SMART技術檢測磁盤故障參數(shù)

1、SMART檢測參數(shù)說明一般情況下，用戶只要觀察當前值、最差值和臨界值的關系，并注意狀態(tài)提示信息即可大致了解硬盤的健康狀況。下面簡單介紹各參數(shù)的含義，以紅色標出的項目是壽命關鍵項，藍色為固態(tài)硬盤（SSD）特有的項目。在基于閃存的固態(tài)硬盤中，存儲單元分為兩類：SLC（Single Layer Cell，單層單元）和MLC（Multi-Level Cell，多層單元）。SLC成本高、容量小、但讀寫速度快，可靠性高，擦寫次數(shù)可高達100000次，比MLC高10倍。而MLC雖容量大、成本低，但其性能大幅落后于SLC。為了保證MLC的壽命，控制芯片還要有智能磨損平衡技術算法，使每個存儲單元的寫入次數(shù)可以平

2、均分攤，以達到100萬小時的平均無故障時間。因此固態(tài)硬盤有許多SMART參數(shù)是機械硬盤所沒有的，如存儲單元的擦寫次數(shù)、備用塊統(tǒng)計等等，這些新增項大都由廠家自定義，有些尚無詳細的解釋，有些解釋也未必準確，此處也只是僅供參考。下面凡未注明廠商的固態(tài)硬盤特有的項均為SandForce主控芯片特有的，其它廠商各自單獨注明。01（001）底層數(shù)據(jù)讀取錯誤率 Raw Read Error Rate 數(shù)據(jù)為0或任意值，當前值應遠大于與臨界值。底層數(shù)據(jù)讀取錯誤率是磁頭從磁盤表面讀取數(shù)據(jù)時出現(xiàn)的錯誤，對某些硬盤來說，大于0的數(shù)據(jù)表明磁盤表面或者讀寫磁頭發(fā)生問題，如介質損傷、磁頭污染、磁頭共振等等。不過

3、對希捷硬盤來說，許多硬盤的這一項會有很大的數(shù)據(jù)量，這不代表有任何問題，主要是看當前值下降的程度。在固態(tài)硬盤中，此項的數(shù)據(jù)值包含了可校正的錯誤與不可校正的RAISE錯誤（UECCURAISE）。注：RAISE（Redundant Array of Independent Silicon Elements）意為獨立硅元素冗余陣列，是固態(tài)硬盤特有的一種冗余恢復技術，保證內部有類似RAID陣列的數(shù)據(jù)安全性。02（002）磁盤讀寫通量性能 Throughput Performance 此參數(shù)表示硬盤的讀寫通量性能，數(shù)據(jù)值越大越好。當前值如果偏低或趨近臨界值，表示硬盤存在嚴重的問題，但現(xiàn)在的硬盤

4、通常顯示數(shù)據(jù)值為0或根本不顯示此項，一般在進行了人工脫機SMART測試后才會有數(shù)據(jù)量。03（003）主軸起旋時間 Spin Up Time 主軸起旋時間就是主軸電機從啟動至達到額定轉速所用的時間，數(shù)據(jù)值直接顯示時間，單位為毫秒或者秒，因此數(shù)據(jù)值越小越好。不過對于正常硬盤來說，這一項僅僅是一個參考值，硬盤每次的啟動時間都不相同，某次啟動的稍慢些也不表示就有問題。 硬盤的主軸電機從啟動至達到額定轉速大致需要4秒15秒左右，過長的啟動時間說明電機驅動電路或者軸承機構有問題。旦這一參數(shù)的數(shù)據(jù)值在某些型號的硬盤上總是為0，這就要看當前值和最差值來判斷了。  對于固

5、態(tài)硬盤來說，所有的數(shù)據(jù)都是保存在半導體集成電路中，沒有主軸電機，所以這項沒有意義，數(shù)據(jù)固定為0，當前值固定為100。04（004）啟停計數(shù) Start/Stop Count 這一參數(shù)的數(shù)據(jù)是累計值，表示硬盤主軸電機啟動/停止的次數(shù)，新硬盤通常只有幾次，以后會逐漸增加。系統(tǒng)的某些功能如空閑時關閉硬盤等會使硬盤啟動/停止的次數(shù)大為增加，在排除定時功能的影響下，過高的啟動/停止次數(shù)（遠大于通電次數(shù)0C）暗示硬盤電機及其驅動電路可能有問題。  這個參數(shù)的當前值是依據(jù)某種公式計算的結果，例如對希捷某硬盤來說臨界值為20，當前值是通過公式“100（啟停計數(shù)/1024）”計算得

6、出的。若新硬盤的啟停計數(shù)為0，當前值為100(0/1024)100，隨著啟停次數(shù)的增加，該值不斷下降，當啟停次數(shù)達到81920次時，當前值為100(81920/1024)20，已達到臨界值，表示從啟停次數(shù)來看，該硬盤已達設計壽命，當然這只是個壽命參考值，并不具有確定的指標性。  這一項對于固態(tài)硬盤同樣沒有意義，數(shù)據(jù)固定為0，當前值固定為100。05（005）重映射扇區(qū)計數(shù)Reallocated Sectors Count/退役塊計數(shù)Retired Block Count 數(shù)據(jù)應為0，當前值應遠大于臨界值。 當硬盤的某扇區(qū)持續(xù)出現(xiàn)讀/寫/校驗錯誤時，硬盤固

7、件程序會將這個扇區(qū)的物理地址加入缺陷表(G-list)，將該地址重新定向到預先保留的備用扇區(qū)并將其中的數(shù)據(jù)一并轉移，這就稱為重映射。執(zhí)行重映射操作后的硬盤在Windows常規(guī)檢測中是無法發(fā)現(xiàn)不良扇區(qū)的，因其地址已被指向備用扇區(qū)，這等于屏蔽了不良扇區(qū)。  這項參數(shù)的數(shù)據(jù)值直接表示已經(jīng)被重映射扇區(qū)的數(shù)量，當前值則隨著數(shù)據(jù)值的增加而持續(xù)下降。當發(fā)現(xiàn)此項的數(shù)據(jù)值不為零時，要密切注意其發(fā)展趨勢，若能長期保持穩(wěn)定，則硬盤還可以正常運行；若數(shù)據(jù)值不斷上升，說明不良扇區(qū)不斷增加，硬盤已處于不穩(wěn)定狀態(tài)，應當考慮更換了。如果當前值接近或已到達臨界值（此時的數(shù)據(jù)值并不一定很大，因為不同硬盤保留的

8、備用扇區(qū)數(shù)并不相同），表示缺陷表已滿或備用扇區(qū)已用盡，已經(jīng)失去了重映射功能，再出現(xiàn)不良扇區(qū)就會顯現(xiàn)出來并直接導致數(shù)據(jù)丟失。  這一項不僅是硬盤的壽命關鍵參數(shù)，而且重映射扇區(qū)的數(shù)量也直接影響硬盤的性能，例如某些硬盤會出現(xiàn)數(shù)據(jù)量很大，但當前值下降不明顯的情況，這種硬盤盡管還可正常運行，但也不宜繼續(xù)使用。因為備用扇區(qū)都是位于磁盤尾部（靠近盤片軸心處），大量的使用備用扇區(qū)會使尋道時間增加，硬盤性能明顯下降。  這個參數(shù)在機械硬盤上是非常敏感的，而對于固態(tài)硬盤來說同樣具有重要意義。閃存的壽命是正態(tài)分布的，例如說MLC能寫入一萬次以上，實際上說的是寫入一萬次之前不會

9、發(fā)生“批量損壞”，但某些單元可能寫入幾十次就損壞了。換言之，機械硬盤的盤片不會因讀寫而損壞，出現(xiàn)不良扇區(qū)大多與工藝質量相關，而閃存的讀寫次數(shù)則是有限的，因而損壞是正常的。所以固態(tài)硬盤在制造時也保留了一定的空間，當某個存儲單元出現(xiàn)問題后即把損壞的部分隔離，用好的部分來頂替。這一替換方法和機械硬盤的扇區(qū)重映射是一個道理，只不過機械硬盤正常時極少有重映射操作，而對于固態(tài)硬盤是經(jīng)常性的。  在固態(tài)硬盤中這一項的數(shù)據(jù)會隨著使用而不斷增長，只要增長的速度保持穩(wěn)定就可以。通常情況下，數(shù)據(jù)值100（100×被替換塊/必需塊總數(shù)），因此也可以估算出硬盤的剩余壽命。 

10、60;Intel固態(tài)硬盤型號的第十二個字母表示了兩種規(guī)格，該字母為1表示第一代的50納米技術的SSD，為2表示第二代的34納米技術的SSD，如SSDSA2M160G2GN就表示是34nm的SSD。所以參數(shù)的查看也有兩種情況：  50nm的SSD（一代）要看當前值。這個值初始是100，當出現(xiàn)替換塊的時候這個值并不會立即變化，一直到已替換四個塊時這個值變?yōu)?，之后每增加四個塊當前值就1。也就是100對應03個塊，1對應47個塊，2對應811個塊  34nm的SSD（二代）直接查看數(shù)據(jù)值，數(shù)據(jù)值直接表示有多少個被替換的塊。06（006）讀取通道余量 Read

11、Channel Margin 這一項功能不明，現(xiàn)在的硬盤也不顯示這一項。07（007）尋道錯誤率 Seek Error Rate 數(shù)據(jù)應為0，當前值應遠大于與臨界值。  這一項表示磁頭尋道時的錯誤率，有眾多因素可導致尋道錯誤率上升，如磁頭組件的機械系統(tǒng)、伺服電路有局部問題，盤片表面介質不良，硬盤溫度過高等等。  通常此項的數(shù)據(jù)應為0，但對希捷硬盤來說，即使是新硬盤，這一項也可能有很大的數(shù)據(jù)量，這不代表有任何問題，還是要看當前值是否下降。08（008）尋道性能 Seek Time Performance 此項表示硬盤尋道操作的

12、平均性能（尋道速度），通常與前一項（尋道錯誤率）相關聯(lián)。當前值持續(xù)下降標志著磁頭組件、尋道電機或伺服電路出現(xiàn)問題，但現(xiàn)在許多硬盤并不顯示這一項。09（009）通電時間累計 Power-On Time Count (POH) 這個參數(shù)的含義一目了然，表示硬盤通電的時間，數(shù)據(jù)值直接累計了設備通電的時長，新硬盤當然應該接近0，但不同硬盤的計數(shù)單位有所不同，有以小時計數(shù)的，也有以分、秒甚至30秒為單位的，這由磁盤制造商來定義。  這一參數(shù)的臨界值通常為0，當前值隨著硬盤通電時間增加會逐漸下降，接近臨界值表明硬盤已接近預計的設計壽命，當然這并不表明硬盤將出現(xiàn)故障或立即報廢。

13、參考磁盤制造商給出的該型號硬盤的MTBF（平均無故障時間）值，可以大致估計剩余壽命或故障概率。  對于固態(tài)硬盤，要注意“設備優(yōu)先電源管理功能（device initiated power management，DIPM）”會影響這個統(tǒng)計：如果啟用了DIPM，持續(xù)通電計數(shù)里就不包括睡眠時間；如果關閉了DIPM功能，那么活動、空閑和睡眠三種狀態(tài)的時間都會被統(tǒng)計在內。0A（010）主軸起旋重試次數(shù) Spin up Retry Count 數(shù)據(jù)應為0，當前值應大于臨界值。  主軸起旋重試次數(shù)的數(shù)據(jù)值就是主軸電機嘗試重新啟動的計數(shù)，即主軸電機啟動后在規(guī)定

14、的時間里未能成功達到額定轉速而嘗試再次啟動的次數(shù)。數(shù)據(jù)量的增加表示電機驅動電路或是機械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題，整機供電不足也會導致這一問題。0B（011）磁頭校準重試計數(shù) Calibration Retry Count 數(shù)據(jù)應為0，當前值應遠大于與臨界值。 硬盤在溫度發(fā)生變化時，機械部件（特別是盤片）會因熱脹冷縮出現(xiàn)形變，因此需要執(zhí)行磁頭校準操作消除誤差，有的硬盤還內置了磁頭定時校準功能。這一項記錄了需要再次校準（通常因上次校準失?。┑拇螖?shù)。  這一項的數(shù)據(jù)量增加，表示電機驅動電路或是機械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題，但有些型號的新硬盤也有一定的數(shù)據(jù)量，并不表示有問題，還要看

15、當前值和最差值。0C（012）通電周期計數(shù) Power Cycle Count 通電周期計數(shù)的數(shù)據(jù)值表示了硬盤通電/斷電的次數(shù)，即電源開關次數(shù)的累計，新硬盤通常只有幾次。  這一項與啟停計數(shù)（04）是有區(qū)別的，一般來說，硬盤通電/斷電意味著計算機的開機與關機，所以經(jīng)歷一次開關機數(shù)據(jù)才會加1；而啟停計數(shù)（04）表示硬盤主軸電機的啟動/停止（硬盤在運行時可能多次啟停，如系統(tǒng)進入休眠或被設置為空閑多少時間而關閉）。所以大多情況下這個通電/斷電的次數(shù)會小于啟停計數(shù)（04）的次數(shù)。通常，硬盤設計的通電次數(shù)都很高，如至少5000次，因此這一計數(shù)只是壽命參考值，本身不具指標性。

16、0D（013）軟件讀取錯誤率 Soft Read Error Rate 軟件讀取錯誤率也稱為可校正的讀取誤碼率，就是報告給操作系統(tǒng)的未經(jīng)校正的讀取錯誤。數(shù)據(jù)值越低越好，過高則可能暗示盤片磁介質有問題。AA（170）壞塊增長計數(shù) Grown Failing Block Count（Micron 鎂光） 讀寫失敗的塊增長的總數(shù)。AB（171）編程失敗塊計數(shù) Program Fail Block Count Flash編程失敗塊的數(shù)量。AC（172）擦寫失敗塊計數(shù) Erase Fail Block Count 擦寫失敗塊的數(shù)量。AD（173）磨損平衡操作次數(shù)（

17、平均擦寫次數(shù)） / Wear Leveling Count（Micron 鎂光） 所有好塊的平均擦寫次數(shù)。  Flash芯片有寫入次數(shù)限制，當使用FAT文件系統(tǒng)時，需要頻繁地更新文件分配表。如果閃存的某些區(qū)域讀寫過于頻繁，就會比其它區(qū)域磨損的更快，這將明顯縮短整個硬盤的壽命（即便其它區(qū)域的擦寫次數(shù)還遠小于最大限制）。所以，如果讓整個區(qū)域具有均勻的寫入量，就可明顯延長芯片壽命，這稱為磨損均衡措施。AE（174）意外失電計數(shù) Unexpected Power Loss Count 硬盤自啟用后發(fā)生意外斷電事件的次數(shù)。B1（177）磨損范圍對比值 Wear R

18、ange Delta 磨損最重的塊與磨損最輕的塊的磨損百分比之差。B4（180）未用的備用塊計數(shù) Unused Reserved Block Count Total（惠普）固態(tài)硬盤會保留一些容量來準備替換損壞的存儲單元，所以可用的預留空間數(shù)非常重要。這個參數(shù)的當前值表示的是尚未使用的預留的存儲單元數(shù)量。B5（181）編程失敗計數(shù) Program Fail Count 用4個字節(jié)顯示已編程失敗的次數(shù)，與（AB）參數(shù)相似。B5（181）非4KB對齊訪問數(shù) Non-4k Aligned Access（Micron 鎂光）B6（182）擦寫失敗計數(shù) Erase Fail Count

19、 用4個字節(jié)顯示硬盤自啟用后塊擦寫失敗的次數(shù)，與（AC）參數(shù)相似。B7（183）串口降速錯誤計數(shù) SATA Downshift Error Count 這一項表示了SATA接口速率錯誤下降的次數(shù)。通常硬盤與主板之間的兼容問題會導致SATA傳輸級別降級運行。B8（184）I/O錯誤檢測與校正 I/O Error Detection and Correction（IOEDC） “I/O錯誤檢測與校正”是惠普公司專有的SMART IV技術的一部分，與其他制造商的I/O錯誤檢測和校正架構一樣，它記錄了數(shù)據(jù)通過驅動器內部高速緩存RAM傳輸?shù)街鳈C時的奇偶校驗錯誤數(shù)量。

20、0; B8（184）點到點錯誤檢測計數(shù) End to End Error Detection Count Intel第二代的34nm固態(tài)硬盤有點到點錯誤檢測計數(shù)這一項。固態(tài)硬盤里有一個LBA（logical block addressing，邏輯塊地址）記錄，這一項顯示了SSD內部邏輯塊地址與真實物理地址間映射的出錯次數(shù)。  B8（184）原始壞塊數(shù) Init Bad Block Count（Indilinx芯片） 硬盤出廠時已有的壞塊數(shù)量。B9（185）磁頭穩(wěn)定性 Head Stability（西部數(shù)據(jù)） 意義不明。BA（186）感

21、應運算振動檢測 nduced Op-Vibration Detection（西部數(shù)據(jù)） 意義不明。BB（187）無法校正的錯誤 Reported Uncorrectable Errors（希捷） 報告給操作系統(tǒng)的無法通過硬件ECC校正的錯誤。如果數(shù)據(jù)值不為零，就應該備份硬盤上的數(shù)據(jù)了。  報告給操作系統(tǒng)的在所有存取命令中出現(xiàn)的無法校正的RAISE（URAISE）錯誤。BC（188）命令超時 Command Timeout 由于硬盤超時導致操作終止的次數(shù)。通常數(shù)據(jù)值應為0，如果遠大于零，最有可能出現(xiàn)的是電源供電問題或者數(shù)據(jù)線氧化致使接觸不良，也可

22、能是硬盤出現(xiàn)嚴重問題。BD（189）高飛寫入 High Fly Writes 磁頭飛行高度監(jiān)視裝置可以提高讀寫的可靠性，這一裝置時刻監(jiān)測磁頭的飛行高度是否在正常范圍來保證可靠的寫入數(shù)據(jù)。如果磁頭的飛行高度出現(xiàn)偏差，寫入操作就會停止，然后嘗試重新寫入或者換一個位置寫入。這種持續(xù)的監(jiān)測過程提高了寫入數(shù)據(jù)的可靠性，同時也降低了讀取錯誤率。這一項的數(shù)據(jù)值就統(tǒng)計了寫入時磁頭飛行高度出現(xiàn)偏差的次數(shù)。BD（189）出廠壞塊計數(shù) Factory Bad Block Count（Micron 鎂光芯片）BE（190）氣流溫度 Airflow Temperature 這一項表示的是硬盤內部盤片

23、表面的氣流溫度。在希捷公司的某些硬盤中，當前值=（100當前溫度），因此氣流溫度越高，當前值就越低，最差值則是當前值曾經(jīng)到達過的最低點，臨界值由制造商定義的最高允許溫度來確定，而數(shù)據(jù)值不具實際意義。許多硬盤也沒有這一項參數(shù)。BF（191）沖擊錯誤率 G-sense error rate 這一項的數(shù)據(jù)值記錄了硬盤受到機械沖擊導致出錯的頻度。C0（192）斷電返回計數(shù) Power-Off Retract Count 當計算機關機或意外斷電時，硬盤的磁頭都要返回?？繀^(qū)，不能停留在盤片的數(shù)據(jù)區(qū)里。正常關機時電源會給硬盤一個通知，即Standby Immediate，就是說主機要求將

24、緩存數(shù)據(jù)寫入硬盤，然后就準備關機斷電了（休眠、待機也是如此）；意外斷電則表示硬盤在未收到關機通知時就失電，此時磁頭會自動復位，迅速離開盤片。  這個參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計了磁頭返回的次數(shù)。但要注意這個參數(shù)對某些硬盤來說僅記錄意外斷電時磁頭的返回動作；而某些硬盤記錄了所有（包括休眠、待機，但不包括關機時）的磁頭返回動作；還有些硬盤這一項沒有記錄。因此這一參數(shù)的數(shù)據(jù)值在某些硬盤上持續(xù)為0或稍大于0，但在另外的硬盤上則會大于通電周期計數(shù)（0C）或啟停計數(shù)（04）的數(shù)據(jù)。在一些新型節(jié)能硬盤中，這一參數(shù)的數(shù)據(jù)量還與硬盤的節(jié)能設計相關，可能會遠大于通電周期計數(shù)（0C）或啟停計數(shù)（04）的數(shù)據(jù)

25、，但又遠小于磁頭加載/卸載計數(shù)（C1）的數(shù)據(jù)量。  對于固態(tài)硬盤來說，雖然沒有磁頭的加載/卸載操作，但這一項的數(shù)據(jù)量仍然代表了不安全關機，即發(fā)生意外斷電的次數(shù)。C1（193）磁頭加載/卸載計數(shù) Load/Unload Cycle Count 對于過去的硬盤來說，盤片停止旋轉時磁頭臂?？坑诒P片中心軸處的停泊區(qū)，磁頭與盤片接觸，只有當盤片旋轉到一定轉速時，磁頭才開始漂浮于盤片之上并開始向外側移動至數(shù)據(jù)區(qū)。這使得磁頭在硬盤啟停時都與盤片發(fā)生摩擦，雖然盤片的停泊區(qū)不存儲數(shù)據(jù)，但無疑啟停一個循環(huán)，就使磁頭經(jīng)歷兩次磨損。所以對以前的硬盤來說，磁頭起降（加載/卸載）次數(shù)是一項重

26、要的壽命關鍵參數(shù)。而在現(xiàn)代硬盤中，平時磁頭臂是停靠于盤片之外的一個專門設計的?？考苌希h離盤片。只有當盤片旋轉達到額定轉速后，磁頭臂才開始向內（盤片軸心）轉動使磁頭移至盤片區(qū)域（加載），磁頭臂向外轉動返回至?？考芗葱遁d。這樣就徹底杜絕了硬盤啟停時磁頭與盤片接觸的現(xiàn)象，西部數(shù)據(jù)公司將其稱為“斜坡加載技術”。由于磁頭在加載/卸載過程中始終不與盤片接觸，不存在磁頭的磨損，使得這一參數(shù)的重要性已經(jīng)大大下降。這個參數(shù)的數(shù)據(jù)值就是磁頭執(zhí)行加載/卸載操作的累計次數(shù)。從原理上講，這個加載/卸載次數(shù)應當與硬盤的啟停次數(shù)相當，但對于筆記本內置硬盤以及臺式機新型節(jié)能硬盤來說，這一項的數(shù)據(jù)量會很大。這是因為磁頭臂組件

27、設計有一個固定的返回力矩，保證在意外斷電時磁頭能靠彈簧力自動離開盤片半徑范圍，迅速返回停靠架。所以要讓硬盤運行時磁頭保持在盤片的半徑之內，就要使磁頭臂驅動電機（尋道電機）持續(xù)通以電流。而讓磁頭臂在硬盤空閑幾分鐘后就立即執(zhí)行卸載動作，返回到?？考苌希扔欣诠?jié)能，又降低了硬盤受外力沖擊導致磁頭與盤片接觸的概率。雖然再次加載會增加一點尋道時間，但畢竟弊大于利，所以在這類硬盤中磁頭的加載/卸載次數(shù)會遠遠大于通電周期計數(shù)（0C）或啟停計數(shù)（04）的數(shù)據(jù)量。不過這種加載/卸載方式已經(jīng)沒有了磁頭與盤片的接觸，所以設計值也已大大增加，通常筆記本內置硬盤的磁頭加載/卸載額定值在3060萬次，而臺式機新型節(jié)能硬

28、盤的磁頭加載/卸載設計值可達一百萬次。C2（194）溫度 Temperature 溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤內部的當前溫度。硬盤運行時最好不要超過45，溫度過高雖不會導致數(shù)據(jù)丟失，但引起的機械變形會導致尋道與讀寫錯誤率上升，降低硬盤性能。硬盤的最高允許運行溫度可查看硬盤廠商給出的數(shù)據(jù)，一般不會超過60。  不同廠家對溫度參數(shù)的當前值、最差值和臨界值有不同的表示方法：希捷公司某些硬盤的當前值就是實際溫度（攝氏）值，最差值則是曾經(jīng)達到過的最高溫度，臨界值不具意義；而西部數(shù)據(jù)公司一些硬盤的最差值是溫度上升到某值后的時間函數(shù)，每次升溫后的持續(xù)時間都將導致最差值逐漸下降，當

29、前值則與當前溫度成反比，即當前溫度越高，當前值越低，隨實際溫度波動。C3（195）硬件ECC校正 Hardware ECC Recovered ECC（Error Correcting Code）的意思是“錯誤檢查和糾正”，這個技術能夠容許錯誤，并可以將錯誤更正，使讀寫操作得以持續(xù)進行，不致因錯誤而中斷。這一項的數(shù)據(jù)值記錄了磁頭在盤片上讀寫時通過ECC技術校正錯誤的次數(shù)，不過許多硬盤有其制造商特定的數(shù)據(jù)結構，因此數(shù)據(jù)量的大小并不能直接說明問題。  C3（195）實時無法校正錯誤計數(shù) On the fly ECC Uncorrectable Error Count&

30、#160;這一參數(shù)記錄了無法校正（UECC）的錯誤數(shù)量。  C3（195）編程錯誤塊計數(shù) Program Failure block Count（Indilinx芯片）C4（196）重映射事件計數(shù) Reallocetion Events Count 數(shù)據(jù)應為0，當前值應遠大于臨界值。  這個參數(shù)的數(shù)據(jù)值記錄了將重映射扇區(qū)的數(shù)據(jù)轉移到備用扇區(qū)的嘗試次數(shù)，是重映射操作的累計值，成功的轉移和不成功的轉移都會被計數(shù)。因此這一參數(shù)與重映射扇區(qū)計數(shù)（05）相似，都是反映硬盤已經(jīng)存在不良扇區(qū)。  C4（196）擦除錯誤塊計數(shù) Erase

31、Failure block Count（Indilinx芯片） 在固態(tài)硬盤中，這一參數(shù)記錄了被重映射的塊編程失敗的數(shù)量。C5（197）當前待映射扇區(qū)計數(shù) Current Pending Sector Count 數(shù)據(jù)應為0，當前值應遠大于臨界值。 這個參數(shù)的數(shù)據(jù)表示了“不穩(wěn)定的”扇區(qū)數(shù)，即等待被映射的扇區(qū)（也稱“被掛起的扇區(qū)”）數(shù)量。如果不穩(wěn)定的扇區(qū)隨后被讀寫成功，該扇區(qū)就不再列入等待范圍，數(shù)據(jù)值就會下降。  僅僅讀取時出錯的扇區(qū)并不會導致重映射，只是被列入“等待”，也許以后讀取就沒有問題，所以只有在寫入失敗時才會發(fā)生重映射。下次對該扇區(qū)寫入時

32、如果繼續(xù)出錯，就會產(chǎn)生一次重映射操作，此時重映射扇區(qū)計數(shù)（05）與重映射事件計數(shù)（C4）的數(shù)據(jù)值增加，此參數(shù)的數(shù)據(jù)值下降。C5（197）讀取錯誤塊計數(shù)（不可修復錯誤）Read Failure block Count（Indilinx芯片）C6（198）脫機無法校正的扇區(qū)計數(shù) Offline Uncorrectable Sector Count 數(shù)據(jù)應為0，當前值應遠大于臨界值。 這個參數(shù)的數(shù)據(jù)累計了讀寫扇區(qū)時發(fā)生的無法校正的錯誤總數(shù)。數(shù)據(jù)值上升表明盤片表面介質或機械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題，有些扇區(qū)肯定已經(jīng)不能讀取，如果有文件正在使用這些扇區(qū)，操作系統(tǒng)會返回讀盤錯誤的信息。下一次寫操

33、作時會對該扇區(qū)執(zhí)行重映射。  C6（198）總讀取頁數(shù) Total Count of Read Sectors（Indilinx芯片）C7（199）Ultra ATA訪問校驗錯誤率 Ultra ATA CRC Error Rate 這個參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計了通過接口循環(huán)冗余校驗（Interface Cyclic Redundancy Check，ICRC）發(fā)現(xiàn)的數(shù)據(jù)線傳輸錯誤的次數(shù)。如果數(shù)據(jù)值不為0且持續(xù)增長，表示硬盤控制器數(shù)據(jù)線硬盤接口出現(xiàn)錯誤，劣質的數(shù)據(jù)線、接口接觸不良都可能導致此現(xiàn)象。由于這一項的數(shù)據(jù)值不會復零，所以某些新硬盤也會出現(xiàn)一定的數(shù)據(jù)量，只要更換數(shù)據(jù)線

34、后數(shù)據(jù)值不再繼續(xù)增長，即表示問題已得到解決。 C7（199）總寫入頁數(shù) Total Count of Write Sectors（Indilinx芯片）C8（200）寫入錯誤率 Write Error Rate / 多區(qū)域錯誤率 Multi-Zone Error Rate（西部數(shù)據(jù)） 數(shù)據(jù)應為0，當前值應遠大于臨界值。  這個參數(shù)的數(shù)據(jù)累計了向扇區(qū)寫入數(shù)據(jù)時出現(xiàn)錯誤的總數(shù)。有的新硬盤也會有一定的數(shù)據(jù)量，若數(shù)據(jù)值持續(xù)快速升高（當前值偏低），表示盤片、磁頭組件可能有問題。C8（200）總讀取指令數(shù) Total Count of Read Command（In

35、dilinx芯片）C9（201）脫道錯誤率 Off Track Error Rate / 邏輯讀取錯誤率 Soft Read Error Rate 數(shù)據(jù)值累積了讀取時脫軌的錯誤數(shù)量，如果數(shù)據(jù)值不為0，最好備份硬盤上的資料。  C9（201）TA Counter Detected意義不明C9（201）寫入指令總數(shù) Total Count of Write Command（Indilinx芯片）CA（202）數(shù)據(jù)地址標記錯誤 Data Address Mark errors 此項的數(shù)據(jù)值越低越好（或者由制造商定義）。  CA（202）TA

36、 Counter Increased（意義不明） CA（202）剩余壽命 Percentage Of The Rated Lifetime Used（Micron 鎂光芯片） 當前值從100開始下降至0，表示所有塊的擦寫余量統(tǒng)計。計算方法是以MLC擦寫次數(shù)除以50，SLC擦寫次數(shù)除以1000，結果取整數(shù)，將其與100的差值作為當前值（MLC預計擦寫次數(shù)為5000，SLC預計擦寫次數(shù)為100000）。 CA（202）閃存總錯誤bit數(shù) Total Count of error bits from flash（Indilinx芯片）CB（203）軟件ECC錯誤數(shù) Ru

37、n Out Cancel 錯誤檢查和糾正（ECC）出錯的頻度。  CB（203）校正bit錯誤的總讀取頁數(shù) Total Count of Read Sectors with correct bits error（Indilinx芯片）CC（204）軟件ECC校正 Soft ECC Correction 通過軟件ECC糾正錯誤的計數(shù)。  CC（204）壞塊滿標志 Bad Block Full Flag（Indilinx芯片）CD（205）熱騷動錯誤率 Thermal Asperity Rate (TAR) 由超溫導致的錯誤。數(shù)

38、據(jù)值應為0。  CD（205）最大可編程/擦除次數(shù) Max P/E Count（Indilinx芯片）CE（206）磁頭飛行高度 Flying Height 磁頭距離盤片表面的垂直距離。高度過低則增加了磁頭與盤片接觸導致?lián)p壞的可能性；高度偏高則增大了讀寫錯誤率。不過準確地說，硬盤中并沒有任何裝置可以直接測出磁頭的飛行高度，制造商也只是根據(jù)磁頭讀取的信號強度來推算磁頭飛行高度。  CE（206）底層數(shù)據(jù)寫入出錯率 Write Error Rate CE（206）最小擦寫次數(shù) Erase Count Min（Indilinx芯片）CF（2

39、07）主軸過電流 Spin High Current 數(shù)據(jù)值記錄了主軸電機運行時出現(xiàn)浪涌電流的次數(shù)，數(shù)據(jù)量的增加意味著軸承或電機可能有問題。  CF（207）最大擦寫次數(shù) Erase Count Max（Indilinx芯片）D0（208）主軸電機重啟次數(shù) Spin Buzz 數(shù)據(jù)值記錄了主軸電機反復嘗試啟動的次數(shù)，這通常是由于電源供電不足引起的。  D0（208）平均擦寫次數(shù)Erase Count Average（Indilinx芯片）D1（209）脫機尋道性能 Offline Seek Performance 這一項表示

40、驅動器在脫機狀態(tài)下的尋道性能，通常用于工廠內部測試。  D1（209）剩余壽命百分比 Remaining Life %（Indilinx芯片）D2（210）斜坡加載值 Ramp Load Value 這一項僅見于幾年前邁拓制造的部分硬盤。通常數(shù)據(jù)值為0，意義不明。  D2（210）壞塊管理錯誤日志 BBM Error Log（Indilinx芯片）D3（211）寫入時振動 Vibration During Write 寫入數(shù)據(jù)時受到受到外部振動的記錄。  D3（211）SATA主機接口CRC寫入錯誤計數(shù) SATA

41、Error Count CRC (Write)（Indilinx芯片）D4（212）寫入時沖擊 Shock During Write 寫入數(shù)據(jù)時受到受到外部機械沖擊的記錄。  D4（212）SATA主機接口讀取錯誤計數(shù) SATA Error Count Count CRC (Read)（Indilinx芯片）DC（220）盤片偏移量 Disk Shift 硬盤中的盤片相對主軸的偏移量（通常是受外力沖擊或溫度變化所致），單位未知，數(shù)據(jù)值越小越好。DD（221）沖擊錯誤率 G-sense error rate 與（BF）相同，數(shù)據(jù)值記錄了硬盤受到外

42、部機械沖擊或振動導致出錯的頻度。DE（222）磁頭尋道時間累計 Loaded Hours 磁頭臂組件運行的小時數(shù)，即尋道電機運行時間累計。DF（223）磁頭加載/卸載重試計數(shù) Load/Unload Retry Count 這一項與（C1）項類似，數(shù)據(jù)值累積了磁頭嘗試重新加載/卸載的次數(shù)。E0（224）磁頭阻力 Load Friction 磁頭工作時受到的機械部件的阻力。E1（225）主機寫入數(shù)據(jù)量 Host Writes 由于閃存的擦寫次數(shù)是有限的，所以這項是固態(tài)硬盤特有的統(tǒng)計。Intel的SSD是每當向硬盤寫入了65536個扇區(qū)，這一項的數(shù)據(jù)就1。如

43、果用HDTune等軟件查看SMART時可以自己計算，Intel SSD Toolbox已經(jīng)為你算好了，直接就顯示了曾向SSD中寫入過的數(shù)據(jù)量。E2（226）磁頭加載時間累計 Load In-time 磁頭組件運行時間的累積數(shù)，即磁頭臂不在停靠區(qū)的時間，與（DE）項相似。E3（227）扭矩放大計數(shù) Torque Amplification Count 主軸電機試圖提高扭矩來補償盤片轉速變化的次數(shù)。當主軸軸承存在問題時，主軸電機會嘗試增加驅動力使盤片穩(wěn)定旋轉。這個參數(shù)的當前值下降，說明硬盤的機械子系統(tǒng)出現(xiàn)了嚴重的問題。E4（228）斷電返回計數(shù) Power-Off Retract Cycle 數(shù)據(jù)值累計了磁頭因設備意外斷電而自動返回的次數(shù)，與（C0）項相似。E6（230）GMR磁頭振幅 GMR Head Amplitude 磁頭“抖動”，即正向/反向往復運動的距離。E7（231）溫度 Temperature 溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤內部的當前溫度，與（C2）項相同。  E7（231）剩余壽命 SSD Life Left 剩余壽命是基于P/E周期與可用的備用塊作出的預測。新硬盤為100；10表示PE周