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文檔簡介
1、1一、概念(1)進氣歧管:進氣歧管位于節(jié)氣門與引擎進氣門之間1一、概念(2)壓力傳感器:把進氣歧管內(nèi)節(jié)氣門后方的壓力變化轉化為電信號,和發(fā)動機轉速信號一起送入發(fā)動機控制單元(ECU),ECU據(jù)此確定基本噴油量1二、安裝位置1. 發(fā)動機機艙內(nèi),用真空管與進氣總管相連;2. 節(jié)氣門后方的進氣管上1三、分類按其檢測原理可分為:壓敏電阻式電容式電感式表面彈性波式注:應用較多的是壓敏電阻式和電容式兩種。2壓敏電阻式(1)結構組成: 真空室-1 硅膜片-2 (四個應變電阻) 集成電路32(2)內(nèi)部結構: 主要由硅膜片、真空室、硅杯、底座、真空管接頭和引線電極等 硅杯與殼體、底座之間組成的腔室為真空室,真空
2、室為基準壓力室,基準壓力為0。222(3)工作原理: 壓力轉換元件是利用半導體的壓阻效應制成的硅膜片,一側是真空室,另一側是進氣管負壓。 進氣壓力膜片變形應變電阻輸出電壓信號2(4)信號特點: 隨著進氣歧管壓力的上升,傳感器的輸出電壓越來越高?;旧鲜浅示€性增長關系在通常情況下,傳感器輸出信號電壓范圍應該從怠速運轉時的大約1.25V,平穩(wěn)上升到氣節(jié)門全開時的大約5V。2(5)優(yōu)缺點: 優(yōu)點:體積小,精度高,響應性好,成本低。缺點:急加速時響應慢。注意:安裝在壓力波動小的部位。3(1)參數(shù)的選取: 壓力測量范圍:15300PSIG 工作電壓:5VDC或1.5mA 工作溫度:-40-85 晶圓片規(guī)
3、格:100mm(4in)X500m 晶圓片參數(shù):楊氏模量E=190000MPa 泊松比=0.25 屈服應力s=7000MPa工作溫度范圍:-4085 3(2)尺寸的選?。?硅膜邊長a:500m硅膜厚度h:11m硅片邊長A:1000m硅片厚度H:110m工作溫度范圍:-4085 3(2)尺寸的選取 工作溫度范圍:-4085 3(2)尺寸的選取 工作溫度范圍:-4085 33工作溫度范圍:-4085 3(4)壓敏傳感器制作封裝流程c.壓敏電阻及其互連線的制作單晶離子注入法:注入?yún)^(qū)域:硅襯底注入雜質(zhì):B、BF2和P一般流程:熱氧SiO2生長光刻電阻區(qū)腐蝕SiO2離子注入 去膠退火光刻SiO2開接觸孔
4、濺鋁工作溫度范圍:-4085 3(4)壓敏傳感器制作封裝流程d.硅膜空腔的設計制作(用于接受氣流壓力) 通過電化學自停止腐蝕和掩膜版的配合形成邊長為500um的正方形硅膜,具體裝置如下圖所示: 工作溫度范圍:-4085 3(4)壓敏傳感器制作封裝流程e.硅蓋空腔的設計制作(用于產(chǎn)生絕對壓力)采用深層反應離子刻蝕技術,刻蝕一個深度為50um邊長為500um的方孔。 工作溫度范圍:-4085 3(4)壓敏傳感器制作封裝流程f.玻璃底座的設計 切割 用玻璃刀切割出尺寸為1000um*1000um*200um的玻璃 刻蝕 采用玻璃鉆頭鉆出一個直徑為250um的玻璃通孔g.鍵合工藝玻璃底座與制成的硅片采
5、用陽極鍵硅蓋和硅片采用硅硅直接鍵合。 工作溫度范圍:-4085 3(4)壓敏傳感器制作封裝流程h.封裝工藝芯片級封裝:在芯片表面覆蓋硅樹脂凝膠。器件級封裝:用金屬外殼將其包裝起來。實現(xiàn)信號轉換、 芯片同用戶需要的連接件之間的設計與封裝。系統(tǒng)級封裝:通過薄金屬層進行必要的電磁屏蔽。 工作溫度范圍:-4085 4(1)ansys仿真 整體結構4(1)ansys仿真 硅膜結構4(1)ansys仿真 受力模擬分析4(1)ansys仿真模擬 受力模擬分析4(2)壓力傳感器測試 測試原理: 當電橋平衡時,即U0=0時, 理想狀態(tài)下,4片電阻片阻值相同,即4(2)壓力傳感器測試 測試原理: 當梁受到載荷F的作用時, 將式(3)、(5)代入式(4)后 4(2)壓力傳感器測試
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