計算機組成原理唐朔飛PPT 第4章 存儲器

1、4.1 概述概述4.2 主存儲器主存儲器4.3 高速緩沖存儲器高速緩沖存儲器4.4 輔助存儲器輔助存儲器一、存儲器分類一、存儲器分類1. 按存儲介質(zhì)分類按存儲介質(zhì)分類(1) 半導體存儲器半導體存儲器(2) 磁表面存儲器磁表面存儲器(3) 磁芯存儲器磁芯存儲器(4) 光盤存儲器光盤存儲器易失易失TTL 、MOS磁頭、載磁體磁頭、載磁體硬磁材料、環(huán)狀元件硬磁材料、環(huán)狀元件激光、磁光材料激光、磁光材料非非易易失失(1) 存取時間與物理地址無關（隨機訪問）存取時間與物理地址無關（隨機訪問） 順序存取存儲器順序存取存儲器 磁帶磁帶2. 按存取方式分類按存取方式分類(2) 存取時間與物理地址有關（串行訪問

2、）存取時間與物理地址有關（串行訪問） 隨機存儲器隨機存儲器 只讀存儲器只讀存儲器 直接存取存儲器直接存取存儲器 磁盤磁盤在程序的執(zhí)行過程中在程序的執(zhí)行過程中 可可 讀讀 可可 寫寫在程序的執(zhí)行過程中在程序的執(zhí)行過程中 只只 讀讀一、存儲器分類一、存儲器分類磁盤、磁帶、光盤磁盤、磁帶、光盤 高速緩沖存儲器（高速緩沖存儲器（Cache）Flash Memory存存儲儲器器主存儲器主存儲器輔助存儲器輔助存儲器MROMPROMEPROMEEPROMRAMROM靜態(tài)靜態(tài) RAM動態(tài)動態(tài) RAM3. 按在計算機中的作用分類按在計算機中的作用分類一、存儲器分類一、存儲器分類一、存儲器分類一、存儲器分類 ：高

3、速緩沖存儲器（：高速緩沖存儲器（CacheCache）位于主存和）位于主存和CPUCPU之間，用于存放正在執(zhí)行的程序段和數(shù)據(jù)，以便之間，用于存放正在執(zhí)行的程序段和數(shù)據(jù)，以便CPUCPU能高速能高速地使用它們。地使用它們。CacheCache的存儲速度與的存儲速度與CPUCPU的速度相匹配，但存儲量的速度相匹配，但存儲量較小，價格較高，一般制作在較小，價格較高，一般制作在CPUCPU芯片中芯片中 ：主存用來存放計算機運行期間所需要的程序和：主存用來存放計算機運行期間所需要的程序和數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)，CPUCPU可直接隨機地進行讀寫訪問。主存有一定容量，存儲可直接隨機地進行讀寫訪問。主存有一定容量，存儲速

4、度較高。由于速度較高。由于CPUCPU要頻繁地訪問主存，所以主存的性能在很大要頻繁地訪問主存，所以主存的性能在很大程度上影響了整個計算機系統(tǒng)的性能程度上影響了整個計算機系統(tǒng)的性能 ：輔助存儲器又稱為外部存儲器或后援存儲器，：輔助存儲器又稱為外部存儲器或后援存儲器，用于存放當前暫不參與運行的程序和數(shù)據(jù)以及一些需要永久性用于存放當前暫不參與運行的程序和數(shù)據(jù)以及一些需要永久性保存的信息。輔存設在主機外部，容量極大且成本很低，但存保存的信息。輔存設在主機外部，容量極大且成本很低，但存儲速度較低，而且儲速度較低，而且CPUCPU不能直接訪問它。輔存中的信息必須通過不能直接訪問它。輔存中的信息必須通過專門

5、的程序調(diào)入主存后，專門的程序調(diào)入主存后，CPUCPU才能使用才能使用高高低低小小大大快快慢慢輔存輔存寄存器寄存器緩存緩存主存主存磁盤磁盤光盤光盤磁帶磁帶光盤光盤磁帶磁帶速度速度容量容量 價格價格 位位1. 存儲器三個主要特性的關系存儲器三個主要特性的關系 二、存儲器的層次結構二、存儲器的層次結構CPUCPU主機主機緩存緩存CPU主存主存輔存輔存2. 緩存緩存 主存層次和主存主存層次和主存 輔存層次輔存層次緩存緩存主存主存輔存輔存主存主存虛擬存儲器虛擬存儲器10 ns20 ns200 nsms虛地址虛地址邏輯地址邏輯地址實地址實地址物理地址物理地址主存儲器主存儲器（速度）（速度）（容量）（容量）

6、 二、存儲器的層次結構二、存儲器的層次結構一、概述一、概述1. 主存的基本組成主存的基本組成存儲體存儲體驅(qū)動器驅(qū)動器譯碼器譯碼器MAR控制電路控制電路讀讀寫寫電電路路MDR地址總線地址總線數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線讀讀寫寫2. 主存和主存和 CPU 的聯(lián)系的聯(lián)系MDRMARCPU主主 存存讀讀數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線地址總線地址總線寫寫一、概述一、概述 高位字節(jié)高位字節(jié) 地址為字地址地址為字地址 低位字節(jié)低位字節(jié) 地址為字地址地址為字地址設地址線設地址線 24 根根按按 字節(jié)字節(jié) 尋址尋址按按 字字 尋址尋址若字長為若字長為 16 位位按按 字字 尋址尋址若字長為若字長為 32 位位字地址字地址字節(jié)地址字節(jié)地址

7、11109876543210840字節(jié)地址字節(jié)地址字地址字地址4523014203. 主存中存儲單元地址的分配主存中存儲單元地址的分配224 = 16 M8 M4 M一、概述一、概述(2) 存儲速度存儲速度4. 主存的技術指標主存的技術指標(1) 存儲容量存儲容量(3) 存儲器的帶寬存儲器的帶寬主存主存 存放二進制代碼的總位數(shù)存放二進制代碼的總位數(shù) 讀出時間讀出時間 寫入時間寫入時間 存儲器的存儲器的 訪問時間訪問時間 存取時間存取時間 存取周期存取周期 讀周期讀周期 寫周期寫周期 連續(xù)兩次獨立的存儲器操作連續(xù)兩次獨立的存儲器操作（讀或?qū)懀┧璧模ㄗx或?qū)懀┧璧?最小間隔時間最小間隔時間 單位

8、時間內(nèi)存儲器存取的信單位時間內(nèi)存儲器存取的信息量；息量；位位/秒秒一、概述一、概述芯片容量芯片容量二、半導體存儲芯片二、半導體存儲芯片1. 半導體存儲芯片的基本結構半導體存儲芯片的基本結構譯譯碼碼驅(qū)驅(qū)動動存存儲儲矩矩陣陣讀讀寫寫電電路路1K4位位16K1位位8K8位位片選線片選線讀讀/寫控制線寫控制線地地址址線線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線地址線地址線（單向）（單向）數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線（雙向）（雙向）1041411381. 半導體存儲芯片的基本結構半導體存儲芯片的基本結構譯譯碼碼驅(qū)驅(qū)動動存存儲儲矩矩陣陣讀讀寫寫電電路路片選線片選線讀讀/寫控制線寫控制線地地址址線線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線片選線片選線讀讀/寫控制線寫控制線（低電

9、平寫（低電平寫 高電平讀）高電平讀）（允許讀）（允許讀）CSCEWE（允許寫）（允許寫）WEOE二、半導體存儲芯片二、半導體存儲芯片存儲芯片片選線的作用存儲芯片片選線的作用用用 16K 1位位 的存儲芯片組成的存儲芯片組成 64K 8位位 的存儲器的存儲器 32片片當?shù)刂窞楫數(shù)刂窞?65 535 時，此時，此 8 片的片選有效片的片選有效 8片片16K 1位位 8片片16K 1位位 8片片16K 1位位 8片片16K 1位位二、半導體存儲芯片二、半導體存儲芯片0,015,015,70,7 讀讀/寫控制電路寫控制電路 地地址址譯譯碼碼器器 字線字線015168矩陣矩陣07D07D 位線位線 讀讀

10、 / 寫選通寫選通A3A2A1A02. 半導體存儲芯片的譯碼驅(qū)動方式半導體存儲芯片的譯碼驅(qū)動方式(1) 線選法線選法00000,00,7007D07D 讀讀 / 寫寫選通選通 讀讀/寫控制電路寫控制電路 二、半導體存儲芯片二、半導體存儲芯片A3A2A1A0A40,310,031,031,31 Y 地址譯碼器地址譯碼器 X地地址址譯譯碼碼器器 3232 矩陣矩陣A9I/OA8A7A56AY0Y31X0X31D讀讀/寫寫(2) 重合法重合法00000000000,031,00,31I/OD0,0讀讀二、半導體存儲芯片二、半導體存儲芯片 三、隨機存取存儲器三、隨機存取存儲器 1. 靜態(tài)靜態(tài) RAM

11、(SRAM) (1) 靜態(tài)靜態(tài) RAM 基本電路基本電路A 觸發(fā)器非端觸發(fā)器非端1T4T觸發(fā)器觸發(fā)器5TT6、行開關行開關7TT8、列開關列開關7TT8、一列共用一列共用A 觸發(fā)器原端觸發(fā)器原端T1 T4T5T6T7T8A A寫放大器寫放大器寫放大器寫放大器DIN寫選擇寫選擇讀選擇讀選擇DOUT讀放讀放位線位線A位線位線A 列地址選擇列地址選擇行地址選擇行地址選擇T1 T4A T1 T4T5T6T7T8A寫放大器寫放大器寫放大器寫放大器DIN寫選擇寫選擇讀選擇讀選擇讀放讀放位線位線A位線位線A 列地址選擇列地址選擇行地址選擇行地址選擇DOUT 靜態(tài)靜態(tài) RAM 基本電路的基本電路的 讀讀 操作

12、操作 行選行選 T5、T6 開開T7、T8 開開列選列選讀放讀放DOUTVAT6T8DOUT讀選擇有效讀選擇有效T1 T4T5T6T7T8A ADIN位線位線A位線位線A 列地址選擇列地址選擇行地址選擇行地址選擇寫放寫放寫放寫放讀放讀放DOUT寫選擇寫選擇讀選擇讀選擇 靜態(tài)靜態(tài) RAM 基本電路的基本電路的 寫寫 操作操作 行選行選T5、T6 開開 兩個寫放兩個寫放 DIN列選列選T7、T8 開開（左）（左） 反相反相T5A （右）（右） T8T6ADINDINT7寫選擇有效寫選擇有效T1 T4 (2) 靜態(tài)靜態(tài) RAM 芯片舉例芯片舉例 Intel 2114 外特性外特性存儲容量存儲容量1K

13、4 位位I/O1I/O2I/O3I/O4A0A8A9WECSVCCGNDIntel 2114 三、隨機存取存儲器三、隨機存取存儲器 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀A3A4A5A6A7A8A0A1A2A9150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀

14、寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組0000000000 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀150

15、311647326348第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS00000000001503116473263480164832150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O

16、1I/O2I/O3I/O4WECS00000000001503116473263480164832第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀0163248CSWE150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0164832第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀15031164732634

17、801632480000000000150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀15031164732634801632480164832150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼

18、列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀1503116473263480163248讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0164832150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組

19、Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 讀讀1503116473263480163248讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0164832I/O1I/O2I/O3I/O4A3A4A5A6A7A8A0A1A2A9150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 寫寫150311647

20、326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組0000000000 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 寫寫第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS00

21、00000000 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 寫寫150311647326348第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 寫寫150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000150311647326348WECS0164832第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (

22、64 64) 寫寫I/O1I/O2I/O3I/O4WECS150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼0000000000150311647326348I/O1I/O2I/O3I/O40164832第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 寫寫I/O1I/O2I/O3I/O4WECS150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀

23、寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼0000000000150311647326348I/O1I/O2I/O3I/O4讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0164832第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 寫寫I/O1I/O2I/O3I/O4WECS150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼0000000000150311647326348I

24、/O1I/O2I/O3I/O4讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0164832第一組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 寫寫I/O1I/O2I/O3I/O4150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼WECS0000000000150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路I/O1I/O2I/O3I/O40164832第一

25、組第一組第二組第二組第三組第三組第四組第四組 Intel 2114 RAM 矩陣矩陣 (64 64) 寫寫I/O1I/O2I/O3I/O4150311647326348150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0163015行行地地址址譯譯碼碼列列地地址址譯譯碼碼WECS0000000000150311647326348I/O1I/O2I/O3I/O4讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路01632480164832ACSDOUT地址有效地址有效地址失效地址失效片選失效片選失效數(shù)據(jù)有效數(shù)據(jù)有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)穩(wěn)定高阻高阻

26、 (3) 靜態(tài)靜態(tài) RAM 讀讀 時序時序 tAtCOtOHAtOTDtRC片選有效片選有效讀周期讀周期 t tRCRC 地址有效地址有效 下一次地址有效下一次地址有效讀時間讀時間 t tA A 地址有效地址有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)穩(wěn)定 t tCOCO 片選有效片選有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)穩(wěn)定t tOTDOTD 片選失效片選失效輸出高阻輸出高阻t tOHAOHA 地址失效后的地址失效后的數(shù)據(jù)維持時間數(shù)據(jù)維持時間ACSWEDOUTDIN (4) 靜態(tài)靜態(tài) RAM (2114) 寫寫 時序時序 tWCtWtAWtDWtDHtWR寫周期寫周期 t tWCWC 地址有效地址有效下一次地址有效下一次地址有效寫時間寫時間

27、 t tW W 寫命令寫命令 WEWE 的有效時間的有效時間t tAWAW 地址有效地址有效片選有效的滯后時間片選有效的滯后時間t tWRWR 片選失效片選失效下一次地址有效下一次地址有效t tDW DW 數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)穩(wěn)定 WE WE 失效失效t tDHDH WE WE 失效后的數(shù)據(jù)維持時間失效后的數(shù)據(jù)維持時間DD預充電信號預充電信號讀選擇線讀選擇線寫數(shù)據(jù)線寫數(shù)據(jù)線寫選擇線寫選擇線讀數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線VCgT4T3T2T11 (1) 動態(tài)動態(tài) RAM 基本單元電路基本單元電路 2. 動態(tài)動態(tài) RAM ( DRAM )讀出與原存信息相反讀出與原存信息相反讀出時數(shù)據(jù)線有電流讀出時數(shù)據(jù)線有電流 為為 “

28、1”數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線CsT字線字線DDV0 10 11 0寫入與輸入信息相同寫入與輸入信息相同寫入時寫入時 CS 充電充電 為為 “1” 放電放電 為為 “0”T3T2T1T無電流無電流有電流有電流單元單元電路電路讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D行行地地址址譯譯碼碼器器001131311A9A8A7A6A531A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線0 (2) 動態(tài)動態(tài) RAM 芯片舉例芯片舉例 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 讀讀00000000000D0 0單元單

29、元電路電路讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行行地地址址譯譯碼碼器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線0 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫11111 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行行地地址址譯

30、譯碼碼器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線0A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行行地地址址譯譯碼碼器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線011111 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行行地地址址譯譯碼碼

31、器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線00100011111 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行行地地址址譯譯碼碼器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線0111111010001 1 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列

32、 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行行地地址址譯譯碼碼器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線0D11111010001 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行行地地址址譯譯碼碼器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線0D11111010001讀讀 寫寫 控控 制制 電

33、電 路路 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行行地地址址譯譯碼碼器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線0D11111010001讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫A9A8A7A6A5讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器讀選擇線讀選擇線寫選擇線寫選擇線D單元單元電路電路行

34、行地地址址譯譯碼碼器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器寫寫數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線讀讀數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線0D11111010001讀讀 寫寫 控控 制制 電電 路路 三管動態(tài)三管動態(tài) RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 寫寫時序與控制時序與控制 行時鐘行時鐘列時鐘列時鐘寫時鐘寫時鐘 WERASCAS A6A0存儲單元陣列存儲單元陣列基準單元基準單元行行譯譯碼碼列譯碼器列譯碼器再生放大器再生放大器列譯碼器列譯碼器讀讀出出放放大大基準單元基準單元存儲單元陣列存儲單元陣列行行譯譯碼碼 I/O緩存器緩存器數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動驅(qū)動數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入寄存器寄存器 DINDOUT行地址行地

35、址緩存器緩存器列地址列地址緩存器緩存器 單管動態(tài)單管動態(tài) RAM 4116 (16K 1 1位位) 外特性外特性DINDOUTA6A0 讀放大器讀放大器 讀放大器讀放大器 讀放大器讀放大器06364127128 根行線根行線Cs01271128列列選選擇擇讀讀/寫線寫線數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入I/O緩沖緩沖輸出驅(qū)動輸出驅(qū)動DOUTDINCs 4116 (16K 1位位) 芯片芯片 讀讀 原理原理 讀放大器讀放大器 讀放大器讀放大器 讀放大器讀放大器630 0 0I/O緩沖緩沖輸出驅(qū)動輸出驅(qū)動OUTD 讀放大器讀放大器 讀放大器讀放大器 讀放大器讀放大器06364127128 根行線根行線Cs01271

36、128列列選選擇擇讀讀/寫線寫線數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入I/O緩沖緩沖輸出驅(qū)動輸出驅(qū)動DOUTDINCs 4116 (16K1位位) 芯片芯片 寫寫 原理原理數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入I/O緩沖緩沖I/O緩沖緩沖DIN讀出放大器讀出放大器 讀放大器讀放大器630 (3) 動態(tài)動態(tài) RAM 時序時序 行、列地址分開傳送行、列地址分開傳送寫時序?qū)憰r序行地址行地址 RAS 有效有效寫允許寫允許 WE 有效有效(高高)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) DOUT 有效有效數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) DIN 有效有效讀時序讀時序行地址行地址 RAS 有效有效寫允許寫允許 WE 有效有效(低低)列地址列地址 CAS 有效有效列地址列地址 CAS 有效有效 (4) 動

37、態(tài)動態(tài) RAM 刷新刷新 刷新的過程實質(zhì)上是先將原存信息讀出，再由刷新放大器刷新的過程實質(zhì)上是先將原存信息讀出，再由刷新放大器形成原信息并重新寫入的再形成原信息并重新寫入的再 生過程。生過程。 規(guī)定在一定時間內(nèi)，對規(guī)定在一定時間內(nèi)，對DRAM的全部基本單元電路必做一的全部基本單元電路必做一次刷新，一般取次刷新，一般取2ms，即刷新周期或再生周期。，即刷新周期或再生周期。 刷新是一行行進行的。刷新是一行行進行的。 集中式集中式-正常讀正常讀/寫操作與刷新操作分開進行，刷新集寫操作與刷新操作分開進行，刷新集中完成。中完成。 特點：存在一段停止讀特點：存在一段停止讀/寫操作的死時間寫操作的死時間 分

38、散式分散式-將一個存儲系統(tǒng)周期分成兩個時間片，分時將一個存儲系統(tǒng)周期分成兩個時間片，分時進行正常讀進行正常讀/寫操作和刷新操作。寫操作和刷新操作。 特點：不存在停止讀特點：不存在停止讀/寫操作的死時間寫操作的死時間 異步式異步式-前兩種方式的結合，每隔一段時間刷新一次，前兩種方式的結合，每隔一段時間刷新一次，保證在刷新周期內(nèi)對整個存儲器刷新一遍。保證在刷新周期內(nèi)對整個存儲器刷新一遍。 (4) 動態(tài)動態(tài) RAM 刷新刷新 刷新與行地址有關刷新與行地址有關 集中刷新集中刷新 （存取周期為存取周期為0.5 s s ）“死時間率死時間率” 為為 128/4 000 100% = 3.2%“死區(qū)死區(qū)”

39、為為 0.5 s s 128 = 64 s s 周期序號周期序號地址序號地址序號tc0123871 387201tctctctc3999V W01127讀讀/寫或維持寫或維持刷新刷新讀讀/寫或維持寫或維持3872 個周期個周期 （1936 s s） 128個周期個周期 （64 s s） 刷新時間間隔刷新時間間隔 （2 ms）刷新序號刷新序號tcXtcY 以以128 128 矩陣為例矩陣為例“死時間率死時間率” 為為 32/4000 100% = 0.8%“死區(qū)死區(qū)” 為為 0.5 s 32 = 16 s周期序號周期序號地址序號地址序號tc0 123967 396801tctctctc3999V

40、 W 0131讀讀/寫或維持寫或維持刷新刷新讀讀/寫或維持寫或維持3968個周期個周期 （1984）32個周期個周期 （ 16）刷新時間間隔刷新時間間隔 （2ms）刷新序號刷新序號sstcXtcY 設設以以 32 32 矩陣為例，存取周期為矩陣為例，存取周期為0.5s，那么，那么該種該種DRAM的的“死區(qū)死區(qū)”時間和時間和“死時間率死時間率” 各為多少？各為多少？ (4) 動態(tài)動態(tài) RAM 刷新刷新t tC C = = t tM M + + t tR R讀寫讀寫 刷新刷新無無 “死區(qū)死區(qū)” 分散刷新分散刷新（存取周期為存取周期為1s）(存取周期為存取周期為 0.5 s + 0.5 s)W/RR

41、EF0W/RtRtMtCREF126REF127REFW/RW/RW/RW/R刷新間隔刷新間隔 128 個讀寫周期個讀寫周期以以 128 128 矩陣為例矩陣為例 每隔每隔128s就可以將存儲芯片全部刷新一遍，比容許的時間就可以將存儲芯片全部刷新一遍，比容許的時間間隔間隔2ms小的多。小的多。 分散刷新與集中刷新相結合（異步刷新）分散刷新與集中刷新相結合（異步刷新）對于對于 128 128 的存儲芯片的存儲芯片（存取周期為存取周期為 0.5 s s ）將刷新安排在指令譯碼階段，不會出現(xiàn)將刷新安排在指令譯碼階段，不會出現(xiàn) “死區(qū)死區(qū)”“死區(qū)死區(qū)” 為為 0.5 s s 若每隔若每隔 15.6 s

42、 s （2000/128）刷新一行刷新一行每行每隔每行每隔 2 ms 刷新一次刷新一次 3. 動態(tài)動態(tài) RAM 和靜態(tài)和靜態(tài) RAM 的比較的比較DRAMSRAM存儲原理存儲原理集成度集成度芯片引腳芯片引腳功耗功耗價格價格速度速度刷新刷新電容電容觸發(fā)器觸發(fā)器高高低低少少多多小小大大低低高高慢慢快快有有無無主存主存緩存緩存 四、只讀存儲器四、只讀存儲器 1. 掩模掩模 ROM ( MROM ) 行列選擇線交叉處有行列選擇線交叉處有 MOS 管為管為“1”行列選擇線交叉處無行列選擇線交叉處無 MOS 管為管為“0” 2. PROM (一次性編程一次性編程) VCC行線行線列線列線熔絲熔絲熔絲斷熔絲

43、斷為為 “0”為為 “1”熔絲未斷熔絲未斷 3. EPROM (多次性編程多次性編程 ) (1) N型溝道浮動柵型溝道浮動柵 MOS 電路電路G 柵極柵極S 源源D 漏漏紫外線全部擦洗紫外線全部擦洗D 端加正電壓端加正電壓形成浮動柵形成浮動柵S 與與 D 不導通為不導通為 “0”D 端不加正電壓端不加正電壓不形成浮動柵不形成浮動柵S 與與 D 導通為導通為 “1”SGDN+N+P基片基片GDS浮動柵浮動柵SiO2+ + + + +_ _ _ 四、只讀存儲器四、只讀存儲器控制邏輯控制邏輯Y 譯碼譯碼X 譯譯碼碼數(shù)據(jù)緩沖區(qū)數(shù)據(jù)緩沖區(qū)Y 控制控制128 128存儲矩陣存儲矩陣PD/ProgrCSA1

44、0A7A6A0DO0DO7112A7A1A0VSSDO2DO0DO127162413VCCA8A9VPPCSA10PD/ProgrDO3DO7(2) 2716 EPROM 的邏輯圖和引腳的邏輯圖和引腳PD/ProgrPD/Progr功率下降功率下降 / 編程輸入端編程輸入端 讀出時讀出時 為為 低電平低電平 四、只讀存儲器四、只讀存儲器 4. EEPROM (多次性編程多次性編程 ) 電可擦寫電可擦寫局部擦寫局部擦寫全部擦寫全部擦寫5. Flash Memory (閃速型存儲器閃速型存儲器) 比比 EEPROM快快EPROM價格便宜價格便宜 集成度高集成度高EEPROM電可擦洗重寫電可擦洗重寫

45、具備具備 RAM 功能功能 四、只讀存儲器四、只讀存儲器 用用 1K 4位位 存儲芯片組成存儲芯片組成 1K 8位位 的存儲器的存儲器？片？片 五、存儲器與五、存儲器與 CPU 的連接的連接 1. 存儲器容量的擴展存儲器容量的擴展 (1) 位擴展位擴展（增加存儲字長）（增加存儲字長）10根地址線根地址線8根數(shù)據(jù)線根數(shù)據(jù)線DDD0479AA021142114CSWE2片片 (2) 字擴展（增加存儲字的數(shù)量）字擴展（增加存儲字的數(shù)量） 用用 1K 8位位 存儲芯片組成存儲芯片組成 2K 8位位 的存儲器的存儲器11根地址線根地址線8根數(shù)據(jù)線根數(shù)據(jù)線？片？片2片片1K 8 8位位1K 8 8位位D7

46、D0WEA1A0A9CS0A10 1CS1 五、存儲器與五、存儲器與 CPU 的連接的連接 (3) 字、位擴展字、位擴展用用 1K 4位位 存儲芯片組成存儲芯片組成 4K 8位位 的存儲器的存儲器8根數(shù)據(jù)線根數(shù)據(jù)線12根地址線根地址線WEA8A9A0.D7D0A11A10CS0CS1CS2CS3片選片選譯碼譯碼1K41K41K41K41K41K41K41K4？片？片8片片 五、存儲器與五、存儲器與 CPU 的連接的連接 2. 存儲器與存儲器與 CPU 的連接的連接 (1) 地址線的連接地址線的連接(2) 數(shù)據(jù)線的連接數(shù)據(jù)線的連接(3) 讀讀/寫命令線的連接寫命令線的連接(4) 片選線的連接片選

47、線的連接(5) 合理選擇存儲芯片合理選擇存儲芯片(6) 其他其他 時序、負載時序、負載 五、存儲器與五、存儲器與 CPU 的連接的連接 例例4.1 解解: : (1) 寫出對應的二進制地址碼寫出對應的二進制地址碼(2) 確定芯片的數(shù)量及類型確定芯片的數(shù)量及類型0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0A15A14A13 A11 A10 A7 A4 A3 A00 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 12K8位位1K8位位RAM2片片1

48、K4位位ROM1片片 2K8位位(3) 分配地址線分配地址線A10 A0 接接 2K 8位位 ROM 的地址線的地址線A9 A0 接接 1K 4位位 RAM 的地址線的地址線(4) 確定片選信號確定片選信號C B A0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0A15 A13 A11 A10 A7 A4 A3 A00 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 12K 8位位1片片 ROM1K 4位位2片片RAM 2K 8位位 ROM 1K 4

49、位位 RAM1K 4位位 RAM&PD/ProgrY5Y4G1CBAG2BG2AMREQA14A15A13A12A11A10A9A0D7D4D3D0WR例例 4.1 CPU 與存儲器的連接圖與存儲器的連接圖例例4.2 P95 課后作業(yè)，下堂課上交并講解課后作業(yè)，下堂課上交并講解例例 4.3 設設 CPU 有有 20 根地址線，根地址線，16 根數(shù)據(jù)線。并用根數(shù)據(jù)線。并用 IO/M 作訪存控制信號。作訪存控制信號。RD 為讀命令，為讀命令，WR 為寫命令。為寫命令。CPU可通過可通過BHE和和A0來控制按字節(jié)或按字兩種形式訪來控制按字節(jié)或按字兩種形式訪問。問。問題：問題： 1.CPU按字

50、節(jié)訪問和按字訪問的地址范圍各是多按字節(jié)訪問和按字訪問的地址范圍各是多少？少？ 2.CPU按字節(jié)訪問時需要分奇偶體，且最大按字節(jié)訪問時需要分奇偶體，且最大64KB為系統(tǒng)程序區(qū)，與其相鄰的為系統(tǒng)程序區(qū)，與其相鄰的64KB為用戶程序區(qū)。寫出為用戶程序區(qū)。寫出每片存儲芯片所對應的二進制地址碼。每片存儲芯片所對應的二進制地址碼。 3.畫出對應上述范圍的畫出對應上述范圍的CPU與存儲芯片的連接圖。與存儲芯片的連接圖。六、存儲器的校驗六、存儲器的校驗1. 海明碼海明碼 海明碼是一種可以糾正一位差錯的編碼。海明碼是一種可以糾正一位差錯的編碼。它是利用在信息位為它是利用在信息位為n位，增加位，增加k位冗余位，位

51、冗余位，構成一個構成一個n+k位的海明碼字，然后用位的海明碼字，然后用k個檢測個檢測關系式產(chǎn)生的關系式產(chǎn)生的k個校正因子來區(qū)分無錯和在碼個校正因子來區(qū)分無錯和在碼字中的字中的n+k個不同位置的一位錯。個不同位置的一位錯。 海明碼的編碼效率為：海明碼的編碼效率為： R=n/(n+k) ，式中，式中 n為信息位位數(shù)為信息位位數(shù) ，k為增加冗余位位數(shù)。為增加冗余位位數(shù)。漢明碼的組成需增添漢明碼的組成需增添 ？位檢測位位檢測位檢測位的位置檢測位的位置 ？檢測位的取值檢測位的取值 ？2k n + k + 1檢測位的取值與該位所在的檢測檢測位的取值與該位所在的檢測“小組小組” 中中承擔的奇偶校驗任務有關承

52、擔的奇偶校驗任務有關組成漢明碼的三要素組成漢明碼的三要素2 . 漢明碼的組成漢明碼的組成2i ( i = 0，1，2 ，3 ， ，k-1 )六、存儲器的校驗六、存儲器的校驗各檢測位各檢測位 Ci 所承擔的檢測小組為所承擔的檢測小組為gi 小組獨占第小組獨占第 2i1 位位gi 和和 gj 小組共同占第小組共同占第 2i1 + 2j1 位位gi、gj 和和 gl 小組共同占第小組共同占第 2i1 + 2j1 + 2l1 位位 C1 檢測的檢測的 g1 小組包含第小組包含第 1，3，5，7，9，11，C2 檢測的檢測的 g2 小組包含第小組包含第 2，3，6，7，10，11，C4 檢測的檢測的 g

53、3 小組包含第小組包含第 4，5，6，7，12，13，C8 檢測的檢測的 g4 小組包含第小組包含第 8，9，10，11，12，13，14，15，24，六、存儲器的校驗六、存儲器的校驗例例4.4 求求 0101 按按 “偶校驗偶校驗” 配置的漢明碼配置的漢明碼解：解： n = 4根據(jù)根據(jù) 2k n + k + 1得得 k = 3漢明碼排序如下漢明碼排序如下:二進制序號二進制序號名稱名稱1 2 3 4 5 6 7C1 C2 C40 0101 的漢明碼為的漢明碼為 010010101 0 110六、存儲器的校驗六、存儲器的校驗按配偶原則配置按配偶原則配置 0011 的漢明碼的漢明碼 二進制序號二進

54、制序號 名稱名稱1 2 3 4 5 6 7C1 C2 C41 0 000 1 1解：解： n = 4 根據(jù)根據(jù) 2k n + k + 1取取 k = 3C1= 3 5 7 = 1C2= 3 6 7 = 0C4= 5 6 7 = 0 0011 的漢明碼為的漢明碼為 1000011練習練習13. 漢明碼的糾錯過程漢明碼的糾錯過程形成新的檢測位形成新的檢測位 Pi ，如增添如增添 3 位位 （k = 3），）， 新的檢測位為新的檢測位為 P4 P2 P1 。以以 k = 3 為例，為例，Pi 的取值為的取值為P1 = 1 3 5 7P2 = 2 3 6 7P4 = 4 5 6 7對于按對于按 “偶校

55、驗偶校驗” 配置的漢明碼配置的漢明碼 不出錯時不出錯時 P1= 0，P2 = 0，P4 = 0C1C2C4其位數(shù)與其位數(shù)與增添的檢測位增添的檢測位有關，有關，P1= 1 3 5 7 = 0 無錯無錯P2= 2 3 6 7 = 1 有錯有錯P4= 4 5 6 7 = 1 有錯有錯P4P2P1 = 110第第 6 位出錯，可糾正為位出錯，可糾正為 0100101，故要求傳送的信息為故要求傳送的信息為 0101。糾錯過程如下糾錯過程如下例例4.5解：解： 已知接收到的漢明碼為已知接收到的漢明碼為 0100111（按配偶原則配置）試問要求傳送的信息是什么（按配偶原則配置）試問要求傳送的信息是什么? 練

56、習練習2P4 = 4 5 6 7 = 1P2 = 2 3 6 7 = 0P1 = 1 3 5 7 = 0 P4 P2 P1 = 100第第 4 位錯，可不糾位錯，可不糾寫出按偶校驗配置的漢明碼寫出按偶校驗配置的漢明碼0101101 的糾錯過程的糾錯過程練習練習3按配奇原則配置按配奇原則配置 0011 的漢明碼的漢明碼配奇的漢明碼為配奇的漢明碼為 0101011六、存儲器的校驗六、存儲器的校驗七、提高訪存速度的措施七、提高訪存速度的措施 采用高速器件采用高速器件 調(diào)整主存結構調(diào)整主存結構1. 單體多字系統(tǒng)單體多字系統(tǒng) W位位W位位W位位W位位W位位 地址寄存器地址寄存器 主存控制器主存控制器.

57、. . . . . 單字長寄存器單字長寄存器 數(shù)據(jù)寄存器數(shù)據(jù)寄存器 存儲體存儲體 采用層次結構采用層次結構 Cache 主存主存 增加存儲器的帶寬增加存儲器的帶寬 2. 多體并行系統(tǒng)多體并行系統(tǒng)(1) 高位交叉高位交叉 M0M1M2M3體內(nèi)地址體內(nèi)地址體號體號體號體號地址地址00 000000 000100 111101 000001 000101 111110 000010 000110 111111 000011 000111 1111順序編址順序編址 各個體并行工作各個體并行工作M0地址地址01n1M1nn+12n1M22n2n+13n1M33n3n+14n1地址譯碼地址譯碼體內(nèi)地址體內(nèi)

58、地址體號體號體號體號(1) 高位交叉高位交叉 M0M1M2M3體號體號體內(nèi)地址體內(nèi)地址地址地址0000 000000 010000 100000 110001 000001 010001 100001 111111 001111 011111 101111 11(2) 低位交叉低位交叉各個體輪流編址各個體輪流編址M0地址地址044n4M1154n3M2264n2M3374n1地址譯碼地址譯碼 體號體號體內(nèi)地址體內(nèi)地址 體號體號(2) 低位交叉低位交叉 各個體輪流編址各個體輪流編址低位交叉的特點低位交叉的特點在不改變存取周期的前提下，增加存儲器的帶寬在不改變存取周期的前提下，增加存儲器的帶寬時間

59、時間 單體單體訪存周期訪存周期 單體單體訪存周期訪存周期啟動存儲體啟動存儲體 0啟動存儲體啟動存儲體 1啟動存儲體啟動存儲體 2啟動存儲體啟動存儲體 3 設四體低位交叉存儲器，存取周期為設四體低位交叉存儲器，存取周期為T，總線傳輸周期，總線傳輸周期為為，為實現(xiàn)流水線方式存取，應滿足，為實現(xiàn)流水線方式存取，應滿足 T 4。連續(xù)讀取連續(xù)讀取 4 個字所需的時間為個字所需的時間為 T(4 1)七、提高訪存速度的措施七、提高訪存速度的措施(3) 存儲器控制部件（簡稱存控）存儲器控制部件（簡稱存控）易發(fā)生代碼易發(fā)生代碼丟失的請求丟失的請求源，優(yōu)先級源，優(yōu)先級最高最高嚴重影響嚴重影響 CPU工作的請求源，

60、工作的請求源，給予給予 次高次高 優(yōu)先級優(yōu)先級控制線路控制線路排隊器排隊器 節(jié)拍節(jié)拍發(fā)生器發(fā)生器QQCM來自各個請求源來自各個請求源 主脈沖主脈沖存控標記存控標記 觸發(fā)器觸發(fā)器七、提高訪存速度的措施七、提高訪存速度的措施3.高性能存儲芯片高性能存儲芯片(1) SDRAM (同步同步 DRAM)在系統(tǒng)時鐘的控制下進行讀出和寫入在系統(tǒng)時鐘的控制下進行讀出和寫入CPU 無須等待無須等待(2) RDRAM由由 Rambus 開發(fā)，主要解決開發(fā)，主要解決 存儲器帶寬存儲器帶寬 問題問題 (3) 帶帶 Cache 的的 DRAM 在在 DRAM 的芯片內(nèi)的芯片內(nèi) 集成集成 了一個由了一個由 SRAM 組成的組成的