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1、定義版圖 什么是版圖?集成電路制造工藝中，通過(guò)光刻和刻蝕將 掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。這種制造集成電路時(shí)使用的掩膜版上的幾何圖形定 義為集成電路的版圖。版圖要求與對(duì)應(yīng)電路嚴(yán)格匹配，具有完全 相同的器件、端口、連線(xiàn)一、單個(gè)MOS管的版圖實(shí)現(xiàn)柵極負(fù)責(zé)施加控制電壓導(dǎo)電溝道1、圖形關(guān)系有源區(qū)注入雜質(zhì)形成晶體管,柵與有源區(qū)重疊有源區(qū)- f的區(qū)域確定器件尺寸，稱(chēng)為導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道1只要源極、漏極以及導(dǎo)電溝道所覆蓋的 區(qū)域稱(chēng)為有源區(qū)。芯片中有源區(qū)以外的區(qū)域定義為場(chǎng)區(qū)。2、器件尺寸設(shè)計(jì)/溝道寬度/WMOS管中電流由源極流向漏極。 溝道中電流流過(guò)_的距離為溝道長(zhǎng)度；截面尺寸為溝道 寬度。溝道長(zhǎng)度- -一L 一

2、電流方向一 一 一 一 '設(shè)計(jì)中，常以寬度和長(zhǎng)度值的比例式即寬 長(zhǎng)比（W/L）表示器件尺寸。例：假設(shè)一MOS管，尺寸參數(shù)為20/5。則 在版圖上應(yīng)如何標(biāo)注其尺寸。* 20/53、圖形繪制D SI-113883Date :9 Jan 20064090140EHT= 5.00 kV英特爾65納米雙核處理器的掃描電鏡(SEM)截面圖常用圖層版圖圖層名稱(chēng)含義NwellN阱Active有源擴(kuò)散區(qū)PselectP型注入掩膜NselectN型注入掩膜Poly多晶硅cc引線(xiàn)孔Metal 1第一層金屬M(fèi)etal2第二層金屬Via通孔注意: 不同軟件對(duì)圖層名稱(chēng)定義不同; 嚴(yán)格區(qū)分圖層作用。版圖圖層名稱(chēng)含義cc （或cont）引線(xiàn)孔（連接金屬與多晶硅 或有源區(qū)）Via通孔（連接第一和第二層金 屬）MOS器件版圖圖層PMOS N 阱NWELL通孔VIA金屬二一METAL2 P型注入掩模PSELECT 有源擴(kuò)散區(qū)一active 多晶硅柵一POLY 引線(xiàn)孔一CC 金屬一一METAL1MOS器件版圖圖層NMOS通孔一VIA金屬二一METAL2 N型注入掩模NSELE

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