chapter14二極管和晶體管

1、下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁14.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁共價健共價健 Si Si Si Si價電子價電子下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 Si Si Si Si價電子價電子這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)?？昭昭ㄗ杂呻娮幼杂呻娮酉乱豁撓乱豁摽偰夸浛偰夸?章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁

2、下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 Si Si Si Sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€失去一個電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子動畫動畫下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴動畫動畫下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁多子的擴(kuò)散運動多子的擴(kuò)散運動內(nèi)電場內(nèi)電場少子的漂移運動少子的漂移運動濃度差濃度差 擴(kuò)散的結(jié)果使擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬?？臻g電荷區(qū)變寬?？臻g電荷區(qū)也稱空間電

3、荷區(qū)也稱 PN 結(jié)結(jié) +動畫動畫形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁PN 結(jié)變窄結(jié)變窄 P接正、接正、N接負(fù)接負(fù) 外電場外電場IF內(nèi)電場內(nèi)電場PN+動畫動畫+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁動畫動畫+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 內(nèi)電場被加內(nèi)電場被加強(qiáng)，少子的漂強(qiáng)，少子的漂移加強(qiáng)，由于移加強(qiáng)，由于少子數(shù)量很少，少子數(shù)量很少，形成很小的反形成很小的反向電流。向電流。IR動畫動畫+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一

4、頁陰極引線陰極引線陽極引線陽極引線二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金屬觸絲金屬觸絲陽極引線陽極引線N型鍺片型鍺片陰極引線陰極引線外殼外殼( a ) 點接觸型點接觸型鋁合金小球鋁合金小球N型硅型硅陽極引線陽極引線PN結(jié)結(jié)金銻合金金銻合金底座底座陰極引線陰極引線( b ) 面接觸型面接觸型圖圖 1 12 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號 陰極陰極陽極陽極( d ) 符號符號D下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回

5、上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是理想的，若二極管是理想的，下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁例例1：D6V12V3k BAUAB+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁V sin18itu t 動畫動畫下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上

6、一頁上一頁UZIZIZM UZ IZ_+UIO下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ZZ ZIUr下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 例例 圖中通過穩(wěn)壓管的參數(shù)如圖中通過穩(wěn)壓管的參數(shù)如圖所示，為使管子不致燒壞，圖所示，為使管子不致燒壞，限流電阻取值應(yīng)為多少？限流電阻取值應(yīng)為多少？IZDZUS=+20VR UZ = 12V IZM = 18 mAIZ 解解 KmAVIUURZMZS44. 018)1220(下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁NNPBECBECIBIEICB

7、ECIBIEIC下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁EEBRBRC下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ，有有忽忽略略下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一

8、頁 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。是分析放大電路的依據(jù)。 重點討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線重點討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁常常數(shù)數(shù) CE)(BEBUUfIIB( A)UBE(V)204060800.

9、40.8UCE 1VO下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁IB=020 A40 A60 A80 A100 A常常數(shù)數(shù) B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)912O放大區(qū)放大區(qū)下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁O下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁晶體管結(jié)電壓的典型值晶體管結(jié)電壓的典型值下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 例例 已知已知EC=10V, EB=5V,RC=3K , RB=200K , =100,求求IB、IC,并驗證晶體管是否處于放大狀態(tài)。如果將并驗證晶體管是否處于放大

10、狀態(tài)。如果將RB減小到減小到100 K ，晶體，晶體管是否處于放大狀態(tài)。（設(shè)管是否處于放大狀態(tài)。（設(shè)UBE=0.7V） 解解 發(fā)射結(jié)正偏，管子可能在放大或飽和狀態(tài)。若放大，則有發(fā)射結(jié)正偏，管子可能在放大或飽和狀態(tài)。若放大，則有AKVRUEIBBEBB5 .21200)7 . 05(mAIIBC15. 2VRIEUCCCCE55. 3315. 210UCEUBE 集電結(jié)集電結(jié)反偏，管子工作反偏，管子工作在放大狀態(tài)。在放大狀態(tài)。如果如果RB減小到減小到100 K ，則，則AKVRUEIBBEBB43100)7 . 05(飽和時，集電極電流飽和時，集電極電流ICS為為mAREICCCS33. 33/10/臨界飽和時基極電流臨界飽和時基極電流IBS為為:AmAIICSBS33100/33. 3/IBIBS，所以管子處于飽和狀態(tài)。，所以管子處于飽和狀態(tài)。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 BCII_ BCII 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁53704051BC.II 400400605132BC .II 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ICBO A+EC AICEOIB=0+下一頁下一頁總目錄總目