存儲(chǔ)器部件實(shí)驗(yàn)報(bào)告

1、實(shí)驗(yàn)報(bào)告實(shí)驗(yàn)名稱存儲(chǔ)器部件教學(xué)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)日期2013年11月18日實(shí)驗(yàn)小組人員謝林紅 符斯慧實(shí)驗(yàn)設(shè)備TEC-XP16教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)、仿真終端軟件PCEC實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 深入理解計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的功能、組成知識(shí)；2深入地學(xué)懂靜態(tài)存儲(chǔ)器芯片的讀寫(xiě)原理和用他們組成教學(xué)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法（即字、位擴(kuò)展技術(shù)），控制其運(yùn)行的方式；3思考并對(duì)比靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片在特性和使用場(chǎng)合等方面的同異之處。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與步驟1 檢查擴(kuò)展芯片插座的下方的插針要按下列要求短接：標(biāo)有“/MWR”“RD”的插針左邊兩個(gè)短接，標(biāo)有“/MRD”“GND”的插針右邊兩個(gè)短接。2 1用E 命令改變內(nèi)存單元的值并用D 命令觀察結(jié)果。 在命令行提

2、示符狀態(tài)下輸入：E 2020屏幕將顯示： 2020 內(nèi)存單元原值:按如下形式鍵入：2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 2020屏幕將顯示從2020 內(nèi)存單元開(kāi)始的值，其中2020H2023H 的值為：2222 3333 4444 5555斷電后重新啟動(dòng)教學(xué)實(shí)驗(yàn)機(jī)，用D 命令觀察內(nèi)存單元20202023 的值。會(huì)發(fā)現(xiàn)原來(lái)置入到這幾個(gè)內(nèi)存單元的值已經(jīng)改變，用戶在使用RAM 時(shí)，必須每次斷電重啟后都要重新輸入程序或修改內(nèi)存單元的值。2用A 命令輸入一段程序，執(zhí)行并觀察結(jié)果。在命令行提示符狀態(tài)下輸入：A 2000屏

3、幕將顯示： 2000：按如下形式鍵入：2000： MVRD R0，AAAA2002： MVRD R1，55552004： AND R0，R12005： RET2006： 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：T 2000 R0 的值變?yōu)锳AAAH，其余寄存器的值不變。TR1 的值變?yōu)?555H，其余寄存器的值不變。TR0 的值變?yōu)?000H，其余寄存器的值不變。在命令行提示符狀態(tài)下輸入：G 2000運(yùn)行輸入的程序。在命令行提示符狀態(tài)下輸入：R 屏幕顯示：R0=0000 R1=5555 R2=3 將擴(kuò)展芯片下方的插針按下列方式短接：將標(biāo)有“/MWR” “ PGMPGM”和“RD”的三個(gè)插針左面兩個(gè)短接，將標(biāo)

4、有“/MWD”“/OE”“GND”的三個(gè)插針左邊兩個(gè)短接；4 將擴(kuò)展芯片上方標(biāo)有EXTROMH 和EXTROML 的“/CS”信號(hào)用自鎖緊線短接，然后短接到MEMDC138 芯片的上方的標(biāo)有“40005fff”地址單元；5 EPROM 是紫外線可擦除的電可改寫(xiě)的只讀存儲(chǔ)器芯片。在對(duì)EPROM 進(jìn)行重寫(xiě)前必須先擦除并判斷芯片是否為空，再通過(guò)編程器進(jìn)行編程；D 命令看內(nèi)存單元0000001F 的值。可以看到內(nèi)存單元的值為：01FF 02FF 03FF 04FF.1FFF；用E 命令向芯片的內(nèi)存單元置入數(shù)值，再用D 命令察看，會(huì)發(fā)現(xiàn)原來(lái)的值沒(méi)有改變；用A命令向芯片所在的地址鍵入程序，用U 命令反匯編

5、，會(huì)發(fā)現(xiàn)地址仍然保持原來(lái)的值。該實(shí)驗(yàn)說(shuō)明EPROM 不能直接修改和編程，必須先擦除，再通過(guò)編程器編程；將教學(xué)機(jī)斷電后重啟，用D 命令看內(nèi)存單元0000001F 的內(nèi)容，會(huì)發(fā)現(xiàn)數(shù)值沒(méi)變，EPROM的內(nèi)容在斷電后會(huì)保持。6AT28C64B 的讀操作和一般的RAM 一樣，而其寫(xiě)操作，需要一定的時(shí)間，大約為1 毫秒。因此，需要編寫(xiě)一延遲子程序，在對(duì)EEPROM 進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，調(diào)用該子程序，以完成正確的讀寫(xiě)。1）用E 命令改變內(nèi)存單元的值并用D 命令觀察結(jié)果。 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：E 5000屏幕將顯示： 5000 內(nèi)存單元原值：按如下形式鍵入：5000 原值：2424（按空格）原值：3636（按

6、空格）原值：4848（按空格）原值：5050 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 5000屏幕將顯示5000H507FH 內(nèi)存單元的值，從5000 開(kāi)始的連續(xù)四個(gè)內(nèi)存單元的值依次為2424 3636 4848 5050；斷電后重新啟動(dòng)，用D 命令察看內(nèi)存單元50005003 的值，會(huì)發(fā)現(xiàn)這幾個(gè)單元的值沒(méi)有發(fā)生改變，說(shuō)明EEPROM的內(nèi)容斷電后可保存。2）從2000H 單元開(kāi)始輸入主程序：（2000）MVRD R0，0000MVRD R2，0010 ；R2 記錄循環(huán)次數(shù)MVRD R3，5000 ；R3 的內(nèi)容為16 位內(nèi)存地址（2006）STRR R3，R0 ；將R0 寄存器的內(nèi)容放到R3 給出的內(nèi)存

7、單元中CALA 2200 ；調(diào)用程序地址為2200 的延時(shí)子程序INC R0 ；R0 加1INC R3 ；R3 加1DEC R2 ；R2 減1JRNZ 2006 ；R2 不為0 跳轉(zhuǎn)到2006HRET從2200H 單元開(kāi)始輸入延時(shí)子程序：（2200）PUSH R3MVRD R3，F(xiàn)FFF（2203）DEC R3JRNZ 2203POP R3RET運(yùn)行主程序，在命令提示符下輸入：G 2000。注意：運(yùn)行G 命令的時(shí)候，必須要將將標(biāo)有“/MWD”“/OE”“GND”的三個(gè)插針右邊兩個(gè)短接。程序執(zhí)行結(jié)束后，在命令提示符下輸入：D 5000；可看到從5000H 開(kāi)始的內(nèi)存單元的值變?yōu)?000：0000 0001 0002 0003 0004 0005 0006 00075008：0008 0009 000A 000B 000C 000D 000E 000F。實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)驗(yàn)結(jié)果與預(yù)期結(jié)果相同。實(shí)驗(yàn)心得通過(guò)這次實(shí)驗(yàn)，可看出靜態(tài)存儲(chǔ)器芯片和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片的不同，加深對(duì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器功能及組成的理解。對(duì)于RAM，可直接用A、E命令向擴(kuò)展的存儲(chǔ)器輸入程序或改變內(nèi)存單元的值。RAM中的內(nèi)容在斷電后會(huì)消失，重新啟動(dòng)實(shí)驗(yàn)機(jī)后會(huì)