化學(xué)機(jī)械拋光工藝(CMP)

1、化學(xué)機(jī)械拋光工藝（CMP）摘要：本文首先定義并介紹CMP工藝的基本工作原理，然后，通過介紹CMP系統(tǒng)，從工藝設(shè) 備角度定性分析了解CMP的工作過程，通過介紹分析CMP工藝參數(shù)，對CMP作定量了解。在 文獻(xiàn)精度中，介紹了一個(gè)SiO：的CMP平均磨除速率模型，其中考慮了磨粒尺寸，濃度，分 布，研磨液流速，拋光勢地形，材料性能。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)，得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型比較吻合。MRR 模型可用于CMP模擬，CMP過程參數(shù)最佳化以及下一代CMP設(shè)備的研發(fā)。最后，通過對VLSI 制造技術(shù)的課程回顧，歸納了課程收獲，總結(jié)了課程感悟。關(guān)鍵詞：CMP、研磨液、平均磨除速率、設(shè)備Abstract： This articl

2、e first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introducing the CMP process parameters, make quantitative unders

3、tanding on CMP. In literature precision, introduce a CMP model of Si02, which takes into account the particle size, concentration, distribution of grinding fluid velocity, polishing potential terrain, material performance. After test, the experiment result compared with the model. MRR model can be u

4、sed in the CMP simulation, CMP process parameter optimization as well as the next generation of CMP equipment research and development. Through the review of VLSI manufacturing technology course, finally sums up the course, summed up the course.Key word： CMP> slumry、 YRRs、 device1 .前言隨著半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，

5、電子器件尺寸縮小，要求晶片表面平整度達(dá)到納 米級。傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，僅僅能夠?qū)崿F(xiàn)局部平坦化，但是當(dāng)最小特征尺寸達(dá)到 0. 25 um以下時(shí)，必須進(jìn)行全局平坦化。常見的傳統(tǒng)平面化技術(shù)很多。如熱流法, 旋轉(zhuǎn)玻璃法，回蝕法，電子環(huán)繞共振法，選擇淀積，低壓CVD,等離子增強(qiáng)CVD, 淀積-腐蝕-淀積法等。但它們都屬于局部平面化工藝，不能做到全局平面化。90 年代興起的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP)則從加工性能和速度上同時(shí)滿足硅片圖形 加工的要求，其也是目前唯一可以實(shí)現(xiàn)全局平坦化的技術(shù):，2 .基本原理3 . 1 CMP定義CMP就是用化學(xué)腐蝕和機(jī)械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行 平滑處理。2.

6、2 CMP工作原理如圖1,將硅片固定在拋光頭的最下面，將拋光墊放置在研磨盤上，拋光時(shí), 旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，III亞微米或納米磨粒和化學(xué)溶 液組成的研磨液在硅片表面和拋光墊之間流動(dòng)，然后研磨液在拋光墊的傳輸和離 心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層研磨液液體薄膜。 研磨液中的化學(xué)成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，將不溶的物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物 質(zhì)，或者將硬度高的物質(zhì)進(jìn)行軟化，然后通過磨粒的微機(jī)械摩擦作用將這些化學(xué) 反應(yīng)物從硅片表面去除，溶入流動(dòng)的液體中帶走，即在化學(xué)去膜和機(jī)械去膜的交 替過程中實(shí)現(xiàn)平坦化的目的。其反應(yīng)分為兩個(gè)過程化學(xué)過程：研磨液中的化學(xué)品和硅片

7、表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成比較容易去除 的物質(zhì)；物理過程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料發(fā)生機(jī)械物理摩擦，去除化學(xué)反 應(yīng)生成的物質(zhì)。2. 3 CMP主要參數(shù)"平均磨除率(MRR)在設(shè)定時(shí)間內(nèi)磨除材料的厚度是工業(yè)生產(chǎn)所需要的。(2)CMP平整度與均勻性 平整度是硅片某處CMP前后臺階高度之差占CMP之前 臺階高度的百分比。選擇比 在CMP中，對不同材料的拋光速率是影響硅片平整性和均勻性的一 個(gè)重要因素。(4)表面缺謁CMP工藝造成的硅片表面缺陷一般包括擦傷或溝、凹陷、侵蝕、 殘留物和顆粒污染。2. 4 CMP系統(tǒng)CMP系統(tǒng)(圖1)包括：CMP設(shè)備、研磨液(拋光液)、拋光墊、拋光終點(diǎn) 檢測及工

8、藝控制設(shè)備、后CMP清洗設(shè)備、漿料分布系統(tǒng)、廢物處理和測量設(shè)備。 其 中 研磨液和拋光墊為消 耗品 。Pressur e | MembraneWafer dPolishing Pad PlatenSlurry DisWafer HolderRetaining Ring圖1. CMP設(shè)備組成（1）拋光頭組件新型的拋光頭組件（圖2）具有用于吸附晶圓的真空吸附裝置，對晶圓施加壓力 的下壓力系統(tǒng)，以及調(diào)節(jié)晶圓的定位環(huán)系統(tǒng)。圖2.拋光頭組件（2）研磨盤研磨盤是CMP研磨的支撐平臺，其作用是承載拋光墊并帶動(dòng)其轉(zhuǎn)動(dòng)。它是控 制拋光頭壓力大小、轉(zhuǎn)動(dòng)速度、開關(guān)動(dòng)作、研磨盤動(dòng)作的電路和裝置。（3）拋光墊拋光墊（圖

9、3）通常使用聚亞胺脂（Polyurethane）材料制造，利用這種多孔 性材料類似海綿的機(jī)械特性和多孔特性，表面有特殊之溝槽，提高拋光的均勻性, 墊上有時(shí)開有可視窗，便于線上檢測。通常拋光墊為需要定時(shí)整修和更換之耗材, 一個(gè)拋光墊雖不與晶圓直接接觸，但使用售命約僅為45至75小時(shí)。硬墊（圖3,右）：較硬，拋光液固體顆粒大，拋光速度較快，平行度、平整 度也較好，但表面較粗糙，損傷層較嚴(yán)重。軟墊（圖3,左）具有更好的硅片內(nèi) 平均性,拋光液中固體顆粒較小，因此可以增加光潔度，同時(shí)去除粗拋時(shí)留下的 損傷層。故采川粗精拋相結(jié)合的辦法，既可保持晶片的平行度、平整度，乂可達(dá)到去除損傷層及保持硅片表面高光潔度

10、的目的。拋光墊上有很多小孔，這些小孔有利于輸送漿料和拋光，還可用于將漿料 中的磨蝕粒子送入硅片表面并去除副產(chǎn)品。在使用中，拋光墊在對若干片晶片進(jìn) 行拋光后被研磨得十分平整，同時(shí)孔內(nèi)填滿了磨料粒子和片子表面的磨屑聚集 物，一旦產(chǎn)生釉化現(xiàn)象，就會使拋光墊失去部分保持研漿的能力，拋光速率也 隨之下降，同時(shí)還會使硅片表面產(chǎn)生劃傷,對電路元件造成損傷。因此，拋光墊表面須定期地用一個(gè)金剛石調(diào)節(jié)器修整，這樣便可延長拋光 墊的使用壽命。Diamond Grits (20 pm)Diabond圖5.拋光墊調(diào)整器表面拋光墊調(diào)整器（圖4）作用是掃過墊表面提高表面粗糙度，除去用過的漿料。包含一個(gè)不銹鋼盤以及一個(gè)鍍銀（

11、CVD金剛石層）的金剛石磨粒（圖5）。研磨液系統(tǒng)1）研磨液山磨粒、酸堿劑、純水及添加物構(gòu)成，其成分見表1。被拋光材料磨粒研磨液添加物研磨液pH 值介質(zhì)二氧化硅Si02. Ce02, ZrO： Al:03 , Mn:03KOH, NH20H1013金屬鴿Al:Os.Mn-OsKI03, Fe(N03)3.H：0：26鋁SiO：KI03, Fe(N03)3.H：0：26他A12O3KIO3, Fe(N03)2,H：0226表1.研磨液成分2）研磨液供給與輸送系統(tǒng) 研磨液供給與輸送系統(tǒng)與CMP工藝之間的關(guān)系：研磨液中的化學(xué)品在配比混 合輸送過程中可能有許多變化，這一點(diǎn)，使輸送給機(jī)臺的研磨液質(zhì)量與拋光

12、工藝 的成功形成了非常緊密的關(guān)系，其程度超過了與高純化學(xué)品的聯(lián)系。盡管CMP 設(shè)備是控制并影響CMP工藝結(jié)果的主要因素，但是研磨液在避免缺陷和影響CMP 的平均拋光速率方面起著巨大的作用o 研磨液供給與輸送系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)：通過恰當(dāng)設(shè)計(jì)和管理研磨液供給與輸送 系統(tǒng)來保證CMP工藝的一致性。研磨液的混合、過濾、滴定以及系統(tǒng)的清洗等程 序會減輕很多與研磨液相關(guān)的問題。那么就要設(shè)計(jì)一個(gè)合適的研磨液的供給與輸 送系統(tǒng)，完成研磨液的管理，控制研磨液的混合、過濾、濃度、滴定及系統(tǒng)的清 洗，減少研磨液在供給、輸送過程中可能出現(xiàn)的問題和缺陷，保證CMP的平坦化研磨液組分通常是分開存儲（圖6）,使用時(shí)按比例混合使

13、用。圖6.研磨液混合系統(tǒng)（LFC:流量控制裝置） 研磨液混合和輸送設(shè)備的設(shè)計(jì)特點(diǎn)：攪動(dòng)：一般來講，研磨液中的固體顆粒經(jīng)過一段時(shí)間后會逐漸淀積，為了滿足特 定的工藝要求，必須保持桶中和儲蓄罐中的液體均一，專業(yè)的研磨液系統(tǒng)制造商 可以為每種研磨液設(shè)置特定的淀積率和分散率。拋光研磨液后處理：作為消耗品，研磨液一般是一次性使用。隨著CMP市場的擴(kuò)大，拋光研磨液的排放及后處理工作量也在增大（出于環(huán)保原 因，即使研磨液不再重復(fù)利用，也必須先處理才可以排放）。而且，拋光研磨液 價(jià)格昂貴，如何對拋光研磨液進(jìn)行后處理，補(bǔ)充必要的化學(xué)添加劑，重復(fù)利用其 中的有效成分，或降級使用，不僅可以減少環(huán)境污染，而且可以大大

14、降低加工成 本。拋光研磨液的后處理研究將是未來的新研究熱點(diǎn)。（6）終點(diǎn)檢測設(shè)備終點(diǎn)檢測是檢測CMP工藝把材料磨除到一個(gè)正確的厚度的能力。檢測方法大 致分為間接地對拋光晶片進(jìn)行物理測定（電流），直接檢測晶片（光學(xué)）兩種。 1）檢測電流終點(diǎn)檢測。CMP接近終點(diǎn)時(shí)，拋光墊與硅片摩擦力開始改變，拋光頭轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)的電流會 改變來保證不變的旋轉(zhuǎn)速率，監(jiān)測馬達(dá)電流來測終點(diǎn)。2）光學(xué)干涉法終點(diǎn)檢測圖7.電介質(zhì)光干涉終點(diǎn)檢測圖8,后CMP清洗刷子電解質(zhì)光干涉法（圖7）,反射光相互干涉，薄膜厚度的變化引起干涉狀態(tài)的周 期變化，電解質(zhì)薄膜厚度的變化可以111反射光的變化來監(jiān)測。圖9.光學(xué)測金屬CMP終點(diǎn)反射率的改變可

15、用來測金屬CMP終點(diǎn)，金屬表面有很高反射率（圖9左）， 金屬層被磨除（圖9右）時(shí)表面反射率大幅減少，通過這種方法可測終點(diǎn)。（7） CMP后清洗:三步法:清潔，沖洗,干燥。后清洗目的主要是去除顆粒和其他化學(xué)污染物，用到去離子水及刷子，去離 子水量越大，刷子壓力越大清洗效率越高。刷子（圖8）通常是多孔聚合物材質(zhì), 允許化學(xué)物質(zhì)滲入并傳遞到晶圓表面2.5 CMP設(shè)備的發(fā)展單拋光頭旋轉(zhuǎn)式系統(tǒng)CMP轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)備是用以玻璃陶瓷或其他金屬的磨平拋光 設(shè)備為基礎(chǔ)的，這種設(shè)備由單個(gè)研磨盤和單個(gè)拋光頭構(gòu)成。（2）多拋光頭旋轉(zhuǎn)式CMP系統(tǒng) 隨著生產(chǎn)力需求和缺陷標(biāo)準(zhǔn)提高，出現(xiàn)了多研磨 頭的旋轉(zhuǎn)體系，這類設(shè)備有很多種。 多

16、研磨盤CMP系統(tǒng) 由于Auriga公司和Symphony公司的設(shè)備缺乏靈活性， 例如加工的硅片片數(shù)是22片而不是25片硅片，就不能發(fā)揮它們生產(chǎn)力高的優(yōu)點(diǎn)。（4）軌道式CMP系統(tǒng)（圖10）由于對于工藝的靈活性和生產(chǎn)力的需求提高，IPEC 公司開發(fā)出了 676軌道式CMP系統(tǒng)。（5）線性CMP系統(tǒng)（圖11） 最后，有些公司開發(fā)出能夠?qū)崿F(xiàn)高線速度的線性 CMP系統(tǒng)。2.6影響CMP效果的主要參數(shù)設(shè)備參數(shù)研磨液參數(shù)拋光墊/背墊參數(shù)CMP對象薄膜參數(shù)拋光時(shí)間磨粒大小硬度種類研磨盤轉(zhuǎn)速磨粒含量密度厚度拋光頭轉(zhuǎn)速磨粒的凝聚度空隙大小硬度拋光頭搖擺度酸堿度彈性化學(xué)性質(zhì)背壓氧化劑含量背墊彈性圖案密度下壓力流量修

17、整粘滯系數(shù)表2.影響CMP效果的主要參數(shù)1 .拋光頭壓力 壓力越大，磨除速率越快。2 .拋光頭與研磨盤間的相對速度拋光速率隨著拋光頭與研磨盤間的相對速度 的增大而增大。3 .拋光墊 拋光墊是在CMP中決定拋光速率和平坦化能力的一個(gè)重要部件。 碎片后為防止缺陷而更換拋光墊。 優(yōu)化襯墊選擇以便取得好的硅片內(nèi)和硬膜內(nèi)的均勻性和平坦化（建議采用層 疊或兩層墊）o 運(yùn)用集成的閉環(huán)冷卻系統(tǒng)進(jìn)行研磨墊溫度控制。 孔型墊設(shè)計(jì)、表面紋理化、打孔和制成流動(dòng)渠道等有利于研磨液的傳送。CMP前對研磨墊進(jìn)行修正、造型或平整。©有規(guī)律地對研磨墊用刷子或金剛石修整器做臨場和場外修整。4.研磨液研磨液是影響CMP速

18、率和效果的重要因素，在半導(dǎo)體工藝中，針對 SiO2.鋁栓、多晶硅和銅，需要用不同的研磨液來進(jìn)行研磨。1）磨粒磨粒材料：對不同的薄膜CMP和不同工藝的CMP要精心選擇磨粒材料。即使 是對同種薄膜材料進(jìn)行CMP,其磨粒材料不同，拋光速率也不同。例如對于ILD 氧化硅進(jìn)行CMP ,采川二氧化鈾（CeOj作為磨粒的拋光速率比用氣相納米SiO二為 磨粒的拋光速率大約快3倍。 磨粒含量：磨粒含量是指研磨液中磨粒質(zhì)量的百分?jǐn)?shù)。即（磨粒質(zhì)量/研磨液質(zhì)量）X100樂乂叫磨粒濃度。對于硅拋光，在低磨粒含量 時(shí).，在一定范圍內(nèi)對硅的拋光速率隨著磨粒含量的增加而增加，平整度趨于更好。 這主要是由于，隨著磨粒含量的提高

19、，研磨液中參與機(jī)械研磨的有效粒子數(shù)增多, 拋光液的質(zhì)量傳遞作用提高，使平坦化速率增加，可以減小塌邊情況的發(fā)生。但 并不是磨粒含量越高越好，當(dāng)磨粒含量達(dá)到一定值之后，平坦化速率增加緩慢， 且流動(dòng)性也會受影響，成本也增加，不利于拋光。要通過實(shí)驗(yàn)對確定的拋光對象 找出一個(gè)最優(yōu)的磨粒含量。 磨粒大小及硬度：隨著微粒尺寸和硬度的增加，去除速率也隨之增加。但會 產(chǎn)生更多的凹痕和劃傷。所以要很細(xì)心地選擇顆粒的大小和硬度，顆粒硬度要比 去除材料的硬度小。要不能使平坦化的表面產(chǎn)生網(wǎng)痕和擦傷等表面缺陷。2）研磨液的選擇性：對確定的研磨液，在同樣條件下對兩種不同的薄膜材料進(jìn)行 拋光時(shí)其拋光速率的不同，這就是研磨液的

20、選擇性。3）研磨液中添加物的濃度與pH值：與MRR有直接關(guān)系。5 .溫度對去除率的影響CMP在加工過程中無論是酸性液體還是堿性液體，在與 去除材料的化學(xué)反應(yīng)中都是放熱的反應(yīng)，造成溫度的上升，同時(shí)在加工過程中， 由于拋光頭的壓力作用和拋光頭及研磨盤的旋轉(zhuǎn)具有做功的情況，所以有能量的 釋放，造成溫度的上升。6 .薄膜特性CMP研磨薄膜材料的性質(zhì)(化學(xué)成分、硬度、密度、表面狀況等)也 影響拋光速度和拋光效果。3 .文獻(xiàn)精讀3.1 半經(jīng)驗(yàn)SiO二CMP磨除速率(MRR)模型:為預(yù)測CMP過程的MRR,建立了半經(jīng)驗(yàn)的模型公式。假定晶圓磨粒表面是塑 性接觸，拋光墊與磨粒彈性接觸，磨粒尺寸分布，拋光墊粗糙度

21、無序分布；模型 考慮磨粒尺寸，濃度，分布，研磨液流速，拋光勢地形，材料性能。3. 2模型推導(dǎo)根據(jù)GW松駕/和聚恢I理、加油區(qū)1、平滑晶圓和一個(gè)自由粗糙拋光墊 在尸柳歷管亍J真實(shí)接觸壓力為:早期研箱正明，位數(shù)量張達(dá)長=覆7)日S:得到活躍顆Ez /"HQ”1長/,w區(qū)和盛曲分.布提型澗0球;為尸n.avfi3. 3實(shí)驗(yàn)過程拋光墊上層用型號IC1000聚氨酯，基層用SubaIV氈型墊，這種設(shè)計(jì)易用， 性能連續(xù)。用PECVD在200mm晶圓淀積1. 5 u m原SiO：層。CMP設(shè)備用的是旋轉(zhuǎn) 拋光器(GnPPOLI500) o工作壓力是晶圓壓力27. 5KPa；定位環(huán)壓力34. 74KP

22、a； 研磨液流速是150ml/min；轉(zhuǎn)速40rpm；用到四種不同直徑研磨液(表4)；顆 粒濃度為12. 5wt%； CMP中，調(diào)節(jié)進(jìn)程用壓力5. 88KPa,調(diào)機(jī)器轉(zhuǎn)速40rpin,盤轉(zhuǎn) 速60rpm；拋光Imin后，用反射計(jì)(bMac速5030-SL)測膜厚;每張晶圓選41 個(gè) 點(diǎn) 測 MRRs ； 邊 緣 去 除 3mm變量名稱值單位0p墊粗糙度標(biāo)準(zhǔn)誤差30u m以墊粗糙讀平均半徑25u mJ墊材料楊氏模量10MPa%墊材料泊松比率0.2瓦SiO：顆粒楊氏模量94GPa%SiO?顆粒泊松比率0. 26PaSiO?顆粒密度2270Kg/m3P 5研磨液密度1040Kg/m3EvSiO?楊氏

23、模量66GPaSiO?泊松比率0. 3H.SiO二硬度18GPa表3.模型參量數(shù)值1.1 3實(shí)驗(yàn)過程拋光墊上層用型號IC1000聚氨酯，基層用SubaIV氈型墊，這種設(shè)計(jì)易用， 性能連續(xù)。用PECVD在200mm晶圓淀積1. 5 um原SiO2層。CMP設(shè)備用的是旋轉(zhuǎn) 拋光器(GnPP0LI500) o工作壓力是晶圓壓力27. 5KPa；定位環(huán)壓力34. 74KPa； 研磨液流速是150ml/min；轉(zhuǎn)速40rpm；用到四種不同直徑研磨液(表4)；顆 粒濃度為12. 5wt%； CMP中，調(diào)節(jié)進(jìn)程用壓力5. 88KPa,調(diào)機(jī)器轉(zhuǎn)速40rpm,盤轉(zhuǎn) 速60rpm；拋光Imin后，用反射計(jì)(K-M

24、ac速5030-SL)測膜厚;每張晶圓選41 個(gè)點(diǎn)測MRRs；邊緣去除3mme研磨液平均直徑(nm)標(biāo)準(zhǔn)誤差(nm)D1313.33.7D2222.44.4D6160.912. 5DU8117. 726.4表4.CMP實(shí)驗(yàn)研磨液3.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析測得顆粒尺寸分布為離散分布，離散密度公式川來計(jì)算顆?？倲?shù)圖12 ,研磨液顆粒尺寸分布208161412SWESseCSAOWOJ 一.2JSEZo o o o o o A 0 5 0 5 0 53 2 2 1 1C-UVES2S -«>OE2 一Particle Diameter (nm)Particle Concentration

25、(wt%)圖13.平均顆粒尺寸與平均MRRs關(guān)系圖14.顆粒質(zhì)量百分比與平均MRRs關(guān)系以平均顆粒尺寸為變量測平均磨除速率，得到結(jié)果曲線圖13,并與公式模 型所得曲線比較，可以看出，公式模型與試驗(yàn)結(jié)果相吻合，從D13到D6L磨除 速率上升，到D118稍有下降，說明有一個(gè)最適尺寸。以顆粒質(zhì)量百分比為變量測平均磨除速率，得到結(jié)果曲線圖14 ,并與公式 模型所得曲線比較，可以看出，公式模型與試驗(yàn)結(jié)果相吻合，從5wt%到17. 5wt%, MRR一直增加，說明活性顆粒數(shù)量與磨除速率成正比。50M50oo50Mao.13 3 2 2 11c一 E/Eso-ejrtAOEo.!oHOJes50C-UVES

26、OQ百 AOECJJQ-&C3Zo 5.0 M將(Ekp)5,0 wt% (Modol)。7.5 wt% (Ekp) -7.5 wt% (Model) 12.5 wt% (Exp) -12.5 vrt% (Model)Q 17.5 wt% (Exp) -17.5vn%(Modol)Distance from wafer center (mm)Distance from wafer center (mm)圖15.不同顆粒直徑下試驗(yàn)與模型MRR分布 圖16.不同顆粒密度下實(shí)驗(yàn)與模型MRR分布圖15和圖16表明，試驗(yàn)結(jié)果符合模型假設(shè)，驗(yàn)證了模型的正確性。3.5 結(jié)論基于接觸力學(xué)，本文提供了一

27、個(gè)Si02的CMP模型，其中考慮了磨粒尺寸,濃度，分布，研磨液流速，拋光勢地形，材料性能。經(jīng)過試驗(yàn)，得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 與模型比較吻合。MRR模型可用于CMP模擬，CMP過程參數(shù)最佳化以及下一代CMP 設(shè)備的研發(fā)。4.學(xué)習(xí)體會在本學(xué)期的VLSI制造技術(shù)的課程學(xué)習(xí)中，我收獲很多。首先，因?yàn)樯险n人 數(shù)少，獲得了兩次講報(bào)告的機(jī)會，使我閱讀文獻(xiàn)的能力得到很大提升，也鍛煉了 作報(bào)告能力，同時(shí)學(xué)到很多新知識，其次，在聽其他同學(xué)報(bào)告時(shí)，也了解了很多 各方面知識，最后，通過金老師對第一次報(bào)告的點(diǎn)評，我在笫二次報(bào)告中改正了 很多第一次中的不足，報(bào)告能力再次得到提升，同時(shí)金老師淵博的專業(yè)知識以 及對每次上臺作報(bào)告同學(xué)

28、的點(diǎn)評，都使我獲益匪淺。參考文獻(xiàn)：1劉玉嶺，檀柏梅，張楷亮.超大規(guī)模集成電路襯底材料性能及加工測試工程 M.北京：冶金工業(yè)出版社,2002.2J Lee HS, Jeong HD. Chemical and mechanical balance in polishing of electronic materials for defect-free surfaces. CIRP Anna 1 s-Manufacturing Technology 2009;58:485 - 90.3 Zantye PB, Kumar A, Sikder AK. Chemical mechanical plana

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30、copper chemical mechanical planarization. Journal of Materials Processing Technology 2009;209:6134 - 9.6_ Larsen-Basse J, Liang H. Probable role of abrasion in chemo-mechanical polishing of tungsten. Wear 1999;233-235:647 - 54.7J Cook LM. Chemical process in glass polishing. Journal of NonCrystalline Solids 1990;120:152 - 71.8 Tomozawa M. Oxide CMP mechanisms. Solid State Technology 1997;40:39 - 53.9 Shouhong Tang,高仰月譯.用白光干涉測量法描述化學(xué)機(jī)械拋光面J.電 子工業(yè)專用設(shè)備，2006, 141, 19-23.10雷紅,CMP后清洗技術(shù)的研究進(jìn)展J.上海大學(xué)納米科學(xué)與技術(shù)研究中心, 2008:200444.11Z