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文檔簡介

1、西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 1本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準 PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實例分析第1頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 2概述概述基準是直流量，與電源和工藝參數(shù)的關(guān)系小，與溫度的關(guān)系是確定的。目的：建立與電源和工藝無關(guān)，具有確定溫度特性的直流電壓和電流。形式：與絕對溫度成正比（PTAT） 常數(shù)Gm特性 與溫度無關(guān)第2頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 3概述概述第3頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Ba

2、ndgap RefCh. 11 # 4本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準 PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實例分析第4頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 5與電源無關(guān)的偏置與電源無關(guān)的偏置21111LWLWgRVImDDout如何產(chǎn)生IREF？第5頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 6與電源無關(guān)的偏置與電源無關(guān)的偏置22111/2kRLWCISNoxnoutSoutTHNOXnoutTHNOXnoutRIVLWKCIVLWCI2122SoutNOXnoutRIKLWCI112第

3、6頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 7與電源無關(guān)的偏置與電源無關(guān)的偏置DDTHTHTHVVVV351DDGSTHGSVVVV351第7頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 8本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準 PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實例分析第8頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 9與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置TqEVmVVkTETVmIITVTVgTBETgTSCTBE44ln2負溫度系數(shù)電壓當(dāng)VBE750mV，T30

4、0K，為1.5mV/K第9頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 10與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置nVIIVInIVVVVTSTSTBEBEBElnlnln201021正溫度系數(shù)電壓nqkTVBEln第10頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 11與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置VREF=1VBE+2(VTln n)1=1 根據(jù)室溫時溫度系數(shù)之和為根據(jù)室溫時溫度系數(shù)之和為零，零，得到：得到：2 ln n17.2 VREFVBE+17.2VT=1.25第11頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Band

5、gap RefCh. 11 # 12與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置3221lnRRnVVVTBEout第12頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 13與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置第13頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 14與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置OSTBEoutVnVRRVVln1322第14頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 15與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置OSTBEoutVmnVRRVV)ln(212322第15頁/共29頁西電微電子：

6、模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 16與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置第16頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 17與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置第17頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 18本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準 PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實例分析第18頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 19PTAT電流的產(chǎn)生電流的產(chǎn)生第19頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap Re

7、fCh. 11 # 20PTAT電流的產(chǎn)生電流的產(chǎn)生nVRRVVTBEREFln123第20頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 21本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準 PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實例分析第21頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 22恒定恒定Gm偏置偏置第22頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 23本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準 PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實例分析第23頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 24實例分析實例分析PMOS PMOS 電流鏡保證電流鏡保證Q1Q1Q4Q4的集電極電流相等的集電極電流相等第24頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 25實例分析實例分析第25頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 26實例分析實例分析第26頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 27實

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