IDRAIN和VGE的變化一篇名為“如何將功率MOSFET的RDS(on)對(duì)漏極電流瞬態(tài)值的依賴性包含到高頻三相PWM逆變器的傳導(dǎo)損耗計(jì)算中”的IEEE文章描述了如何確定漏極電流對(duì)傳導(dǎo)損耗的影響。作為ID之函數(shù)，RDS(on)變化對(duì)大多數(shù)SMPS拓?fù)涞挠绊懞苄　＠?，在PFC電路中，當(dāng)FCP11N60 MOSFET的峰值電流ID為11A兩倍于5.5A (規(guī)格書中RDS(on) 的測(cè)試條件) 時(shí)，RDS(on)的有效值和傳導(dǎo)損耗會(huì)增加5。在MOSFET傳導(dǎo)極小占空比的高脈沖電流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，應(yīng)

14、該考慮圖6所示的特性。如果FCP11N60 MOSFET工作在一個(gè)電路中，其漏極電流為占空比7.5%的20A脈沖 (即5.5A RMS)，則有效的RDS(on)將比5.5A（規(guī)格書中的測(cè)試電流）時(shí)的0.32歐姆大25%。公式2  CCM PFC電路中的RMS電流式2中，Iacrms是PFC電路RMS輸入電流；Vac是 PFC 電路RMS輸入電壓；Vout是直流輸出電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，計(jì)算IGBT在類似PFC電路中的傳導(dǎo)損耗將更加復(fù)雜，因?yàn)槊總€(gè)開關(guān)周期都在不同的IC上進(jìn)行。IGBT的VCE(sat)不能由一個(gè)阻抗表示，比較簡(jiǎn)單直接的方法是將其表示為阻抗RFCE串聯(lián)一個(gè)固定VFCE電壓，

15、VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是，傳導(dǎo)損耗便可以計(jì)算為平均集電極電流與VFCE的乘積，加上RMS集電極電流的平方，再乘以阻抗RFCE。圖5中的示例僅考慮了CCM PFC電路的傳導(dǎo)損耗，即假定設(shè)計(jì)目標(biāo)在維持最差情況下的傳導(dǎo)損耗小于15W。以FCP11N60 MOSFET為例，該電路被限制在5.8A，而FGP20N6S2 IGBT可以在9.8A的交流輸入電流下工作。它可以傳導(dǎo)超過(guò)MOSFET 70% 的功率。雖然IGBT的傳導(dǎo)損耗較小，但大多數(shù)600V IGBT都是PT (Punch Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (負(fù)溫度系數(shù))特性，不能并聯(lián)分流。

16、或許，這些器件可以通過(guò)匹配器件VCE(sat)、VGE(TH) (柵射閾值電壓) 及機(jī)械封裝以有限的成效進(jìn)行并聯(lián)，以使得IGBT芯片們的溫度可以保持一致的變化。相反地，MOSFET具有PTC (正溫度系數(shù))，可以提供良好的電流分流。關(guān)斷損耗 問(wèn)題尚未結(jié)束在硬開關(guān)、鉗位感性電路中，MOSFET的關(guān)斷損耗比IGBT低得多，原因在于IGBT 的拖尾電流，這與清除圖1中PNP BJT的少數(shù)載流子有關(guān)。圖7顯示了集電極電流ICE和結(jié)溫Tj的函數(shù)Eoff，其曲線在大多數(shù)IGBT數(shù)據(jù)表中都有提供。 這些曲線基于鉗位感性電路且測(cè)試電壓相同，并包含拖尾電流能量損耗。圖7 本圖表顯示IGBT的Eoff隨ICE及T

17、j的變化圖2顯示了用于測(cè)量IGBT Eoff的典型測(cè)試電路， 它的測(cè)試電壓，即圖2中的VDD，因不同制造商及個(gè)別器件的BVCES而異。在比較器件時(shí)應(yīng)考慮這測(cè)試條件中的VDD，因?yàn)樵谳^低的VDD鉗位電壓下進(jìn)行測(cè)試和工作將導(dǎo)致Eoff能耗降低。降低柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷阻抗對(duì)減小IGBT Eoff損耗影響極微。如圖1所示，當(dāng)?shù)刃У亩鄶?shù)載流子MOSFET關(guān)斷時(shí)，在IGBT少數(shù)載流子BJT中仍存在存儲(chǔ)時(shí)間延遲td(off)I。不過(guò)，降低Eoff驅(qū)動(dòng)阻抗將會(huì)減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關(guān)斷VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從

18、而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档蚆OSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過(guò)ZVS的工作優(yōu)點(diǎn)在IGBT中沒(méi)有那么大，因?yàn)楫?dāng)集電極電壓上升到允許多余存儲(chǔ)電荷進(jìn)行耗散的電勢(shì)值時(shí)，會(huì)引發(fā)拖尾沖擊電流Eoff。ZCS拓?fù)淇梢蕴嵘畲蟮腎GBT Eoff性能。正確的柵極驅(qū)動(dòng)順序可使IGBT柵極信號(hào)在第二個(gè)集電極電流過(guò)零點(diǎn)以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的 Eoff能耗是其米勒電容Crss、柵極驅(qū)動(dòng)速度、柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷源阻抗及源極功率電路路徑中寄生電感的函數(shù)。該電路寄生電感Lx (如圖8所示) 產(chǎn)生一個(gè)電勢(shì)，通過(guò)限制電流速度下降而增加關(guān)

19、斷損耗。在關(guān)斷時(shí)，電流下降速度di/dt由Lx和VGS(th)決定。如果Lx=5nH，VGS(th)=4V，則最大電流下降速度為VGS（th）/Lx=800A/s。圖8  典型硬開關(guān)應(yīng)用中的柵極驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)在選用功率開關(guān)器件時(shí)，并沒(méi)有萬(wàn)全的解決方案，電路拓?fù)?、工作頻率、環(huán)境溫度和物理尺寸，所有這些約束都會(huì)在做出最佳選擇時(shí)起著作用。在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中，MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗，因此能夠在較高頻率下工作。對(duì)硬開關(guān)應(yīng)用而言，MOSFET寄生二極管的恢復(fù)特性可能是個(gè)缺點(diǎn)。相反，由于IGBT組合封裝內(nèi)的二極管與特定應(yīng)用匹配，極佳的軟恢復(fù)二極

20、管可與更高速的SMPS器件相配合。后語(yǔ)：MOSFE和IGBT是沒(méi)有本質(zhì)區(qū)別的，人們常問(wèn)的“是MOSFET好還是IGBT好”這個(gè)問(wèn)題本身就是錯(cuò)誤的。至于我們?yōu)楹斡袝r(shí)用MOSFET，有時(shí)又不用MOSFET而采用IGBT，不能簡(jiǎn)單的用好和壞來(lái)區(qū)分，來(lái)判定，需要用辯證的方法來(lái)考慮這個(gè)問(wèn)題。另附網(wǎng)友們的熱烈討論IGBT與MOS有什么區(qū)別!?1帖  liuanjun營(yíng)長(zhǎng) 5562005-04-22 12:25我用3842做開關(guān)電源本打算用10N60,可送來(lái)的是11N60C3一查資料原來(lái)是IGBT,不知到是否可用.現(xiàn)在我的電源沒(méi)輸出.那位用過(guò)的能否介紹介紹. 回復(fù)1帖2帖

21、60; freesoul排長(zhǎng) 1792005-04-22 13:32igbt和mosfet不一樣,由于igbt存在電流脫尾,因此igbt頻率不能太高,同時(shí)igbt不能加負(fù)壓加速關(guān)斷,不象mosfet可以加負(fù)壓加速關(guān)斷.此外,igbt還有個(gè)電流擎住效應(yīng). 回復(fù)2帖3帖  人在旅途旅長(zhǎng) 16862005-04-27 10:38答得好! 回復(fù)3帖4帖  蒲公英的翅膀團(tuán)長(zhǎng) 8452005-04-27 17:20兄臺(tái)好像你的說(shuō)法有點(diǎn)問(wèn)題吧? IGBT可以加負(fù)壓關(guān)斷的,而且一般是推薦加負(fù)壓關(guān)斷來(lái)提高抗干擾能力的! 回復(fù)4帖5帖

22、  freesoul排長(zhǎng) 1792005-04-27 17:24我是說(shuō)igbt不能加負(fù)壓“加速”關(guān)斷! 回復(fù)5帖6帖  蒲公英的翅膀團(tuán)長(zhǎng) 8452005-04-28 10:01_,不好意思可能是我誤解了你的意思了! 還有,我想問(wèn)問(wèn)我的IGBT關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)非常大的尖峰電壓,采用RCD吸收好像效果不是很好,能給點(diǎn)建議嗎?謝謝! 回復(fù)6帖7帖  freesoul排長(zhǎng) 1792005-04-28 15:41用RCD吸收網(wǎng)絡(luò)是可以的,只是參數(shù)之間的適配比較難調(diào) 回復(fù)7帖8帖  蒲公英的翅膀團(tuán)長(zhǎng)&#

23、160;8452005-04-28 18:33好像是這樣,我按照張占松和蔡宣三老師一書上的推薦公式粗略計(jì)算好像效果并不是很明顯! 回復(fù)8帖9帖  yeyeshi排長(zhǎng) 165十2005-04-28 19:05你好! 我有一問(wèn)題向你請(qǐng)教,我的反擊電源開通時(shí)尖脈沖也很大,是和引起的? 回復(fù)9帖45帖  溜溜和尚旅長(zhǎng) 1720一2010-07-31 08:12在電動(dòng)轎車上，由于是直流電機(jī)負(fù)載，電池保護(hù)用功率器件用IGBT好呢還是用MOSFET好？不妨推薦型號(hào)和品牌，如下使用情況。電壓小于90V,瞬間電流400A,3s ；持續(xù)電流120A ，做

24、普通開關(guān)用（非高頻）。先謝過(guò)了！olympic20080808# 回復(fù)45帖10帖  ghost團(tuán)長(zhǎng) 13602005-04-27 10:58回復(fù)10帖11帖  蒲公英的翅膀團(tuán)長(zhǎng) 8452005-04-27 17:17兄臺(tái),你畫圖的功夫?qū)嵲谑橇钗覈@為觀止啊,_! 這樣的解釋很好,等效原理很一目了然,只是可能結(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)是模糊了一點(diǎn)! 回復(fù)11帖12帖  ghost團(tuán)長(zhǎng) 13602005-04-27 21:38時(shí)間倉(cāng)促而為,省掉了轉(zhuǎn)換過(guò)程,什么東西都是畫的描述也不清楚.當(dāng)然可能也沒(méi)這個(gè)必要. 回復(fù)1

25、2帖13帖  蒲公英的翅膀團(tuán)長(zhǎng) 8452005-04-27 23:10其實(shí)除去從結(jié)構(gòu)的角度來(lái)探討,你的圖很能解釋了! 只是我覺(jué)得讓我在畫圖板上能畫出來(lái)確實(shí)有點(diǎn)困難,所以兄臺(tái)鼠標(biāo)用得很順啊,_! 回復(fù)13帖14帖  ghost團(tuán)長(zhǎng) 13602005-04-27 23:26霍霍還沒(méi)睡啊你在哪里工作 回復(fù)14帖15帖  蒲公英的翅膀團(tuán)長(zhǎng) 8452005-04-28 10:02_,小弟在常州工作,兄臺(tái)你呢? 回復(fù)15帖16帖  ghost團(tuán)長(zhǎng) 13602005-04-28 12:27

26、深圳呢 回復(fù)16帖17帖  freesoul排長(zhǎng) 1792005-04-28 15:49深圳哪家公司? 回復(fù)17帖18帖  ghost團(tuán)長(zhǎng) 1360九2005-04-28 21:31和別人合伙做高中頻電源的 回復(fù)18帖19帖  蒲公英的翅膀團(tuán)長(zhǎng) 8452005-04-28 18:34_,好遠(yuǎn)好遠(yuǎn)啊!深圳那邊好像做開關(guān)電源(包括模塊)的廠家好像比較多啊! 回復(fù)19帖20帖  wdy1699263連長(zhǎng) 397七2005-04-29 09:15. 回復(fù)20帖43帖 

27、60;hotpower營(yíng)長(zhǎng) 594三2010-07-04 05:01俺以后多學(xué)習(xí)此法 回復(fù)43帖21帖  lqn1981班長(zhǎng) 822005-04-27 12:08IGBT通常用在大功率場(chǎng)合,而MOSFET用在中小功率場(chǎng)合.另外,IGBT的通態(tài)壓降比MOSFET的小 回復(fù)21帖22帖  ghost團(tuán)長(zhǎng) 13602005-04-27 12:22國(guó)外有用MOSFET做到1000KW 1MHZ的,主要是速度上的差別. 回復(fù)22帖23帖  人在旅途旅長(zhǎng) 16862005-04-27 12:26兩個(gè)觀點(diǎn)我都

28、不認(rèn)同 回復(fù)23帖24帖  世界真奇妙旅長(zhǎng) 24592005-04-27 13:163842+10N60只能做小功率電源,不宜用IGBT替代MOSFET,主要是IGBT的開關(guān)損耗太大,小功率電源往往沒(méi)有良好的散熱條件. IGBT與MOSFET的不同之處很多,三言兩語(yǔ)難于說(shuō)全. . 回復(fù)24帖25帖  人在旅途旅長(zhǎng) 16862005-04-27 13:25我支持! 回復(fù)25帖26帖  ghost團(tuán)長(zhǎng) 13602005-04-27 13:55只有設(shè)計(jì)得當(dāng)就好了 回復(fù)26帖27帖  free

29、soul排長(zhǎng) 1792005-04-27 17:14大家說(shuō)說(shuō)mosfet與igbt的區(qū)別吧 回復(fù)27帖28帖  人在旅途旅長(zhǎng) 16862005-04-27 17:22一個(gè)是正溫度系數(shù)的電阻性質(zhì),隨電流溫度的增大而端電壓增大 另一個(gè)是壓降性的,在一定電流范圍內(nèi)壓降隨電流變化不大,且隨溫度的升高而壓降降低,驅(qū)動(dòng)一般得有負(fù)壓支持 回復(fù)28帖29帖  lqn1981班長(zhǎng) 822005-04-27 17:25IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙級(jí)型晶體管,實(shí)質(zhì)是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管.三個(gè)

30、級(jí)分別稱為:E(發(fā)射極),C(集電極),G(柵極). MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Fied Effection Transistor),三個(gè)級(jí)分別稱為:D(漏極),S(源極),G(柵極). 回復(fù)29帖30帖  人在旅途旅長(zhǎng) 16862005-04-27 17:26MOSFET的耐壓隨溫度的升高而升高,最大允許電流則降低 IGBT則可能相反 回復(fù)30帖31帖  人在旅途旅長(zhǎng) 16862005-04-27 17:45IGBT的最大允許電流也可能是隨溫度的升高而下降的,耐壓也會(huì)下降 回復(fù)31帖32帖  人在旅途旅長(zhǎng) 16862005-04-27 17:59MOSFET的電阻溫度系數(shù)還不小 回復(fù)32帖33帖  人在旅途旅長(zhǎng) 16862005-04-27 17:49IGBT的耐壓容易做高而MOSFET不容易做高,但電流容易做大 回復(fù)33帖34帖